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华润微集成电路“降压型LED恒流<span style='color:red'>驱动</span>器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

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华润微集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　ICBG依托深厚的技术积累和对市场需求的精准把握，打造了自主创新的车规级芯片技术矩阵，为智能汽车提供「感知-决策-执行」全链路解决方案，并已成为多家头部新能源车企的战略供应商。未来，ICBG将秉持创新引领发展的理念，专注于研发具有全球竞争力的车规级芯片，为汽车电子领域提供高性能、高可靠性的核心部件产品。

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华润微

发布时间：2025-05-19 09:31 阅读量：185 继续阅读>>

一文了解常见的几种MOS管<span style='color:red'>驱动</span>电路

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一文了解常见的几种MOS管驱动电路

　　MOS管最显著的特性是开关特性好，因此被广泛应用在需要电子开关的电路中。MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。　　下面给大家介绍下平时在工作中经常会用到的一些MOS管驱动电路。　　01直接驱动　　电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式。但使用这种驱动方式，需要注意以下几点。　　(1)了解电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片制造工艺不同，驱动能力可能不同。　　(2)了解MOS管的寄生电容，寄生电容越小越好。因为寄生电容越大，MOS管导通时要的能量就越大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，MOS管导通的速度会受到很大影响。　　IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，也不能无限减小Rg。　　02推挽驱动　　当选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部驱动能力不足时，可以采用推挽驱动。常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，一般应用在电源IC的驱动能力较弱的电路上。另外，图腾柱电路也有加快关断的作用。　　推挽驱动电路通过提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。　　03快速关断　　MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。　　为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个快恢复二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使得MOS管的关断时间大大缩短，同时减小关断时的损耗。Rg2在此处的作用是限流，防止把电源IC给烧掉。　　比较常见的是用三极管来泄放栅源极间电容电压。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了电路可靠性。　　04隔离驱动　　为了满足高端MOS管的驱动或是满足安全隔离，经常会采用变压器驱动。下图中使用的R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是通过交流，隔开直流，同时也能防止磁芯饱和。　　除开以上介绍的几种常见的驱动电路外，还有其他形式的驱动电路，大家可以结合具体情况选择最合适的驱动。

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MOS管

发布时间：2025-05-13 10:52 阅读量：215 继续阅读>>

Littelfuse：适用于高频功率应用的IXD2012NTR高压侧和低压侧栅极<span style='color:red'>驱动</span>器

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Littelfuse：适用于高频功率应用的IXD2012NTR高压侧和低压侧栅极驱动器

　　Littelfuse宣布推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了优化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。　　IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内工作，并在自举操作中支持高达200 V的高压侧开关，其逻辑输入与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平兼容，可确保与各种控制设备无缝集成。IXD2012NTR具有1.9A拉电流和2.3A灌电流输出能力，可提供强大的栅极驱动电流，是高速开关应用的理想选择。　　该器件集成的交叉传导保护逻辑可防止高压侧和低压侧输出同时开启，同时通过高集成简化了电路设计。IXD2012NTR采用紧凑型SOIC(N)-8封装，工作温度范围在-40℃~+125℃，即使在恶劣工况条件下也能提供可靠的性能。　　主要功能和特点　　高速开关性能：驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT;　　宽工作电压范围：10V~20V，适合各种电源管理应用;　　高压侧开关能力：在自举配置下，最高工作电压可达200V;　　兼容性和灵活性：逻辑输入兼容低至3.3V的TTL和CMOS电平，便于与控制器连接;　　输出电流驱动能力：1.9A拉电流输出和2.3A灌电流输出，可提供稳定的栅极驱动电流;　　提高效率和集成度：集成的交叉传导保护可降低功率损耗并简化设计;　　行业标准引脚排列：确保现有设计的直接替换能力。　　Littelfuse半导体业务部集成电路事业部产品经理June Zhang表示：“IXD2012NTR可直接替代常用的行业标准栅极驱动设备，我们产品组合中的这一新增成员为客户提供了可靠的替代电源，以满足苛刻的生产计划，同时提供卓越的高速性能。”　　适用于多样化的市场和应用　　IXD2012NTR通过提供新的200V器件，增强了Littelfuse高压侧和低压侧栅极驱动器产品组合，支持各种高频应用，包括：　　直流-直流转换器;　　交流-直流逆变器;　　电机控制器;　　D类功率放大器。　　IXD2012NTR适用于以下多个市场：　　一般工业和电气设备;　　家用电器;　　楼宇解决方案;　　储能;　　太阳能;　　电动工具。

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Littelfuse

发布时间：2025-05-13 10:40 阅读量：225 继续阅读>>

赋能无刷直流电机<span style='color:red'>驱动</span>，森国科推出4颗40V预驱芯片

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赋能无刷直流电机驱动，森国科推出4颗40V预驱芯片

　　森国科科技股份有限公司日前发布了40V预驱芯片系列产品，该系列推出了4个型号，适用于有感BLDC、无感BLDC，有感FOC、无感FOC 及永磁同步电机等控制系统，在家电、电动按摩仪、电动工具、低压风机水泵控制等产品的使用上较为常见。　　01、预驱芯片最高耐压可达40V，内置LDO　　芯片最高耐压超过40V，推荐工作电压范围7V～36V，可有效覆盖市场上最常见的12V、24V、36V 电机应用。　　芯片内置LDO，输出电压3.3V/5V可选，LDO的带载能力可达100mA，无论负载大小，LDO输出的电压稳定，效率高，随温度变化波动小，发热量低，有利于与MCU合封。在系统应用的时候，节省了一颗给MCU供电的LDO，同时还可以节省PCB布板的面积和贴片费用。　　02、集成度高，保护功能强大，四大保护机制　　G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片内部都内置了死区时间和直通保护逻辑、输入欠压保护、过流保护、过温保护。　　当G2301B和G2311B芯片温度达到160℃时触发过温保护，温度降至140℃时解除输出保护。　　G2302B、G2312B芯片则是在155℃时触发过温保护机制，温度降至135℃时解除输出保护。　　03、上下管驱动能力基本做到了一致　　森国科预驱芯片在驱动功率MOS时，G230X上下管驱动能力较为接近，上下管驱动电流都可达到200mA左右，有效解决了友商上下管电流不一致的情况。当上下管驱动电流不一致的时候，实际的驱动能力经常会被驱动电流小的上管或者下管限制住。　　04、抗静电能力优越　　HBM可达3KV，节省了外部静电保护电路，为电机驱动系统设计减小了PCB布板面积，降低了ESD、EMI的难度。　　05、G2301B可驱动3P+3N功率MOS　　G2301B内部集成了三个半桥，可驱动3P+3N功率MOS，每一路输出均可由MCU独立控制，芯片系统框图如下：　　06、G2302B内嵌电荷泵电路，缩减应用成本　　G2302B 内嵌电荷泵电路，缩减应用成本，芯片内部系统框图如下：　　G2302B采用的是3N+3N的驱动，多应用在大功率产品上。G2302B内嵌了ChargePump电荷泵电路，电荷泵由振荡电路、二极管和电容器组成。如下图所示芯片内置电荷泵的每个级对电容器中存储的电压进行升压，可以产生高于供电电压的驱动电压，从而驱动上桥臂NMOS开启。相比自举电路需要刷新自举电容，电荷泵电路对输入PWM的占空比没有限制。电荷泵电路内置之后，相比传统的外部自举电路，节省了3个二极管和3个电容，应用的时候只需2个0.1uF电容就可以实现三个半桥6N MOS稳定开关，使得布线更简洁，节省PCB布板面积，同时也提高了电磁兼容性，大幅缩减系统成本。　　07、G2301B和G2302B的典型应用电路　　G2301B典型应用电路：　　G2302B典型应用电路：　　森国科预驱芯片集高可靠、低功耗、高性能于一身，已陆续为落地扇、筋膜枪、电动工具等下游厂商提供定制化解决方案。G230X预驱系列产品，提供封装成品的同时，也提供晶圆(bare die)用于和MCU产品合封。

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森国科

发布时间：2025-05-12 14:32 阅读量：215 继续阅读>>

一文了解荣湃双通道隔离<span style='color:red'>驱动</span>器的应用推荐

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一文了解荣湃双通道隔离驱动器的应用推荐

　　隔离栅极驱动器的应用场景较为复杂和多样，在一些高频、大功率和存在噪声的场景下，隔离栅极驱动器可能会出现误动作甚至导致器件损坏。同时，不合理的PCB布局和外围电路设计也可能会导致上述问题。因此，本文基于Pai8233X系列隔离栅极驱动器，从芯片的基本应用建议、芯片高压侧多路供电方案到栅极驱动器中输入窄脉冲的影响，讨论了芯片在应用过程中可能存在的风险，旨在给出适当建议缓解上述风险带来的不利影响。　　一、应用建议　　1.1供电选项图1 Pai8233X(WB SOIC-14)引脚定义及去耦电容的连接　　Pai8233X(WB SOIC-14)的引脚定义如图1所示，其逻辑侧供电范围为3-5.5V;高压侧的VDDA/VDDB能够接受最大25V的工作电压，而其供电的下限则需参考不同型号的UVLOon。此外，为减少电源纹波和过电压应力事件，在逻辑侧推荐VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF的低ESR和低ESL的陶瓷电容并联组合。同理，在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF的低ESR和低ESL的陶瓷电容并联组合。如无充裕布板空间，至少应保证逻辑侧VCCI引脚至GND引脚接有100nF、高压侧VDDX引脚至VSSX引脚1uF的去耦电容。需要注意的是，去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。　　1.2考虑设置输入端口滤波器　　当输入信号在PCB上的走线较长或由于布局不理想而导致输入信号存在噪声，推荐在INA和INB端口设置RIN-CIN滤波器以滤除这些噪声，如图2所示。通常推荐RIN为0-100Ω和CIN为10-100pF的组合。具体阻值和容值的选择，需要考虑信号的抗扰性能和传播延时的良好平衡。例如，由RIN=51Ω和CIN=33pF组成的低通滤波器的截止频率约为100MHz。另外，其他输入端口，如DT和DISABLE脚也可设置RC滤波器以获得更好的抗噪性能。图2 Pai8233X输入端口滤波器　　1.3栅极驱动电阻选择图3 栅极驱动电阻　　栅极驱动电阻如图3所示。合理的栅极驱动电阻选择能够有效改善由功率管开关时寄生电感/电容、高dv/dt、高di/dt和体二极管反向恢复造成的振铃。同时也有利于改善EMI问题，以及调整栅极的驱动能力以减少功率管开关损耗。栅极驱动电阻直接影响到驱动电流、开关损耗和上升/下降时间。另外，栅极驱动电阻的选择也影响芯片的散热，利用串联栅极驱动电阻能够使得一部分热量通过该电阻散热。因此，设计者需要综合系统的性能参数，选择合适的栅极驱动电阻。　　还需说明的是，峰值源/灌电流还受PCB布局和负载电容的影响，同时栅极驱动器环路中的寄生电感会减缓峰值栅极驱动电流，并造成过冲和下冲。因此，在PCB布局上，要使驱动环路尽可能地短，以减少上述问题的影响。　　1.4 PCB布局指南　　良好的PCB布局对于提升功率管开关性能至关重要，一般而言，在PCB布局时，推荐遵循如下原则：　　· 为抑制电源纹波和提升稳压性能，低ESR和低ESL的陶瓷电容需连接至器件VCCI和GND、VDDX和VSSX之间，并确保去耦电容尽可能靠近器件的电源引脚和地的引脚。　　· 确保芯片的电源引脚对地的距离要尽可能地短。因为过长的电源对地走线会存在较大的寄生电感，从而导致器件更容易遭受过电压应力的风险。如果PCB为多层板，推荐在VDDX和VSSX之间设置足量的过孔连接，但应注意不要与其他涉及高压的走线和覆铜相连接。　　· 为避免在开关节点(如图3 USW)上产生负瞬态，需确保上下管的源极之间的走线尽可能地短，以减少二者之间的寄生电感。　　· 推荐在DT和DISABLE引脚附近设置旁路电容，以提升该端口的抗噪性。　　· 为确保隔离驱动的爬电距离、电气间隙等隔离性能不受影响，不建议在芯片下方放置任何 PCB 走线、覆铜、焊盘和过孔。　　· 当芯片驱动功率管时，OUT存在非常高的 di/dt，OUT环路PCB走线寄生电感会导致 EMI 和电压振荡问题，因此，芯片应尽可能靠近功率管，OUT走线尽可能宽，环路走线尽可能短，以降低环路寄生电感。　　· 当负载电容较大或开关频率较高时，芯片的功耗也会随之增大，因此在PCB设计时，热量的传导也应被考虑在内。推荐增加高压侧VDDX和VSSX的覆铜，尤其是增加VSSX的覆铜面积。另外，在栅极驱动电阻上也会消耗一部分热量，因此也需要注意栅极电阻的选择。　　备注：以上PCB布局指南在实际的应用中可能难以全部满足，但以上指南的前两点应尽可能地实现。主要原因是在实际产品应用过程中，芯片损坏的主要原因之一便是EOS损伤，而导致此损伤的根因一般是去耦电容摆放的位置离芯片较远或是电源引脚对地的距离较远。而其他布局推荐则需要根据实际系统对栅极驱动器的抗扰性、隔离性能、负瞬态要求和散热性等要求，对PCB的布局作适当权衡。　　2 Pai8233X系列供电方案　　常见的供电方案有Flyback供电方案和自举电路供电方案，以下将介绍这两种方案的实现。　　2.1为隔离栅极驱动器设计自举电荷泵电源　　下图展示了Pai8233X自举电路的典型应用。图5 Pai8233X自举电路应用框图　　如图5所示的自举电荷泵电源，能在保证顺利驱动上下管的前提下减少一路电源的供电。可从图5中看到，自举电路由自举电阻、自举二极管和自举电容组成。以下给出了自举电路中电阻、二极管和电容的选取原则：　　2.1.1自举二极管的选取　　自举二极管用于防止上管导通期间VDDA引脚处电压向供电VDDB倒灌。自举电容CBOOT在下管导通期间通过供电VDDB充电，自举电容充电的过程中会存在尖峰电流，因此二极管中的瞬态功率耗散可能是显著的。导通损耗也取决于二极管的正向电压降，同时二极管反向恢复损耗也会一定程度上影响栅极驱动器的总功耗。当选择外部自举二极管时，建议选择高电压、快速恢复二极管或具有低正向电压降和低结电容的SiC肖特基二极管，以便将损耗最小化。　　2.1.2自举电阻的选取　　自举电阻RBOOT用于减少自举二极管的涌入电流并限制VDDA-VSSA在每个开关周期的电压上升速率，特别是当VSSA(SW)引脚具有较大的负瞬态电压。RBOOT的推荐值在1Ω和20Ω之间，具体取决于所使用的二极管。举个例子，选择2.2Ω的限流电阻器来限制自举二极管的涌入电流。　　2.1.3自举电容的选取　　自举电容CBOOT用于在上管导通期间维持稳定的上管栅极驱动电压，并允许高达6A的栅极驱动电流瞬变。每个开关周期所需的总电荷可以通过下式计算：　　• 其中，QG为功率管的栅极电荷;　　• IVDDA通道在工作频率下空载时的自电流损耗;　　• ΔVVDDA为VDDA的电压纹波;　　• VGA功率管栅极开通电压;　　• RGA功率管栅源电阻;　　• TSW/TON分别为开关周期和开通时间。　　需要注意的是，由于直流偏置电压和温度变化引起的电容偏移，CBOOT的实际选取值总是大于计算值。　　2.2为隔离栅极驱动器设计Flyback供电电源　　下图展示了Pai8233X Flyback供电方案的典型应用框图。图6 Pai8233X Flyback供电方案应用框图　　通过Flyback变换器，能够使得VDDA与VDDB实现隔离，Flyback变换器除了易于实现外，相比于自举电路供电方案，其隔离栅极驱动器的A通道的对地电压应力更小。因此有条件的前提下，更加推荐采用Flyback供电方案实现隔离栅极驱动器高压侧的多路供电。　　对于上述的Flyback电路，在电路的原边涉及到PWM控制，可能会给设计者带来额外的工作量，更为方便的做法是直接采用集成了MOSFET的Flyback控制芯片来代替上述的MOS管。　　3. 隔离栅极驱动器电路中　　窄脉冲宽度的影响　　在某些大功率、高频的电源拓扑中，来自于电源、栅极或输入振铃的噪声耦合可能会导致栅极驱动器工作异常甚至损坏。极端占空比(接近0或100%)以及ns级的导通/关断时间可能会导致出现过电压应力(EOS)从而损坏栅极驱动器。以下内容将从窄脉冲发生的原因、影响因素、导致结果和设计建议几个方面具体阐述。　　3.1典型MOSFET开通/关断时间　　典型MOSFET的开通/关断周期如图8所示，栅极驱动器的输出级为MOSFET 的栅极充电，来达到给定 MOSFET 的目标栅源电压(VGS)，以及在米勒平坦区域期间施加最大驱动强度，以将栅极充电至最大驱动电压。当栅极达到目标电压VGS 且栅极电流 (IG) 为零时，此时MOSFET便完成了一个完整的开通周期。需要注意的是，规格书中的最小脉冲宽度规格只描述了空载驱动器 (COUT=0pF) 的功能，而不保证在其他情形下该脉冲是有效的。因此，在不同场景下，最小脉冲宽度都是不同的，最小脉冲宽度在特定系统中一般受栅极电容、VDD 供电电压、栅极电阻、峰值电流和PCB寄生参数等因素影响。图8 典型MOSFET开通/关断周期　　3.2功率级中发生窄输入脉冲的原因　　AC/DC电源将电网侧交流输入电压转换为稳定的DC电压，该器件包含功率因数校正 (PFC) 级，可减少谐波并保护电网。在图腾柱 PFC 配置和三相全桥 PFC 设计中，在每个交流输入过零处，对于快速开关 MOSFET，占空比非常短。在某些设计中，通过在过零处实现软启动，以避免出现较大的电流尖峰。在这种类型的设计中，在过零后重新启动时，可以将电源开关的占空比控制在一个非常低的值。　　在硬开关直流/直流转换器系统中，输出电压会在负载暂态期间(无论是从空载到高负载，还是从高负载到低负载)波动。在这些条件下，主驱动器可以发送超低或高占空比命令来根据外部电压环路反馈信号进行调整。图9 窄开通脉冲和窄关断脉冲示意　　3.3窄输入脉冲对于隔离栅极驱动器的影响和后果　　栅极驱动器的输出级在切换MOSFET开通/关断状态时提供源电流和灌入电流，在Pai8233X内部有一个上拉和下拉结构，以便于缓冲输入信号的同时，提供足够的驱动能力对栅极电容进行充放电。　　在收到窄导通脉冲情况下，驱动器在几十ns后又收到关断信号，此时MOSFET导通过程尚未完成，内部图腾柱上拉级仍持续传导非常高的电流 (IG >> 0)。并且，在实际栅极驱动电路中，存在与VDD串联的PCB布线的寄生电感Lpcb(如图11 所示)，同时也存在内部驱动器寄生电感Lbw。因此，VDD 处的总电感通常会超过 10nH。当驱动电流突然被切断时，较大的寄生电感会导致显著的电压尖峰，从而导致电压超过建议运行条件，在某些情况下甚至超过绝对最大额定值，这成为窄脉冲损坏隔离栅极驱动器的主要原因。　　同样，窄关断输入脉冲(接近 100% 占空比)也可能导致 OUT 和 VDD 过载。在窄关断脉冲情况下，当驱动器收到导通命令时，MOSFET 关断过程尚未完成，内部图腾柱下拉级仍持续传导非常高的电流 (IG >> 0)。大寄生电感和突然的电流变化会导致输出引脚上出现显著的电压尖峰。当 OUT 电压高于 VDD 电压时，它也会进一步对 VDD 引脚施加应力。　　结合上述说明，可以得知窄输入脉冲的主要影响是高di/dt使得较大的寄生电感感应出显著的电压尖峰。di/dt的影响因素包括窄脉冲宽度(如图8所示，发生开通/关断的时机越早，对应的栅极电流越大)、和栅极偏置电压、栅极电阻、栅极电容等因素。因此在设计时，需要在驱动能力和考虑窄脉冲的影响之间作一定的权衡。　　3.4缓解窄输入脉冲影响的手段　　下表展示了在实际系统设计时，易受窄脉冲影响的驱动器外围电路设置的场景以及对应的解决方法。表1 易受窄脉冲影响的场景和缓解手段　　3.5非理想PCB布局下窄脉冲宽度限制　　实际PCB布板时，可能难以实现理想PCB布局，如去耦电容离芯片管脚(电源经去耦电容到地的环路)距离大于2cm 。在这类情况下，建议严格限制窄脉冲宽度以保护器件在安全的工作范围内运行，通常需要限制脉冲宽度为大于100ns。

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荣湃

发布时间：2025-05-12 14:00 阅读量：201 继续阅读>>

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荣湃推出内部集成负压的单通道隔离驱动

　　近年来，新能源汽车发展迅猛。在车内电气系统设计中，通常根据电压等级将其划分为高压系统和低压系统两大部分。其中，高压电气系统主要包括动力电池、电机、电控系统以及高压线束等关键部件;而低压电气系统则涵盖仪表、照明、娱乐系统、车窗控制等传统车辆功能。目前，800V高压电气系统已成为高端新能源汽车的标配，显著提升了整车的性能与充电效率。　　800V平台离不开高压功率器件SiC, IGBT及配套驱动芯片的支持。SiC开关速度快，dv/dt高，IGBT关断存在拖尾电流，都往往需要实现负压驱动，传统三种解决方案如图1。　　这三种方案都存在代价/缺点，总结如表1。　　荣湃创新推出内部集成负压的单通道隔离驱动Pai8216系列，如图2，在高dv/dt应用场景下，可以避免功率器件误导通，保证系统可靠运行。　　Pai8216系列支持多种引脚配置，其框图如图3。　　Pai8216系列关键电气参数如表2所示。

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荣湃

发布时间：2025-05-09 13:46 阅读量：235 继续阅读>>

Murata Electronics 微型鼓风机MZBD评估<span style='color:red'>驱动</span>器

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Murata Electronics 微型鼓风机MZBD评估驱动器

　　Murata Electronics微型鼓风机MZBD评估驱动器是用于评估MZB微型鼓风机的驱动电路。该款微型鼓风机是小巧轻便的空气泵，可实现高压和高流速。Murata MZBD002是用于MZB1001T02的自振荡电路。MZBD304是用于MZB3004T05和MZB3005T06的示例电路。应使用IC夹或引线来连接直流电源以驱动电路。用户在焊接引线时应谨慎行事，避免将焊烙铁直接接触到微型鼓风机的主体。特性　　MZB微型鼓风机采样驱动电路　　工作电压和条件　　MZBD304　　8VDC 至18VDC，<+10kPa背压　　8VDC 至19.5VDC，≥+10kPa背压　　8VDC 至21VDC，室温和正常压力 (MZBD002)　　烙铁最高温度：+350°C　　各端子接触时间在3s以内　　应用　　燃料电池及其他类似设备的鼓风机　　采用高速气流的微粒扩散器　　用于娱乐和室内装饰的空气泵　　外观：

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Murata

发布时间：2025-05-08 11:17 阅读量：312 继续阅读>>

纳芯微车规级2路半桥<span style='color:red'>驱动</span>NSD3602-Q1：多负载兼容，提升汽车域控系统的灵活性

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纳芯微车规级2路半桥驱动NSD3602-Q1：多负载兼容，提升汽车域控系统的灵活性

　　纳芯微今日推出NSD3602-Q1系列双通道半桥栅极驱动芯片，提供2路半桥驱动，可驱动1路直流有刷电机或者1-2路电磁阀。　　NSD3602-Q1适合用于车身应用中多电机或多负载场景，如车窗升降、电动座椅、门锁、电动尾门和比例阀等。新推出的NSD3602-Q1是对纳芯微现有NSD360x-Q1系列的补充，NSD360x-Q1系列还包括4通道和8通道的半桥驱动产品。　　产品特性　　◆ 宽工作电压：4.9V – 37V(最大值40V)　　◆ 2通道半桥栅极驱动　　◆ 可配置时序充放电电流驱动(CCPD)，优化EMC性能　　◆ 集成电荷泵实现 0~100% PWM　　◆ 集成1路可编程宽模运放　　◆ 低功耗模式　　◆ 两种版本：SPI 版本支持16位 10MHZ SPI通信;硬件版本支持IO独立配置，减少MCU IO　　◆ 全面的诊断保护功能　　◆ 工作温度：Tj=-40°C~150°C　　◆ 封装形式：VQFN32　　◆ AEC-Q100认证　　NSD3602-Q1功能框图　　可配置时序充放电电流驱动(CCPD)：优化EMC性能　　由于车身应用中执行器的位置特殊性，例如电动尾门和天窗非常靠近车身天线，这就对相应的电机驱动提出了较高的EMC要求：驱动器即使在PWM工作时也拥有较低的辐射及传导干扰(RE/CE) 。　　为了应对这些挑战，NSD3602-Q1提供了可配置时序充放电电流驱动(CCPD: Configurable Charge/Discharge Current Profile Driver)。NSD3602-Q1可以根据外部负载(MOSFET)的参数和应用需求，同时实现2路半桥独立时序电流PWM驱动，电流型驱动也不再需要外部门级电阻和GS/GD电容。　　如下图所示，NSD3602-Q1的CCPD模块将MOS导通/关断过程分为三个阶段：预充电/预放电阶段、充电/放电阶段、尾放电阶段(导通只有两阶段)，所有阶段的持续时间和驱动电流独立可配置。CCPD驱动时间示意图　　宽模运放：精准电流检测，简化BOM　　NSD3602-Q1内部集成了1个高性能差分放大器 (CSA)，通过测量外部采样电阻上的差分电压来测量电流，CSA模块支持可编程增益和偏置、宽共模、双向输入、消隐 (blanking) 和采样保持 (sample & hold) 功能，通过CSA模块可以实现精准和灵活的电流采样，节省客户BOM。　　全面的诊断保护功能，提升系统可靠性　　NSD3602-Q1 集成了全面的诊断保护功能，如实时电源及电荷泵电压监控，实现全功能的欠压过压诊断保护(DVDD UV, PVDD OV, PVDD UV 和VCP UV)、驱动模块监控实现VGS及VDS诊断保护、实现运行和关闭状态下负载的开路、短路诊断(内置了上下拉电流源，从而实现off状态下负载检测)、过热报警及过热保护、CSA过流诊断、看门狗、睡眠模式和工作模式下的刹车保护功能等。所有诊断保护功能支持SPI配置或者信息读取，也支持独立的PIN脚实现IO状态输出。　　NSD3602-Q1集成的刹车保护功能，可有效抑制外部机械作用力(如人为拉拽、拖拽)导致的电压骤升，从而防止MOS管因过压损坏。这一功能在侧滑门、电动踏板、尾门撑杆等应用中尤为关键，可降低因误操作或突发冲击引起的系统故障风险，提升整体可靠性。　　NSD360x-Q1系列产品选型表　　除了NSD3602-Q1，纳芯微还提供NSD3604/8-Q1，以满足不同通道数的需求。NSD3602/4/8-Q1系列支持 2/4/8 路半桥驱动，具备高集成度和设计灵活性，适用于多电机或多负载应用，助力客户选型。

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纳芯微

发布时间：2025-05-08 10:09 阅读量：286 继续阅读>>

川土微电子CA-IS3211隔离栅极<span style='color:red'>驱动</span>器新品面市！

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川土微电子CA-IS3211隔离栅极驱动器新品面市！

　　川土微电子CA-IS3211单通道隔离式栅极驱动器新品发布!可完全兼容传统光耦栅极驱动器，可靠性和寿命高于传统光耦。　　01产品概述　　CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。隔离等级达到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌输出峰值电流能力。　　高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。该芯片的性能亮点包括：高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传输延迟、低脉冲宽度失真。严格的工艺控制使得芯片一致性较好。输入级是模拟二极管，与传统的光耦隔离栅极驱动器的LED相比，具有更好的长期可靠性和老化特性。高性能和高可靠性使得该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。CA-IS3211可以驱动高压侧及低压侧的功率管，既能够完全兼容传统的光耦栅极驱动器，又显著提高了驱动的性能。　　02产品特性　　• 光耦输入的5.7kVRMS单通道隔离式栅极驱动器　　• 输出峰值电流：5A拉/6A灌　　• 最大30V输出驱动电源电压　　• 8V(B)或12V(C)VCC欠压锁定阈值　　• 轨到轨输出　　• 70ns(典型值)传输延迟　　• 25ns(最大)部件对部件延迟匹配　　• 35ns(最大)脉冲宽度失真　　• 150kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI)　　• 隔离栅寿命大于40年　　• 输入级最高反向耐压7V，并支持互锁　　• 宽体SOIC6-WB/SOIC8-WB封装，气隙和爬电距离大于8.5mm　　• 工作结温范围TJ：-40°C到150°C　　03应用　　• 工业电机控制驱动器　　• 工业不间断电源(UPS)　　• 太阳能逆变器　　• 充电桩　　• 储能变流器　　04应用框图

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川土微电子

发布时间：2025-05-06 17:54 阅读量：238 继续阅读>>

帝奥微25球封装支持1A带载的超高效率AMOLED屏<span style='color:red'>驱动</span>电源-DIO53010

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帝奥微25球封装支持1A带载的超高效率AMOLED屏驱动电源-DIO53010

　　在智能手机、平板电脑、数码相机等移动设备飞速发展的时代，显示技术成为了各大厂商竞争的关键领域。AMOLED凭借自发光、对比度高、视角广、低功耗节能、响应速度快以及可实现柔性显示等诸多优势，迅速在市场中崛起，逐渐占据了中高端移动设备显示的主导地位。　　DIO53010简介　　DIO53010是一款专为AMOLED 显示供电设计的电源管理芯片，该产品集成了2个升压转换器和1个反相降压-升压转换器，通过数字接口控制引脚可对 3 个转换器的输出电压进行编程。　　DIO53010支持2.7V~5.0V宽压工作范围，具备出色的瞬态调节能力，是国内首款支持1A持续带载的CSP-25球封装产品。为提高轻载效率，特别当电流不超过50mA时，DIO53010引入了超轻负载模式，可最大限度地提高效率，在该模式下，ELVDD可以根据负载电流在PWM和PFM之间自动切换，同时保持较小的输出纹波。　　DIO53010主要参数　　DIO53010性能解析　　1.轻载效率：增加了超轻载模式，可有效提高轻载效率　　2. 0~1A带载效率：峰值效率>93%　　3.输入电压 vs. 最大输出电流：输入3.2V时可稳定带载1A　　4.通过正负压错相及优化SW上升沿，可优化射频干扰　　5、 Boost / Bypass 模式切换时，输出纹波变化低于20mV　　DIO53010作为一款专为AMOLED 显示精心打造的驱动电源 IC，凭借其出色的性能、丰富的功能以及紧凑的封装设计，无疑是您在移动设备显示电源解决方案上的理想之选。

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帝奥微

发布时间：2025-05-06 13:40 阅读量：372 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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