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雷军：小米3nm<span style='color:red'>芯片</span>已大规模量产

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雷军：小米3nm芯片已大规模量产

　　小米集团董事长雷军微博称，小米玄戒O1，小米自主研发设计的3nm旗舰芯片，已开始大规模量产。　　搭载小米玄戒O1两款旗舰，将同时发布：高端旗舰手机小米15spro和超高端OLED平板小米平板7ultra。　　受利好消息影响，5月20日上午，小米集团股价拉升。截至午间收盘，小米集团股价为54.4港元/股，涨幅为3.92%，最新市值为1.41万亿港元。

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小米

发布时间：2025-05-20 13:53 阅读量：174 继续阅读>>

一文了解AI<span style='color:red'>芯片</span>的常见应用领域

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一文了解AI芯片的常见应用领域

　　随着人工智能技术的飞速发展，AI芯片作为支撑智能计算的核心硬件，发挥着越来越重要的作用。AI芯片专门设计来高效处理深度学习、机器学习等复杂算法，推动了智能设备和系统的普及。下面简要介绍几个AI芯片的主要应用领域：　　01智能手机和终端设备　　AI芯片被广泛集成于智能手机、平板和可穿戴设备中，用于图像识别、语音助手、增强现实等功能。通过本地AI计算，这些设备能够实现更快的响应速度和更优的隐私保护。　　02自动驾驶与智能交通　　自动驾驶汽车依赖AI芯片来处理来自摄像头、雷达和传感器的大量数据，实时分析路况，实现自动导航和避障。此外，智能交通系统通过AI芯片优化信号灯控制和交通流量管理，提高城市交通效率。　　03数据中心和云计算　　现代云计算平台大量部署AI芯片，用于加速大规模机器学习任务和数据分析，提升训练速度和推理效率，支持智能搜索、推荐系统和自然语言处理等服务。　　04机器人与工业自动化　　在工业领域，AI芯片驱动的机器人能够完成复杂的感知、决策和操作任务，提高生产线自动化水平和灵活性，降低人工成本。　　05智能安防与监控　　AI芯片使监控设备具备实时人脸识别、异常行为检测等智能功能，增强安全防护能力，广泛应用于公共安全和企业管理。　　06医疗健康　　AI芯片帮助医疗设备实现图像诊断、病症预测和个性化医疗方案制定，推动医疗服务向智能化、精准化方向发展。综上所述，AI芯片正渗透到生活和工业的各个角落，推动智能化技术的变革。未来，随着AI芯片性能的持续提升，它将带来更多创新应用，改变我们的生活方式和工作模式。

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AI芯片

发布时间：2025-05-20 13:11 阅读量：162 继续阅读>>

类比半导体推出全新第二代高边开关<span style='color:red'>芯片</span>HD8004

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类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD8004

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD8004，单通道低内阻4.3mΩ产品。自类比第一代高边开关芯片HD7XXX系列2023年面世以来，该系列产品已经在国内外知名Tier1和车厂大批量出货，高边开关系列产品累计出货量已突破千万颗。为解决国产1-4mΩ低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险，类比半导体联合上下游供应链历经两年解决工艺，设计和封装等关键技术难点，实现高边开关芯片产品国产化新的进步。　　HD8004系列产品特性　　内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需外围增加TVS和防反二极管，减少系统电路复杂度和降低成本　　工艺、设计、封装三方联合攻关，实现比肩国际厂商高边芯片产品的散热能力　　多重保护功能和CS负载诊断，快速过流保护和动态过温保护专利技术　　高精度的负载电流采样阈值，高阶温度补偿专利技术，实现低温漂的负载电流采样阈值

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类比半导体

发布时间：2025-05-20 10:07 阅读量：162 继续阅读>>

华润微电子氮化镓亿颗<span style='color:red'>芯片</span>庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

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华润微电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

　　5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，活动以“亿芯突破·智启新程”为主题。华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南，大连高新区党工委副书记、管委会主任胡凡，高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇，大连金运副总经理张作伟，达晨财智高级副总裁梁国智，华润集团战略管理部代表，润新微股东代表及员工代表出席仪式，与众多项目建设伙伴、客户及供应商代表共同见证外延生产基地启幕。　　氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式　　活动现场，公司举行氮化镓亿颗芯片庆典，庆祝氮化镓芯片成功出货一亿颗，标志着公司迈入了新的发展阶段，具有里程碑意义。　　华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。　　华润微电子副总裁庄恒前致辞　　华润微电子副总裁庄恒前在致辞中对长期以来给予华润微电子、润新微电子鼎力支持的大连高新区政府、投资机构及合作伙伴致以诚挚的感谢。他介绍了华润微电子在第三代半导体领域的业务布局和技术优势，并强调润新微电子是公司在氮化镓赛道进行战略规划的关键战略举措。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。　　嘉宾致辞　　大连高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇在致辞中对华润微电子在大连的投资成效表示感谢，希望华润微电子持续深耕半导体领域，充分发挥行业龙头带动效应，加速战略性新兴产业的集聚，为大连高新区的新质生产力发展注入源源不断的强劲动能。　　嘉宾互动　　2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。活动当天，与会人员共同参观了华润微电子氮化镓外延基地生产线，深入了解生产线布局及工艺流程。　　展望未来，华润微电子将继续秉持创新驱动理念，进一步加大研发投入，持续深化宽禁带半导体等高端领域布局，以更高标准不断提升产品性能和质量，精准满足市场对高端外延片日益增长的需求。同时还将积极强化与产业链上下游企业的深度合作，携手共进，共同攻克技术难题，完善产业生态，全力推动半导体产业链的协同发展，向着更高层次、更深领域探索前行，为我国半导体产业的自主可控、安全可靠持续贡献力量，助力第三代半导体等高端应用市场蓬勃发展。

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华润微

发布时间：2025-05-19 09:43 阅读量：184 继续阅读>>

雷军官宣小米自研<span style='color:red'>芯片</span>，5月下旬正式发布！

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雷军官宣小米自研芯片，5月下旬正式发布！

　　5月15日晚间，小米CEO雷军在微博上宣布重大消息，小米自主研发设计的手机SoC芯片，名字叫玄戒O1，即将在5月下旬发布。　　目前行业普遍预测玄戒O1将采用4nm工艺，性能对标苹果A16。当前国内7nm以内先进制程芯片产品主要集中在车规芯片、手机配套小芯片等领域。玄戒O1的发布意味着内地手机系统级芯片实现了5nm以内工艺设计的突破。　　此前爆料称，小米自研芯片玄戒团队规模达千人，成立独立公司运作。　　2023年10月，小米第二家玄戒芯片公司成立，注册资本达30亿元。经营范围包含：集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品销售;集成电路设计等。　　北京玄戒技术有限公司是小米旗下的第二家“玄戒技术”。早在2021年12月，上海玄戒技术有限公司成立，注册资本 15亿人民币，法定代表人也是曾学忠。　　资料显示，上海玄戒技术有限公司的经营范围包括：半导体科技领域内的技术服务;信息系统集成服务;集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品销售;集成电路设计等。由X-Ring Limited全资控股。　　以下是小米公司的十年造芯历程，大致可分为三个阶段：　　探索起步：澎湃 S1 的诞生与挫折(2014-2017 年)　　2014 年，小米成立全资子公司松果电子，正式启动手机 SoC 研发项目。2017 年 2 月，发布首款自研芯片澎湃 S1，采用台积电 28nm 工艺，搭载于小米 5C。该芯片为八核 A53 架构，集成 Mali-T860 GPU，支持 VoLTE 通话。但受限于制程落后和基带能力不足，性能与同期竞品存在差距，市场反响未达预期，后续研发因多次流片失败陷入停滞。澎湃 S1 虽未成功，却为小米积累了芯片设计经验，成为国产手机厂商自主造芯的标志性尝试2。　　专项芯片转向(2017-2024 年)　　澎湃 S1 遇挫后，小米调整策略，转向影像、充电等细分领域的小芯片研发，推出了澎湃 C1(2021 年，首款自研影像芯片，独立于 SoC，提升自动对焦、白平衡和曝光精度，搭载于小米 MIX FOLD 折叠屏手机)、澎湃 P1(2021 年，业界首个谐振充电芯片，支持 120W 单电芯快充，显著降低热损耗，应用于小米 12 Pro)、澎湃 G 系列(2023 年，电池管理芯片，优化能效与充电安全，进一步完善芯片矩阵)等2。　　重回 SoC 主航道(2025 年)　　2025 年 5 月 15 日，雷军官宣新一代自研 SoC 玄戒 O1，标志着小米重回手机主芯片赛道。据称该芯片采用台积电第二代 4nm(N4P)工艺，性能对标骁龙 8 Gen1，部分场景接近骁龙 8 Gen22。　　行业看来，十年造芯之旅，小米经历了从激进试错到务实转型的战略调整，早期SoC受挫后，通过专用芯片积累经验，通过投资和研发投入重返SoC赛道。在这一过程中，小米手机业务也实现了向高端挺进。伴随着玄戒O1的落地，小米成为近年来国产手机厂商造芯的率先突围者，其构建起“自研主芯片+核心外围芯片”的整合能力，在未来的高端市场竞争中也尤为重要，在对标苹果、三星等巨头的同时，也将显著增强小米手机产品的差异化优势和核心竞争力。

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小米

发布时间：2025-05-16 15:11 阅读量：428 继续阅读>>

帝奥微多款车规级产品入选《国产车规<span style='color:red'>芯片</span>可靠性分级目录（2025）》

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帝奥微多款车规级产品入选《国产车规芯片可靠性分级目录（2025）》

　　5月15日，第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海隆重开幕。作为本届大会的重要环节之一，《国产车规芯片可靠性分级目录(2025)》在大会重磅发布，并进行了权威解读。　　为加速突破车规芯片国产替代，保障汽车产业链、供应链安全稳定，推动汽车电子产业配套体系建设，该目录包含详实、系统的国内车规芯片产品信息和应用参考，能够有效协助整车企业和零部件厂商快速掌握国内车规级芯片产品信息及应用状况。　　继2024年五款产品入编后，帝奥微自主研发的DIA7B104、DIA2240、DIA5718S、DIA58108、DIA89360五款产品均成功入编《国产车规芯片可靠性分级目录(2025)》!　　产产品速递递　　DIA7B104　　DIA7B104：一款4通道自动感应传输方向的电平转换器，它无需传输方向控制引脚即可自动感应信号的传输方向，器件具有更低的工作电压(1.08V)、更高的转换速率(最高速率110Mbps)和更小的功耗等优势。使用两个独立的电源轨，DIA7B104可以实现1.2V-5V电压节点之间的任意双向电平转换。为能保证通讯双方电平匹配，必须使用电平转换器。在汽车智能座舱、ADAS和Tbox系统中应用非常普遍。　　DIA2240　　DIA2240：集成增强型 PWM 抑制电路，解决了在高共模电压阶跃过程中输出干扰的问题。凭借该功能，可精确测量电机相电流，不会使输出电压产生较大的瞬变而影响检测结果。与标准电路相比，DIA2240的高AC CMRR 与信号带宽相结合，能够提供更小的输出瞬态和振铃抑制。DIA2240共模电压输入范围在-4V至110V，可以应用于24V/48V及以上电源系统的高侧电流检测方式，器件供电电压范围2.7V至5.5V。根据REF引脚的配置方式，DIA2240可用于单向或双向电流检测。　　DIA5718S　　DIA5718S：一款车规级高效同步降压LED驱动芯片。它支持4.75V至28V的宽输入电压范围，能够提供高达2.0A的输出电流。芯片采用1MHz固定开关频率，集成低导通电阻的功率开关，有效降低损耗，简化设计并降低成本。DIA5718S支持PWM调光功能，调光频率范围30Hz至1kHz，调光占空比2%至100%，可实现精准的LED电流控制。此外，它还具备过温保护、欠压锁定等安全特性，能够在-40°C至125°C的宽温度范围内稳定工作。采用DFN2×1.5-6封装，尺寸小巧，适合紧凑型设计，是汽车LED照明和红外照明应用的理想选择。　　DIA58108　　DIA58108：国内首款支持双电源供电的8通道智能预驱，采用7mm x 7mm的QFN封装，可控制多达8个半桥，为客户在汽车直流电机，如电动座椅模块、车身系统等应用提供更简单、更小、更具成本效益的方式。24 位SPI 通信提供广泛的诊断功能，包括监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过热关断等。此外，每个栅极驱动器均监控其外部MOSFET的漏源电压(VDS)，以检测硬短路情况，同时集成的电流运放可提供可配置的软短路检测。其自适应三段式门极控制可在功耗与 EMC 性能之间取得平衡，该产品即使在睡眠模式下也提供独特的保护功能，它可以配置为永久电机制动器，以避免电机意外移动。极低和极高占空比的自动补偿功能可以减少应用中的软件工作量，从而进一步缩短开发周期。　　DIA89360　　DIA89360：国内首款具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器，该架构能以最高的系统效率和最少的外围器件驱动大功率LED，特别适用于需要高效率且电路板空间有限的高电流近光灯应用。调光方式灵活，支持模拟和数字(内部&外部)调光;提供完整的故障诊断和保护功能，集成输入和输出的电流检测功能;开关频率可调并支持展频功能，来确保出色的EMC性能;内置高侧PMOS驱动，可以驱动外部PMOS拓展高调光比应用。得益于恒流和恒压模式的灵活调节，DIA89360也可以为USB等非LED应用供电。　　在汽车电子领域，帝奥微已取得阶段性成果，陆续推出了多款国内首发的车规级芯片，进一步丰富了产品矩阵，扩大了公司在汽车电子领域中的影响力。再次入编《国产车规芯片可靠性分级目录》，是业内对帝奥微在车规芯片领域的综合实力与市场认可度，也为公司在汽车电子领域的深耕拓展提供了有力支撑。　　未来，公司将持续聚焦于车身控制、智能座舱等核心应用场景，朝着高可靠性、高性能的方向不断迈进!

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帝奥微

发布时间：2025-05-16 10:27 阅读量：326 继续阅读>>

全球<span style='color:red'>芯片</span>巨头TOP10，最新出炉！

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全球芯片巨头TOP10，最新出炉！

　　近日，Omdia带来了2024年全球芯片公司最新排名。此次排名显示，2024年的市场格局发生了明显变化。　　其中英伟达凭借其在AI芯片领域的卓越表现跃居榜首，相比之下，一些传统芯片巨头如英飞凌和ST意法半导体则未能跟上市场变化的步伐，跌出了前十名的行列。　　上图显示，AI和内存相关的公司在排名中普遍上升，三星、SK海力士和美光等内存芯片制造商在2024年均成功跻身全球芯片市场前七大公司之列。　　但主要销售模拟和功率芯片的公司，由于更易受到市场整体萎缩的影响，排名出现了下滑。　　值得注意的是，鉴于各半导体厂商的年度计算法则存在差异，且部分营收数据已经过汇率转换，因此基于营收的对比结果所得排名可能存在一定误差，排名仅供参考。此外，由于苹果公司业务部门收入较为多样化，本次排名未录入这家公司。　　再看当下，时至今日，2025年已行至过半，随着2024年全球芯片公司排名榜单的公布，不乏有业内人士猜测2025 年半导体行情究竟是涨是跌?　　WSTS预测2025年半导体市场将增长11.2%，使全球市场估值达到6970亿美元。这一增长将主要由逻辑和存储部门推动。

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芯片

发布时间：2025-05-14 15:53 阅读量：213 继续阅读>>

芯片创新成果"！" alt="上海贝岭发动机点火IGBT芯片BLG3040，获评《中国电子报》"十大汽车芯片创新成果"！">

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上海贝岭发动机点火IGBT芯片BLG3040，获评《中国电子报》"十大汽车芯片创新成果"！

　　2025年4月22日，在《中国电子报》"汽车芯片创新成果"专题报道中，上海贝岭发动机点火IGBT芯片BLG3040，成功获评"2025中国汽车芯片产业十大创新成果"!　　文中写道：车规级点火线圈驱动IGBT芯片 BLG3040 是一款内部集成自钳位双向稳压二极管的车规级IGBT芯片，具有导通压降低、阈值电压VTH低、击穿电压高、自钳位开关能量高、结温高及ESD耐受能力高等特性，可适配汽车点火系统及发动机控制单元(ECU)需求，为不同的动力平台提供高效可靠的电子点火管理方案，其综合技术指标已达到国际先进水平。从制造端来看，该产品依托集团内晶圆厂制造资源及国内一流车规级封测资源，具备安全、有保障的供应链，能够在保证产能的同时保障产品品质。目前，该产品已批量导入多家国内外头部Tier1 供应商及整车企业，成功配套多款主流车型。截至今年4月，累计出货量已突破 1000 万颗，推进了汽车电子关键芯片本土化生产进程。　　上海贝岭是国内早期布局汽车发动机点火IGBT研发的企业，整体方案成熟、多样。如图2所示，在预驱上，我们可以提供分立、集成等方案;在核心功率器件IGBT上，贝岭可以提供5个系列可供选择，适用于汽车、摩托车发动机ECU及点火线圈等多种客户应用。　　另外，在发动机点火系统上，除了发动机点火IGBT，我们还可以提供预驱、比较器、基准源、LDO等，并持续做相关产品的系列化。　　在发动点火应用上，上海贝岭会持续深耕、探索，全力为客户提供高可靠、高匹配、高性价比物料方案，用勤劳、智慧笃定践行“用‘芯’创造美好生活”贝岭人的美好愿景!

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上海贝岭

发布时间：2025-05-14 13:40 阅读量：338 继续阅读>>

特朗普正式废除拜登的人工智能扩散规则，拟全球禁用华为AI<span style='color:red'>芯片</span>！

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特朗普正式废除拜登的人工智能扩散规则，拟全球禁用华为AI芯片！

　　当地时间5月13日，美国商务部正式发文，废除拜登政府此前推出的《人工智能扩散规则》(AI Diffusion Rule)，并同时宣布一系列强化全球半导体出口管制的新措施。这一举动在全球科技产业引发震动，凸显美国在人工智能和半导体领域战略的重大调整。　　AI Diffusion Rule 于 2025年1月15日由拜登政府发布，原定于5月15日生效。该规则将全球国家和地区划分为三个层级，实施差异化的先进人工智能芯片出口管控。然而，美国商务部工业与安全局(BIS)指出，这项规则一旦实施，不仅会对美国本土企业施加 “繁重的监管负担”，扼杀美国创新活力，还会因将众多国家降格为 “二级技术合作对象”，严重损害美国与数十个国家的外交关系。BIS 透露，将通过《联邦公报》发布正式撤销通知，并在未来推出替代规则。　　美国商务部负责工业和安全的副部长杰弗里・凯斯勒(Jeffery Kessler)明确指示 BIS 执法官员，停止执行拜登政府的 AI 扩散规则。他强调，特朗普政府将与全球 “可信赖的伙伴国家” 携手，构建大胆且包容的人工智能技术战略，在保障关键技术不落入对手手中的同时，推动美国 AI 技术的创新与国际合作。凯斯勒批评拜登政府的 AI 政策 “考虑欠妥、适得其反”，对美国的技术优势和国际合作关系造成负面影响。　　在废除 AI 扩散规则的同时，BIS 宣布了三项旨在加强海外 AI 芯片出口管制的新举措：　　全球禁用华为 Ascend 芯片：BIS 发布指导意见，明确在世界任何地区使用华为 Ascend 芯片均被视为违反美国出口管制条例，试图从全球层面阻断华为芯片技术的应用拓展。　　限制 AI 芯片用于中国 AI 模型：BIS 发出警告，若美国 AI 芯片被用于训练或干扰中国人工智能模型，相关企业将面临严重后果，进一步强化对中国 AI 产业发展的技术封锁。　　供应链反制指南：美国商务部要求美国企业重新审视供应链合作伙伴，强化审查机制，防范技术转移风险，确保美国半导体技术在全球供应链中的绝对主导地位。　　美国商务部宣称，此次行动是为了确保美国在人工智能创新领域的前沿地位，稳固其全球 AI 主导权。但分析人士指出，美国此举实质是在全球科技竞争加剧的背景下，以单边主义手段维护自身科技霸权，新措施可能进一步扰乱全球半导体产业链的正常秩序，加剧全球半导体产业链的分化与重构，引发更多国家对自身科技产业安全的担忧，促使各国加速推动半导体技术的自主研发与供应链多元化布局。

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AI芯片

发布时间：2025-05-14 13:32 阅读量：1469 继续阅读>>

赋能无刷直流电机驱动，森国科推出4颗40V预驱<span style='color:red'>芯片</span>

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赋能无刷直流电机驱动，森国科推出4颗40V预驱芯片

　　森国科科技股份有限公司日前发布了40V预驱芯片系列产品，该系列推出了4个型号，适用于有感BLDC、无感BLDC，有感FOC、无感FOC 及永磁同步电机等控制系统，在家电、电动按摩仪、电动工具、低压风机水泵控制等产品的使用上较为常见。　　01、预驱芯片最高耐压可达40V，内置LDO　　芯片最高耐压超过40V，推荐工作电压范围7V～36V，可有效覆盖市场上最常见的12V、24V、36V 电机应用。　　芯片内置LDO，输出电压3.3V/5V可选，LDO的带载能力可达100mA，无论负载大小，LDO输出的电压稳定，效率高，随温度变化波动小，发热量低，有利于与MCU合封。在系统应用的时候，节省了一颗给MCU供电的LDO，同时还可以节省PCB布板的面积和贴片费用。　　02、集成度高，保护功能强大，四大保护机制　　G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片内部都内置了死区时间和直通保护逻辑、输入欠压保护、过流保护、过温保护。　　当G2301B和G2311B芯片温度达到160℃时触发过温保护，温度降至140℃时解除输出保护。　　G2302B、G2312B芯片则是在155℃时触发过温保护机制，温度降至135℃时解除输出保护。　　03、上下管驱动能力基本做到了一致　　森国科预驱芯片在驱动功率MOS时，G230X上下管驱动能力较为接近，上下管驱动电流都可达到200mA左右，有效解决了友商上下管电流不一致的情况。当上下管驱动电流不一致的时候，实际的驱动能力经常会被驱动电流小的上管或者下管限制住。　　04、抗静电能力优越　　HBM可达3KV，节省了外部静电保护电路，为电机驱动系统设计减小了PCB布板面积，降低了ESD、EMI的难度。　　05、G2301B可驱动3P+3N功率MOS　　G2301B内部集成了三个半桥，可驱动3P+3N功率MOS，每一路输出均可由MCU独立控制，芯片系统框图如下：　　06、G2302B内嵌电荷泵电路，缩减应用成本　　G2302B 内嵌电荷泵电路，缩减应用成本，芯片内部系统框图如下：　　G2302B采用的是3N+3N的驱动，多应用在大功率产品上。G2302B内嵌了ChargePump电荷泵电路，电荷泵由振荡电路、二极管和电容器组成。如下图所示芯片内置电荷泵的每个级对电容器中存储的电压进行升压，可以产生高于供电电压的驱动电压，从而驱动上桥臂NMOS开启。相比自举电路需要刷新自举电容，电荷泵电路对输入PWM的占空比没有限制。电荷泵电路内置之后，相比传统的外部自举电路，节省了3个二极管和3个电容，应用的时候只需2个0.1uF电容就可以实现三个半桥6N MOS稳定开关，使得布线更简洁，节省PCB布板面积，同时也提高了电磁兼容性，大幅缩减系统成本。　　07、G2301B和G2302B的典型应用电路　　G2301B典型应用电路：　　G2302B典型应用电路：　　森国科预驱芯片集高可靠、低功耗、高性能于一身，已陆续为落地扇、筋膜枪、电动工具等下游厂商提供定制化解决方案。G230X预驱系列产品，提供封装成品的同时，也提供晶圆(bare die)用于和MCU产品合封。

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森国科

发布时间：2025-05-12 14:32 阅读量：214 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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