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常见<span style='color:red'>芯片</span>失效原因—EOS/ESD介绍

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常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍

　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。

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发布时间：2025-08-20 14:02 阅读量：199 继续阅读>>

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力芯微推出GPIO扩展芯片ET6416

　　产品概述　　在科技日益发展的今天，折叠屏手机逐渐成为热门产品，成为智能手机创新最活跃的领域之一。小米，OPPO，VIVO，荣耀等手机主力厂商也纷纷推出各家折叠屏手机。　　折叠屏手机结构异常复杂，两块屏幕、多个传感器(内屏、外屏、铰链区域)、复杂的排线，SoC自带的GPIO引脚数量，根本不够用!尤其是在铰链区域，需要密集部署传感器来精准检测开合角度、速度、状态，所以折叠铰链中的布线，面临空间困境。　　力芯微重磅推出16bit I²C GPIO扩展芯片，支持1.65~5.5V电平转换，可以有效节省系统IO资源，简化PCB布线，降低系统成本。这颗仅3x3mm的微型芯片，以三种方式破解困局：　　1. 接口倍增：通过I²C总线扩展出16路GPIO，为主控芯片释放珍贵接口资源;　　2. 空间重构：将铰链区数十条排线精简为2-4条总线，布线空间节省40%以上，简化了主板到副板的FPC走线。　　3. 信号中继站：集中管理铰链区域、副屏区域等远端的众多传感器信号(如角度磁铁检测的霍尔传感器、跌落检测传感器、屏幕状态检测等)。　　除了在手机领域外，还广泛应用于智能穿戴设备、各种嵌入式应用领域，智能家居、工业控制等。　　产品特性　　16bit GPIO扩展　　工作电压范围：1.65V to 5.5V　　支持双向电平转换　　极低的静态电流损耗：典型值 1.5uA@VDDP=5V;典型值 1.0uA@VDDP=3.3V　　IO输入/输出独立可配　　硬件复位输入信号，低电平有效　　400 KHz 快速模式(Fast-mode)I²C总线，2个I²C拓展地址　　GPIO端口最大驱动能力 25mA，直接驱动 LED　　封装形式：ET6416 BGA24 (3mm×3mm);ET6416Y QFN24 (4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用

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发布时间：2025-08-19 13:12 阅读量：216 继续阅读>>

全球<span style='color:red'>芯片</span>企业TOP 20，最新榜单！

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全球芯片企业TOP 20，最新榜单！

　　根据WSTS的数据，2025年第二季度全球半导体市场规模为1800亿美元，较 2025年第一季度增长7.8%，较2024年第二季度增长19.6%。2025年第二季度是连续第六个季度同比增长超过18%。　　下表按收入列出了排名前二十的半导体公司。该名单包括在公开市场上销售器件的公司，不包括台积电等代工公司以及仅生产供内部使用的半导体的公司，例如苹果。大多数情况下，收入指的是公司整体收入，其中可能包含一些非半导体收入。如果单独列出收入，则使用半导体收入。　　根据英伟达预测，其2025年第二季度营收将达到450亿美元，因此仍是全球最大的半导体公司。存储芯片制造商三星和SK海力士分列二三位。博通排名第四，长期占据榜首的英特尔则跌至第五。　　大多数公司报告称，2025年第二季度的收入较第一季度稳健增长，加权平均增幅为7%。存储器公司增幅最大，SK 海力士增长26%，美光科技增长16%，三星增长11%。非存储器公司中，收入增幅最大的是微芯片科技(11%)、意法半导体(10%)和德州仪器(9.3%)。五家公司的收入较 2025 年第一季度有所下降。　　几乎所有提供业绩指引的公司都预计，2025年第三季度的收入将较第二季度实现健康增长。其中，增幅最大的依然是内存公司，美光公司预计增幅为20%，铠侠公司预计增幅为30%。两家公司均表示，人工智能应用的需求是关键驱动因素。　　意法半导体(STMicroelectronics)预计其营收将增长15%，除汽车市场外，所有终端市场均实现增长。AMD预计在人工智能的推动下，其营收将增长13%。其他六家公司提供的收入增长预期在1.7%至7.7%之间。唯一一家预计营收将下降的公司是联发科，由于移动市场疲软，其2025年第三季度的营收将下降10%。　　人工智能仍然是最大的增长动力。许多公司在其传统市场中看到了增长。一些公司的汽车收入正在增长，而另一些公司则认为汽车行业持续疲软。在与金融分析师的电话会议中，大多数公司都提到了关税和全球贸易方面的不确定性是令人担忧的领域。　　2025年上半年半导体市场的强劲增长几乎保证了全年两位数的增长。最近的预测普遍在14%至16%的窄幅区间内。WSTS根据2025年第二季度的数据，将其6月份的预测从11.2%下调至15.4%。由于全球贸易的不确定性，半导体情报公司(SC IQ)对此持谨慎态度。但基于2025年上半年的强劲表现，我们将2025年的预测从5月份的7%上调至13%。　　由于威胁征收的关税和已实施的关税频繁变化，预测美国关税对全球贸易的影响十分困难。就中国而言，特朗普政府在4月份威胁征收高达145%的关税。5月份，特朗普政府暂停加征关税90天，并将对华关税定为30%。本周，暂停加征关税的期限被延长至11月。　　对半导体直接征收关税的不确定性很高。本月早些时候，特朗普总统宣布美国将对进口半导体征收100%的关税。他表示，承诺在美国生产半导体的公司将不会面临关税。该计划的具体细节尚未公布。　　本月，特朗普政府达成协议，为英伟达和AMD提供出口许可证，允许其向中国出口部分人工智能芯片。两家公司将被要求将销售收入的15%上缴给美国政府。该协议的合法性值得怀疑。美国宪法禁止国会对出口产品征税。《EE Times》称该协议“独一无二”。　　智能手机是已经受到关税影响的一个领域。正如我们在之前的新闻通讯中所指出的，近几个月来，美国的智能手机进口量急剧下降。2025年第二季度，美国智能手机进口量以美元计算下降了58%，进口量以数量计算下降了47%。从中国进口的智能手机数量下降了85%。尽管目前对智能手机进口没有征收关税，但关税威胁已产生重大影响。Canalys 估计，2025年第二季度美国智能手机销量将较2025年第一季度下降约20%。2025年第二季度的许多销量来自现有库存。然而，美国智能手机销量应该会在2025年下半年大幅下降。尽管对美出口下降，但中国智能手机制造业依然强劲，2025年第二季度的产量较2025年第一季度增长了5%。　　当前半导体市场表现强劲。持续的全球贸易争端令人担忧，但迄今为止尚未产生实质性影响。特朗普政府的关税威胁或许会像莎士比亚戏剧《麦克白》中所说的那样，“成为喧嚣与骚动，却毫无意义”。

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发布时间：2025-08-18 13:51 阅读量：311 继续阅读>>

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如何理解芯片设计中的后端布局布线

　　后端布局布线(Place and Route，PR)是集成电路设计中的一个重要环节，它主要涉及如何在硅片上合理地安排电路元器件的位置，并通过布线将这些元器件连接起来，以确保芯片能够正确地工作。这个过程是芯片设计的最后阶段之一，它将前端的逻辑设计转化为物理实现。　　1、布局(Place)：　　布局阶段的主要任务是确定电路元器件(如标准单元、存储单元等)在芯片上的具体位置。可以将布局比作一个城市的规划，设计师需要将不同的功能区域(如住宅区、商业区等)合理安排，以确保所有区域都能高效运作，并能提供足够的空间和基础设施。　　布局的关键步骤：　　元器件选择：首先，需要选择并定义设计中使用的标准单元(Standard Cells)。这些标准单元包括逻辑门、触发器、加法器等基本元件，所有这些元件将组合成完整的电路。　　位置优化：通过布局优化工具，设计人员将根据设计要求优化元器件的位置。例如，要考虑信号传输的距离、元器件之间的相互影响，以及芯片的功耗、面积等因素。　　区域划分：布局过程中，还会对芯片进行区域划分，确保高功耗电路与低功耗电路、模拟电路与数字电路的合理分布，避免信号干扰或不必要的功耗浪费。　　时钟树布局：时钟树是整个芯片的关键，布局时需要确保时钟信号能够均匀分布到每个触发器，避免时钟偏移等问题，保证芯片的同步工作。　　2、布线(Route)：　　布线是指将布局阶段确定的位置进行连接，形成完整的电路网络。布线过程类似于城市规划中的道路建设，设计人员需要为各个区域(元器件)之间提供有效的交通路线(电气连接)。布线不仅要确保各个元器件之间的连接，而且要优化信号传输的延迟和噪声。　　布线的关键步骤：　　信号线铺设：在布线阶段，设计工具会根据布局好的元器件位置，自动或手动设计信号线。每条信号线必须连接合适的元器件，并且避免交叉或短路。　　层次规划：布线不仅仅是在一个平面上进行，现代芯片的布线通常会使用多层金属线。每层金属线负责不同的功能，如电源、信号传输等。设计人员需要根据芯片的需求选择合适的布线层次和布线宽度，确保每条线路的承载能力和信号传输质量。　　时序优化：布线过程中需要优化信号传输的时序，确保数据能够在时钟周期内正确地传递。如果信号传输路径过长或者过于复杂，可能导致时序违例，影响芯片的稳定性和性能。　　信号完整性：在布线时，除了确保连接正确外，还需要注意信号的完整性。例如，减少串扰、避免信号反射、合理布置电源和地线等，以确保信号不会受到干扰。　　3、布局布线的优化目标：　　面积优化：在满足性能要求的前提下，尽量减少芯片的面积。面积过大不仅影响成本，还可能增加功耗和散热问题。　　功耗优化：布线时需要考虑功耗分布，减少高功耗元件与其他部分的交互，优化电源管理和时钟分布。　　时序优化：通过合理的布局和布线设计，确保信号的传输延迟符合时序要求，避免时序违例。　　制造可行性：布线过程中需要考虑到芯片制造工艺的限制，例如线路宽度、层间间距等，确保设计的物理实现能够顺利通过制造。　　4、后端布局布线的挑战：　　时序收敛问题：由于布线和布局优化的影响，时序收敛往往是一个挑战。设计人员需要多次迭代优化布局布线，以确保时序的满足。　　复杂度和规模：随着芯片规模的增大，布局布线的复杂度也大大增加。特别是对于多核、SoC芯片，布局布线的工作量和难度更为复杂。　　信号完整性和噪声问题：复杂的布线可能引入信号干扰和噪声，尤其是在高速信号传输时，这对电路的稳定性和性能产生很大影响。　　物理设计规则：在布线过程中，必须遵循制造工艺的物理设计规则(Design Rule)，如线路宽度、间距、过孔设计等，否则可能导致制造失败。　　5、后端布局布线的验证：　　在布局布线完成后，设计人员需要通过一系列验证工具进行检查：　　后仿验证：验证布局布线后的电路是否能够按预期功能工作，是否存在时序违例、信号丢失等问题。　　静态时序分析(STA)：检查所有信号的传播时间是否符合时钟周期要求，确保时序满足。　　设计规则检查(DRC)：验证版图是否符合制造工艺的设计规则，如线路宽度、层间间距等。　　版图与原理图一致性检查(LVS)：确保版图设计与原理图设计一致，电路逻辑没有错误。　　总结：后端布局布线(Place and Route，PR)是芯片设计中至关重要的步骤，它将抽象的电路设计转化为具体的物理实现。布局确定了电路元器件的位置，而布线则确保了这些元器件之间的电气连接。布局布线的优化不仅要考虑时序、面积、功耗等多个因素，还需要遵循制造工艺的要求。通过有效的布局布线设计，可以确保芯片的性能、稳定性和可靠性，为后续的制造和测试奠定基础。

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芯片设计

发布时间：2025-08-15 14:01 阅读量：270 继续阅读>>

航顺<span style='color:red'>芯片</span>：传音手机搭载航顺HK32F0301MC<span style='color:red'>芯片</span>，实现多场景酷炫灯效，如美如醉先享计划

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航顺芯片：传音手机搭载航顺HK32F0301MC芯片，实现多场景酷炫灯效，如美如醉先享计划

　　一、传音市场规模与增长　　传音控股2024年实现营业收入人民币687.15亿元，同比增长10.31%;归属于上市公司股东的净利润为55.49亿元，同比增长0.22%。其手机业务实现营业收入631.97亿元，同比增长10.20%。在非洲市场，传音2024年贡献了营收227.19亿元，同比增长2.97%，且智能机市场占有率超过40%，排名第一。此外，在南亚市场中，传音在巴基斯坦智能机市场占有率超过40%，排名第一;在孟加拉国智能机市场占有率为29.2%，排名第一;在印度智能机市场占有率为5.7%，排名第八。2024年，传音手机整体出货量约2.01亿部，是全球新兴市场的重要手机品牌。　　二、市场应用　　在非洲这片充满潜力的市场，除了传音，其他手机品牌也正奋力拓展自己的版图，共同挖掘着这片土地的巨大商机。其中诺基亚凭借其在功能机市场的深厚底蕴，依然拥有众多忠实用户，2024年在非洲功能机市场占比约15%。它以耐用性和简洁易用的操作系统吸引着大量追求实用性的消费者;三星作为全球知名品牌，2024年第四季度在非洲的市场份额为17%，凭借其丰富的产品线和先进的技术，在非洲智能机市场占据重要地位;华为则凭借卓越品质、创新科技及品牌影响力，在非洲智能机市场中占据一席之地，2024年市场份额约10%。此外，小米以高性价比和丰富配置，逐渐在非洲打开市场，2024年市场份额约8%;OPPO则凭借出色的拍照功能和时尚外观，吸引众多非洲年轻消费者，2024年市场份额约7%;r红米以“敢越级”的理念，用高性能且价格亲民的产品，迅速在非洲市场崭露头角，2024年市场份额约5%;还有LG，2024年市场份额约3%，其部分智能机产品在非洲也有一定销量。　　三、方案概述　　航顺HK32F0301MC是一款高性能、低功耗的32位ARM Cortex-M0处理器，主频最高可达48MHz，具有16KBytes的Flash和4KBytes的SRAM。其丰富的存储资源和强大的数据处理能力，能够满足传音手机背板灯效的各种复杂需求。完美实现充电动态变色灯效,灵动的系统通知呼吸灯效,酷炫时尚丰富多彩的游戏灯效,为外国人量身定制的 Party 模式灯效灯。同时，该芯片支持多种封装形式，可方便地集成到传音手机中，实现与手机主控芯片的高效通信，打造出绚丽多彩、个性化的背板灯效。　　四、方案核心优势　　(1)高性能表现：48MHz的主频和16K Flash、4K Sram的存储配置，能快速执行复杂的灯效控制算法和程序，确保背板灯效的流畅性和稳定性，无论是多种颜色的渐变、闪烁，还是根据音乐节奏、触摸操作等进行实时交互的灯效，都能轻松应对。　　(2)低功耗设计：具有运行、睡眠、停机等多种低功耗工作模式，可根据实际应用需求灵活选择，以降低系统功耗。在低功耗停机模式下，其电流仅5μA@5V，可有效延长设备的电池续航时间，避免因背板灯效的开启而对手机电池造成过大负担。　　(3)高性价比：价格相较于一些国外同类产品更具竞争力，能够为传音手机在不大幅增加成本的前提下，实现产品的差异化和附加值提升，增强了产品在市场中的竞争力。　　(4)强大的适配能力：适用于多种封装形式，如SON8、TSSOP16、TSSOP20、QFN20等，能够根据传音手机不同型号和设计要求进行灵活选择，方便集成，为传音手机的产品创新提供了更大的设计自由度。　　(5)兼容性强：能够直接替换进口产品，无需修改原理图及PCB，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业提供了一个高性价比的选择。　　实物图　　航顺HK32F0301MC系列MCU主要规格　　CPU 内核　　ARM® CortexTM-M0　　最高时钟频率：48MHz　　24 位System Tick 定时器　　支持中断向量重映射(通过Flash 控制器的寄存器配置)　　工作电压范围：2.4 V ~ 5.5 V产品概述　　工作温度范围：-40°C ~ +105°C　　典型工作电流：　　运行(Run)工作模式：2.751 mA@48 MHz@5V　　睡眠(Sleep)模式：0.997 mA@48 MHz@5V　　停机(Stop)模式：373.354 μA@5V(LDO 正常工作)　　低功耗停机(Low-power Stop)模式：6.876μA@5V(LDO 低功耗)　　16 KByte Flash(64 页，每页256 Byte;32 位数据读，32 位数据写)　　Flash 具有数据安全保护功能，可分别设置读保护和写保护　　4 KByte SRAM　　CRC 校验硬件单元　　时钟　　片内高速时钟(HSI)：48MHz　　片内慢速时钟(LSI)：60 kHz　　GPIO 外部输入时钟：32MHz(最大值)　　复位　　NRST 引脚上的低电平(外部复位)　　窗口看门狗事件(WWDG 复位)　　独立看门狗事件(IWDG 复位)　　电源复位　　软件复位(SW 复位)　　低功耗管理复位　　GPIO 端口　　最多支持18 个GPIO 端口　　每个GPIO 都可作为外部中断输入　　内置可开关的上、下拉电阻　　支持开漏(Open-Drain)输出　　输出驱动能力可配　　IOMUX 引脚功能多重映射控制器　　小型封装(如SOP8/TSSOP16)产品，可通过IOMUX 可以实现单根引脚对应多个GPIO 或外设IO 的映射控制。　　数据通信接口　　2 路高速(最高6 Mbit/s)UART　　1 路高速(最高400 kbit/s)I2C：MCU 在Stop 模式下，支持数据接收唤醒　　1 路高速(最高18 Mbit/s)SPI　　定时器及PWM 发生器　　1 个16 位高级PWM 定时器(共4 路PWM 输出，3 路带死区互补输出)　　1 个16 位通用PWM 定时器(共4 路PWM 输出)　　1 个16 位基本定时器(支持CPU 中断)　　1 个自动唤醒定时器(AWUT)，可用于MCU 停机(Stop)模式下工作　　片内模拟电路产品概述　　1 个12 位1 MSPS ADC(最多7 路外部模拟输入通道和2 路内部通道，支持差分对输入)　　1 个上/下电复位电路　　1 个欠压复位电路　　1 个内部参考电压(内部参考电压在片内被ADC 采样)　　CPU 跟踪与调试　　SWD 调试接口　　ARM® CoreSightTM 调试组件(ROM-Table，DWT，BPU)　　自定义DBGMCU 调试控制器(低功耗模式仿真控制、调试外设时钟控制、调试及跟踪接口分配)　　ID 标识　　每颗HK32F0301MxxxxC 芯片提供一个唯一的96 位ID 标识　　可靠性　　通过HBM7000V/CDM2000V/LU800mA 等级测试

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发布时间：2025-08-13 13:59 阅读量：342 继续阅读>>

上海贝岭新一代国网电表内置负荷开关驱动<span style='color:red'>芯片</span>布局

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上海贝岭新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片布局

　　自 2023 年《智能物联电能表内置负荷开关技术指标》正式发布以来，其中一项重要变化尤为关键：“内置开关的动触点与静触点之间的电气间隙不小于 5.5mm。” 这一标准的提升虽增强了智能电表的安全性，却也给其设计及元器件选型带来了新的挑战。为此，针对新一代国家电网智能电表内置标准的验证与制定工作，始终在有条不紊地推进。　　负荷开关触点间距增大，对智能电表设计最直接的影响是负荷开关驱动电流的攀升。从现有样品测试结果来看，其驱动电流已从 2020 版标准的 150~400mA，大幅增至 1~2A 甚至更高。驱动电流的增大还带来另一重影响：2020 版电表所采用的现行变压器，受限于尺寸，功率输出已达极限。若要输出如此大的驱动电流，电表电源势必需要调整。　　目前，开关电源方案(AC-DC)是较为成熟的选择，但有工程师提出，中国挂网电表已超 6.6 亿只，如此大规模应用开关电源时，其可靠性及对电网的影响尚无法通过数据完全验证，因此更倾向于沿用原有的 “线性变压器 + 后接大电容” 设计。此处暂不深入讨论两种方案的利弊，但值得注意的是，开关电源与线性变压器因输入端电压波动导致的后端输出电压波动存在显著差异，这也使得两者对负荷开关驱动芯片的耐压要求大不相同：开关电源输出相对稳定，对应驱动芯片的耐压通常 20V 左右即可;而线性变压器因采用非稳压变比输出，耐压要求通常需达到 36V 以上，如下图所示：　　设计的差异并不仅限如此，因自国网电能表统一招标以来，负荷开关(继电器)的驱动芯片惯用SOT23-6封装，许多企业和工程师已经习惯了沿用这种封装，但也有工程师认为驱动电流增大，SOT23-6封装体较小，并不稳妥，倾向于功率更大、尺寸更大的SOP8封装。　　由于设计思路、方案理解存在差异，加之负荷开关尚未量产定型，诸多不确定性导致智能电表生产企业的工程师在选型时思路不一。因此，在这种存在分歧的背景下，若想用单一产品覆盖新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局，难免会捉襟见肘。　　作为国内智能电表芯片领域的核心供应商，上海贝岭股份有限公司始终以行业需求为导向，通过深入调研市场动态，积极与各生产企业工程师开展多维度技术交流，精准把握行业痛点与发展趋势。在此基础上，公司推出了系列化产品矩阵，为工程师们的选型工作提供了丰富且适配的选择，具体产品信息如下表所示：　　从列表中不难发现，上海贝岭针对新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局，已形成全面覆盖：电压层面兼顾中压与低压需求，驱动电流范围从 0.7A 延伸至峰值 6.5A，封装形式则包含 SOT23-6、SO8P、ESOP8 等多种规格。这一系列产品矩阵，不仅为新标准的快速落地提供了坚实支撑，更能灵活适配多样化的设计思路，为行业升级注入强劲动力。

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发布时间：2025-08-11 16:16 阅读量：366 继续阅读>>

力芯微推出GPIO扩展<span style='color:red'>芯片</span>ET6408

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力芯微推出GPIO扩展芯片ET6408

　　产品概述　　在开发智能硬件或嵌入式系统时，你是否遇到过这样的问题：主控芯片的GPIO(通用输入输出)引脚不够用?按键、传感器、LED、显示屏…外设越来越多，资源却捉襟见肘。今天为大家介绍一种硬件设计的“神器”—GPIO扩展IC，低成本实现引脚扩展。　　力芯微推出的这款经典8位I2C GPIO扩展芯片ET6408，支持1.65~5.5V电平转换，对于系统设计来讲可以体现以下几点优势：　　1. 成本优化：无需升级高价主控，低成本芯片解决引脚短缺问题。　　2. 简化设计：减少PCB布线复杂度，尤其适合空间紧凑的产品。　　3. 灵活配置：支持输入/输出模式切换，具备中断功能。　　4. 低功耗：专为扩展设计的芯片，功耗远低于额外MCU方案。　　产品特性　　8bit GPIO扩展　　工作电压范围：1.65V to 5.5V　　支持双向电平转换　　极低的静态电流损耗：　　典型值1.5uA@VDDP=5V;　　典型值 1.0uA@VDDP=3.3V　　IO输入/输出独立可配　　硬件复位输入信号，低电平有效　　400 KHz 快速模式(Fast-mode)I2C总线，2个I2C拓展地址　　输出具有推挽和开漏方式　　上下拉电阻配置　　SCL/SDA 输入端口噪声滤波　　GPIO端口最大驱动能力 25mA，直接驱动 LED　　封装形式：　　BGA16(1.6mm x 1.6mm);　　TSSOP16(width 4.4mm );　　QFN16 (3mm×3mm)　　ETEK　　管脚定义　　典型应用

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发布时间：2025-08-11 14:15 阅读量：299 继续阅读>>

帝奥微车规<span style='color:red'>芯片</span>研究院通过CNAS资质认证

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帝奥微车规芯片研究院通过CNAS资质认证

　　近日，帝奥微车规芯片研究院通过中国合格评定国家认可委员会(CNAS)评审，正式获得CNAS认证。　　CNAS认证是我国最具公信力的实验室认可制度，与国际互认组织(ILAC)接轨，其认证代表国内实验室领域的顶尖水平。通过CNAS认可后，研究院检测数据结果可在全球超100个国家和地区实现互认，具备“一次检测、全球认可”的国际权威性与公信力。　　自2024年帝奥微车规芯片研究院成立以来，公司在车身、智能座舱应用场景以及功能安全等级研发方面不断进行技术升级和布局拓展，并取得丰硕成果，成功发布了多款国内首发的车规级产品。　　获得CNAS认证是帝奥微构建车规芯片全流程研发能力闭环的关键一环，也为核心产品从研发到应用提供坚实的质量保障，同样意味着我司车规芯片研究院在可靠性测试、物理验证、成品分析等关键维度建立起与国际接轨的质量与检测体系。　　标准决定高度，品质成就信赖。未来，帝奥微将不断拓宽技术边界，持续推进高可靠车规芯片研发进程，让质量内化为每一颗芯片的基因，驱动智能出行实现新的突破!

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帝奥微

发布时间：2025-08-11 14:01 阅读量：375 继续阅读>>

芯讯通AI模组<span style='color:red'>芯片</span>介绍！

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芯讯通AI模组芯片介绍！

　　随着人工智能成为智能终端的核心组成部分，我们对计算性能的理解也需要与时俱进。对于许多工程师和产品团队而言，关注点仍停留在一个关键参数上：TOPS(每秒万亿次运算)。但在实际应用中，在边缘侧实现AI远不止于单纯的算力 —— 而是要在严格的系统约束下，实现快速、可靠且高效的智能表现。　　为什么10 TOPS的AI芯片，　　连人脸识别都跑不流畅?　　尽管 TOPS 能从理论上衡量芯片的AI性能，但它无法反映部署过程中真正重要的因素。一款 10 TOPS 的处理器在纸面上或许令人印象深刻，但如果模型超出了可用内存，或者硬件不支持必要的网络层或量化格式，那么在实际应用中，它是无法发挥出全部性能的。　　实际上，开发者经常会因为内存带宽、软件兼容性或芯片温度过高导致的降频问题使开发陷入瓶颈。对于摄像头、机器人等AI设备而言，真正重要的是在实际环境中运行模型的表现：是否具备稳定的帧率、低延迟和最低功耗。　　低延迟和高吞吐量，　　谁更重要?　　边缘AI与云端最大的不同在于云端追求“批量处理效率”，而边缘需要“单次响应速度”。降低延迟需要优化模型、减少预处理，并使用专为低延迟推理设计的硬件加速器(如神经网络处理器 NPU)。　　边缘AI应用需要的是快速响应和高性能计算的结合。从辅助驾驶、实时翻译到智能制造业和医学影像，这些场景都依赖快速高效的处理能力，才能实现精准且及时的决策。无论是要让机器人反应灵敏，还是要进行高精度分析，各行业对可扩展的边缘 AI 计算的需求都在迅速增长。　　为满足这些多样化需求，芯讯通(SIMCom)的AI算力模组产品提供了从 1 至 48 TOPS 的多样化选择，让开发者能够为边缘侧的各类实际场景定制解决方案。　　精度越高，　　AI效果越好?　　当云端训练的模型带着FP32高精度来到边缘设备，等待它的往往是“水土不服”——飙升几倍的功耗，慢如蜗牛的响应。　　云端训练的 AI 模型通常采用高精度格式，虽然能保证较高准确性，但会消耗更多电量和内存。对于边缘设备而言，量化(将模型转换为 INT16 或 INT8 等低精度格式)是一种广泛使用的简化技术。　　然而，量化并非毫无风险。量化不当的模型可能会损失精度，尤其是在视觉复杂场景或光照条件多变的环境中。开发者应使用量化感知训练或训练后校准工具，确保精度下降不会对性能造成显著影响。选择支持混合精度计算的芯讯通AI算力模组，也能为平衡速度与精度提供灵活性。　　硬件够强就行，　　软件不重要?　　硬件只是成功的一半。如果没有强大的软件栈，即便是性能出色的AI芯片也可能成为研发障碍。开发者在模型转换、推理优化或系统集成过程中，时常会遇到各种问题。　　因此，选择具备成熟软件开发工具包(SDK)、工具链和框架支持的AI模组十分重要。无论使用 TensorFlow Lite、ONNX 还是 PyTorch Mobile，都必须支持流畅的模型转换、量化和运行时推理。芯讯通AI算力模组提供调试工具、性能分析工具和示例代码，这些都能加速开发进程并降低部署风险。　　借助芯讯通(SIMCom)的AI算力模组，不仅能打造具备AI算力的产品，更能让其具备实用性、可靠性，适应现实世界的应用需求。

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芯讯通

发布时间：2025-08-08 11:40 阅读量：297 继续阅读>>

力芯微推出TOF激光二极管驱动<span style='color:red'>芯片</span>ET75016

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力芯微推出TOF激光二极管驱动芯片ET75016

　　产品概述　　在科技日益发展的今天，智能手机摄像头已不再局限于简单的拍摄功能。近年来，随着TOF(Time of Flight，飞行时间)深度感知技术的快速发展，在3D感应领域的应用也越来越广泛，已逐渐成为智能手机3D摄像头创新发展的新引擎。　　为了满足行业发展的需求，力芯微推出了用于3D TOF的激光二极管驱动芯片ET75016，它是3D TOF技术应用中的重要组件，为传感器提供可靠、高效的控制和保护，适用于需要精确测距和距离感知的领域，如智能手机人脸识别、3D建模、体感游戏、AR/VR手势交互等领域。　　该芯片是一款高度集成的激光驱动芯片，采用小型WLCSP25封装,集成了多种关键功能，如自动功率控制(APC)、电流自动控制(ACC)，扩散器输出检测、内置LVDS输入故障安全功能以及温度监控，OCP等。旨在提供高效且精确的激光驱动解决方案。　　产品特性　　电源电压范围：AVCC33 = DVCC33 = 3.0V~3.6V, LDVCC = 3.0V~5.5V, VCC18 = 1.8V　　通用驱动能力：支持阳极共地和浮动激光驱动　　最大驱动电流3A　　内置LVDS输入故障安全功能　　APC(自动功率控制)，ACC(自动电流控制)　　过电流检测，APC错误检测　　温度监控器：10bit ADC　　SPI接口时序　　管脚定义　　典型应用

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力芯微

发布时间：2025-08-07 11:02 阅读量：296 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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