江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能<span style='color:red'>AI</span>服务器电源系统
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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)： 针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度 在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。
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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：168 继续阅读>>
荣湃发布车规级智能隔离栅极驱动器Pai8265xx系列
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荣湃发布车规级智能隔离栅极驱动器Pai8265xx系列

　　新能源汽车向800V电气架构的转变已经成为电动汽车行业的重要发展趋势，各大供应链企业纷纷将重心放在了积极布局和生产适用于这一架构的零部件和元器件上。　　其中，电机控制器是新能源汽车中的重要组成部分，负责控制电机的运转，而栅极驱动器则是电机控制器中的关键元件之一。　　栅极隔离驱动技术极大提高了电动汽车的能效和系统稳定性，同时也对栅极驱动器提出了更为严格的要求。　　快速响应能力：随着电机运转速度的增加，栅极驱动器需要更快地响应控制信号，以实现精确的电机控制。这要求零部件具有更短的传输延迟和更高的开关速度。　　隔离耐压性能：为了保护控制系统免受主电路的干扰和冲击，栅极驱动器需要具备优秀的隔离耐压性能。这要求零部件具有良好的绝缘材料和可靠的隔离技术。　　可靠性和稳定性：新能源汽车的运行环境复杂多变，因此对栅极驱动器零部件的可靠性和稳定性有更高的要求。这需要零部件经过严格的测试和验证，以确保其在各种极端条件下都能稳定运行。　　荣湃最新推出的Pai8265xx系列，就能很好的满足以上需求。Pai8265xx是一款基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器，可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管。　　产品优势　　基于荣湃半导体独有的iDivider® 技术开发，具有先进的主动保护功能、强驱动能力、出色的动态性能和高可靠性，支持分离输出、隔离采样、故障报警等功能，满足车规(AEC-Q100)标准，广泛适用于新能源汽车、电机、电源、光伏等应用场景。　　关键参数　　5.7kVRMS单通道隔离式栅极驱动器　　驱动高达2121VPK的SiC MOSFET和IGBT　　33V最大输出驱动电压(VDD–VEE)　　±10A峰值驱动电流能力　　高共模瞬态抗扰度：150kV/us(最小值)　　200ns快速响应时间的DESAT保护　　130ns(最大值)传播延迟　　25ns(最大值)脉宽失真　　4A内部有源米勒钳位　　发生故障时400mA软关断　　具有PWM输出的隔离式模拟传感器　　SOIC16宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm　　工作结温(TJ)范围：–40°C至150°C　　功能框图　　应用领域　　汽车电驱逆变器、DC-DC变换器　　直流快速充电桩　　工业变频器　　光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等　　在大功率应用中，用户一般会选择如IGBT和SiC这样的大功率管子，因而功率管的Qg也会更大，对产品的驱动电流能力要求变得更高。　　Pai8265xx能够提供10A的拉灌电流能力，比起传统方案，不需要额外的Buffer电路，即可直接驱动大功率管子。节省了Buffer电路的费用和PCB的体积，同时还不需要额外的电路做匹配，增加了系统的稳定性。此外，Pai8265xx内部集成米勒钳位，支持分离输出，使用简单，外围器件少，性价比高。
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发布时间：2025-04-02 14:10 阅读量：189 继续阅读>>
帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力<span style='color:red'>AI</span>服务器升级
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帝奥微推出国内首款I3C集线器，助力AI服务器升级

　　近日，江苏帝奥微电子股份有限公司(股票代码：688381)发布了国内首款应用于I3C总线的集线器产品DIO74812系列。在现有PCIE开关(DI3PCIE350)，I2C开关(DIO74544、DIO74546、DIO74548)基础上，填补了帝奥微在信号链产品空白，再下一城。I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)是I2C(Inter-Integrated Circuit)的升级版本，旨在提升速度、效率和灵活性，同时降低功耗。I3C针对DIMM模块管理、多节点存储系统、智能传感器网络等场景提供一站式解决方案，将推动在云计算、5G基站、嵌入式系统、工业自动化、物联网等领域的规模化应用，并在大数据交互，例如AI计算，嵌入式机器人系统中有着广阔前景。　　DIO74812系列共有4款，对应型号是DIO74812、DIO74712、DIO78812和DIO78712。具体配置如下，可以适配客户不同应用场景。　　表1 配置单　　图1 DIO787/8812框图　　AI服务器应用　　随着AI服务器算力的不断提升，PCIE接口数量和内存访问速率急剧增长。由此PCIE和内存的控制接口升级为I3C，具体应用可以参考下面图例：　　图2 CPU/BMC访问　　图3 CPU访问PCIE　　产品特性　　1. 协议兼容性　　支持I2C、I3C Basic 1.0、I3C JEDEC SPD及SMBus协议和不同协议的网络混用，实现传统设备与高速I3C设备的无缝兼容。　　2. 智能拓扑管理　　通过动态主端口切换(MUX)和网络分区功能，支持多芯片级联(延长 I3C 总线的物理距离，解决信号衰减问题)和冲突检测与恢复。　　3. 高可靠性与灵活性　　支持热加入(Hot Join)、电平转换(1.0V-3.3V)、GPIO扩展及多电压域操作。每组slave port可以独立配置成Hub、Agent或者GPIO功能。　　4. SMBus Agent　　SMBus Agent可以隔离高速I3C网络与低速的SMBus网络，结合公司创新的I3C带内中断(IBI)方案降低主控负载，提升系统效率。　　总结　　DIO74812系列填补了国内高端I3C集线器芯片空白：助力帝奥微在服务器、数据中心、智能机器人等高增长领域建立技术壁垒。其高集成度、智能化与可靠性设计将重新定义行业标准，为全球客户提供面向未来的互联解决方案，并加速生态合作伙伴的全球化布局。
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发布时间：2025-04-02 11:24 阅读量：177 继续阅读>>
从连接到价值：<span style='color:red'>AI</span>oT时代的新商业逻辑
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从连接到价值：AIoT时代的新商业逻辑

　　当人工智能(AI)与物联网(IoT)的融合从概念走向现实，家电行业正经历一场深刻变革：从“功能设备”向“智能服务终端”进化。AIoT技术不仅重塑了产品的交互方式与功能边界，更通过数据价值的深度挖掘，推动家电企业从单纯的产品售卖向持续服务转型，开辟全新的商业模式。庆科信息以“系统化”“私有化”“全球化”为核心，通过AI+IoT结合的系统化方案，助力家电企业打造安全可控、持续进化的数智化体系，让企业以数据驱动创新，抢占家电行业未来竞争制高点。　　AIoT：重构家电智能化边界　　传统家电的智能化升级已超越基础联网功能，迈向场景化、个性化的智能服务。每台设备成为数据触点，每次连接都创造可持续的价值。AIoT技术通过多维能力的融合，激活家电产品的全生命周期价值：　　自然交互：搭载AI大模型的设备能够理解复杂指令，支持多轮对话与上下文关联。例如，用户可通过语音指令调节空调模式，系统结合室内外温湿度自动优化运行策略，而非简单执行开关操作。　　环境感知：通过视觉识别与多传感器融合，智能家电的场景适应能力大幅提升。例如，烤箱可识别食材类型并推荐烹饪方案，冰箱能监测食材存储状态并提醒保质期，空调可依据人员活动动态调节送风角度。　　能效优化：基于设备运行数据与用户习惯的深度学习，系统可自主优化能源使用策略。例如，热水器在用电低谷时自动蓄热，洗衣机根据衣物重量与水质智能调整用水量，实现节能与体验的双重优化。　　预测性维护：设备持续监测自身运行状态(如电机振动频率、电路板温度等)，AI模型可提前识别潜在故障，推动售后服务从被动响应转向主动预警，降低用户使用中断风险，同时减少企业运维成本。　　场景协同：跨设备的数据互通与智能联动创造“1+1>2”的体验升级。例如，空气净化器、加湿器与空调协同优化环境参数，照明系统与窗帘电机联动实现智能光线管理，厨房家电的烹饪流程自动化编排等。　　这种由“单点智能”向“全场景智能”的进化，使家电产品从硬件载体升级为用户生活的智能伙伴，为企业开辟硬件销售之外的增值服务空间。　　连接即价值：数据流动的基石　　AI + IoT价值释放的前提，是构建稳定、安全、可持续的数据通道。庆科信息凭借15年的技术积累，以“把未连网的都联起来”为使命，助力家电行业智能化升级，围绕连接领域，突破以下三大挑战：　　复杂环境适应性：家庭场景中存在Wi-Fi信号干扰、墙体遮挡、多设备并发连接等问题。庆科信息提供多协议兼容方案(如Wi-Fi 2.4GHz/5GHz双频、蓝牙+Wi-Fi双模、Wi-Fi 6等)，确保设备在复杂环境下的稳定联网。　　海量设备管理：从单品智能到全屋互联，庆科信息支持百万级设备的并发接入与管理。优化的协议栈设计与边缘计算能力，实现设备状态实时监控、固件批量升级、故障远程诊断等核心功能。　　端到端安全保障：在设备认证、数据传输、云端存储等环节，庆科信息为企业构建了多层防护体系：硬件级安全芯片防止物理篡改，动态加密机制确保通信安全，数据加密存储满足隐私合规要求。　　我们通过这些能力的整合，为家电企业构建了从设备连接、数据采集到智能服务的完整闭环。　　私有化部署：构建数据主权护城河　　AIoT设备生成的海量数据——包括设备运行状态、能耗曲线、用户使用习惯等——已成为驱动产品创新与服务升级的核心资产。然而，数据价值的释放必须建立在自主可控与安全治理的基础上，因此IoT平台的私有化部署至关重要：企业需确保数据不被第三方平台滞留，以防商业决策受限;满足各国数据隐私法规，避免数据跨境流动风险;抵御复杂的网络攻击，确保设备数据与用户隐私不被窃取或篡改……　　庆科信息不仅致力于为客户提供稳定可靠的连接模组、功能全面的APP和云端应用开发服务，我们同样专注于为品牌提供IoT平台的私有化部署方案。方案可以实现企业设备专有、数据专有、服务专有，核心资产企业独享。方案支持本地化部署，客户可以将核心数据存储于企业自有服务器，也可以选择基于AWS、阿里云等第三方公有云平台构建专属资源池，物理隔离，确保独立运维。　　通过IoT私有云，企业可以构建“主权明确、风险可控”的数据管理体系，充分挖掘数据价值：优化产品设计、构建预测性维护模型、开发场景化增值服务，甚至通过脱敏数据交易探索新营收模式。通过私有化部署方案，庆科帮助企业以更高的数据自主性、更可控的上云成本、更强的安全性、更强大的平台智能，应对业务规模快速增长以及业务全球化带来的挑战。　　AIoT正在重构家电行业的价值链：产品不仅是制造终端，更是服务入口，连接不仅是技术配置，更是商业基础，数据不仅是运维副产品，更是战略资产。在此进程中，选择具备全栈技术能力与行业认知的合作伙伴，将成为企业构建数字化护城河的关键。庆科信息以“端云一体、软硬结合”为核心竞争力，旨在为家电企业提供可演进的技术架构与可量化的商业价值，期待与您共同创造智联万物的未来。
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发布时间：2025-03-21 09:03 阅读量：219 继续阅读>>
江西萨瑞微：<span style='color:red'>AI</span>服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢<span style='color:red'>AI</span>服务器安全防线
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江西萨瑞微：AI服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢AI服务器安全防线

　　随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI服务器作为支撑AI计算的核心设备，其稳定性和可靠性至关重要。然而，静电放电(ESD)和浪涌问题一直是电子设备面临的重大挑战之一。静电和浪涌不仅可能损坏服务器内部的精密元器件，还可能导致数据丢失或系统崩溃，严重影响AI应用的正常运行。　　江西萨瑞微电子凭借多年在静电防护领域的技术积累，推出了一套针对AI服务器产品的全面静电防护方案，涵盖Type-C、USB、SATA、HDMI、VGA、DP、RJ45、键盘接口、RS232、ANT、KY按键、MIC、音频电路以及CPU/GPU电源MOS等多个关键接口和模块的防护需求。　　一、高速接口防护方案　　Type-C端口静电浪涌防护方案　　AI 服务器的 Type-C 端口常用于高速数据传输，如连接外部存储设备、GPU 加速卡等。静电浪涌可能会干扰信号传输，导致数据丢包、错误等问题。因此，防护方案不能对高速信号产生额外的衰减或干扰，要保证数据传输的准确性和稳定性。　　Type-C 端口静电浪涌防护方案采用了如 SES2411P4 这款 TVS 二极管，保护VBUS电源，配合多种 ESD 保护二极管，保护信号线能承受 IEC 61000 - 4 - 2 标准下 ±10KV(Air)、±6KV(Contact)的静电冲击，以及 IEC 61000 - 4 - 5 标准下 VBUS IN ±300V(1.2/50μs & 8/20μs)的浪涌电压，确保数据传输稳定，设备接口安全。　　Type-C雷电口静电浪涌防护方案　　Thunderbolt™(雷电)接口作为高性能Type-C协议的扩展，支持40Gbps超高速数据传输、8K视频输出及100W PD快充，但其高集成度与高带宽特性对静电放电(ESD)和浪涌极为敏感。　　江西萨瑞微电子针对雷电口特性，推出SES2411P4、SEU0501PSS、SEU0101PSS、SEU3364PCS 等核心器件，实现从电源到信号的全链路保护，满足IEC 61000-4-2/4-5最高防护等级。　　USB 3.0/3.1接口静电浪涌防护方案　　USB 接口作为使用最频繁的接口之一，插拔与静电问题频发。萨瑞微USB2.0、USB3.0 接口分别提供了适配的 ESD 防护方案。　　在 USB3.0 接口防护中，SEU0544PCS 等器件大展身手，以低电容特性保障高速数据传输不受影响，同时有效抵御 ±15KV(Air)、±8KV(Contact)的静电干扰。　　二、数据存储与显示接口防护方案　　SATA接口静电浪涌防护方案　　SATA 接口广泛应用于各类存储设备连接，如硬盘、光驱等。在设备使用过程中，静电浪涌可能通过接口进入设备内部，造成芯片损坏、数据丢失等严重问题。因此，对 SATA 接口进行有效的静电浪涌防护至关重要。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用四通道小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、超低结电容TVS二极管阵列/ESD二极管做防护，保障SATA接口免受浪涌电流影响的同时，防止SATA接口遭到ESD静电破坏，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足静电放电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　HDMI静电防护方案　　HDMI(高清多媒体接口)作为热插拔端口，在连接设备时易受静电放电(ESD)的瞬时冲击，导致内部芯片损坏。其高速数据传输特性(如HDMI 2.1支持48Gbps速率)对信号完整性要求极高。　　我们为HDMI 接口提供了三种ESD静电防护器件，专为保护该接口的高速差分线路而设计，型号分别为SEU0544PCS、SEU0544PCS、SEU3344PCS。　　其中SEU0544PCS、SEU0544PCS结电容仅有0.25pF，可对单路高速数据线进行静电防护，可以使用2颗ULC0514P10来保护四个Lane通道。它的工作电压为 5 V，最小击穿电压为 5V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　时钟和数据通道的防护采用了集成多路ESD静电二极管SEU0544PCS，可同时保护HDMI的全通道引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。它的工作电压为 5 V，结电容仅有0.25pF，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　VGA静电防护方案　　VGA接口共有15针孔，分成3排，每排5个孔，除了2根NC(Not Connect)信号、3根显示数据总线和5个GND信号，其他较为重要的是3根RGB(红绿蓝)彩色分量信号及2根扫描同步信号HSYNC和VSYNC针。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用集成多路、SOT23-6L小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、低结电容ESD二极管SEH0504S2做防护，保护VGA接口免遭ESD静电放电破坏的同时，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足IEC 61000-4-2 Level 4的ESD静电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　DP接口静电浪涌防护方案　　DP(DisplayPort)接口广泛应用于电脑、显示器、显卡等设备间的高清视频与音频传输。在实际使用场景中，如插拔 DP 线缆、设备处于复杂电磁环境，或者受到周边大功率设备的电气干扰时，都极易产生静电浪涌。　　静电浪涌瞬间释放的高电压和大电流，可能击穿 DP 接口芯片内部的精密半导体结构，造成芯片永久性损坏;也可能干扰高速差分信号传输，导致图像出现花屏、黑屏、闪烁，音频出现杂音、中断等问题，严重影响设备的正常运行和用户体验。因此，对 DP 接口实施有效的静电浪涌防护至关重要，这不仅能保障设备稳定运行，还能延长设备的使用寿命，提升产品的市场竞争力。　　三、高速接口防护方案　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　IEEE组织的IEEE 802.3标准制定了以太网的技术标准，它规定了包括物理层的连线、电子信号和介质访问控制的内容。以太网是目前应用最普遍的局域网技术。以太网口，即我们平时所见的RJ45水晶头接口，根据网速分类，可分为：百兆(100M)、千兆(1000M)、2.5G、5G、万兆(10G)等。　　从方案图可知，以太网口第一级防护萨瑞微电子技术推荐选用TSS：P0640SB、P3100SB，将浪涌电流泄放到大地，或在放电管电极之内的惰性气体电光弧以热量形式消除。中间充分利用网络变压器的电感特性，起到去藕和隔离作用。第二级防护选用ESD静电保护二极管SEU0521PSS，能够将残留的频率成分浪涌吸收，并且在IPP下钳位电压降到7V左右(@IP=1A)，确保以太网芯片处于安全保护状态。　　键盘接口静电防护方案　　PS/2接口包含CLK(时钟)和DATA(数据)两条信号线，每条线需单独配置ESD保护二极管，形成对地保护路径。　　推荐采用分立式ESD器件(如每信号线1颗SEL0501P1)，或选用集成多通道的TVS阵列以简化设计。　　PS/2接口为双向通信协议(时钟线与数据线)，需选择双向ESD器件以覆盖正负电压冲击。萨瑞微的SEL0501系列支持双向保护，且低漏电流(0.1μA)可避免信号干扰。　　RS232接口静电浪涌防护方案　　RS-232标准被定义为一种在低速率、近距离串行通讯的单端标准。RS-232 采取不平衡传输方式，即所谓单端通讯。RS-232 通讯的最大传输距离在不增加缓冲器的情况下只可以达到15米。　　RS-232 的电气标准：电平为逻辑“0”时：+3V～+15V;电平为逻辑“1”时：-3V～-15V。　　萨瑞微SEH1501D3有低电容、快速响应、高浪涌耐受能力，小封装等优点：SEH1501D3 的低电容特性对 RS232 接口的高速信号传输影响极小，确保数据的准确和稳定传输。能在纳秒级时间内响应静电和浪涌冲击，迅速将过电压箝位到安全水平，有效保护接口芯片。可承受高达数千伏的静电放电和高能量浪涌，满足 AI 服务器在复杂电磁环境下的防护需求。小尺寸封装：适合在 AI 服务器紧凑的 PCB 布局中使用，不占用过多空间。　　ANT静电防护方案　　ANT 接口常用于低功耗、短距离无线通信领域，ANT 接口极易受到静电放电(ESD)影响，可能导致通信中断、数据错误或硬件损坏。　　江西萨瑞微的 SEU0501PSS、SEU0501P1、SEU0521P1S 具备卓越的静电防护能力，可有效保护 ANT 接口。　　KY按键接口静电浪涌防护方案　　KY 按键接口用于用户输入指令。在使用中，按键频繁被操作，人体接触按键时极易产生静电放电(ESD)现象，这些静电能量若直接进入设备内部电路，可能干扰微控制器的正常工作，甚至损坏芯片。江西萨瑞微的 SEL0501P1 凭借其独特的性能优势，能够有效解决 KY 按键接口的静电防护难题。　　将 SEL0501P1 的一端连接到 KY 按键的信号输出引脚， 尽可能靠近 KY 按键的信号输出引脚放置，缩短信号传输路径，减少寄生电感和电容的影响。另一端接地，当有静电电荷通过按键引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，避免静电对按键接口芯片或微控制器造成损害。　　四、电源与核心模块防护方案　　CPU/GPU电源MOS防护方案　　功率器件：服务器的 “动力心脏” 保障，在服务器的 “动力心脏”——CPU/GPU 电源部分，萨瑞微电子的 MOS 管发挥着关键作用。　　以 SG50N03PSK、SG33N03PSK 等为代表的 MOS 管，拥有低导通电阻和高电流承载能力。比如 SG50N03PSK，在 PDFN5*6 - 8L 封装下，能承受 30V 的 VDS 电压，导通电阻低至 5.00mΩ ，可通过 60A 的电流，确保 CPU/GPU 在高负载运行时，电源供应稳定、高效，降低功耗，提升服务器整体性能。　　五、音频/MIC接口防护方案　　MIC静电防护方案　　将 SEL0501P1 的一端连接到 MIC 的信号输出引脚，另一端接地。当有静电电荷通过 MIC 引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，防止静电对 MIC 后端的音频处理电路造成损害。例如，在一个简单的录音设备中，MIC 的输出引脚直接连接 SEL0501P1 的信号引脚，SEL0501P1 的接地引脚可靠接地，这样就为 MIC 提供了基本的静电防护。　　考虑到 MIC 输出的音频信号通常为差分信号(如在一些高端音频设备中)，可以在 MIC 的正、负差分信号输出引脚与地之间分别连接一个 SEL0501P1，对差分信号进行全面的静电防护，确保音频信号的完整性和稳定性。　　音频电路方案　　在AI服务器切换不同音频输入源的情况下，可利用 SR2N7002K 构建多路音频信号切换电路。将多个音频输入信号分别通过各自的限流电阻连接到多个 SR2N7002K 的源极，所有 SR2N7002K 的源极连接在一起并通过一个耦合电容连接到音频输出端。通过控制 SR2N7002K 栅极的电平信号，实现对不同音频输入源的切换。当某个 SR2N7002K 的栅极为高电平时，该管导通，对应的音频输入信号被切换到输出端，而其他 SR2N7002K 处于截止状态，其对应的音频信号被阻断。　　由于 SR2N7002K 具有高开关速度的特性，能够实现音频信号的快速切换，避免在切换过程中出现音频卡顿或噪声。同时，为了防止切换过程中产生的电磁干扰对音频信号造成影响，在每个音频输入信号的限流电阻与 SR2N7002K 源极之间，以及输出耦合电容之前，分别加入一个小容量的滤波电容(如 0.1μF)，用于滤除高频干扰信号，保证音频信号的纯净度。　　结论　　江西萨瑞微电子深耕静电防护领域十余年，为AI服务器量身定制的全场景防护方案，已成功应用于超算中心、智算集群等高端场景。
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发布时间：2025-03-20 14:19 阅读量：227 继续阅读>>
英飞凌针对<span style='color:red'>AI</span>数据中心推出先进的电池备份单元技术
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英飞凌针对AI数据中心推出先进的电池备份单元技术

　　英飞凌针对AI数据中心推出先进的电池备份单元技术，进一步完善Powering AI路线图新一代AI数据中心电池备份单元(BBU)的推出体现了英飞凌树立AI供电新标准的承诺该路线图包括全球首款12 kW BBUBBU拥有高效、稳定且可扩展的电量转换能力，功率密度较行业平均水平高出400%　　英飞凌公布新一代AI数据中心电池备份单元(BBU)解决方案路标，确保AI数据中心的不间断运行，避免断电和数据丢失风险。这项全面的BBU路标包含了从4kW到全球首款12kW BBU电源解决方案。BBU解决方案可在AI服务器机架实现高效、稳定和可扩展的电量转换能力，同时，其功率密度更是高出行业平均水平达400%。BBU对于AI数据中心至关重要，除了可确保供电不间断，保护敏感的AI硬件免受电压尖峰、浪涌和其他电源异常情况的影响。BBU解决方案与PSU，IBC，PDB和PoL等架构相互配合，等进一步巩固了英飞凌在AI供电领域的领导地位。　　英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁表示，“确保AI系统的不间断供电对于保持运算过程的连续性与无缝运行至关重要。我们高能效的BBU专为AI服务器设计，拥有卓越的性能、灵活性和效率，可让AI服务器的运行更加流畅，同时满足多种功率等级的需求。英飞凌熟知如何运用硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这三大功率半导体材料，我们深信英飞凌的半导体解决方案将树立AI数据中心供电的新标准。”　　AI数据中心若发生停机或系统故障，可能导致极大的损失。根据2024年ITIC调查，41%的受访企业表示每小时停机损失在100万美元到500万美元以上不等。其中35%的故障归咎于电源元件品质问题。为了解决这一问题，英飞凌推出局部功率转换器(Partial Power Converter，PPC)。该方案可有效提升电源系统性能与可靠性，是适用于BBU的领先技术。其中，以5.5kW BBU为代表的中间解决方案采用了英飞凌独家拓扑结构，结合Si与GaN技术，可实现超高效率和高功率密度。业界首创的12 kW系统则结合多张4 kW电源转换卡，并搭载英飞凌PSOC™ MCU、40V和80V OptiMOS™以及EiceDRIVER™驱动器，实现了极强的性能和灵活性，功率密度较业界平均水平高出四倍。在主板上并联多张转换卡即可实现更高的功率等级，提升系统扩展能力并简化维护作业。若其中一张电源转换卡出现故障，系统会持续工作而不停机，只是降低输出功率。借助这种模块化方式，系统可配合特定电源需求进行调整，无需重新设计整个系统，为客户带来性能和可靠性方面的卓越效益。
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发布时间：2025-03-18 16:01 阅读量：266 继续阅读>>
英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能<span style='color:red'>AI</span>数据中心垂直供电
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英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电

　　英飞凌宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本(TCO)。　　OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块实现了真正的垂直供电(VPD)，并提供行业领先的2安培/平方毫米电流密度。此模块延续了英飞凌去年推出的OptiMOS™ TDM2254xD和TDM2354xD双相功率模块，继续为加速计算平台提供卓越的功率密度。在传统水平供电系统中，电流流经电路板至ASIC之间，会因电流流经PCB而造成传导损耗，随着ASIC电源需求增加，电流的提升在此有明确的功率损耗。而垂直供电通过缩短电流传输路径，减少电阻损耗，从而提升系统效率。　　根据国际能源署(IEA)数据，数据中心目前占全球能耗的2%。在AI发展的推动下，数据中心的电力需求预计将在2023至2030年间增长165%。持续提升从电网到主板核心的电源转换效率与功率密度是进一步提高计算性能并降低TCO的关键。　　Rakesh Renganathan英飞凌科技功率IC产品线副总裁表示：“我们很高兴推出OptiMOS™ TDM2454xx VPD模块，来扩展英飞凌的高性能AI数据中心解决方案。我们采用三维的设计方式，并且利用业界领先的功率器件、封装技术，以及我们深厚的系统底蕴，提供高性能的节能型计算解决方案，进一步实现我们推动数字化和低碳化的企业使命。”　　通过采用英飞凌强大的OptiMOS™ 6沟槽式技术功率组件和嵌入式芯片封装，OptiMOS™ TDM2454xx模块可以提供优异的电气和散热性能，同时运用创新的超薄电感设计技术，不断提高VPD系统性能和质量的极限。此外，OptiMOS™ TDM2454xx的结构设计有利于模块化拼接，且能改善电流传导，进而提升电气、散热和机械性能。该模块在四相电源中最高支持280A电流，并在仅10x9 mm²的小型封装内整合了嵌入式电容层，结合英飞凌的XDP™控制器，可实现稳定耐用的高电流密度功率解决方案。　　OptiMOS™ TDM2454xx模块进一步巩固了英飞凌在市场中的特殊地位。凭借基于所有相关半导体材料的广泛产品和技术组合，英飞凌能够以更节能的方式为不同的AI服务器配置提供从电网到核心的动力。
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发布时间：2025-03-17 11:07 阅读量：250 继续阅读>>
加南<span style='color:red'>AI</span>眼镜KANAAN-K1产品解析与君正芯片的市场契合度分析
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加南AI眼镜KANAAN-K1产品解析与君正芯片的市场契合度分析

　　2024年智能穿戴市场一片繁荣，Meta的突破性产品引爆市场，充分的调动了市场的热情。2025年将是AI智能体产品高速发展与爆发的一年，产品种类繁多，呈现出百花齐放的景象。君正的T系列与C系列智能视频处理芯片凭借专业的视频处理能力，极快的启动速度，优秀的功耗表现以及极致的封装尺寸，充分赋能AI眼镜市场，助力合作伙伴产品快速落地。　　一、加南AI眼镜K1核心亮点与技术创新　　1. 轻量化设计与全天候佩戴体验　　加南K1智能眼镜以32.96g超轻重量(行业主流40-60g)为核心卖点，采用长链尼龙材质外壳(密度低于水)，结合人因工学设计，实现无感佩戴，尤其适配近视用户群体需求。对比市场同类产品(如Ray-Ban Meta约48g)，其轻量化优势显著。　　2. 高性能拍摄与快速响应　　▶ 0.3秒极速抓拍：依托君正T31ZX芯片的快速启动能力，结合5秒Live Photo功能，实现动态瞬间捕捉。　　▶ 2K视频与AI优化：500万像素摄像头支持2K视频录制，集成视频防抖、AI算法优化，满足用户第一视角记录与社交分享需求。　　▶ 低功耗影像处理：君正芯片(T31ZX 300mW/C100 280mW)在1080P@30fps录像场景下功耗低于行业平均水平(Meta等竞品约400mW)，延长续航能力。　　3. 多模态AI交互与生态整合　　▶ 语音助手：集成科大讯飞语音唤醒、翻译、声纹识别，支持多轮自然对话，拒绝文本交互，响应速度对标行业标杆(误触发率<0.5次/小时)。　　▶ 情感化功能：引入MINIMAX情感交流AI与通义千问图像识别，结合“AI宠物进化”玩法，提升用户粘性。　　▶ 健康与互联：未来规划集成心率、血氧监测，并接入智能家居生态，扩展全场景应用。　　4. 续航与硬件配置　　▶ 210mAh电池：支持1.3天续航，虽容量较小，但通过君正芯片低功耗设计及动态电源管理优化，满足日常使用需求。　　▶ 存储方案：32GB ROM+256MB RAM配置，适配eMMC 5.1标准，满足本地AI模型轻量化部署(如离线翻译、图像处理)。　　二、市场定位与竞争优势分析　　1. 目标用户群体　　▶ 近视人群：解决传统眼镜单一化功能痛点，增加趣味性，给近视用户提供额外的情绪价值。　　▶ 年轻社交用户：主打5秒Live Photo、第一视角分享功能，契合短视频与直播潮流。　　▶ 健康监测需求者：未来健康功能扩展后，可覆盖运动与医疗辅助场景。　　2. 对标竞品与差异化　　参数加南K1Ray-Ban Meta小米AI眼镜　　(预期)　　重量32.96g48g预计35-40g　　续航1.3天　　(210mAh)8小时　　(300mAh)目标>10小时　　拍摄性能2K视频+　　0.3秒抓拍1080P+　　1秒抓拍4K+HDR　　(定制摄像头)　　核心优势超轻设计+情感交互品牌生态　　多模态AI小米生态链　　高性价比　　3. 产业链协同　　▶ 供应链整合：君正芯片+ 同兴达(摄像头模组)+佰维存储(eMCP方案)，形成国产化高性价比方案。　　▶ 技术合作：科大讯飞等AI厂商提供算法支持，补足中小企业在视觉与语音技术的短板。　　三、加南科技的未来展望与建议　　1. 产品迭代方向　　▶ 升级拍摄能力：搭载T32ZN芯片，实现4K视频与更复杂AI处理(如实时物体识别)。　　▶ 扩展健康功能：集成生物传感器，强化与医疗、运动场景的联动。　　▶ 生态互联：接入小米/华为智能家居生态，提升用户粘性。　　2. 市场拓展策略　　▶ 渠道合作：联合博士眼镜、毛源昌眼镜等线下渠道，提供近视配镜+智能功能一体化服务。　　▶ 内容生态：与社交平台合作，优化第一视角内容分享体验。　　四、君正芯片的技术优势与市场契合度　　1. 可靠的低功耗快起平台　　▶ T31ZX/C100系列：1080P录像功耗280-300mW，显著低于高通AR1，助力终端产品实现长续航。　　▶ 4K AI眼镜方案：T32系列采用先进制程工艺，功耗控制优于同类竞品，能显著延长 AI 眼镜的续航时间，满足用户全天候佩戴的需求，提升使用体验。　　2. 优秀的启动速度　　▶ T31及C100系列可以提供0.4秒系统启动、0.3秒极速抓拍，0.6秒视频录像的极致启动速度。符合用户对“无感交互”的核心诉求，解决多设备协同延迟痛点。　　▶ T32ZN/ZX芯片进一步优化用户图像抓拍体验，支持0.2秒4K瞬时抓拍，0.7秒启动录像，极致优化用户体验。　　3. 小型化与高集成度　　▶ C100芯片尺寸5mm×6mm：为眼镜内部空间优化提供可能，支持更紧凑的摄像头模组与散热设计，契合轻量化趋势。　　▶ 高集成度，外设与图像接入能力：C100内部集成包括 CPU、VPU、ISP、Audio 等在内的自研关键模块，可以将声音、图像等众多功能集合在一块芯片之中，高度符合 AI 眼镜的小型化需求，能够在有限的空间内实现丰富的功能。同时支持多种外设接口，可支持蓝牙和Wi-Fi，同时支持500万像素图像传感器接入。　　▶ 灵活适配WiFi/蓝牙：兼容主流无线芯片，降低厂商开发门槛，加速产品迭代。　　超低功耗大大优化AI眼镜的续航时间，解决续航焦虑，真正做到想用即用。优秀的启动速度，深度适配AI眼镜对于“记录美好瞬间”的拍照以及视频录制需求。全方位助力客户打造优秀AI眼镜产品。　　4. 多规格方案可选　　▶ 分辨率：覆盖1080P~4K视频规格。　　▶ 多尺寸：芯片尺寸从5mm*6mm到10mm*10mm，覆盖主流需求。　　▶ 支持本地化AI部署：通过低功耗NPU加速语音、图像识别，减少云端依赖，强化隐私保护。　　▶ 支持大模型API接入。　　根据客户的不同需求，充分满足客户对各种档位、规格的AI眼镜产品的芯片诉求，通过架构优化与规模化生产，提供高性价比方案，助力终端产品实现高性价比定位。使得AI眼镜产品在消费级市场更具竞争力，加速 AI 眼镜的普及。　　结论　　加南K1 AI眼镜凭借君正芯片的低功耗、快速启动抓拍与录像优势，在轻量化设计与用户体验上实现突破，精准切入近视用户与社交分享细分市场。君正芯片通过技术适配与成本优势，不仅满足当前AI眼镜对性能与能效的核心需求，更为国产供应链替代提供标杆案例。随着AI眼镜市场爆发，加南与君正的协同创新有望在中小品牌中占据先机，推动行业向“轻量化、高智能、全场景”方向进化。
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发布时间：2025-03-14 10:50 阅读量：200 继续阅读>>
永铭与纳微半导体深度配合，IDC3牛角电容推动<span style='color:red'>AI</span>服务器电源迈向更高功率
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永铭与纳微半导体深度配合，IDC3牛角电容推动AI服务器电源迈向更高功率

　　在AI服务器迈向更高算力的进程中，电源的高功率与小型化成为关键挑战。2024年，纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100、英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，皆为提升AI服务器的电源功率密度。　　随着电源功率密度的持续攀升，被动元器件需同时满足小型化、大容量、高可靠性的严苛要求。永铭与各合作伙伴深度配合，致力于为更高功率的AI服务器电源打造高性能电容器解决方案。　　永铭与纳微深度配合 协同创新　　面对电源系统对核心元器件的小型化设计与超高能量密度提出的双重挑战，永铭持续投入研发与创新，经过不断的技术探索与突破，最终成功开发出高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于氮化镓功率芯片领导者纳微发布的4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源方案中。　　IDC3牛角电容核心优势　　IDC3系列作为永铭专为AI服务器电源推出的高压牛角型铝电解电容，通过12项技术革新，不仅拥有耐大纹波电流特点，更是在同体积下做到了更大容量，满足了AI服务器电源对空间与性能的严苛需求，为高功率密度电源方案提供了可靠的核心支持。　　高容量密度　　针对AI服务器电源功率密度提高，伴随空间不足的问题，IDC3系列大容量的特性确保稳定的直流输出，提升电源效率，支持AI服务器电源进一步提升功率密度。相较常规产品，更小的尺寸特点保证其能够在有限的PCB空间中提供更高的能量存储和输出能力。目前，相较于国际头部同行，永铭IDC3系列牛角电容在同规格的产品中体积缩减25%-36%。　　耐大纹波电流　　针对AI服务器电源高负载下散热和可靠性不足的情况，IDC3系列具备更强的纹波电流承受能力和低ESR的表现，纹波电流承载值相较于常规产品提升20%，ESR值相较于常规产品降低30%，使得在相同条件下温升更低，从而提高了可靠性和寿命。　　长寿命　　在105℃高温环境下寿命达3000小时以上，特别适合不间断运行的AI服务器应用场景。　　IDC3电容规格与应用场景       适用场景：适用于高功率密度、小型化的AI服务器电源方案　　产品认证：获得AEC-Q200的产品认证、第三方国际机构的可靠性认证。　　END　　IDC3系列牛角电容成为解决AI服务器电源痛点的关键秘钥。其在纳微4.5kw、8.5kw AI服务器电源方案中的成功应用，不仅验证了永铭在高能量密度与小型化设计领域的领先技术实力，更为AI服务器电源的功率密度提升提供了关键支撑。
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发布时间：2025-03-12 09:05 阅读量：230 继续阅读>>
瑞萨推出集成DRP-<span style='color:red'>AI</span>加速器的RZ/V2N，扩展中端<span style='color:red'>AI</span>处理器阵容，助力未来智能工厂与智慧城市发展
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瑞萨推出集成DRP-AI加速器的RZ/V2N，扩展中端AI处理器阵容，助力未来智能工厂与智慧城市发展

　　2025 3 月 11 日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出一款面向大规模视觉AI市场的新产品——RZ/V2N，进一步扩展RZ/V系列微处理器(MPU)的产品阵容。与其高端产品RZ/V2H类似，新产品配备瑞萨专有AI加速器DRP(动态可重配置处理器)-AI3。得益于先进的剪枝(注1)技术，可实现10TOPS/W(每瓦每秒万亿次运算)的能效和高达15TOPS的AI推理性能。随着RZ/V2N的最新加入，RZ/V系列现已覆盖从低端RZ/V2L(0.5TOPS)到高端RZ/V2H(高达80TOPS)的全系列市场。　　全新RZ/V2N MPU的体积较RZ/V2H显著缩小，封装面积仅为15mm2;安装面积减少38%。RZ/V2N继承RZ/V系列的先进特性，将高性能AI与低功耗相结合。这些优化特性可减少热量产生，无需额外冷却风扇，从而缩减嵌入式系统的尺寸和成本。开发人员可以轻松地在广泛应用中实现视觉AI，从商业设施中用于交通和拥堵分析的AI摄像头、生产线上的视觉检测工业摄像头，到用于行为分析的驾驶员监控系统等。　　双摄像头双角度图像处理　　与RZ/V2H类似，新型RZ/V2N配备四个同类最佳的Arm® Cortex®-A55 CPU内核和一个Cortex-M33内核，并结合高质量的图像信号处理器(ISP)Arm Mali-C55。RZ/V2N还拥有两个通道的MIPI摄像头接口，可连接两个摄像头捕捉双角度图像。与单摄像头系统相比，双摄像头系统可大大提高空间识别性能，并能进行更精确的人体运动轨迹分析和跌倒检测。此外，双摄像头系统还能捕捉不同位置的图像，从而使用单芯片即可高效统计停车场内的车辆并识别车牌。　　Daryl Khoo, VP of Embedded Processing at Renesas表示：“自去年瑞萨推出RZ/V2H，以满足市场对具备视觉AI与实时控制能力的下一代机器人技术需求后，市场对瑞萨DRP-AI加速器的关注度持续攀升。RZ/V2N与RZ/V2H系出同源，随着RZ/V2N的推出，我们将业务范围扩大到中端应用，尤其是不需要采用高功耗设计的终端视觉AI。我们深感荣幸，客户能够在瑞萨丰富的产品线中，挑选出最契合自身系统需求和预算的AI MPU产品。”　　Paul Williamson, Senior Vice President and General Manager, IoT Line of Business at Arm表示：“视觉AI应用广泛且多样，涵盖智慧城市、企业和工业等领域。均需持续稳定的性能和高效的处理能力。瑞萨全新推出的RZ/V2N MPU，依托Arm计算平台的卓越功能，能够充分满足下一代视觉AI应用场景对性能及效率的严苛要求，为相关领域提供强大助力。”　　全面的开发环境　　RZ/V2N将配备瑞萨评估板套件和软件开发环境，并提供涵盖超过50种用例的多种AI应用;这些应用可在AI应用库及AI SDK(GitHub)中获取。该SDK能帮助不具备深厚AI背景知识的用户快速评估和开发AI应用程序，缩短产品上市时间。此外，合作伙伴公司还将提供SOM(模块化系统)板、SBC(单板计算机)、摄像头模块，和其它集成瑞萨RZ/V2N的产品。由此减少硬件设计工作，使开发人员能够专注于AI应用开发，并迅速将产品推向市场。　　AI摄像头解决方案成功产品组合　　瑞萨面向工厂、公共设施和商业设施等各种应用开发AI摄像头解决方案，该方案由RZ/V2N、电源管理IC和实时时钟IC组成，可作为AI摄像头系统的参考设计。瑞萨“成功产品组合”依托于相互兼容且可无缝协作的器件，同时采用经过技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，加快产品上市进程。基于其产品阵容中的各类产品，瑞萨现已推出超过400款“成功产品组合”，旨在帮助用户推动设计流程，加快产品上市进程。
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发布时间：2025-03-11 11:48 阅读量：272 继续阅读>>

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