<span style='color:red'>纳芯微</span>发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制
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纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制

　　在实时性要求极高的电力电子与电力拖动领域，如新能源逆变器、工业伺服控制及车载电机驱动中，系统必须在毫秒甚至微秒级完成数据处理与响应。纳芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU(DSP)：NS800RT7374/7377/7379，以高性能实时控制内核为核心，集成丰富外设与保护功能，能够显著提升控制精度和系统稳定性，缩短开发周期，提供高可靠国产选择。　　高性能内核与存储架构，赋能实时运算　　NS800RT737x系列采用单/双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM(含256KB TCM*2+256KB SRAM)，为复杂算法和多任务处理提供充足空间。NS800RT737x系列详细规格　　多通道高速采样与超高精度控制　　NS800RT737x系列内置4个12位ADC模块(4.375MSPS)，最高支持25路ADC，8对比较器以及2路DAC，可同时采集多路信号，适配高动态响应需求。36路PWM(其中32路高精度PWM)具备124ps最小细分，实现超精细的功率控制，满足光伏储能逆变器、数字电源、电机控制等对控制精度极高的应用。　　丰富可编程与信号处理外设，提升系统集成度　　NS800RT737x系列最高支持6个CLB可配置逻辑模块，可通过编程实现各种灵活的功能;16路SDFM(Sigma-Delta Filter Module)提供多路高精度数字输入，适配隔离式电流/电压采样场景;四线QSPI实现高速外部通信;双32通道DMA提升数据传输效率，减轻CPU负载。　　完善通信接口，护航信息安全　　NS800RT737x系列最高支持2路CAN-FD、1路CAN 2.0、4路SPI、6路UART、2路I²C、1路PMBus及一路EMIF外扩总线，确保在车载、工业等多总线环境下的稳定通信。　　同时，芯片内置CRC、BGCRC、TRNG、HASH-AES等硬件加密引擎，加持信息安全。　　生态友好，降低开发门槛　　NS800RT737x系列兼容ARM常用IDE(Keil、IAR)并支持纳芯微自主开发的NovoStudio工具链，帮助客户快速迁移和部署，缩短产品上市周期。NS800RT737x系列评估板
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发布时间：2025-08-19 09:42 阅读量：218 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出全集成电机驱动SoC NSUC1612
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纳芯微推出全集成电机驱动SoC NSUC1612

　　面对汽车智能执行器领域传统分立式方案存在的复杂性高、成本居高、可靠性不足等痛点，纳芯微推出新一代全集成电机驱动 SoC——NSUC1612。该芯片以全集成架构实现单芯片替代多器件组合，显著简化设计、降低成本并提升系统稳定性，广泛适配汽车电子水阀、空调出风口执行器、主动进气格栅、步进电机，直流有刷电机，直流无刷电机等多类智能执行器场景，为汽车智能化升级提供高效能 “神经中枢”。　　全集成架构：设计效率跨越式提升　　传统汽车智能执行器控制方案需将 MCU、电机驱动器、通信接口、保护电路等多器件分立组合，不仅导致 PCB 布局复杂、焊点繁多，还易因器件间兼容性问题引发故障。NSUC1612 采用 “单芯片全集成” 设计，将 32 位 ARM® Cortex®-M3 内核 MCU、4 路 / 3 路半桥驱动器、LIN/CAN 通信接口、12 位 ADC、温度传感器等核心功能模块高度集成于一体，无需额外搭配外围芯片即可完成电机控制、通信、保护全流程。　　这种 “多合一” 架构大幅减少了外部元器件数量，简化了硬件设计难度，同时通过内部优化的信号路径降低了电磁干扰风险，让工程师从繁琐的分立器件选型与调试中解放出来，显著缩短产品开发周期。　　优异 EMC 表现：复杂电磁环境中的强劲抗干扰能力　　汽车电子系统电磁环境复杂，EMC(电磁兼容性)表现直接影响执行器控制精度与整车电子系统稳定性。NSUC1612 提供极简外围电路参考设计，通过优化的 PCB 布局与内部信号处理，在 CISPR 25：2021 标准测试中，以最高等级 Class 5 通过汽车EMC/EMI各项测试，满足严苛车规 EMC 要求。　　基于CISPR 25：2021标准的部分测试结果　　这一特性让芯片在汽车密集的电子线路中 “抗干扰能力” 拉满，确保电机控制信号稳定传输，避免因电磁干扰导致的执行器卡顿、误动作等问题。　　强劲性能释放：兼顾驱动与算力　　NSUC1612 在性能上实现 “驱动能力” 与 “运算效率” 的双重保障。针对不同功率需求，芯片提供两种规格：NSUC1612B 支持 4 路半桥输出，峰值电流达 500mA;NSUC1612E 支持 3 路半桥输出，峰值电流高达 2.1A，可灵活驱动直流有刷、无刷、步进等多种小功率电机，满足空调风门调节、座椅通风等不同场景的动力需求。　　内核采用哈佛结构的 ARM® Cortex®-M3，搭配 32KB Flash、2KB SRAM 及 15KB ROM 集成 BootLoader，支持 OTA 升级，32MHz 高精度振荡器与 PLL 确保运算高效稳定;休眠模式功耗全温区小于 50μA，兼顾高性能与低能耗，完美适配汽车 “节能减耗” 需求。　　车规级可靠性：严苛环境下的 “稳定担当”　　作为面向汽车领域的核心芯片，NSUC1612 构建全方位可靠性保障。　　芯片符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，最高结温可达 150°C，能在 - 40°C~125°C 的宽温范围内稳定工作，轻松应对汽车热管理、座舱等复杂环境。　　在电气防护上，LIN 端口支持 ±40V 过反压耐压，BVDD 引脚耐压范围覆盖 - 0.3V~40V，可直接接入 12V 汽车电池供电，内置过压、过温等多重保护机制，有效抵御汽车电路中常见的电压波动、瞬态冲击等 “意外伤害”，从硬件层面筑牢系统安全防线。　　NSUC1612 以 “全场景兼容性” 打破传统芯片的应用局限，单芯片覆盖汽车智能执行器需求。硬件上支持直流有刷电机、无刷电机、步进电机等多类型电机驱动;通信上集成 LIN PHY(支持 LIN2.x，ISO17987 和 SAE-J2602)、FlexCAN、SPI 等接口，轻松融入汽车 LIN/CAN 总线网络。　　从电子水阀、电子膨胀阀等热管理部件，到空调出风口、风门执行器等座舱舒适控制模块，再到主动进气格栅、自动充电小门执行器等车身智能部件，NSUC1612 凭借 “一芯多能” 的特性，成为汽车智能执行器的 “通用控制中枢”，大幅降低车企多场景开发的适配成本。
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发布时间：2025-08-15 16:39 阅读量：459 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>亮相一汽供应链创新科技展，携全栈芯片方案共筑汽车“芯”生态
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纳芯微亮相一汽供应链创新科技展，携全栈芯片方案共筑汽车“芯”生态

　　近日，以 “技领时代 智创未来” 为主题的中国一汽第七届供应链创新科技展在一汽长春总部召开。本次科技展聚焦前沿技术探索与供应链协同创新，旨在推动汽车产业链实现更高效的协同与更稳健的发展。　　长春市委、市政府、汽开区管委会、市科技局、市工信局相关领导，中国汽车工业协会、中国汽车工程学会、长春市汽车产业党建联盟相关领导和代表，以及中国一汽领导班子成员、红旗品牌运营委员会与中国一汽相关部门负责人出席活动。　　作为国产汽车模拟芯片的领军企业，纳芯微受邀参展，集中呈现了覆盖汽车电动化、智能化等应用场景的多款半导体解决方案，充分展示了其在汽车电子领域的深厚技术积累与全面产品布局。　　在同期举办的 “国产芯片研讨会” 上，纳芯微汽车业务代表叶舟受邀发表题为《携手汽车产业链上下游，共建智能汽车 “芯” 生态》的主题演讲。他深入分享了纳芯微在车规芯片国产化进程中的实践成果，强调公司持续强化产品性能、提升可靠性，同时积极推进关键环节的国产替代。目前，纳芯微的车规芯片已在三电系统、车身控制、智能座舱等多个细分领域实现规模化应用，为汽车产业链国产化升级提供了坚实支撑。　　凭借在汽车领域的深耕细作，纳芯微已实现了全面的汽车芯片产品布局，可在新能源汽车主驱逆变器控制、车载充电机(OBC)、直流充电机(DC-DC)、电池管理系统(BMS)、热管理系统、车身控制系统中提供涵盖传感器、信号链、电源管理等完善的芯片产品，包括数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、传感器、CAN/LIN收发器、SerDes接口、高低边开关、电子保险丝、固态继电器、电机驱动、高集成度的SoC等，以一站式解决方案支持客户的系统创新。　　据公司2025年一季报显示，纳芯微一季度营收7.17亿元，同比增长97.82%，汽车电子下游需求的稳健增长、公司汽车芯片产品持续放量是推动业绩增长的主要动因之一。未来，纳芯微将持续以创新驱动为核心，依托深厚的系统理解能力与本地化服务优势，助力中国汽车产业加速迈向智能化、电动化，为构建安全可控、生态共赢的汽车供应链贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-07-31 14:09 阅读量：669 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>发布NSD7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片
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纳芯微发布NSD7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

　　纳芯微今日宣布推出NSD7315系列大电流H桥驱动芯片，具备40V耐压能力与10A峰值输出电流，支持硬件和软件SPI两种输入接口版本，该系列芯片支持1路H桥或者2路半桥配置，可直接驱动1路直流有刷电机或2路电磁阀等负载。　　NSD7315-Q1车规版本适用于多种汽车应用场景，包括车身电子锁、发动机控制系统中的电子节气门、废气再循环、分流阀，以及空气悬架CDC等应用。NSD7315工规版本也可应用于自动升降桌、电动窗帘、扫地洗地机等消费类设备。新推出的NSD7315是对纳芯微现有的NSD73xx系列H桥驱动产品在大电流方向上的进一步拓展。　　产品特性　　满足AEC-Q100 grade 1: –40°C~125°C TA(车规版本)　　工作电压：4.5V~35V (40V耐压) ，输出电流：10A (峰值)　　超低内阻 Rds(on) (上管+下管)：150mΩ @TJ = 25°C, 13.5V　　集成电流采样功能：比例电流输出(IPROPIx)　　集成可配置的电流调节功能　　可配置的控制模式：PH/EN，PWM(IN1/IN2) 和独立半桥控制　　输出上升/下降时间压摆率可配置，优化降低EMI性能　　低功耗模式：静态电流3μA @TJ = 25°C, 13.5V　　SPI 和硬件接口选择：　　– SPI接口：NSD7315S-Q1　　– 硬件接口：NSD7315H-Q1　　先进保护和智能诊断功能：电源欠压保护，电荷泵欠压，过流保护，负载开路检测，过热关断与过热预警，故障状态输出(nFAULT/SPI)　　大电流，低温升，具备出色带载能力　　NSD7315上下管总导通电阻仅为150mΩ，峰值输出电流可达10A，能够为汽车有刷电机、阀门泵类及工业电机提供大扭矩带载能力。即使在高温环境下，也具备较低且稳定的温升表现，运行持久可靠。　　在半桥模式下，带载持续输出2A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在24.4℃。带载持续2A电流时的芯片温升　　在全桥模式下，带载持续输出5A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在125°度，未触发过温保护。带载持续5A电流时的芯片温升　　灵活设置输出压摆率，有效平衡大电流驱动中的温升与EMI挑战　　在电机等负载驱动中通常采用硬开关方式，而大电流驱动会带来显著的电流变化率(△I/△T)，进而产生较大的电磁干扰(EMI)(如下图所示)。若芯片输出的压摆率固定且较慢，会导致内部MOS开关损耗增加，导致温度升高。因此，如何在满足EMI性能的同时控制温升，是大电流驱动应用中的一大难点。　　NSD7315支持根据不同负载和不同输入PWM频率，来灵活设置输出的上升/下降Slew Rate，同步配置死区时间，方便工程师在不更改硬件设计的前提下，通过软件(SPI版本)或者SR管脚(HW版本)来优化温升和EMI性能。　　内部集成电流采样和电流调节，减少系统面积和成本　　NSD7315集成电流采样功能，无需外部功率采样的电阻和电流运放即可实现电流检测。通过IPROPIx管脚，可按1/1100的比例输出每个半桥上管MOS的正向导通电流(即从Drain到Souce端的电流)。若将IPROPI1和IPROPI2管脚连接在一起，则输出电流为两个上管的正向电流之和(如下图所示)。NSD7315内置电流镜　　同时，NSD7315还集成了电流调节功能，当输出电流超过内部设定的电流阈值时，芯片会自动执行限流功能，以防止在电机启动或堵转等工况下出现过大负载电流，从而避免芯片过热和电机损坏。　　具备负载开路诊断功能，精准定位反馈故障，无需人工排查　　NSD7315支持输出端负载开路诊断功能，可在驱动芯片待机模式和工作模式下分别检测负载状态，帮助系统在电机运转前或运行中及时发现异常，提升系统可靠性。该功能支持两种检测模式：待机模式检测(OLP)和工作模式检测(OLA)。　　待机模式下的负载开路检测(OLP)：芯片通过依次使能内部的上拉和下拉电流源，测量流经内部上/下拉电阻的电压，并与内部比较器的电压阈值进行比对，从而判断输出是否存在开路。　　工作模式下的负载开路检测(OLA)：芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与固定的VOLA电压阈值比较，实现实时开路检测。　　OLA模式检测电路　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7315系列现已全面量产，作为NSD73xx系列的重要拓展，该系列具备良好的通用性与可靠性，适用于多种典型负载需求。NSD7315系列的推出，进一步完善了纳芯微在电机驱动领域的产品布局，为客户提供更高集成度与系统适配性解决方案，助力终端产品快速落地。NSD73xx系列选型表
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发布时间：2025-07-30 10:50 阅读量：399 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>：从欠阻尼到过阻尼，一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”
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纳芯微：从欠阻尼到过阻尼，一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”

　　增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小，栅极阈值电压低(通常在1V到2V之间)、耐受电压低(通常-5V到7V)等特点，使得驱动电路设计时需格外注意，防止开关过程中因误导通或振荡而导致器件失效。　　为应对这一挑战，本文深入分析GaN HEMT在开通与关断时的振荡机制，通过合理配置驱动电阻与栅源间RC吸收支路等策略，有效抑制振荡与过冲。同步结合纳芯微高压半桥NSD2622N GaN HEMT驱动器的应用测试，验证了多种器件与参数组合下的优化效果，助力系统实现稳定、可靠的高频驱动设计。　　01 GaN HEMT开关过程中振荡机制与驱动设计考量图1 GaN HEMT驱动电路　　常见的GaN HEMT驱动电路如图1所示，工作时分别由电阻R1和R2来调节其开通和关断速度。该驱动电路可以看作一个串联的LRC电路。GaN HEMT开通时，受漏极高的dv/dt和米勒电容CGD的影响，栅极电压可能出现振荡或过冲，其电流路径如图1中的ISRC所示。这种振荡或过冲将引起GaN HEMT功耗增加或失效。为了避免过大的振荡或过冲，开通时总的栅极等效电阻建议大于公式(1)中给出的值。　　公式(1)　　其中LG为开通时总的等效寄生电感，RG(eq)为开通时总的等效驱动电阻，CGS为GaN HEMT的栅极等效电容。　　GaN HEMT关断时，受驱动回路寄生电感和栅极关断速度的影响，栅极电压可能出现负向过冲或振荡，这种过大的负向过冲或振荡可能导致栅极击穿或误导通。其电流路径如图1中的Isink所示。设计时要避免这种过大的负向过冲或误开通发生。　　从图1可以看到，开通和关断时的电流路径ISRC和Isink有所不同，对应的开通和关断时总的等效寄生电感LG和等效电阻RG(eq)会有所差异。其中开通时总的等效寄生电感LG包含了的电源部分的寄生电感，而关断时LG则不包含电源部分的寄生电感，分析计算时要注意。　　为了更直观的理解不同驱动电阻对GaN HEMT的影响，我们采用双通道半桥 GaN HEMT驱动器NSD2622N配合不同的GaN HEMT进行了测试验证。下面就相关器件和验证结果进行简要介绍和说明。　　02 纳芯微高压半桥GaN HEMT驱动器NSD2622N　　纳芯微NSD2622N是一款QFN 5X7的高压半桥GaN HEMT驱动器，其功能框图和管脚定义如图2和图3所示。该芯片采用了成熟的电容隔离技术，可以满足高压应用要求。其高低边均集成了专用的正负电压调节器，其中正压为5V~6.5V可调，负压为固定的-2.5V，为GaN HEMT提供可靠的负压关断;该芯片具有传输延时短、驱动电流大(峰值电流分别为2A/-4A)等特点，可以满足不同系统的应用要求;同时还具有欠压保护、过温保护和死区互锁等功能，其中死区互锁功能可以有效防止桥臂的上下管直通。此外，该驱动器还提供一路5V的LDO输出，为系统设计提供更多的便捷性。图2 NSD2622N功能框图 图3 NSD2622N Pin定义　　03 GaN HEMT的参数介绍　　试验中采用了两款具有开尔文引脚的TOLL封装高压GaN HEMT进行验证，型号分别为INNO65TA080BS和GS0650306LL，对应的主要参数如下表所示。　　04 实验结果图4 双脉冲测试框图　　我们采用框图4所示的双脉冲电路对不同驱动电阻下GaN HEMT的栅极波形进行测试验证。其中NSD2622N驱动回路的参考地和GaN HEMT开尔文脚连接，开通时栅极驱动环路总的寄生电感约为38nH，根据 GaN HEMT的规格书CISS计算得到开通时的等效电阻RG(eq)应不小于26Ω。为了直接观察欠阻尼对驱动的影响，R1分别采用10Ω和27Ω进行了对比验证，测试波形如下表1所示，其中蓝色为GaN HEMT的漏极波形，绿色为电感LM的电流，黄色为GaN HEMT的栅极波形。表1 调整前的开通波形　　从表1中的波形可以看到， R1为10ohm时，开通驱动回路工作在欠阻尼模式，总线电压50V左右时，两款GaN HEMT的栅极和漏极电压均出现高频振荡，系统无法正常工作;R1为27ohm时，400V电压下，两款GaN HEMT均能正常工作，但INNO65TA080BS在开通过程中，栅极电压出现较为严重的高频振荡。究其原因，主要是由于两款GaN HEMT内部源极的寄生电感和开通时的di/dt存在一定的差异，这种差异导致栅极高频振铃明显不同。为了减小这种振荡，进一步增加驱动电阻R1到33ohm或在栅源极之间并联RC(20ohm+1nF)支路，降低GaN HEMT的开通速度，减小开通时的di/dt，相应的开通关断波形见表2和表3。表2 调整参数后的开通波形　　从表2的波形中可以看出，400V总线下，两种方案下工作正常，栅极的高频振荡和过冲明显改善。其中栅源之间并联RC支路与单纯增大R1相比，栅极电压更加平滑，无明显过冲，但开通延时更长，功耗会有所增加，设计时需要注意。表3 关断时的波形　　从表3的波形可以看到，负压关断时，栅极出现明显的负压过冲和振荡，但没有出现误开通。其中栅极没有并联RC支路时，负压过冲超过-5V;并联RC支路后，负压过冲幅值明显减小。关于关断时栅极的负压过冲和振荡可以通过调整电阻R2阻值或并联RC支路的参数来进一步优化。　　结论与建议　　实验结果表明，合理的栅极驱动电阻可以保证GaN HEMT正常稳定工作，过小的驱动电阻易造成栅极电压出现振荡，严重的会导致系统无法正常工作或失效。因此在设计增强型GaN HEMT的驱动电路开通时，栅极驱动电阻尽量满足：　　以此来避免开通时栅源电压出现过冲振荡，并且计算LG时，要充分考虑驱动回路中PCB走线的寄生电感和芯片的寄生电感。同时，针对不同的GaN HEMT, 栅源之间可以适当的并联RC支路，有效吸收开通关断时的振荡尖峰。对于高压的GaN HMET，采用负压关断可以防止关断过程中栅极误导通。此外，驱动芯片尽可能靠近GaN HEMT, 减小驱动回路的寄生电感，同时尽量选用带有开尔文脚的GaN HEMT。
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发布时间：2025-07-28 14:19 阅读量：819 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>重磅推出车规级SBC NSR926X，助力智能汽车电子架构升级！
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纳芯微重磅推出车规级SBC NSR926X，助力智能汽车电子架构升级！

　　汽车电子电气架构正加速从分布式向域控制中央集中式方向发展，系统设计面临以下关键挑战：　　• 系统集成度：功能数量持续增加，需通过高集成方案降低外围器件数量，优化PCB空间布局;　　• 功耗管理：低功耗待机、快速唤醒与多模式能耗控制需求提升，设计平衡难度加大;　　• 总线系统设计：CAN FD、LIN等多总线架构广泛应用，需兼顾高速传输、低干扰性能与网络唤醒机制，保障通信可靠性与整车功耗水平。　　纳芯微全新推出的NSR926X系列车规级SBC系统基础芯片，集成了三路低压差稳压器(LDO)、四路高边驱动(HSS)、LIN收发器及带部分网络(Partial Networking, PN)功能的高速CAN收发器，采用多合一平台级设计，全面满足智能汽车控制模块对供电、通信与驱动等功能的集成化需求，助力下一代汽车电子架构高效升级!　　封装与选型　　NSR926X采用7mm × 7mm QFN48封装，带Wettable Flank结构，支持AOI检测，符合AEC-Q100 Grade 1车规认证，可广泛应用于车身控制模块(BCM)、尾门控制单元、转向系统模块、挡位选择模块等车载电子系统。　　NSR926X系列产品选型表　　产品亮点　　集成三路LDO输出，满足多电压域供电需求　　◆ LDO1：主稳压输出，提供5V/250mA (NSR926X) 或3.3V/250mA(NSR926XV33)，适用于MCU供电;　　◆ LDO2：辅助稳压输出，5V/100mA，具备板外使用保护功能;　　◆ LDO3：可配置电压输出，支持5V或3.3V(NSR926X)、3.3V或1.8V(NSR926XV33) 选择，配合外部PNP晶体管可用于板外供电或与LDO1负载共享。　　集成四路高边驱动，满足多样化负载控制需求　　◆ HS1、HS2：3Ω导通阻抗，适配中等功率负载;　　◆ HS3、HS4：6Ω导通阻抗，适用于轻载控制;　　四路HS针对带大电容启动的应用场景进行了设计优化，兼顾启动性能与短路保护需求。　　支持CAN FD与LIN通信，适配复杂车载网络架构　　◆ CAN收发器：支持最高5 Mbit/s FD通信，兼容CAN 部分网络(Partial Networking, PN)功能与CAN FD容错模式，符合ISO 11898-2:2016与SAE J2284标准;　　◆ LIN收发器：支持LIN 2.2协议，兼容ISO 17987-4与SAE J2602标准;　　集成7种状态机模式，适配各种应用场景　　◆ 初始化模式 - Init Mode;　　◆ 正常工作模式 - Normal Mode;　　◆ 低功耗模式 - Stop/Sleep Mode;　　◆ 故障保护模式 - Restart/Fail-safe Mode;　　◆ 用户调试模式 - Test Mode　　集成完善的智能唤醒与系统监控/故障诊断功能　　◆ WK端口支持电压检测及远程唤醒功能，具备高压测量功能，通过WK1与WK2可实现高压检测与备用测量模式切换;　　◆ 16位SPI接口，支持灵活配置与系统状态监控;　　◆ 故障输出/通用IO：3路Fail输出，支持故障状态显示，FO2/FO3可配置为通用IO或唤醒源;　　◆ 集成Fail-safe安全机制、看门狗定时器(窗口模式与超时模式)、中断与复位输出功能　　依托高集成、高可靠、低功耗、可扩展等优势，纳芯微NSR926X系列SBC为下一代智能汽车电子系统提供稳定、灵活、可靠的一站式电源与通信支持平台!
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发布时间：2025-07-28 14:06 阅读量：575 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>参与车规传感器标准制定，推动汽车电子行业发展
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纳芯微参与车规传感器标准制定，推动汽车电子行业发展

　　在汽车电子技术加速发展的背景下，产业标准体系建设已成为行业高质量发展的关键之一。作为国内领先的汽车模拟芯片和传感器芯片企业，纳芯微不仅在产品创新和市场拓展方面不断发力，还积极参与行业标准的制定，推动技术规范化进程。　　近期，由纳芯微参与编制的《汽车用霍尔式传感器性能试验方法》团体标准，已正式获得中国检验检测学会批准发布。该标准对霍尔式传感器的一般试验、外观检查、工作温度范围、电气特性等性能测试方法进行了系统规定，为相关产品的开发、验证和质量评估提供了统一的技术依据。　　纳芯微在技术创新、市场拓展及产业链协同持续突破。其产品广泛应用于新能源汽车三电系统，并加速渗透至智能化和安全领域。自2016年发布首款汽车芯片，截止2024年，纳芯微汽车芯片累计出货量已达6.68亿颗，2024年汽车业务营收占比36.88%。　　在磁传感器领域，纳芯微不断丰富产品体系并布局全面，2024年顺利完成对麦歌恩的战略收购与整合，进一步拓展技术与产品矩阵，提升市场竞争力，巩固行业领先地位。　　磁电流传感器(例如：NSM201x系列和NSM203x系列)可用于汽车电池管理系统的电流监测;　　磁开关传感器(例如：MT72xx系列和MT73xx系列)可用于车门、尾门、座椅卡扣等部件的测与控制;　　磁角度传感器(例如：MT6511)可实现精准的角度位置感知，提升电控系统的稳定性;　　磁阻编码器(例如：MT6835 和 MT6826S)以高精度和快速响应为优势，广泛应用于工业自动化和运动控制等领域;　　速度传感器(例如：NSM41xx系列)采用AMR技术，可用于汽车ABS系统中的车轮速度检测，助力制动控制系统实现精准响应与安全提升。
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发布时间：2025-07-23 10:43 阅读量：468 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>化繁为简, 适配复杂磁场环境，MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制
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纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境，MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制

　　纳芯微基于3D霍尔原理设计的双路输出霍尔锁存器MT73xx系列，支持SS(速度与速度)或SD(速度与方向)双路输出，符合车规Grade 0标准，可广泛应用于车窗、尾门、天窗等电机控制系统，助力提升速度与位置检测的精度与稳定性，优化整车舒适性体验。　　在电机控制系统中，速度与方向信号的精准检测直接影响系统响应速度与运行稳定性。传统方案通常依赖两颗霍尔锁存器组合，对磁环安装精度要求较高，容易引发信号相位偏差、同步性差、结构复杂等问题。　　MT73xx系列产品集成3D霍尔感应结构，具备天然正交输出特性，能够同时输出双路相位差90°的速度信号(SS输出)或速度与方向信号(SD输出)，广泛适用于 “速度-方向”检测场景。这种设计降低了对磁环磁极位置安装精度的依赖，有效规避双路信号相位偏差，简化系统结构，提高整机稳定性，为运动控制检测提供更灵活可靠的解决方案。　　VHS技术加持，适配多元磁环结构　　为了实现高精度的3D感应效果，MT73xx系列采用纳芯微自研VHS(Vertical Hall Sensor)技术，通过XY、YZ、XZ不同轴向感应组合，任意两轴便可天然正交输出，提升信号同步性。　　此外，MT73xx系列可很好的兼容磁环结构，无论是轴向、径向或异形磁铁结构，均能保持优良的占空比表现，便于用户根据磁环特性与安装环境灵活调整设计，进一步降低开发难度与调试成本。　　双路输出优化系统集成　　在系统集成方面，MT73xx的双路输出特性可替代传统单路或双霍尔方案，直接输出SS(速度与速度)或SD(速度与方向)信号至ECU，减少外围冗余位置传感器需求。　　这一设计不仅节省PCB空间、简化结构设计，还提升了方案集成度，为客户在电机控制、智能座舱等领域的创新应用提供更大自由度。
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发布时间：2025-07-23 10:41 阅读量：423 继续阅读>>
助力半桥器件开关安全提速，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
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助力半桥器件开关安全提速，纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列

　　纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列，该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上，集成了米勒钳位功能，同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比　　5A米勒钳位功能，助力半桥电路安全可靠　　在实际应用中，OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为，尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用，门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小，使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时，为了避免因米勒效应引发的桥臂直通，通常需要调整驱动电路。　　然而，在很多情况下，即使精心调整了驱动参数、正负供电电压，以及优化PCB栅极寄生参数，也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥，也可能带来潜在的安全隐患。开关过程中米勒效应原理　　纳芯微推出NSI6602MxEx系列，为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能，能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径，有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装，为SiC等器件的安全应用保驾护航。　　NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享　　在使用SiC功率器件时，由于其高dv/dt特性，门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤，是高性能驱动设计的一大挑战。常规驱动方案　　如上图常规解决 SiC 器件门极串扰方案所示，这些传统手段虽然“理论可行”，但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。　　下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。在相同驱动参数与layout条件下，NSI6602MxEx能显著抑制正负Vswing，搭配适当负压关断后，可将门极串扰压制至安全范围以内。不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形不同方案效果对比　　更进一步，对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件，NSI6602MxEx 甚至无需负压，也能实现串扰可控，极大降低系统设计复杂度。　　±10A输出电流，助力外围电路精简设计　　NSI6602MxEx提供超强驱动能力，最大可输出10A的拉灌电流，支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷(Qg)的功率管，还是在多管并联的应用中，与传统方案相比，NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器，即可实现高效驱动，有效简化外围电路设计。此外，32V最大工作电压，极限35V的最大耐压，可以应对更高的EOS冲击，搭配精简的驱动外围设计，大幅提高了整个电路系统的可靠性。　　可编程死区及多档欠压阈值，助力设计灵活配置　　NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置，通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间，此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出;搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑，为终端应用提供丰富的控制逻辑;另外，副边电源欠压UVLO设有8V，12V，17V三种选择，适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。　　NSI6602MxEx产品特性：　　5700VRMS隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150 kV/μs　　输入侧电源电压：3V ~ 18V　　驱动侧电源电压：高达 32V　　轨到轨输出　　峰值拉灌电流：±10A　　峰值米勒钳位电流：5A　　驱动电源欠压：8V/12V/17V三档可选　　可编程死区时间　　可选的正反逻辑使能配置　　典型传播延时：80ns　　工作环境温度：-40℃ ~ 125℃　　符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准　　符合 RoHS 标准的封装类型：SOW18，爬电距离 >8mm　　产品选型与封装　　NSI6602MxEx系列提供六种型号可选，具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格，灵活适配多种应用场景。
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发布时间：2025-07-11 09:57 阅读量：493 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战
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纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战

　　纳芯微今日宣布推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能，支持更宽的端口输入电压(端口A：1.1~3.6V;端口B：1.65~5.5V)。可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中，是系统间跨电压域互联互通的关键元件。　　全新发布的NCAS0104和NCAB0104均为弱缓冲型电平转换器，其中，NCAS0104内部集成了N沟道传输FET、10kΩ上拉电阻和上升沿速率加速电路，适用于驱动高阻抗负载，支持推挽和开漏的应用场合;NCAB0104内部集成了上升沿/下降沿速率加速电路和4kΩ缓冲电路，适合轻负载的推挽应用。　　ESD性能高达15kV　　全面护航系统可靠性　　NCAS0104和NCAB0104通过优化的电路设计实现了超高的ESD性能，高压侧的端口B通过了15kV的人体模型(HBM)测试 (JESD 22标准)和系统级ESD测试(IEC 61000-4-2标准)，显著优于市场同类产品，为汽车电子等系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供坚实保障。　　更宽的端口输入电压　　支持灵活的器件选型　　NCAS0104和NCAB0104的端口A支持1.1~3.6V输入，端口B支持1.65~5.5V输入。更宽的端口输入电压，使得工程师能够在系统设计中不更换电平转换的情况下，更加灵活地选择外围器件，通过归一化的方案，显著降低系统设计难度，加速产品上市。　　封装和选型　　NCAS0104和NCAB0104满足AEC-Q100要求，工作温度为-40~125℃。NCAS0104提供TSSOP14和VQFN14封装，NCAB0104提供UQFN12封装。　　TSSOP14　　VQFN14　　UQFN12　　NCAS0104和NCAB0104将于2025年8月陆续量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。　　一站式电平转换解决方案　　纳芯微可提供多种类型的电平转换器，包括：固定方向型、方向控制型、自动双向型，可满足客户在不同应用场合下的设计需求：　　固定方向型电平转换器对器件输入端的输入信号执行单向电平转换，然后提供到器件输出端。纳芯微固定方向型电平转换器产品包括：NCA8244、NCA8244L、NCA8541，均为单电源供电。　　方向控制型电平转换器配备一个或多个方向控制引脚，允许系统工程师灵活配置输入/输出方向，甚至实现单设备上的双向同时转换，提供更高的设计灵活性。纳芯微方向控制型电平转换器产品包括：NCA8T245、NCA8245、NCA8245L、NCA84245。　　自动双向型电平转换器可自动感知通信方向并采取相应动作。如果处理器GPIO需要信号双向传输，自动方向型电平转换器可以提供更加稳健的解决方案。自动双向型电平转换器不需要使用方向控制信号，每个通道都支持数据的独立传输或接收，消除了对处理器GPIO控制DIR输入的需求，从而简化了软件驱动程序的开发。纳芯微已有的自动双向型电平转换器现包括：NCA9306、NCAS0104、NCAB0104。　　纳芯微自动双向型电平转换器选型表
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发布时间：2025-07-02 09:26 阅读量：477 继续阅读>>

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