QDPAK&TOLT顶部散热封装,助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

发布时间:2025-04-15 16:06
作者:AMEYA360
来源:华润微
阅读量:741

  随着高端科技的不断发展,现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此,华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品,高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。

  QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装,采用顶部散热创新理念,相较于传统封装方式,可以优化产品的热导率和电导率,允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命,不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制,还能使PCB设计具有高度的灵活性,扩大了产品的应用范围,提高了产品性能竞争力。

  与此同时,QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积,可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片,促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点,满足高端应用场景需求,备受客户青睐。

  QDPAK封装

  一、封装外形

QDPAK&TOLT顶部散热封装,助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

  二、应用特征

  顶部散热,散热片面积>120mm²,具有高耗散能力

  内置Kelvin源配置,低寄生电感

  TCOB> 2000个循环

  相比于JEDEC标准,增加了1mm的爬电距离,满足高压应用

  鸥翼型引脚

  三、应用优势

  减少寄生电感,降低开关损耗,提高效率和易用性

  提供更高功率密度解决方案

  低RDS(ON),高电流能力

  将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域

  灵活的PCB布局

  焊点检测容易,焊点可靠性高

  克服PCB散热限制,实现高度自动化

  四、应用领域

  OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。

  TOLT封装

  一、封装外形

QDPAK&TOLT顶部散热封装,助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

  二、应用特征

  顶部散热,散热片面积大于45mm²

  内置Kelvin源配置,低寄生电感

  TCOB> 2000个循环

  高额定电流>300A

  鸥翼型引脚(较QDPAK体积更小,节约PCB面积)

  三、应用优势

  提高系统效率

  高功率密度

  低RDS(ON),高电流能力

  优异的热性能

  节省冷却系统

  大幅降低产品至散热片热阻

  焊点检测容易,焊点可靠性高

  大电流应用

  改善温度循环寿命(相比于TOLL x2)

  改善散热能力,提高电流处理能力(相比于TOLL提升36%)

  四、应用领域

  通信电源、服务器电源、工业电源等。

  PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装,并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性,是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选,得到客户高度认可。


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