使用电阻前需重点了解以下核心参数,这些参数直接影响电路性能和选型适配性:
基础参数
阻值与精度
标称阻值(如10Ω、1kΩ)需匹配电路需求,电阻阻值范围覆盖0.1Ω~10MΩ。
精度(容差)代码:F(±1%)、J(±5%)、K(±10%),高精度电路需选±0.1%的高精度系列。
功率与封装
额定功率(如0.1W、1W)需留余量,避免过载(建议实际功率≤70%额定值)。
封装尺寸(英制/公制):0201(0.6×0.3mm)至2512(6.4×3.2mm),功率随封装增大而提升。
环境适应性参数
温度特性
温度系数(TCR):普通厚膜电阻±200ppm/°C,精密薄膜电阻低至±25ppm/°C。
工作温度范围:常规-55℃~+155℃,车规级系列,扩展至-65℃~+175℃。
可靠性认证
车规级电阻需通过AEC-Q200认证,包含高温存储、振动测试等严苛验证。
抗硫化、抗突波等,特殊性能需标注。
特殊应用参数
电流检测电阻
低阻值(如0.12Ω)需关注TCR(±200ppm/°C内)和功率密度。
四端子设计可减少接触电阻误差。
高压/高频应用
耐压值需高于电路峰值电压。
高频电路优选薄膜电阻,降低寄生效应。
其他关键参数
包装方式:卷带(R)、管装(P)影响生产效率。
环保标识:符合RoHS/无卤素要求(如H代码)。
注:具体选型需结合型号解析确认参数组合。
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model | brand | Quote |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
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