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<span style='color:red'>散热</span>设计有哪些关键点？如何估算和优化开关电源的热性能

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散热设计有哪些关键点？如何估算和优化开关电源的热性能

　　在电子设备中，散热设计是至关重要的一环，特别是对于高功率密度的开关电源而言。有效的散热设计可以确保设备运行稳定，延长元件寿命，避免过热损坏。本文将探讨散热设计的关键点以及如何估算和优化开关电源的热性能。　　1. 散热设计的关键点　　1.1 热阻　　热阻是散热设计中的核心概念，表示材料或结构对热传导的阻碍程度。通过降低热阻，可以提高散热效率。　　1.2 热传导路径　　合理规划热传导路径，将热量从热源传递到散热器，并最终散去至外部环境，是散热设计中的重要考虑因素。　　1.3 散热器选择　　选择合适类型和尺寸的散热器可以有效提高散热效率，如风冷散热器、液冷散热器等。　　2. 开关电源热性能的估算　　2.1 功耗计算　　首先需要准确计算开关电源产生的功耗，包括转换效率、负载情况等因素。　　2.2 热设计参数　　根据功耗计算结果，确定开关电源的热设计参数，包括最大工作温度、热阻要求等。　　2.3 热仿真分析　　利用热仿真软件进行热分析，预测不同工作条件下开关电源的温度分布，帮助评估散热设计的有效性。　　3. 开关电源热性能的优化　　3.1 提高散热器效率　　选择高效的散热器并优化散热路径，以提高热量散发速度，降低开关电源温度。　　3.2 优化散热器布局　　合理布局散热器，使其位置合理、通风良好，避免热量积聚和局部过热现象。　　3.3 降低功耗　　通过优化电路设计、提高转换效率等措施，降低开关电源的功耗，减少热量产生，从而改善散热需求。　　4. 实际案例分析　　4.1 某型号开关电源　　在某型号开关电源中，由于散热设计不足，经常出现过热现象，影响设备稳定性和寿命。　　4.2 解决方案　　通过增加散热器数量、优化散热路径和降低功耗等措施，成功改善了开关电源的热性能，确保设备正常运行。　　散热设计是确保开关电源稳定性和可靠性的关键因素之一。通过了解散热设计的关键点、正确估算和优化开关电源的热性能，可以有效提高设备的使用寿命和可靠性。通过合理选择散热器、优化热传导路径、降低功耗等方法，可以有效解决开关电源过热等问题，提升整体性能。在实际应用中，工程师需要结合理论知识和实践经验，针对具体情况进行热设计方案的制定和优化。

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散热

发布时间：2025-12-18 14:32 阅读量：198 继续阅读>>

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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

　　ARK(方舟微)推出的双芯片20V P沟道功率MOSFET——AKF20P45D。该产品性能卓越，兼具超低导通电阻与高达2500V的ESD防护能力。其采用的DFN2×2紧凑型封装，不仅有助于节省PCB布局空间，还具备优异的散热表现。　　AKF20P45D广泛应用于DC-DC转换器、智能手机、平板电脑、智能音乐播放器、电子书等手持设备，主要用于电池充电管理与负载开关。其超低的导通电阻能显著降低传导损耗，这不仅有效提升了电能利用效率，延长了电池单次充电的使用时长，还能减少发热，有助于延长电池的整体寿命。　　AKF20P45D具有±8V的栅-源额定电压，其在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，分别对应35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。相比Vishay公司同类型的SiA923EDJ产品，AKF20P45D具有更低的导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，对应54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的导通电阻。　　在关键的导通电阻性能上，AKF20P45D 显著领先于主流竞品。对比 Vishay 的 SiA923EDJ，在相同的栅-源电压(4.5V/2.5V/1.8V/1.5V)条件下，AKF20P45D的导通电阻(35/50/100/160 mΩ)均低于后者的(54/70/104/165 mΩ)，相比AKF20P45D的导通电阻全面更低，性能优势明显。此外，它同样具备 ±8V 的栅-源耐压，确保工作的可靠性。　　AKF20P45D具备低至1.5V的导通阈值，使其非常适用于采用低压栅极驱动器的各类手持设备。该特性使其在低总线电压系统中能直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而有效节省了PCB空间与BOM成本。同时，其超低的导通电阻能够在峰值电流条件下产生更低的导通压降，这有助于稳定系统电压，降低因电压跌落引发非正常欠压锁定事件的风险，从而提升系统可靠性。　　附AKF20P45D的部分典型参数：

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ARK

发布时间：2025-12-09 15:03 阅读量：303 继续阅读>>

茂睿芯发布4x6可双面<span style='color:red'>散热</span>/通流的智能功率级MK684x系列

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茂睿芯发布4x6可双面散热/通流的智能功率级MK684x系列

　　一、背景　　在生成式 AI、大模型训练与智能算力爆发式增长的浪潮下，AI 服务器正朝着高密度、高功耗、高可靠性的方向极速演进，对供电系统的体积，效率、稳定性提出了前所未有的严苛要求。作为 AI 服务器供电架构的核心 “能量中枢”，智能功率级(SPS)的性能直接决定了算力输出的持续性与可靠性，成为解锁下一代 AI 算力跃迁的关键技术支点。　　为应对高密度计算场景对功率模块集成度、效率及可靠性的严苛要求，茂睿芯推出新一代智能功率级(SPS)产品MK684X系列(MK6840 & MK6841)，该系列采用紧凑型4mm x 6mm封装，是在24年12月发布的5mm x 6mm封装MK6850上的进一步迭代，致力于为AI服务器及高性能计算应用，树立功率密度与性能的新标杆。　　二、茂睿芯 4x6 SPS产品MK684X系列　　新一代MK684X系列(MK6840 & MK6841)延续多晶圆封装技术，进一步优化了两颗SGT MOSFET的Rdson以追求更高的效率，同时改进了驱动芯片，极大提高了电流上报精度(±3%)。除此之外，MK684X系列采用业界标准的新一代4mmx6mm QFN封装，其主要特征在于更高的功率密度和更紧凑的布局。　　茂睿芯MK684X系列包括MK6840和MK6841，两颗产品封装尺寸完全一致，不同之处在于MK6841为MK6840的双面散热和通流的优化版，更加聚焦于在AI服务器供电模块(Module)上的应用。MK6841采用的双面散热的封装结构，在芯片正面有可以直接与电感相连的SW焊点，在保持其他性能不变的条件下尽可能提升其散热性能和效率。面对AI服务器日益激增的效率及稳定性的需求，MK6840和MK6841能适应各种复杂的应用场景，提供高效且稳定的供电能力。　　MK6840实物图：　　MK6841实物图：　　三、MK684x系列核心功能　　集成高性能SGT MOSFET上下管和智能驱动　　25V/25V 上/下管耐压　　90A 最大平均电流　　120A 峰值过流保护　　5uA/A IMON上报　　8mV/℃ 温度上报　　200kHz-1.2MHz 开关频率，瞬态4MHz　　4.5V-16V 输入电压范围，不需要加Rboot，简化模块设计　　4.5V-5.5V 驱动电压　　3.3V/5V PWM逻辑电平　　支持三态PWM　　BOOT-PHASE 电容电压自动刷新充电　　丰富的保护功能：正电流保护, 负电流保护, 过温保护，VCC/VDRV/BOOT-PHASE欠压保护, 上、下管短路保护，智能故障上报识别Fault ID　　兼容多品牌多相控制器　　符合ROHS标准　　管脚兼容(行业标准34-Pin 4x6 QFN)　　四、MK684X系列引脚封装&典型应用框图　　MK684X引脚封装图：　　MK684X典型应用框图：　　五、MK684X系列产品优势　　在算力需求激增的当下，供电系统的设计面临空间、效率与智能管理等多重压力。茂睿芯新一代4x6封装智能功率级MK6840和MK6841，在实现尺寸精简的同时，更集成了高效率、高精度IMON上报、强散热性与高可靠性四大核心特性，直接应对高密度计算场景的严苛需求。　　1、效率加1%，电费减百万　　在能源成本高企的背景下，效率就是生命力。MK6840和MK6841采用超低Rdson的SGT MOSFET，并同时优化死区时间，实现了全负载范围内效率的显著提升。以典型工况(12V输入、0.9V输出、5V驱动、800kHz开关频率)为例，其峰值效率可达92%，较上一代5x6封装的MK685X系列提升1.1%，不仅领先国内同类产品，也与国际主流厂商同类产品效率相当。将电感焊接到顶部SW开窗处，由于缩短了大电流通路，与电感直接布局于主板的方案相比，在同等条件下，MK6841的效率可提升1~2%。　　MK6840/MK6841 4PH 12V转0.9V效率图：　　2、±3%高精度IMON上报，瞬态响应更迅速　　数据驱动的优化始于精准的测量。MK6840和MK6841通过优化检测电路，革命性地提升了电流上报精度。电流上报精度的提升，一方面可充分释放核心处理器的性能潜力，另一方面，在多相控制器启用LoadLine功能时，能进一步提升输出电压的控制精度。驱动架构层集成了高精度、低温漂采样电路，实现5uA/A且在全温度、全量程范围内 ±3% 以内的IMON电流上报精度，较MK6850的±5%精度有显著提升。基于这样的高精度IMON上报精度，系统能更准确地进行能效分析、优化负载分配，并实现对潜在故障的预测性维护，从而在问题发生前提前预警。　　MK6840/MK6841 12V转0.9V 800kHz IMON上报误差图：　　3、小封装，强散热　　MK6840与MK6841以创新的封装与热管理设计，打破“小封装必然过热”的固有印象，通过采用低热阻封装基板与先进的内部贴装工艺，最大化地将芯片热量传导至封装外壳和PCB，确保4x6 SPS在紧凑空间内的卓越散热表现。其中，MK6841更配备了顶部裸露热焊盘的设计，形成双面散热路径，进一步强化散热性能。相关分析表明，具有顶部散热通道的MK6841，相对于单面散热的MK6840，顶部热阻θJC_TOP可以降低73%。如图中所示的实际测试(4相开启，输出电压0.9V，输出电流40A/PH，持续30分钟)，MK6840温度从室温27℃升至115.5℃，而MK6841在相同条件下仅升至112.2℃，展现出更优的温控表现。上述温升测试无风无散热器，当在有风有散热器的情况下由于MK6841顶部开窗热阻更小相较MK6840温升会有更明显的降低。　　4、高可靠性护航，系统运行更稳定　　可靠性是AI服务器应用的基石。MK6840和MK6841从设计源头着手，构建了全方位的保护体系。其具体还包括以下保护功能：　　首先是TMON上报保护功能。MK6840和MK6841内部均集成了温度上报和过温保护功能，可以通过TMON引脚，向控制器输出符合行业标准的TMON信号，其温度系数为8mV/℃。此外TMON信号还有故障输出功能，可以通过将TMON信号拉到3.3V的高电平来向控制器反馈不同类型的错误。　　其次是峰值电流限流功能。MK6840和MK6841限制的最大输出电流为120A。当输出电流的峰值达到120A时， SPS能强制关闭上管，这样的设计有效的预防了输出电感饱和的问题，防止SPS因电感饱和或过温而导致损坏。　　除了峰值电流限流功能，MK6840和MK6841还具备负电流保护功能。这主要是为应对在输出电压下调(DVID DOWN)或过压保护(OVP)等情况时，有效防止因长时间开启下管所导致的电感反向饱和现象。AI处理器的工作负载瞬息万变，会导致电流急剧变化。负电流保护功能确保了功率级在剧烈的负载瞬变过程中，能够快速应对可能产生的反向电流冲击，维持电压调节环路的稳定，为CPU/GPU等核心处理器提供更纯净、更稳定的电力。　　最后是具备BOOT电容自动刷新功能。若PWM长期处于三态逻辑，且BOOT电容电压低于阈值之时，驱动器会主动对BOOT电容进行充电。整个过程在后台静默完成，无需主控制器干预，一旦PWM信号恢复，功率级立即能以全功能状态投入工作。　　六、MK684X系列兼容性　　兼容性是决定一款新产品能否被市场快速采纳的关键因素。MK6840和MK6841无论是在封装和引脚定义，还是在软硬件功能的适配上都做到了与业界主流产品相兼容，因此可以完美适配多家厂商的多相控制器。　　1、封装兼容性　　4x6mm封装是目前业界主流智能功率级广泛采用的尺寸之一，尤其是在高性能、高密度应用中。MK6840和MK6841提供了与业界主流4x6兼容的封装，确保客户可以在不改变PCB核心布局的情况下，进行“Drop-in”替换(直接替换)，或仅需微调即可完成设计迁移，极大降低了升级门槛。　　2、引脚兼容性　　MK6840和MK6841严格遵循了业界标准的引脚排列逻辑(如VIN、SW、PGND、PVCC、BOOT等电源和功率引脚)，确保在物理连接上与现有的控制器和PCB布线相匹配。对于关键功能引脚(如IMON、TMON、故障上报等)，MK6840和MK6841也采用了与主流产品兼容的配置，并确保其电气特性(如上拉/下拉电压、电流能力)符合行业规范，无需外部电路大幅修改即可正常工作。　　3、电气与功能兼容性　　对于PWM接口，MK6840和MK6841支持业界标准的3.3V/5V PWM逻辑电平输入，与所有主流多相控制器完全兼容。对于TMON接口同样采用业界通用标准，其温度系数为8mV/℃，0℃时基准电压为0.6V，既可反映系统的温度参数，又可轻松向控制器上报故障信息。IMON接口具备高精度电流上报功能，可输出与负载电流成5μA/A比例的模拟电流信号，确保在不同多相控制器上，电流上报和均流功能也能正常运行。　　4、热设计兼容性　　MK6840和MK6841热性能参数与主流4x6封装产品相似。客户可以沿用其成熟的散热解决方案，如导热垫片、散热器尺寸和固定方式，确保了在系统级热设计上的无缝兼容。其中，MK6841顶部的热焊盘设计还能进一步兼容供电模块，极大提高了其热性能，客户可以最大限度地复用其经过验证的PCB散热设计。　　七、MK684X系列与MK6850性能对比

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茂睿芯

发布时间：2025-12-05 11:08 阅读量：318 继续阅读>>

维安WTPAK封装：背部<span style='color:red'>散热</span>，更小！更凉！更可靠！

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维安WTPAK封装：背部散热，更小！更凉！更可靠！

　　在变频伺服，逆变器，电源等电力电子行业应用中，分立器件方案的散热设计一直是影响系统性能和可靠性的关键挑战。　　传统贴片封装通过PCB散热，效率差，制约功率密度;传统插件封装需要使用绝缘片，导热膏，螺钉等多种物料，可靠性风险点多。　　是否有一款能同时解决上述设计痛点，又能简化设计难度的方案呢?维安WTPAK应运而生：一款具有自主知识产权的贴片式背部散热封装形式。图1： WTPAK模型图　　封装特点　　1.自主知识产品　　2.优化基岛面积，可实现更大芯片面积的封装　　3.优化功率引脚宽度，大幅提升电极载流能力　　4.优化电极距离，满足电力电子安规要求　　5.为SiC MOS和新一代IGBT产品预留开尔文驱动　　封装尺寸　　应用特点　　1.更灵活的PCB设计方案，结构散热设计更简单。　　2.散热和载流分离，解决PCB过热和IGBT出流能力的问题，实现更大的功率密度，提升系统可靠性。　　WTPAK热仿真结果，在有散热片的条件下比无散热片的结温低20℃。　　3.自动化SMT生产，大幅提升人均效率，降低装配风险，为大规模生产提供可靠方案。　　4.FRD正温度系数，充足的封装爬电距离，更方便并联使用。　　5.整流二极管，IGBT，产品系列化，规格丰富。　　产品选型表　　WTPAK不止是封装，而是一套“更小，更凉，更可靠，更方便”的系统方案。从芯片选型到系统设计进行全局优化，提升散热效率并降低失效率，缩短开发周期，确保产品的稳定与高效。

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维安

发布时间：2025-11-28 09:50 阅读量：316 继续阅读>>

矽力杰AI服务器48V<span style='color:red'>散热</span>风扇解决方案

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矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案

　　随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。　　矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。　　芯片简介　　矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。　　矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。　　◆ 电源电压范围：6-80V　　◆ 睡眠模式　　◆ 集成多种电源模块　　♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能　　♢ 电荷泵升压电路　　♢ 5V LDO　　◆ BLDC无传感器正弦电流控制　　♢ 单电阻采样　　♢ 支持正反转控制　　♢ 顺/逆风启动　　♢ 开闭环调速控制　　♢ FG转速反馈　　♢ MTP存储用户配置与速度曲线　　◆ 标准I2C通讯　　◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口　　◆ 多样的转速控制模式　　♢ PWM频率/占空比　　♢ 模拟VSP电压　　♢ I2C　　◆ 全面的保护功能　　♢ 可调节死区　　♢ 堵转检测　　♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护　　◆ QFN4*4-32封装四线制解决方案应用框图　　服务器风扇测试板(直径22mm)　　核心优势　　集成BUCK，精简外围BOM　　矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。最少系统应用　　三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验　　通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。　　极速响应，瞬间启动　　采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。　　顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行　　矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。　　引脚复用，四线制赋能免拆机调试　　矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚(SCL/SDA)，实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。　　结语　　矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。

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发布时间：2025-11-19 13:44 阅读量：401 继续阅读>>

森国科单相无刷驱动芯片G1287A出货突破1000万颗，领跑<span style='color:red'>散热</span>风扇市场

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森国科单相无刷驱动芯片G1287A出货突破1000万颗，领跑散热风扇市场

　　森国科单相无刷散热风扇驱动芯片G1287A以其高性能、高集成度和卓越可靠性，在激烈市场竞争中脱颖而出，累计出货量突破1000万颗，成为电子设备散热解决方案领域的明星产品。　　在全球电子设备高速发展与更新换代的推动下，高效稳定的散热需求日益增长。深圳市森国科科技股份有限公司推出的单相直流无刷马达驱动芯片G1287A，凭借其出色的性能集成与可靠性，已实现累计出货量超过1000万颗的重要里程碑。　　这款芯片已成为工业散热风扇、汽车散热风扇、台式电脑电源、CPU/VGA散热风扇、机箱风扇及家电产品等领域的核心驱动芯片，展现出显著的市场竞争力与质量稳定性。　　01产品性能优势　　G1287A芯片采用PWM直接输入模式，能够高效、精确地控制直流无刷马达的运转速度。其宽工作电压范围(4V至18V) 和高达500mA的连续电流驱动能力，使其适用于多种应用场景。　　芯片采用贴片式SOP8直角和弯脚两种封装，在体积和重量上极具优势，灵活性强，符合RoHS规范及无铅、无卤要求。　　G1287A内置霍尔传感器，减少了外部所需元器件，简化了外部电路，提升了芯片的可靠性。其软启动控制模式能有效抑制马达启动瞬间的尖峰浪涌电流，保证低转速运转时马达可靠启动。　　芯片还集成了过温保护、欠压保护、过电流保护等多重保护机制。防堵转功能可在马达被卡住时自动关断内部功率管，几秒钟后尝试重新启动，有效防止电机损坏。　　02应用领域广泛　　G1287A芯片适用于多种电子设备的散热系统，包括工业散热风扇、汽车散热风扇、台式电脑电源、CPU/VGA散热风扇、机箱风扇和家电产品散热风扇电机驱动等。随着全球电子设备的普及和更新换代，如计算机、服务器、智能手机、智能家居设备等，这些设备在运行过程中会产生大量热量，需要高效且稳定的散热解决方案。芯片的卓越性能和创新设计为其在市场上赢得了广泛认可，累计出货量突破1000万颗的成绩便是明证。　　03技术特色创新　　G1287A芯片通过多项创新技术优化了无刷直流风扇马达的噪声性能，实现了马达低噪声、低抖动运转，提升了用户体验。芯片支持最低转速外部设定、停转占空比外部设定和风扇转速斜率外部设定，为用户提供了灵活的控制选项。其转速反馈输出功能使系统能够实时监控风扇运行状态。芯片内置过冲吸收电路，无需外接齐纳管，进一步简化了外部电路设计。这些技术特色使G1287A在竞争中保持领先地位。　　系统应用外围电路简单，只需要外接1个电容，4个电阻：　　04市场竞争力与未来展望　　森国科作为一家专业从事功率器件、模块和功率IC的高新科技企业，拥有强大的研发实力。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子等知名机构。　　森国科在功率IC领域采用先进的高压特色工艺，团队在BCD工艺、UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚积累。这为G1287A芯片的性能优化提供了坚实的技术支持。　　累计出货量突破1000万颗的成绩，证明了G1287A芯片在散热风扇驱动领域的技术成熟度和市场认可度。森国科将继续致力于为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，努力成为全球领先的功率半导体公司。　　G1287A芯片的千万级出货量不仅体现了市场对高性能散热解决方案的迫切需求，更彰显了森国科在电机驱动芯片领域的技术实力。随着5G、人工智能和数据计算需求持续增长，服务器、计算机和智能设备对高效散热的需求将愈发强烈。森国科凭借其技术积累和创新能力，有望在全球功率半导体市场持续拓展，为电子设备提供更高效、更稳定的“芯”动力。

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发布时间：2025-09-09 10:58 阅读量：536 继续阅读>>

全面掌握芯片<span style='color:red'>散热</span>设计基本概念

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全面掌握芯片散热设计基本概念

　　一般用符号θ来表示热阻。热阻的单位为℃/W。除非另有说明，热阻指热量在从热IC结点传导至环境空气时遇到的阻力。也可更具体地表示为θJA，即结至环境热阻。θJC和θCA是θ的两种其他形式，详见下文。　　一般地，热阻θ等于100℃/W的器件在1W功耗下将表现出100℃的温差，该值在两个参照点之间测得。请注意，这是一种线性关系，因此，在该器件中，1 W的功耗将产生100℃的温差。再者对于热阻θ=95℃/W，因此，1.3 W的功耗将产生大约124℃结至环境温差。当然，预测内部温度时使用的正是这种温度的上升，其目的是判断设计的热可靠性。当环境温度为25°C时，允许约150℃的内部结温。实际上，多数环境温度都在25℃以上，因此，可以处理的功耗会稍低。　　对于任意功耗P(单位：W)，都可以用以下等式来计算有效温差(ΔT)(单位：℃)：　　ΔT = P ×θ　　其中，θ为总适用热阻。下图总结了一些基本的热关系。请注意，串行热阻(如右侧的两个热阻)模拟的是一个器件可能遇到的总热阻路径。因此，在计算时，总θ为两个热阻之和，即θJA = θJC + θCA。给定环境温度TA、P和θ，即可算出TJ。根据图中所示关系，要维持一个低的TJ，必须使θ或功耗(或者二者同时)较低。低ΔT是延长半导体寿命的关键，因为，低ΔT可以降低最大结温。　　在IC中，一个温度参照点始终是器件的一个节点，即工作于给定封装中的芯片内部最热的点。其他相关参照点为TC(器件)或TA(周围空气)。结果又引出了前面提到的各个热阻，即θJC和θJA。　　先来看看最简单的情况，θJA为在给定器件的结与环境空气之间测得的热阻。该热阻通常适用于小型、功耗相对较低的IC(如运算放大器)，其功耗往往为1W或以下。一般而言，对于8引脚DIP塑封或者更优秀的SOIC封装，运算放大器以及其他小型器件的典型θJA值处于90-100°C/W水平。　　需要明确的是，这些热阻在很大程度上取决于封装，因为不同的材料拥有不同水平的导热性。一般而言，导体的热阻类似于电阻，铜最好，其次是铝、钢等。因此，铜引脚架构封装具有最高的性能，即最低的θ。

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发布时间：2025-04-18 17:26 阅读量：840 继续阅读>>

QDPAK&TOLT顶部<span style='color:red'>散热</span>封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

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QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

　　随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。　　QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装，采用顶部散热创新理念，相较于传统封装方式，可以优化产品的热导率和电导率，允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命，不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制，还能使PCB设计具有高度的灵活性，扩大了产品的应用范围，提高了产品性能竞争力。　　与此同时，QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积，可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点，满足高端应用场景需求，备受客户青睐。　　QDPAK封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积>120mm²，具有高耗散能力　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　相比于JEDEC标准，增加了1mm的爬电距离，满足高压应用　　鸥翼型引脚　　三、应用优势　　减少寄生电感，降低开关损耗，提高效率和易用性　　提供更高功率密度解决方案　　低RDS(ON)，高电流能力　　将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域　　灵活的PCB布局　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　克服PCB散热限制，实现高度自动化　　四、应用领域　　OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。　　TOLT封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积大于45mm²　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　高额定电流>300A　　鸥翼型引脚(较QDPAK体积更小，节约PCB面积)　　三、应用优势　　提高系统效率　　高功率密度　　低RDS(ON)，高电流能力　　优异的热性能　　节省冷却系统　　大幅降低产品至散热片热阻　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　大电流应用　　改善温度循环寿命(相比于TOLL x2)　　改善散热能力，提高电流处理能力(相比于TOLL提升36%)　　四、应用领域　　通信电源、服务器电源、工业电源等。　　PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装，并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性，是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选，得到客户高度认可。

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华润微

发布时间：2025-04-15 16:06 阅读量：1134 继续阅读>>

森国科推出行业领先的<span style='color:red'>散热</span>风扇驱动芯片G1287A

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森国科推出行业领先的散热风扇驱动芯片G1287A

　　森国科推出一款单相单线圈无刷直流电机散热风扇驱动单芯片G1287A，通过PWM直接输入模式，高效、精确地控制直流无刷马达运转速度，外围元件少，高度集成霍尔、过温保护、欠压保护、过电流保护等机制，面向台式电脑电源、CPU/VGA散热风扇、家电产品等市场提供高性能、高性价比的电机驱动服务。　　G1287A 采用贴片式SOP8直角封装，在体积和重量上极具优势，灵活性强、满足多种集成电路的使用，符合RoHS规范及无铅、无卤。设计上优化了无刷直流风扇马达的噪声性能，实现了马达低噪声、低抖动运转。　　G1287A满足工作电源电压范围为 4V 至 24 V，可以轻松驱动额定电流高达500mA(连续)的冷却风扇。该芯片可在-40 ℃~125℃的温度下工作。并且具备以下几大特色：　　内置霍尔传感器　　通过内置霍尔，减少了外部所需元器件，简化了外部电路，提升了芯片的可靠性，丰富了芯片的应用场景，适应小型化需求。　　欠压保护　　输入欠压保护，内置过冲吸收电路，无需外接齐纳管。　　PWM振荡器输出频率　　输出PWM频率由内部时钟电容值大小决定。其典型值为31kHz。　　软启动时间　　软启动控制模式能够有效抑制马达启动瞬间的尖峰浪涌电流，还能保证低转速运转时马达可靠启动。　　过温、过流保护　　(TSD) G1287A 过温保护功能。TSD 有温度滞回。　　过流保护(OCP) 流经马达线圈上的电流被内置电流侦测器件侦测，通过侦测其大小来阻止其大于设定的电流限制值。电流限制值大小由芯片内部限制电压和内部电流侦测器件决定。内置电流限制典型值为 1.0A。　　防堵转功能　　如果马达被外力或者障碍物卡住，则过驱动电流会引起温度升高而损坏马达，为了防止此类现象，芯片内置锁定保护电路关断内部功率管，切断马达驱动电流。几秒钟后自动重启电路将尝试重新启动。典型应用框图：　　系统框图：

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森国科

发布时间：2025-03-28 14:37 阅读量：735 继续阅读>>

新洁能：车规级双面<span style='color:red'>散热</span>功率器件新品，助力汽车电子性能升级

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新洁能：车规级双面散热功率器件新品，助力汽车电子性能升级

　　在汽车电子行业飞速发展的今天，提升可靠性、效率和散热性能成为了功率器件设计的重要方向。新洁能车规级 PDFN5*6 双面散热产品，以其优异的散热性能和紧凑的封装设计，成为新一代汽车应用中的明星产品。　　市场趋势驱动产品需求　　随着新能源汽车、ADAS(高级驾驶辅助系统)和车联网等技术的普及，车规级功率器件需要在更高功率密度、更复杂工作环境下保持出色的性能和可靠性。传统单面散热封装已难以满足这些需求，而本次新洁能正式宣布推出一款40V的 PDFN 5x6(NCEAP008NH40AGW)双面散热车规级MOSFET新品，凭借高效的热管理能力，为高功率场景带来了新的解决方案。　　产品信息基本概要　　这是一款40V的双面散热车规级的MOSFET新品，采用的PDFN 5x6双面散热封装，结壳热阻RθJC低达0.63℃/W，最大持续电流(ID)365A@Tc=25℃，RDS(ON)最大值为1.05mΩ，工作温度范围-55 To 175℃。同时，由于RDS(ON)和Qg的极低的组合，具有较小的导通电阻和栅极电荷，确保了导通和开关功率损耗均得以最小化，可提供最高效的高频开关性能，是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件。　　PDFN5*6 双面散热封装的核心优势　　1. 双面散热，极致热性能　　● 更高效的热流路径：双面散热结构允许热量从芯片正反两侧同时导出，形成平衡的热流路径。相比单面散热结构，热流分布更加均匀，能有效避免芯片局部过热问题。　　● 大幅降低热阻：通过铜夹片技术将芯片热量直接传导到封装顶部和底部，大大降低了热阻RθJC，热阻比单面散热器件下降了 20%-50%，显著提升热性能。　　● 与散热片直接接触：顶部和底部的散热金属层可以直接连接散热片或冷却系统，增强导热效率，同时降低系统散热设计的复杂度。　　2. 紧凑封装，灵活设计，提升系统效率　　顶部开窗式的 PDFN 5x6 封装与 NCE标准的 PDFN 5x6具有相同的封装和尺寸(5mmx6mm)，无需修改现有 PCB 布局，同时双面散热封装可直接与散热片或冷却系统结合，为系统设计提供更多灵活性。适用于汽车电子对空间高度敏感的应用场景，如电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器、车载充电器(OBC)和功率控制单元(PCU)。产品支持低导通电阻(Rds(on))和高开关频率，有助于降低导通损耗和开关损耗，提高整体能效。　　 3. 高可靠性，满足车规要求　　采用第三代 Super Trench技术，符合 AEC-Q101 标准，具有卓越的耐高温、耐潮湿和抗温冲性能，能够在严苛的车载环境中长期稳定运行。　　典型应用场景　　新能源汽车电池管理系统(BMS)　　在新能源汽车中，BMS 负责监控电池状态，确保安全和高效运行。PDFN5*6 双面散热产品为 BMS 提供卓越的热性能支持，可以将工作温度降低 15%-20%，从而延长系统寿命，减少冷却设备的负担，帮助系统更好地应对高功率充放电的热管理需求。　　车载充电器(OBC)与 DC-DC 转换器　　高功率密度的 DC-DC 转换器和 OBC 对功率器件的散热性能和效率提出了更高要求。PDFN5*6 双面散热封装能够显著提升系统效率，降低散热方案复杂度。　　ADAS 驱动模块　　在摄像头、雷达等 ADAS 模块中，PDFN5*6 双面散热功率器件可以显著降低模块发热，确保性能稳定，为驾驶安全保驾护航。　　技术实力保障产品优势　　我们深耕车规级功率器件领域，通过自主研发和制造，全面掌控芯片设计、封装和测试流程，确保每一颗器件的性能和可靠性达到行业领先水平。　　● 创新的封装工艺：采用先进的铜夹片双面散热技术，确保更低的热阻和更高的功率密度。　　● 完善的质量体系：符合 ISO 16949 质量标准，为客户提供可信赖的解决方案。　　● 卓越的客户服务：快速响应客户需求，提供定制化的技术支持。　　结语　　车规级 PDFN5*6 双面散热功率器件，是未来汽车电子系统发展的关键助力，能够为客户带来高效、可靠、灵活的功率解决方案。新洁能致力于与客户携手，共同推动汽车电子行业的持续创新与发展。

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新洁能

发布时间：2025-03-04 11:54 阅读量：1509 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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