ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

Release time：2025-06-10
author：AMEYA360
source：ROHM
reading：1155

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。

　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。

　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。

　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载

　　<相关信息>

　　- 白皮书

　　- 设计模型支持页面

　　- SiC MOSFET技术文档

　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。


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ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系
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ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系

　　欧姆定律是电路的基本原理，用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大，而电阻越大则电流越小。例如，在将干电池与灯泡串联连接的电路中，电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发，利用计算工具和公式等，介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。　　欧姆定律的基本原理(直流)　　欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用，被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”，然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制，其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具，通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。　　串联电路和并联电路中的欧姆定律　　串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路，电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。　　串联电路　　在串联电路中，电阻等元器件按顺序连接，共享同一通路。其特点如下：　　・电流：串联电路中所有元器件流过的电流相同。　　・分压：电压被分配给各元器件。根据欧姆定律，在串联电路中，由于所有元器件流过相同电流，因此各元器件的电压降遵循=关系式，与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。　　・总电阻计算：串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说，合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。　　欧姆定律在电路中的作用　　欧姆定律绝非单纯的理论，通过将电路分解为线性和稳态区间，便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系，能够正确操作电路元器件，准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例，讲解如何求解相关参数。　　电阻器和导体实例　　电子设备中存在各种元器件，其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值，这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流，可通过公式“V=IR”立即计算得出。　　在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下，电流I也将保持恒定。然而，由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻，在高精度应用和大功率应用场景，需要考虑到这些“残余电阻”。例如，在驱动远端设备的长距离布线电路中，导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
2026-04-16 09:52 reading：284
ROHM课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？
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ROHM课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？

　　分流定律是定量表示在并联连接的电路(分流电路)中电流如何分配的基本原理。分流定律根据各路径的电阻或负载决定电流量，因此有助于提高设计精度，并防止出现过热和超出元器件额定值等问题。　　例如，当多个电阻并联连接时，该定律也有助于确定电流集中在部分路径的原因。与分流定律成对的分压定律，处理的是串联电路中的电压分配。通过将两者结合起来理解，可以系统地梳理出“并联时的电流、串联时的电压”是如何决定的，并有助于提高复杂电路的工作分析和电路仿真的精度。　　本文将以分流定律为出发点，详细介绍分流电路的原理、具体的计算方法以及设计上的注意事项等内容。　　分流定律(分流电路)的基础知识　　要了解分流定律，首先需要掌握分流电路(并联电路)的特点。在分流电路中，施加在各路径两端的电压相同，并且各电流的总和等于电源电流，这正符合基尔霍夫电流定律(KCL)。分流定律正是对“电流被分流”这一性质的简洁表达。　　了解分流定律　　分流定律是计算并联电路中各路径电流的便捷规则。该规则阐述了“如何计算分流电路中各电阻的电流”，是电路设计中的重要指南。　　分流定律中的反比关系　　在分流电路中，从公式中解读出“电阻值越小，电流越大”这一特性非常重要。在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，因此电阻值越小的路径流过的电流越大。这可以通过欧姆定律直接推导出来。　　为什么是反比关系　　在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，将欧姆定律V=I×R变形为RtI=V/R后可知，R越小，I越大。例如，当R1<R2时，i1大于i2，并且以i1+i2=It的形式与总电流保持一致。　　合成电阻变小的原因　　并联连接的电阻数量越多，电流的流通路径越多，电流就越容易流过整个电路，因此合成电阻会变得更小。这与水路分成多条支流后水流增加的情形类似，对于流通大电流时的设计和应用有很大帮助。
2026-04-10 10:32 reading：514
ROHM课堂 | 光传感器：光电二极管和光电晶体管介绍
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ROHM课堂 | 光传感器：光电二极管和光电晶体管介绍

　　关键要点　　・光传感器本质上是将感光器件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。　　・光电二极管是比较简单的光电转换元件。　　・光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件。　　利用光检测的传感器种类繁多。此前介绍过的照度传感器和接近传感器以及利用光电容积脉搏波法的脉搏传感器也属于光传感器的范畴。本文将介绍光传感器中比较基础的光电二极管和光电晶体管。　　01什么是光传感器　　光传感器本质上是将感光元件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。其功能多样，既可简单地检测光的有无与强弱，也能识别颜色等，并且可以适配自然光和发光二极管等多种光源。光传感器的核心是感光元件，其中比较基础的元件是光电二极管和光电晶体管。它们的应用场景丰富多样，覆盖范围非常广泛。　　02什么是光电二极管　　光电二极管是比较简单的光电转换元件。其结构由p型半导体和n型半导体组成的pn结构成，与普通的pn结整流二极管基本相同。其V-I特性在无光条件下与普通二极管相同(下图中的蓝色曲线)，但当pn结受光时，光电二极管的V-I特性会向下偏移(下图中的红色曲线)。此时，从阴极流向阳极的反向电流称为“光电流”。光电流基本与照度(入射光量)成正比(见下图)。由于以反向电流作为输出，因此通常在反向偏置中使用。　　光电二极管的输出电流(光电流)通常为微安(μA)级，数值较小，因此一般需要先通过晶体管或运算放大器等接收并放大后再利用。另外，光电二极管具有照度(入射光量)与输出电流之间的线性度较高、响应速度快等特点。　　03什么是光电晶体管　　光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件(见下图)。光电二极管的光电流为μA级，由于通常很难直接处理如此微小的电流，因此光电晶体管会将其放大至mA级再输出。另外，通过放大，即使在照度较低(即光电流较小)的情况下也能获得足够的输出，从而提升灵敏度。　　在图中，NPN晶体管的集电极-基极之间似乎连接了光电二极管，但实际上是NPN晶体管的基极(p型)和集电极(n型)之间的pn结起到了光电二极管的作用。此处产生的光电流成为晶体管的基极电流，经晶体管放大hFE倍后，形成集电极电流Ic(输出电流)流过。输出电流基本与照度成正比。由于结构和工作原理的差异，光电晶体管的响应速度比光电二极管慢。
2026-04-10 09:45 reading：388
4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-04-10 09:29 reading：323
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