电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

<span style='color:red'>EV</span>ISUN易成电子DC-DC模块电源K78xxM-1000R3系列

行业新闻

EVISUN易成电子DC-DC模块电源K78xxM-1000R3系列

　　EVISUN易成电子的DC-DC模块电源K78xxM-1000R3系列，宽电压输入，非隔离稳压单路输出。　　产品特点　　效率高达96%　　空载输入电流低至0.3mA　　可持续短路保护　　支持负输出　　引脚兼容LM78xx系列三端线性稳压器　　工作温度范围:-40C~+85C　　可根据客户需求设计特殊规格产品　　应用范围　　K78xxM-1000R3系列是高效率的开关稳压器，是LM78xx系列三端线性稳压器的理想替代品。它效率高，损耗小，使用时无需外加散热片。产品可广泛应用于工控、电力、仪表等多个行业。　　产品外观尺寸及引脚定义、建议印刷版图　　(1)外观尺寸　　(2)引脚定义　　(3)建议印刷版图　　产品物理特性

关键词：

EVISUN易成电子

发布时间：2025-08-06 15:42 阅读量：501 继续阅读>>

<span style='color:red'>EV</span>ISUN易成电子：A_D-1WR3 & B_LD-1WR3 系列DC-DC模块电源

行业新闻

EVISUN易成电子：A_D-1WR3 & B_LD-1WR3 系列DC-DC模块电源

　　EVISUN易成电子的A_D-1WR3 & B_LD-1WR3 系列DC-DC模块电源，1W，定电压输入，隔离非稳压正负双路/单路输出。　　产品特点　　可持续短路保护　　空载输入电流低至6mA　　效率高达85%　　低纹波系数和低噪音　　隔离电压 1500VDC/min, 3000VDC/1s　　国际标准引脚⽅式　　工作温度范围：-40℃ ~+105℃　　可根据客户需求设计特殊规格产品　　应用范围　　A_D-1WR3&B_LD-1WR3系列产品是专门应用在分布式电源系统中需要产生一组(两组)与输入电源隔离的电源的应用场合而设计。该产品适用于：纯数字电路，一般低频模拟电路，继电器驱动电路，数据交换电路等。　　产品外观尺寸及引脚定义、建议印刷版图　　产品外观尺寸　　引脚定义　　建议印刷版图　　备注：栅格距离为：2.54*2.54mm

关键词：

EVISUN易成电子

发布时间：2025-07-08 16:30 阅读量：567 继续阅读>>

行业新闻

瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器，支持USB-C Rev. 2.4标准

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出RA2L2微控制器(MCU)产品群，率先在业内支持USB-C Revision 2.4新标准。这款MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器，拥有丰富的功能特性，使其成为便携式设备和个人电脑(PC)的理想选择。　　全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值(1.5A电源为0.613V，3.0A电源为1.165V)。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。　　RA2L2 MCU采用专有低功耗技术，提供87.5µA/MHz工作电流，仅250nA的软件待机电流。还为低功耗UART提供独立的工作时钟，在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统。包括对USB-C的支持，这些特性使RA2L2成为USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。　　新型MCU不仅支持具有CC检测功能和最高15W(5V/3A)的USB-C，以及USB FS外，还可提供LP UART、I3C和CAN接口，帮助设计人员减少所需元件数量，有效降低BOM成本、节省电路板空间并减少功耗。　　RA2L2 MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接和网络功能，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可简化现有IP在不同RA产品之间迁移。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“RA2L2产品群MCU作为我们首款全面支持全速USB与USB-Type C连接器的产品，通过减少外部元件，可有效控制系统成本保持在较低水平;同时，延续了瑞萨广受欢迎的RA2L1产品的低功耗优势，这些新产品彰显了我们快速响应客户需求、提供高效解决方案的实力与承诺。”　　RA2L2 MCU的关键特性　　内核：48MHz Arm Cortex-M23　　存储：128-64KB闪存、16KB SRAM、4KB数据闪存　　外设：USB-C、USB-FS、CAN、低功耗UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12位ADC(17通道)、低功耗定时器、实时时钟、高速片上振荡器(HOCO)、温度传感器　　封装：32、48和64引脚LQFP;32和48引脚QFN　　安全性：唯一ID、TRNG　　宽环境温度范围：Ta = -40°C至125°C　　工作电压：1.6V-5.5V;USB工作电压：3.0V-3.6V　　成功产品组合　　将全新RA2L2 MCU与瑞萨产品阵容中的众多可兼容器件相结合，创建了广泛的“成功产品组合”，包括USB数据记录器、配备GNSS(全球导航卫星系统)的电子收费系统、游戏键盘和游戏鼠标等。这些设计方案基于相互兼容的产品，可以无缝地协作工作，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，从而加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

关键词：

瑞萨电子

发布时间：2025-06-11 11:04 阅读量：889 继续阅读>>

行业新闻

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。

关键词：

ROHM

发布时间：2025-06-10 15:57 阅读量：752 继续阅读>>

Littelfuse：用于800V B<span style='color:red'>EV</span>系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

行业新闻

Littelfuse：用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

　　Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车(BEV)应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加热器、放电电路和预充电系统等应用，这些应用的重点是更高的浪涌电流和低导通压降，而不是高开关频率。　　背景　　汽车行业正积极拥抱可持续发展，其中电动汽车(BEV)因其高效率和零尾气排放而走在前列。2023年，BEV和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的全球销量达到1360万辆，比2022年增长了31%。据预测，这一数字在未来几年还将加速增长。　　尽管有所增长，但挑战依然存在。过高的成本、过长的充电时间和有限的行驶里程继续阻碍着它的广泛应用。为了解决这些问题，制造商正在推出800V BEV系统。这种更高的电压架构可加快充电速度，大大减少充电时间和成本。　　硅技术并未消亡　　自电动汽车(EV)大规模应用的最初几年起，碳化硅(SiC)和其他宽带隙(WBG)技术就被认为是各种BEV子系统的理想候选材料。与硅相比，WBG材料具有更高的带隙和更大的击穿电压，因此可以实现更高的电流密度、更高的开关频率并降低总体损耗。这些优点使系统设计人员能够提高效率、缩小体积和减轻重量，特别是在允许高开关频率的应用中。因此，正如大量研究表明的那样，碳化硅已成为牵引逆变器的主流技术，但也有一些例外。　　硅制造工艺的成熟性、丰富的可选项、较低的成本、较简单的栅极驱动方法以及器件的可靠性，使得硅功率MOSFET和IGBT仍然是WBG技术的可行替代品。选择合适的器件取决于技术娴熟的设计人员，而作为供应商，我们有责任提供全面的选择，以满足不同的需求和偏好。　　在需要低开关频率的应用中，传导损耗和热设计的简易性都是至关重要的因素。WBG器件固有的高功率密度会给热管理带来挑战，而硅IGBT和MOSFET较大的芯片面积则有利于在这些情况下更轻松地进行热管理。　　电动汽车有复杂的电路，包括一些对半导体开关频率要求不高的子系统。　　应用　　热管理PTC子系统、预充电电路和放电电路中的并不一定需要更高的开关频率。相反，它们需要低传导损耗、高浪涌电流能力半导体器件，以实现高可靠性。　　BEV的热管理　　传统内燃机(ICE)汽车本身会产生大量的热能浪费，而电动汽车则不同，它的效率要高得多。但这种效率的后果是，它们不会产生足够的废热来加热。　　电动汽车(EV)有两个与热管理相关的重要要求：　　电动汽车电池调节　　在寒冷环境条件下的车内空间加热　　在寒冷的环境温度下，PTC加热器和热泵可用于调节电池以达到最佳性能，产生的热量还可用于车内空间加热。PTC加热器的典型电路配置如下所示。　　在这种应用中，IGBT的开关频率从几十赫兹到几百赫兹不等。低导通压降、可靠耐用(短路能力)和良好的半导体热性能是这一应用的关键因素。　　放电电路　　800V BEV系统中直流母线电容器的放电要求，高压电池电动汽车的关键安全协议要求在两种不同的运行情况下对直流母线电容器进行放电：　　正常运行关闭　　紧急情况，如碰撞后或严重故障检测　　这些放电机制是基本的安全功能，旨在降低车内人员和维修人员触电的风险，同时防止潜在的火灾危险。根据制造商的风险评估协议，这种应用通常被划分为汽车安全完整性B级(ASIL-B)。　　在800V BEV架构中，标称电池电压属于B类电压(60V 1500V)。根据ISO 6469-4安全规定，系统必须确保在紧急情况下快速降低电压。具体来说，在碰撞后车辆停止后的5秒内，总线电压必须降至并保持在直流60V以下。　　直流母线电容器可通过IGBT放电。需要时，打开IGBT，通过与IGBT串联的Rdis电阻器对电容器中的所有能量进行放电。具有高浪涌电流能力的可靠IGBT对于这种应用非常重要。　　预充电电路　　预充电电路通常用于电动汽车(EV)，包括电池管理系统和车载充电器，以及电源和配电装置等工业应用。在电动汽车中，控制器不仅要处理高电容电气元件，还要通过控制电机的功率流来确保电机平稳高效地运行。预充电电路中的高压正负接触器可安全地连接和断开电容器的电源，防止启动时产生过大的浪涌电流。它们可确保充电受控，并在必要时通过隔离组件来维护系统安全。如果没有预充电电路，接触器在闭合过程中可能会发生熔化，导致短暂电弧和潜在损坏。　　在上述电路中，有两个大电流、高电压接触器S1和S2，以及一个单独的预充电开关T1和一个直流链路电容器C1，它们与负载(如牵引逆变器)并联。起初，两个大电流接触器S1和S2都处于断开状态，将高压蓄电池与负载的两个端子隔离。预充电开始时，开关T1(1300V A5A IGBT)与高压负极接触器S1一起闭合，使直流链路电容器充电至与蓄电池相同的电压。预充电过程结束后，开关T1打开，高压正极接触器S2关闭。由于直流链路电容器在高压正极和负极接触器闭合之前已经充电，因此不会产生明显的浪涌电流。1300V A5A IGBT具有很高的浪涌电流能力，因此非常适合这种应用。　　Littelfuse提供1300V A5A沟槽式IGBT　　为了满足800V BEV不断发展的需求，Littelfuse推出了全新系列的1300V沟槽分立式IGBT，如下图6所示。这些器件专为需要降低传导损耗(Pcond)、良好热性能和可靠性的应用而设计。该系列的A级IGBT具有优化的低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))，从而提高了低频开关性能。这些IGBT具有高达10µsec的短路可靠性。这一特性尤其适用于关键的BEV系统，如对车内空间加热和电池调节至关重要的PTC加热器。此外，这些IGBT还可用于预充电和放电电路。　　该系列包括集电极电流为15A、30A、55A和85A(外壳温度为110°C)的单通道IGBT。封装选项有SMD TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。与传统的三引脚TO-263和TO-268封装相比，SMD封装的HV版本具有更强的爬电和电气距离。　　性能和优势　　更高的击穿电压BVCES：1300V击穿电压专为800V BEV架构定制，适用于乘用车和重型卡车。1300V额定电压可为直流母线电压提供缓冲，直流母线电压会根据电池的充电状态而波动，然而1200V额定电压的器件可能会带来应用风险。　　1300V的器件电流范围更广：集电极电流范围为15A至85A(110°C时)，可满足乘用车和重型车辆的各种应用要求。　　传导能量损耗最小化Econd：该系列是1300V IGBT中VCE(饱和)值最低的产品之一，有效地将传导损耗降至最低。这一特性不仅提高了效率，还缓解了热设计难题。　　短路能力tSC：1300V IGBT可处理长达10微秒的短路能力，因此适用于需要更高可靠性的汽车应用。　　封装：表面贴装分立封装包括TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。这些SMD封装的高压(HV)版本与标准3引脚版本相比，改善了爬电距离和电气距离。　　结束语　　随着汽车行业向更高电压架构的电动汽车转变，硅IGBT对于要求较低开关频率和最小传导损耗的应用仍然至关重要。Littelfuse的1300V A级沟槽式IGBT系列可满足800V BEV子系统的特殊需求，特别是在PTC加热器、放电电路和预充电应用中。这些IGBT具有低VCE(饱和)、短路能力和宽电流范围。同时提供SMD和插件封装，具有更强的爬电和电气距离，为设计提供了灵活性。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-04-22 15:46 阅读量：825 继续阅读>>

行业新闻

Littelfuse推出用于800V BEV系统应用的1300V A级沟槽式IGBT

　　Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车(BEV)应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加热器、放电电路和预充电系统等应用，这些应用的重点是更高的浪涌电流和低导通压降，而不是高开关频率。　　背景　　汽车行业正积极拥抱可持续发展，其中电动汽车(BEV)因其高效率和零尾气排放而走在前列。2023年，BEV和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的全球销量达到1360万辆，比2022年增长了31%。据预测，这一数字在未来几年还将加速增长。　　尽管有所增长，但挑战依然存在。过高的成本、过长的充电时间和有限的行驶里程继续阻碍着它的广泛应用。为了解决这些问题，制造商正在推出800V BEV系统。这种更高的电压架构可加快充电速度，大大减少充电时间和成本。　　硅技术并未消亡　　自电动汽车(EV)大规模应用的最初几年起，碳化硅(SiC)和其他宽带隙(WBG)技术就被认为是各种BEV子系统的理想候选材料。与硅相比，WBG材料具有更高的带隙和更大的击穿电压，因此可以实现更高的电流密度、更高的开关频率并降低总体损耗。这些优点使系统设计人员能够提高效率、缩小体积和减轻重量，特别是在允许高开关频率的应用中。因此，正如大量研究表明的那样，碳化硅已成为牵引逆变器的主流技术，但也有一些例外。　　硅制造工艺的成熟性、丰富的可选项、较低的成本、较简单的栅极驱动方法以及器件的可靠性，使得硅功率MOSFET和IGBT仍然是WBG技术的可行替代品。选择合适的器件取决于技术娴熟的设计人员，而作为供应商，我们有责任提供全面的选择，以满足不同的需求和偏好。　　在需要低开关频率的应用中，传导损耗和热设计的简易性都是至关重要的因素。WBG器件固有的高功率密度会给热管理带来挑战，而硅IGBT和MOSFET较大的芯片面积则有利于在这些情况下更轻松地进行热管理。　　电动汽车有复杂的电路，包括一些对半导体开关频率要求不高的子系统。　　应用　　下图展示了电动汽车中的通用电池分配单元(BDU)。　　热管理PTC子系统、预充电电路和放电电路中的并不一定需要更高的开关频率。相反，它们需要低传导损耗、高浪涌电流能力半导体器件，以实现高可靠性。　　BEV的热管理　　传统内燃机(ICE)汽车本身会产生大量的热能浪费，而电动汽车则不同，它的效率要高得多。但这种效率的后果是，它们不会产生足够的废热来加热。　　电动汽车(EV)有两个与热管理相关的重要要求：　　电动汽车电池调节　　在寒冷环境条件下的车内空间加热　　在寒冷的环境温度下，PTC加热器和热泵可用于调节电池以达到最佳性能，产生的热量还可用于车内空间加热。PTC加热器的典型电路配置如下所示。　　在这种应用中，IGBT的开关频率从几十赫兹到几百赫兹不等。低导通压降、可靠耐用(短路能力)和良好的半导体热性能是这一应用的关键因素。　　放电电路　　800V BEV系统中直流母线电容器的放电要求，高压电池电动汽车的关键安全协议要求在两种不同的运行情况下对直流母线电容器进行放电：　　正常运行关闭　　紧急情况，如碰撞后或严重故障检测　　这些放电机制是基本的安全功能，旨在降低车内人员和维修人员触电的风险，同时防止潜在的火灾危险。根据制造商的风险评估协议，这种应用通常被划分为汽车安全完整性B级(ASIL-B)。　　在800V BEV架构中，标称电池电压属于B类电压(60V 1500V)。根据ISO 6469-4安全规定，系统必须确保在紧急情况下快速降低电压。具体来说，在碰撞后车辆停止后的5秒内，总线电压必须降至并保持在直流60V以下。　　典型的放电电路如下图所示。　　直流母线电容器可通过IGBT放电。需要时，打开IGBT，通过与IGBT串联的Rdis电阻器对电容器中的所有能量进行放电。具有高浪涌电流能力的可靠IGBT对于这种应用非常重要。　　预充电电路　　预充电电路通常用于电动汽车(EV)，包括电池管理系统和车载充电器，以及电源和配电装置等工业应用。在电动汽车中，控制器不仅要处理高电容电气元件，还要通过控制电机的功率流来确保电机平稳高效地运行。预充电电路中的高压正负接触器可安全地连接和断开电容器的电源，防止启动时产生过大的浪涌电流。它们可确保充电受控，并在必要时通过隔离组件来维护系统安全。如果没有预充电电路，接触器在闭合过程中可能会发生熔化，导致短暂电弧和潜在损坏。　　其中一种预充电电路拓扑结构如下图所示。　　在上述电路中，有两个大电流、高电压接触器S1和S2，以及一个单独的预充电开关T1和一个直流链路电容器C1，它们与负载(如牵引逆变器)并联。起初，两个大电流接触器S1和S2都处于断开状态，将高压蓄电池与负载的两个端子隔离。预充电开始时，开关T1(1300V A5A IGBT)与高压负极接触器S1一起闭合，使直流链路电容器充电至与蓄电池相同的电压。预充电过程结束后，开关T1打开，高压正极接触器S2关闭。由于直流链路电容器在高压正极和负极接触器闭合之前已经充电，因此不会产生明显的浪涌电流。1300V A5A IGBT具有很高的浪涌电流能力，因此非常适合这种应用。　　下图显示的是Littelfuse的BDU演示板，其中包含一个1300V A5A IGBT。　　Littelfuse提供1300V A5A沟槽式IGBT　　为了满足800V BEV不断发展的需求，Littelfuse推出了全新系列的1300V沟槽分立式IGBT，如下图6所示。这些器件专为需要降低传导损耗(Pcond)、良好热性能和可靠性的应用而设计。该系列的A级IGBT具有优化的低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))，从而提高了低频开关性能。这些IGBT具有高达10µsec的短路可靠性。这一特性尤其适用于关键的BEV系统，如对车内空间加热和电池调节至关重要的PTC加热器。此外，这些IGBT还可用于预充电和放电电路。　　该系列包括集电极电流为15A、30A、55A和85A(外壳温度为110°C)的单通道IGBT。封装选项有SMD TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。与传统的三引脚TO-263和TO-268封装相比，SMD封装的HV版本具有更强的爬电和电气距离。　　性能和优势　　更高的击穿电压BVCES：1300V击穿电压专为800V BEV架构定制，适用于乘用车和重型卡车。1300V额定电压可为直流母线电压提供缓冲，直流母线电压会根据电池的充电状态而波动，然而1200V额定电压的器件可能会带来应用风险。　　1300V的器件电流范围更广：集电极电流范围为15A至85A(110°C时)，可满足乘用车和重型车辆的各种应用要求。　　传导能量损耗最小化Econd：该系列是1300V IGBT中VCE(饱和)值最低的产品之一，有效地将传导损耗降至最低。这一特性不仅提高了效率，还缓解了热设计难题。　　短路能力tSC：1300V IGBT可处理长达10微秒的短路能力，因此适用于需要更高可靠性的汽车应用。　　封装：表面贴装分立封装包括TO-263HV、TO-268HV和插件TO-247。这些SMD封装的高压(HV)版本与标准3引脚版本相比，改善了爬电距离和电气距离。　　结束语　　随着汽车行业向更高电压架构的电动汽车转变，硅IGBT对于要求较低开关频率和最小传导损耗的应用仍然至关重要。Littelfuse的1300V A级沟槽式IGBT系列可满足800V BEV子系统的特殊需求，特别是在PTC加热器、放电电路和预充电应用中。这些IGBT具有低VCE(饱和)、短路能力和宽电流范围。同时提供SMD和插件封装，具有更强的爬电和电气距离，为设计提供了灵活性。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-04-07 13:45 阅读量：690 继续阅读>>

英飞凌：<span style='color:red'>EV</span>AL-2ED3146MC12L – 带辅助电源的6.5A双通道隔离栅极驱动器评估板

行业新闻

英飞凌：EVAL-2ED3146MC12L – 带辅助电源的6.5A双通道隔离栅极驱动器评估板

EVAL-2ED3146MC12L评估板用于评估功率半桥电路中的2ED3146MC12L 6.5A隔离栅极驱动器IC。该电路板包括一个 2ED3146MC12L隔离栅极驱动器、两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V 20mΩ。还有EiceDRIVER™ Power 2EP130R变压器驱动器IC产生的电隔离板载电源。　　该电路板也可用于评估2ED314xMC12L系列的其他IC，具体方法是更换栅极驱动器集成电路。　　相关器件：　　2ED3146MC12L半桥配置的隔离栅极驱动器集成电路　　IMZA120R020M1H 1200V 20mΩ SiC MOSFET 2个　　2EP130R变压器驱动集成电路　　产品特点：　　易于测量和配置　　采用EiceDRIVER™ Power 2EP130R板载电源　　可根据需要替换栅极驱动器和被驱动功率管　　应用领域　　储能系统　　电动汽车充电　　工业驱动器　　光伏逆变器

关键词：

英飞凌

发布时间：2025-03-06 09:01 阅读量：651 继续阅读>>

行业新闻

Panasonic Industrial Devices PhotoMOS HS WSSOP半导体继电器

　　Panasonic Industrial Devices PhotoMOS® HS WSSOP半导体继电器采用微型封装，具有高温性能、出色的高频特性。该继电器具有40V负载电压、0.35A负载电流以及-40°C至+125°C工作温度范围。其他特性包括低电流消耗、快速开关速度、低输出电容和低导通电阻。Panasonic PhotoMOS HS WSSOP继电器适用于IC测试仪、电路板测试仪、探针卡和其他测量设备。　　特性　　Miniature WSSOP封装　　高灵敏度(低电流消耗)　　高速方向　　高温性能　　出色的高温传输特性　　低输出电容　　低导通电阻　　应用　　IC测试仪　　板测试仪　　探针卡　　测量设备　　规范　　尺寸：1.45 mmx2.2 mmx1.75 mm　　输出电容：16pF(典型值)　　漏电流：10nA　　导通电阻：0.75 Ω(典型值)　　负载电压：40 V　　0.35 A负载电流　　工作温度范围：-40 °C至+125 °C

关键词：

Panasonic

发布时间：2024-12-19 10:43 阅读量：1330 继续阅读>>

ROHM开发出支持更高电压x<span style='color:red'>EV</span>系统的SiC肖特基势垒二极管

行业新闻

ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。　　近年来，xEV得以快速普及，对于其配套的OBC等部件而言，功率半导体是不可或缺的存在，因此，市场对发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD的需求日益高涨。其中，小型且可使用贴片机安装的表面贴装(SMD)封装产品，因其可以提高应用产品的生产效率而需求尤为旺盛。另一方面，由于施加高电压容易引发漏电起痕，因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业，一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次，通过采用ROHM原创的封装形状，开发出确保最小5.1mm的爬电距离、并具有优异绝缘性能的产品。　　新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电）*2，因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封*3进行绝缘处理。　　目前有650V耐压和1200V耐压两种产品，不仅适用于xEV中广为使用的400V系统，还适用于预计未来会扩大应用的更高电压的系统。另外，新产品的焊盘图案与TO-263封装的普通产品和以往产品通用，因此可以直接在现有电路板上替换。此外，车载设备用的“SCS2xxxNHR”还符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*4。　　新产品已于2024年9月开始出售样品(样品价格1,500日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(福冈县筑后工厂)，后道工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360等电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续开发高耐压SiC SBD，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。　　<产品阵容>　　应用示例>　　◇车载设备：车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等　　◇工业设备：工业机器人用AC伺服、光伏逆变器、功率调节器、不间断电源装置(UPS)等　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360™　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　在售产品：车载设备用的“SCS2xxxxNHR”　　适用于工业设备的“SCS2xxxxN”预计将2024年12月起逐步发售。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说> *1) 爬电距离　　沿着器件封装表面的两个导电体(引脚)之间测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2 漏电起痕(沿面放电)　　当向作为导体的引脚施加高电压时，绝缘物——也就是封装表面会发生放电的现象。在本来不应该导电的图案之间发生了放电，会导致器件介电击穿。随着封装的小型化，爬电距离变得更短，这种现象也就更容易发生。　　*3) 树脂灌封　　通过使用环氧树脂等树脂对器件本体以及器件与电路的电极连接部位进行密封，来实现电绝缘。树脂灌封还可以有效地对器件进行保护、防水、防尘、提高耐用性和耐候性。　　*4) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”　　AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。

关键词：

ROHM

发布时间：2024-11-12 15:57 阅读量：759 继续阅读>>

芯动半导体与罗姆签署战略合作协议～通过开发车载功率模块，助力x<span style='color:red'>EV</span>技术创新～

行业新闻

芯动半导体与罗姆签署战略合作协议～通过开发车载功率模块，助力xEV技术创新～

　　长城汽车旗下的无锡芯动半导体科技有限公司(Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ，以下简称“芯动半导体”)与全球知名半导体厂商罗姆(ROHM Co., Ltd. ，以下简称“罗姆”)签署了以SiC为核心的车载功率模块战略合作伙伴协议。　　随着新能源汽车(xEV)市场的不断扩大，市场对于延长续航里程和提高充电速度的需求也日益高涨。SiC作为解决这些问题的关键器件被寄予厚望，并在核心驱动部件——牵引逆变器中逐渐得到广泛应用。　　通过此次的合作，芯动半导体将致力于搭载罗姆SiC芯片的车载功率模块的创新和性能提升，长城汽车集团将开发高效率的牵引逆变器，以延长xEV的续航里程。未来，双方将会进一步加快以SiC为核心的创新型车载电源解决方案的开发速度，为汽车技术创新贡献力量。　　芯动半导体董事长郑春来表示:　　“随着xEV市场的扩大，对SiC芯片的需求也在持续增长。芯动半导体正在通过与优质供应商建立长期合作关系来加强SiC功率模块开发体系。与罗姆之间的战略合作伙伴关系将会进一步巩固长城汽车的垂直整合体系，并加快更高性能xEV的开发速度。”同时，长城汽车投资了河北同光半导体股份有限公司，将进一步发挥产业链上下游协同的作用。”　　罗姆董事兼常务执行官伊野和英表示:　　“非常荣幸能够与芯动半导体建立战略合作伙伴关系。芯动半导体负责长城汽车xEV逆变器中使用的功率模块的开发和生产。罗姆经过多年的努力，建立了业界先进的SiC功率元器件开发和制造体系。通过双方的合作，我们将会提供更高性能和更高品质的先进车载电源解决方案，为xEV的技术创新做出贡献。”　　关于芯动半导体　　芯动半导体成立于2022年11月，位于江苏省无锡市，是长城汽车旗下公司。芯动半导体专注于自主研发，旨在开发SiC功率半导体模块和应用解决方案。　　关于长城汽车　　长城汽车股份有限公司(Great Wall Motor Company Limited，GWM)成立于1984年，是一家总部位于中国的国际多品牌汽车制造商。2020年，长城汽车在汽车管理中心(CAM)的企业创新指数评比中，被评为15家最具创新力的OEM企业之一。长城汽车拥有约100家子公司，员工超过70,000人，在60多个国家和地区布设了500个网点，在国外汽车市场的销售量超过700,000辆。目前，长城汽车的网点已经遍布全球各大洲。

关键词：

罗姆

发布时间：2024-10-11 09:34 阅读量：836 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址