新能源汽车高压电气系统正掀起“升压”热潮,800V乃至1000V平台逐渐成为主流趋势,在这个追求高功率密度和极致效率的竞技场上,SiC功率器件正大放异彩,逐渐取代Si。
但SiC有个特点:它需要更高驱动电压,才能把“内阻”降到最低,发挥真正实力。同时,关断时它还需要一点“反向推力”——即负压关断,否则在那些快如闪电的电压变化瞬间(高dv/dt),它可能一个“激灵”就给自己导通了!
不仅如此,系统里那些可预见或突如其来的“噪声刺客”,冷不丁也会给驱动芯片施加额外的电压压力。面对如此“高压”挑战,驱动芯片需得扛得住更高的正负电压冲击,成为守护系统的可靠“护法”。
荣湃半导体推出的新产品——Pai8236系列双通道隔离驱动芯片, 它的亮点之一,就是能稳稳驾驭高达40V的驱动电压!有了它,SiC可以尽情施展拳脚,系统也能在高压环境中稳如泰山。
Pai8236产品系列提供多款特色子系列满足不同需求:
1. S系列:
擅长“分兵作战”,提供分离输出能力,给予设计者更灵活的布局自由。
2. M系列:
配备了“防误动保险”——集成米勒钳位功能,专门用来抑制由米勒电容引起的误导通风险,提升系统鲁棒性。
3. N系列
是处理“负压”的专家。它非常灵活,既支持外部负压输入,也内置了多种负压选项(-2V, -3V, -4V, -5V),就像它的“兄弟”单通道驱动Pai8216一样,让负压配置变得简单可靠。
如图1,三种系列的引脚定义图。
Pai8236逻辑侧集成固定死区配置(DT),全局使能(DISABLE)。关键电气参数如表1所示。
Pai8236系列选型表:
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型号 | 品牌 | 询价 |
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BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi |
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BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
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