在变频伺服,逆变器,电源等电力电子行业应用中,分立器件方案的散热设计一直是影响系统性能和可靠性的关键挑战。
传统贴片封装通过PCB散热,效率差,制约功率密度;传统插件封装需要使用绝缘片,导热膏,螺钉等多种物料,可靠性风险点多。
是否有一款能同时解决上述设计痛点,又能简化设计难度的方案呢?维安WTPAK应运而生:一款具有自主知识产权的贴片式背部散热封装形式。

图1: WTPAK模型图
封装特点
1.自主知识产品
2.优化基岛面积,可实现更大芯片面积的封装
3.优化功率引脚宽度,大幅提升电极载流能力
4.优化电极距离,满足电力电子安规要求
5.为SiC MOS和新一代IGBT产品预留开尔文驱动
封装尺寸


应用特点
1.更灵活的PCB设计方案,结构散热设计更简单。
2.散热和载流分离,解决PCB过热和IGBT出流能力的问题,实现更大的功率密度,提升系统可靠性。
WTPAK热仿真结果,在有散热片的条件下比无散热片的结温低20℃。

3.自动化SMT生产,大幅提升人均效率,降低装配风险,为大规模生产提供可靠方案。
4.FRD正温度系数,充足的封装爬电距离,更方便并联使用。
5.整流二极管,IGBT,产品系列化,规格丰富。
产品选型表

WTPAK不止是封装,而是一套“更小,更凉,更可靠,更方便”的系统方案。从芯片选型到系统设计进行全局优化,提升散热效率并降低失效率,缩短开发周期,确保产品的稳定与高效。
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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
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