工程师如何处理<span style='color:red'>开关电源</span>的磁芯损耗？
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工程师如何处理开关电源的磁芯损耗？

　　在开关电源设计中，总会碰见各种各样的损耗，其中之一是磁芯损耗，由磁滞损耗和涡流损耗组成，难以直接估测，需要精确计算与合理选择磁芯材料来控制。　　1知晓磁芯损坏的组成　　磁滞损耗：与磁芯偶极子重新排列相关，正比于频率和磁通密度。　　涡流损耗：由交变磁通在磁芯中产生的局部电流导致，表现为I²R损耗。　　2选择合适的磁芯材料　　优先选用低损耗磁芯：如铁镍钼磁粉芯(MPP)，其损耗低于其他常见铁粉磁芯。　　权衡成本与性能：虽然铁粉芯成本较低，但磁芯损耗较大，需根据具体应用需求选择。　　3精确计算磁芯损耗　　确定峰值磁通密度：利用公式B = (L * ΔI) / (N * A)，其中L为电感，ΔI为电感纹波电流峰峰值，A为磁芯横截面积，N为线圈匝数。　　查阅磁芯损耗曲线：根据磁芯制造商提供的磁通密度与磁芯损耗(和频率)图表，估算磁芯损耗。　　4利用专业工具辅助设计　　下载并使用制造商提供的计算软件：如某公司的在线电感磁芯损耗和铜耗计算公式，快速准确估算损耗。　　模拟与验证：通过仿真软件模拟不同磁芯与电感参数下的损耗情况，进行验证与优化。　　5实时热管理措施　　设计有效的散热路径：确保磁芯及其周边组件的热能能够高效散出。　　监控温度：在实际应用中，通过温度传感器监控磁芯温度，及时调整设计或增加散热措施。　　6持续优化与迭代　　收集应用数：在实际应用中收集磁芯损耗与温度数据，分析损耗来源。　　迭代设计：根据数据分析结果，调整磁芯材料、电感参数或散热设计，持续降低磁芯损耗。
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发布时间：2025-03-28 14:43 阅读量：210 继续阅读>>
<span style='color:red'>开关电源</span>基础知识分享-一文搞懂什么是<span style='color:red'>开关电源</span>
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开关电源基础知识分享-一文搞懂什么是开关电源

　　在现代电子设备中，开关电源已经成为主流的电源供应方式。相比传统的线性电源，开关电源更高效、更稳定，且能够适应不同输入电压范围。本文将深入探讨开关电源的基础知识，解释其工作原理、优势以及应用领域。　　1. 开关电源的工作原理　　开关电源是一种利用开关元件(如晶体管)进行快速切换的电源系统。其工作原理涉及将输入直流电压转换成高频交流电压，通过变压器和整流器输出所需电压。　　主要组成部分　　输入滤波器：用于减小输入电源中的噪声和干扰。　　整流器：将输入电压转换为脉冲宽度调制(PWM)信号。　　开关元件：负责控制电源开关状态，通常使用 MOSFET。　　变压器：用于变换电压，提高或降低电压。　　输出整流器和滤波器：将变换后的电压输出到负载。　　2. 开关电源的优缺点　　优点　　1. 高效率：开关电源通常能够实现较高的转换效率，大多数设计可以达到90%以上的效率。相比线性电源，开关电源能更有效地转换输入电能为输出电能，节省能源并减少热量损耗。　　2. 轻巧紧凑：由于开关电源内部使用高频开关进行电压转换，因此可以设计成体积小巧、重量轻的形式。这使得开关电源非常适合需要体积小型化的应用场景，如移动设备和便携式电子产品。　　3. 稳定输出：开关电源能够提供稳定的输出电压和电流，即使在负载变化或输入电压波动的情况下也能保持输出稳定性。这使得开关电源在各种工作条件下都能提供可靠的电源供应。　　4. 适应性强：开关电源能够适应不同的输入电压范围，通常支持广泛的输入电压(AC或DC)范围。这使得开关电源在国际通用和应对不同电网标准时具有很高的适用性。　　5. 可靠性高：开关电源通常寿命长，工作稳定可靠。其设计和构造使得其在长时间运行和各种环境条件下能够保持高效、稳定的工作状态。　　缺点　　1. 电磁干扰：开关电源可能会产生电磁干扰，会影响其他设备的正常工作，特别是对于无线通信设备和灵敏的电子设备来说，这可能会成为一个问题。　　2. 成本较高：相比传统的线性电源，开关电源的设计和制造成本通常较高。尤其是高功率的开关电源系统，在设计和组件选购方面需花费更多成本。　　3. 复杂性：开关电源的设计和调试相对复杂，需要更深入的电路和控制知识。对于普通用户或不熟悉电子技术的人来说，维护和修理开关电源可能会有一定难度。　　4. 电磁干扰：一些开关电源可能会产生高频噪音或振荡，这可能会对某些敏感设备或应用造成干扰。　　5. 散热问题：一些高功率的开关电源系统可能会产生较多的热量，需要额外的散热设计来确保稳定运行。　　3.开关电源的应用领域　　开关电源作为一种高效、稳定的电源供应方式，在各个领域广泛应用，满足了不同领域对电源系统高效、可靠性和灵活性的需求。以下是开关电源主要的应用领域：　　1. 工业自动化　　工业控制系统中常用开关电源提供稳定的电源供应，并能适应复杂的工作环境。　　用于驱动各种工业设备，如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器、伺服马达等。　　2. 通信和网络设备　　在通信基站、网络设备和数据中心中广泛使用，提供稳定的电源以确保通信和数据传输的可靠性。　　用于光纤通信设备、路由器、交换机、服务器等。　　3. 医疗设备　　用于医用电子设备，如医用成像设备、手术设备、监护仪器等。　　提供清洁、稳定的电源，保证医疗设备的正常运行。　　4. 汽车电子　　在汽车电子系统中使用，如车载娱乐系统、导航系统、发动机控制单元等。　　提供稳定的电源以支持各种车辆内部设备和功能。　　5. 太阳能和风能转换　　用于太阳能和风能发电系统中，将不稳定的太阳能或风能转换为稳定的电源输出。　　提供高效能源管理和功率转换。　　6. 消费类电子产品　　在消费类电子产品中广泛应用，如手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明等。　　提供小型、高效的电源解决方案。　　7. 航空航天　　在航空航天领域中使用，提供飞机、卫星等设备所需的高效、稳定的电源。　　对轻量化、高效率和可靠性有严格要求。　　4.开关电源的常见故障及维修技巧　　1. 常见故障原因　　1.1 电源无输出　　可能原因：　　输入电源故障。　　输出端有短路。　　控制芯片损坏。　　解决方法：　　检查输入电源是否正常。　　排除输出端的短路情况。　　更换损坏的控制芯片。　　1.2 电源过载　　可能原因：　　过负载引起。　　过放电保护功能触发。　　解决方法：　　检查负载是否超过额定值。　　检查过放电保护电路，并适当降低负载。　　1.3 电源噪音大　　可能原因：　　开关管损坏。　　输出电容故障。　　解决方法：　　更换损坏的开关管。　　更换故障的输出电容。　　2. 维修技巧　　2.1 安全第一：维修任何电子设备时务必确保安全。在处理开关电源时，首先断开电源并等待一段时间，以确保电容器中的电荷已经释放。　　2.2 仔细检查：对于出现故障的开关电源，需要仔细检查各个部件和连接线路。检查元件是否有明显的烧损、漏液或变形情况，并用万用表测量元件的参数。　　2.3 焊接技巧：在替换元件或修复焊接点时，需要使用正确的焊接工具和技术。确保焊接点牢固、无冷焊现象，并避免短路或打火。　　2.4 替换元件：根据故障的具体原因，适时更换损坏的元件，如开关管、电容、电阻等。选择合适规格和品质的元件进行替换，确保与原件相匹配。　　2.5 保养和清洁：定期对开关电源进行清洁和维护，确保通风良好、无灰尘堆积。定期检查电路板上的连线和焊接点是否松动，及时加固。
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发布时间：2025-02-12 13:40 阅读量：512 继续阅读>>
江西萨瑞微电子：入门<span style='color:red'>开关电源</span>必备：功率开关管指南
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江西萨瑞微电子：入门开关电源必备：功率开关管指南

　　开关电源是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的核心部件是功率开关管，是一个至关重要的组件。它负责控制电流的导通和截止，实现电能的转换和调节。　　在众多功率开关管中，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)因其优异的性能而被广泛应用。本文将详细介绍 MOSFET 的工作原理、特性、选型以及在开关电源中的应用。　　MOSFET的工作原理　　MOSFET 是一种电压控制型器件，通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。它主要由栅极(G)、漏极(D)和源极(S)三个电极组成，其中栅极与源极之间由一层绝缘层隔开。　　当栅极电压为零时，MOSFET 处于截止状态，漏极和源极之间没有电流流过。当栅极电压超过一定阈值时，绝缘层下方会形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间导通，电流可以流过 MOSFET。通过控制栅极电压的大小，可以调节导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。　　功率MOSFET的内部结构与电气符号如图下所示。图(a)给出的是具有双扩散结构的垂直沟道 MOSFET示意图，这也是最成功的产品设计之一。MOSFET 的电气符号如图(b)所示，其极性有N沟道和P沟道两种，其中N沟道功率MOSFET应用最多、功率 MOSFET的内部结构使其寄生了一个一极管，称之为体二极管。这个二极管具有和MOSFET相同的工作频率，可以作为高频整流管来使用。现今的同步整流技术就利用了这个体二极管。正常工作时、体二极管处于反向截止状态，不影响MOSFET的开/关操作。　　功率 MOSFET是增强型MOSFET，对于N沟道MOSFET，UGS施加正极性电压，产生漏极电流;对于P沟道MOSFET，UGS需要施加负极性电压才会产生极电流。　　功率MOSFET属于电压控制型半导体元件，当UGS施加一定的电压时，在源极和漏之间会形成较大的电流，这就是功率MOSFET的放大效应。下面以N沟道功率MSFET为例、介绍其工作原理。　　功率 MOSFET属于电压控制型半导体元件　　功率MOSFET的工作原理与特性曲线如图下所示。其中图(a)为工作原理，图(b)为转移特性曲线，图(c)为输出特性曲线。如图(a)所示，功率MOSFET工作时，需要施加正极性的UGS和UDS，只要在栅极施加一定的电压，就会在漏极产生较大的电流ID。由于MOSFET的输入阻抗很高，栅极电流极小，因此极电流ID与源极电流IS相等，通常将流过源极的电流也称为漏极电流ID，并以此来计算电路参数。　　功率MOSFET的栅极对源极电压(简称栅-源电压)UGS与漏极电流ID的关系曲线图(b)所示，该曲线称为MOSFET的转移特性。可以看出，当UGS从(0~UGSth)变时，漏极电流 ID始终为零、功率MOSFET 处于截止(关断)状态;当UGS大于 UGSth以后，随着UGS的增加漏极电流ID开始迅速增大，功率MOSFET处于导通状态。功率UGSth是功率MOSFET导通与关断的切换点电压，该电压叫做开启电压或值电压。MOSFET的开启电压通常在2~4V之间。　　功率 MOSFET的输出特性曲线如图 (c)所示，图中描述了栅-源电压 UGS、漏极电流ID与漏极对源极电压(简称漏-源电压)UDS之间的关系曲线。输出特性曲线可分为截止区、饱和区和电阻区三个区域。当UGS小于开启电压UGsth的时候，MOSFET处于截止区(关断状态)，此时漏极电流很小，并且不随UDS的大小变化，该电流被称为漏电流，通常用IDSS来表示。开关电源的功率开关管关断时就处于截止区。在电路分析计算时，可以认为漏电流为零。　　随着UGS升高，功率MOSFET开始产生更大漏极电流，进入导通状态。此时，如果较大，MOSFET将工作在图(c)所示饱和区。在饱和区的时候，漏极电流只与UGS大小有关，而与UDS大小无关。也就是说，此时极漏电流ID处于恒定电流状态，因此,饱和区也称为恒流区。　　功率 MOSFET的饱和区和双极型晶体管的放大区特性基本相同。如图(c)所示，通常用漏极电流ID的变化量ΔID与栅-源电压UGS的变化量ΔUGS的比值，来描述MOSFET的放大能力，称为正向跨导，常用gfs来表示。漏极电流ID越大的功率MOSFET，其正向跨导值gfs也越大。　　功率MOSFET进入导通状态时，如果漏-源电压UDS较低，MOSFET将处于电阻区如图(c)所示，该区域位于UDS=UGS-UGS(th)边界线的左侧。在该区域 MOSFET的漏极与源极之间呈现为固定电阻，该电阻被称为导通电阻，常用RDS(ON)来表示。如果漏-源电压UDS为零，则无论栅-源电压UGS为多少，漏极电流ID也会变为零。RDS(ON)的阻值与UGS的大小有关，因此该区域也称为可变电阻区或欧姆区。开关电源的功率开关管导通时就处在该区域。因此，即使漏极电流ID很大，也可通过选择较低RDS(ON)的功率MOSFET，来保持较低的导通损耗。　　功率MOSFET的使用注意事项　　(1)关于漏极电压　　在开关电源中，选择功率MOSFET时，首先要考虑击穿电压。由于MOSFET不存在二次击穿现象，电压余量可以选小一些，通常按MOSFET的击穿电压UDSS为功率开关管承受最大电压的1.2~1.4倍即可。　　(2)关于漏极电流　　由于多数功率MOSFET的最大漏极电流IDM为额定漏极电流ID的3~4倍，因此，电流余量也可以选小一些，通常选择MOSFET漏极电流ID为功率开关管的最大极电流的1.5~2倍即可。　　需要说明:功率MOSFET参数表中给出的额定漏极电流ID，通常是在其外壳温度T为25℃时的参数值。当MOSFET外壳温度升高的时候，其额定漏极电流ID将会下降。图给出了IRF840的漏极电流和外壳温度的关系曲线。可以看出，T为25℃时，ID为8A;当T为75℃时，ID下降为6A;当T为100℃时，ID下降为5A。这表明当功率MOSFET工作在高温环境时，应该选择额定漏极电流ID更大MOSFET，以便满足高温时的漏极工作电流要求。　　(3)关于导通电阻　　通常额定漏极电流ID较小的 MOSFET，其导通电阻RDS(ON),较大。在漏极电流较大的时候，功率开关管的导通损耗也会较大，为了降低导通损耗，应该选择导通电阻RDS(ON)较小的功率MOSFET。　　此外，导通电阻RDS(ON)还会随着漏极电流ID的增加而变大。图给出了IRF840的导通电阻和漏极电流的关系曲线。可以看出，当ID为5A时，RDS(ON)不到0.7Ω，当ID为10A时，RDS(ON)大约0.8Ω;当ID为20A时、RDS(ON)将达到1.2Ω 左右。　　(4)关于栅极电压　　前文说过，RDS(ON)的阻值与UGS的大小有关。但是，当UGS大到一定程度(一般为10V以上)，RDS(ON)的阻值基本不再变化。图也给出了UGS为10V和20V时RDS(oN)的阻值曲线，可以看出其差异不大。因此，功率MOSFET驱动电路的输出电压应该大于10V，通常选择为12~15V。　　(5)关于输入电容　　虽然功率MOSFET的输入阻抗很高，但其栅极G与源极S之间存在较大的输入电容。根据生产厂家和制造工艺的不同，输入电容C的容量差异也较大。为了提高开关速度，减小驱动电路的负载，应选择输入电容C较小的功率MOSFET。　　此外，为了提高开关速度，需要给输入电容快速的充放电，这就要求驱动电路能够提供很大的峰值电流，该电流通常可达1~2A，但持续时间通常不到100ns。这也说明，虽然功率MOSFET驱动电路的功耗很小，但仍然需要输出很大的峰值电流。　　(6)关于管壳温度　　和双极型晶体管一样。当功率MOSFET的管壳温度升高时，最大允许电流及功耗会明显下降。同时，高温也会使导通电阻RDS(ON)的增大，产生更大的导通损耗。因此，许多厂家在其器件参数表中直接给出了T为100℃时允许的漏极电流值或者给出了高温降额曲线。读者一定要根据功率开关管的实际工作温度来修正最大允许漏极电流ID的参数值。　　MOSFET 在开关电源中的应用　　MOSFET 在开关电源中有广泛的应用，主要包括以下几个方面：　　1. 主开关管：在正激、反激、半桥、全桥等拓扑结构的开关电源中，MOSFET 作为主开关管，控制电能的转换。　　2. 同步整流管：在一些高效率的开关电源中，采用同步整流技术，用 MOSFET 代替二极管作为整流管，以降低整流损耗，提高效率。　　3. 辅助开关管：在一些开关电源中，需要使用辅助开关管来实现软开关、同步整流等功能。　　4. 保护电路：MOSFET 可以用于过流保护、过压保护等保护电路中，当出现异常情况时，及时切断电路，保护开关电源和负载。　　MOSFET 的驱动电路　　MOSFET 的驱动电路是开关电源中的重要组成部分，它负责将控制信号转换为合适的栅极电压，以控制 MOSFET 的导通和截止。驱动电路的设计需要考虑以下几个因素：　　1. 驱动能力：驱动电路需要提供足够的驱动电流，以确保 MOSFET 能够快速导通和截止。　　2. 栅极电：驱动电路需要提供合适的栅极电压，以保证 MOSFET 能够可靠地导通和截止。　　3. 隔离要求：在一些应用中，需要将驱动电路与控制电路进行隔离，以提高系统的安全性和可靠性。　　4. 保护功能：驱动电路需要具备过流保护、短路保护等功能，以保护 MOSFET 和驱动电路本身。　　结论　　MOSFET 作为开关电源中的关键组件，其性能直接影响到开关电源的效率、可靠性和成本。在设计开关电源时，需要根据具体的应用要求，选择合适的 MOSFET，并设计合理的驱动电路和散热方案。通过对 MOSFET 的深入了解和合理应用，可以设计出高性能、高效率的开关电源。
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发布时间：2024-12-17 15:06 阅读量：396 继续阅读>>
干货！<span style='color:red'>开关电源</span>中各元件拆解分析
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干货！开关电源中各元件拆解分析

　　开关电源(Switch Mode Power Supply，简称SMPS)，又称开关电源、开关变换器，是一种高频功率变换装置，是电源的一种。其功能是通过不同形式的架构，将某一电平的电压转换为用户所需的电压或电流。普通电源的作用是将输入的交流市电( AC110V /220V) 通过隔离开关降压电路转换成硬件所需的几种低压 直流电源：3.3V、5V、12V、-12V，并提供具有 5V 待机 (5VSB) 关闭功能的计算机 处于待机状态。因此，该电源同时配备了高压和大功率元件。　　电源转换过程为 交流 输入→ EMI 滤波电路→整流电路→功率因数校正电路(有源或无源PFC)→功率级初级侧(高压侧)开关电路转换成脉冲电流→主变压器→功率级次级侧(低压侧)整流电路→电压调整电路(如磁放大电路或DC-DC 转换电路)→滤波器(平滑输出纹波，由电感和电容组成)电路→监控输出的电源管理电路。　　下面介绍交流输入端EMI滤波电路的常用元件 。　　交流输入插座此处首次检查外部交流电源输入。首先，在交流输入端 加装 二阶 EMI ，以阻挡来自电源线的干扰，防止电源工作时产生的开关噪声通过电源线传播并干扰其他用电设备。(EMI) (电磁干扰) (EMI) (电磁干扰) ( 滤波器(滤波器)的低通滤波目的是将交流电中包含的高频噪声旁路或引导至地线，只允许波形大约60Hz才能通过。　　上图中间是一个集成 EMI 滤波器电源插座，滤波器电路完全包含在一个铁盒内，可以更有效地防止噪声泄漏。由于没有金属外壳，深埋式内置EMI滤波器的电源 会泄漏一些噪声，因此左侧插座上仅添加Cx和Cy电容(稍后介绍)。EMI 滤波器电路经常在主电路板上实现。如果 主电路板上的EMI电路区域是空的， 则该区域的元件已被移除。由于目前12cm风扇的电源内部面积不足以容纳集成 EMI 滤波器，因此大部分采用照片左右两侧的方案。　　X电容(Cx，又称跨线滤波电容)该EMI滤波器电路的目标 是通过在火线 (L) 和中性线 (N) 之间桥接电容器来降低电源线的低正常噪声。　　外观呈方形，如图所示，上面写有字母X或X2。　　Y电容(Cy，又称线路旁路电容)为了最大限度地降低高常模和共模噪声，Y 电容器连接在浮动地 (FG) 和火线 (L)/零线 (N) 之间。　　电脑 电源中的FG点 与图中的金属外壳、地线(E)、输出端0V/GND相连，所以当地线不接时，会通过两个串联连接——连接的电线。当人体接触Cy电容时，它会分压输入电源一半的电位差(Vin/2)，可能会感应出电感。　　共模扼流线圈(交联电感)　　为了消除电源线的低通共模和射频噪声，共模扼流线圈与滤波器电路中的火线(L)和零线(N)串联。一些电源的输入线采用环绕磁芯的设计，可以将其视为基本的共模扼流圈。它有环形和方形的形状，类似于变压器，并且可以看到一些裸露的线圈。　　L/N线和地线E之间的噪声被称为共态噪声，而L和N线之间的噪声被称为常态噪声。EMI滤波器的根本目的 是消除和阻挡这两类噪声。EMI滤波电路之后是瞬态保护电路和整流电路 ，常用元件 如下。　　保险丝当流过保险丝的电流超过额定限值时，保险丝将熔断，保护与后端电路的连接。电源中使用的保险丝通常是快断型，但最好是防爆型。该保险丝与标准保险丝的主要区别在于，外管是米色陶瓷管，内含防火材料，可防止熔断时产生火花。　　照片顶部的固定式(两端直接套上线座并焊接到电路板上)和图片中间的可拆卸式都是安装在电路板上的(用金属夹固定)。热熔断器是下面的方形 元件 。此保险丝连接在功率 元件的大功率水泥电阻或散热器上。主要用于防超温，防止 因过热而导致元件 损坏或故障。该保险丝还可与电流保险丝配合使用，提供针对电流和温度的双重保护。　　负温度系数电阻(NTC)电源接通时，电源高压端的电解电容处于无电状态。充电过程中会出现过大的电流浪涌和线路压降，可能导致桥式整流器和其他组件超过其额定电流并烧毁。当 NTC 与L或N线串联时，其内阻可以在充电时限制电流，而负温度系数意味着其阻值随着温度升高而减小，因此当电流流过本体时，电阻减小。为了减少不必要的功耗，电阻值会随着温度升高而逐渐减小。　　大部分成分是黑色和深绿色的球状饼状成分。然而，当电源在预热状态下启动时，其保护作用被忽略，即使阻抗可以随温度降低，仍然消耗少量的功率。因此，当今大多数高效电源都采用了更复杂的瞬时保护电路。　　金氧压敏电阻(MOV)　　在保险丝的背面，压敏电阻连接在火线和地线之间。当两端电压差小于其额定电压值时，本体呈现高阻抗;当电压差超过其额定电压值时，本体电阻迅速下降。估计LN和前端保险丝之间存在短路，由于短路产生的电流，前端保险丝将熔断以保护后端电路。当主体承受过大的电力时，它偶尔会自毁，以提醒用户设备出现问题。　　它常见于电源的 交流 输入端。当输入交流过压时，保险丝能及时熔断 ，防止内部器件损坏。其颜色和外观与Cy电容非常相似，但元件上的文字和型号可以区分。　　桥式整流器内部桥式整流器中有四个二极管交替连接。它的工作是对输入交流电进行全波整流， 供后端的开关电路使用。　　其外观和尺寸将根据组件的额定电压和电流而变化。有些电源会将其安装在散热器上，以帮助散热并确保长期稳定性。整流后进入功率级原边开关电路。本节的元件定义了电源各通道的最大输出能力，是一个关键元件。　　开关晶体管它根据控制信号导通和关断，决定电流是否流过，作为开关电路中的非接触式快速电子开关，在有源功率因数校正电路和功率级原边电路中起着至关重要的作用。　　电源中的传统N MOSFET(N型金属氧化物半导体 场效应晶体管)如图上半部分所示，而NPN BJT如图下半部分所示(NPN型双结晶体管)。根据开关元件的电路组成，可以产生不同的功率级拓扑，例如双晶正激型、半桥型、全桥型、推挽型等。开关也用于要求高效率的电源。同步整流电路和DC-DC 降压电路均采用晶振。　　变压器由于采用变压器分离高低压，利用磁能进行能量交换，故称为隔离开关降压电源。不仅可以避免高低压电路发生故障时的漏电危险，还可以轻松产生多种电压输出。由于工作频率高，变压器的体积比标准 交流变压器小。　　由于变压器是电力传输通路之一，目前的大输出电源均采用多变压器设计，以防止单个变压器饱和而限制功率输出。辅助电源电路和用于信号传输的脉冲变压器显示在镜头的顶部，而主电源变压器和环形次级侧调节变压器显示在底部。　　采用变压器作为隔离边界时，副边的输出电压远低于原边，但仍需经过整流、调整、滤波、平滑等电路后才变为原边。计算机部件所需的各种电压的直流电压 。　　二极管根据各部分的电路要求和输出大小，电源内部采用不同的类型和规格。除传统的硅二极管外，还有 肖特基势 垒二极管(SBD)、快恢复二极管(FRD)和齐纳二极管(ZD)。等等。　　插图描述了最常见的二极管封装。SBD用于功率级的次级侧，对变压器输出进行整流，ZD用作电压基准。FRD主要用于有源功率因数校正和功率级的初级侧电路;SBD用于功率级的次级侧，对变压器输出进行整流，ZD用作电压基准。　　电感器根据磁芯的结构、电感值以及在电路上的安装位置，电感器可用作交流电路中的储能元件、磁放大器电路中的电压调节元件以及次级侧整流后的输出滤波。　　图中的电感器有环形和圆柱形状，漆包线的匝数和厚度根据电感值和载流能力而变化。　　电解电容电容器与电感器一样，可用作能量存储器件和纹波平滑器。电源原边电路采用高压电解电容，承受整流后的高压 直流;次级电路采用大量耐高温、长寿命、低阻抗电解电容，减少输出下电解电容持续充放电带来的损耗。　　照片下部的高压电解电容用于初级侧，下部电压较低的部分用于次级侧和外围控制电路。由于电容器中化学物质(电解质)的关系，工作温度对电解电容器的寿命有显著影响。这样一来，所采用的品牌和系列的电解电容就能长期使用，同时还能保持电源良好的散热性能。决定电源的稳定性、可靠性以及使用寿命。　　电阻器为了避免触电，使用电阻来限制流过电路的电流，并在电源关闭后释放电容器中存储的电荷。　　左侧的大功率水泥电阻器可以承受显着的电涌，而右侧的普通电阻器有一个颜色代码来指示其电阻值和不准确度。如果没有控制电路，由上述部件组成的电路将无法执行其工作，并且必须随时监视和调节每个输出。为了保护计算机 部件的安全 ，如果出现任何异常情况，应立即关闭输出。　　各控制IC例如PFC电路、功率级原边 PWM 电路、PFC/PWM集成控制、辅助电源电路集成器件、电源监控管理IC等，都是根据其安装位置和在电源中的应用等来分类的。　　对于PFC电路来说，电源可以通过采用有源功率因数校正电路调节来维持指定的功率因数并限制高次谐波的发展。功率级原边 PWM 电路：作为功率级原边开关晶体驱动器，具有 PWM (脉宽调制)信号生成和功率输出状态占空比管理(Duty Cycle)。常见的PWM 控制IC有UC3842/3843系列等。集成PFC/PWM控制：通过将两个控制器组合在一个IC中，可以简化电路，减少元件数量，缩小体积，降低故障率。例如CM680X系列是一款PFC/PWM集成控制IC。　　辅助电源电路集成组件：辅助电源电路在电源切断后必须继续输出，因此必须是一个独立的系统。由于输出瓦数不需要太高，所以采用业界低功耗集成器件，如PI的TOPSwitch系列作为核心。　　电源管理和监控 每个输出的 UVP(低电压保护)、OVP(过压保护)、OCP(过流保护)、SCP(短路保护)和 OTP(过温保护)由我知道了。设定值后关闭并锁定控制电路，停止电源输出，待故障排除后恢复输出。　　除了上述元件外，制造商还可以根据需要添加其他IC，例如风扇控制IC。　　光耦光耦合器主要用于高压和低压电路之间的信号传输，它们保持电路隔离，以防止发生故障时两个电路之间出现异常电流，从而损坏低压组件。其想法是利用发光二极管和光电晶体管通过光发送信号，并且由于它们之间没有电路连接，因此两端的电路可以保持隔离。
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发布时间：2024-08-26 13:51 阅读量：826 继续阅读>>
<span style='color:red'>开关电源</span>电路中为什么需要串联小电阻，有什么用？
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开关电源电路中为什么需要串联小电阻，有什么用？

　　开关电源电路中为何需要串联小电阻，起什么作用，在电源中会见到阻值特别小的电阻，通常是0.5-2.2欧姆，它们分别在不同的位置，起到不同的作用。　　在电源输入端会串联一颗2.2欧左右的电阻，这样可以限制电容充电电流，还可以起到保险的作用，就是用电阻代替保险管了，节省了一个元件，有短路时，电阻不能通过大电流，就会烧断，不会造成起火。还用用PCB上的铜箔做的很细，代替保险管的，当有大电流时，铜箔很细，不同通过大电流，铜箔就会烧断，保护后级不会扩大故障，这种在小功率的电源中特别常见。　　开关电源中还有一个电阻非常小，串联在MOS管的S极R89，这里串的电阻是检流电阻，就是检测变压器初级流过的电流，电源芯片没有检测电流的能力，只能检测电压，就要把流过变压器的初级绕组的电流通过串流的电阻产生电压，把这个电压信号输入到电源芯片中，控制开关电源的过流保护和短路保护。　　这里为什么要串联很小的电阻呢，因为串联的电阻大，功率就要大，浪费不必要的电能，影响效率，根据电源芯片的输入保护电压是一定的，电阻越大，电源的过流保护点容易保护，这个电阻是根据电源的功率来设计的，功率越大，电阻越小，所以常见的电阻比较小。　　在电磁炉路中也有一个2.2欧3W的电阻，也是起到保险的作用，都是厂家为了节省成本设计的。　　还有的就是0欧姆电阻，一开始也不知道为什么要加一个0欧姆电阻，直接短上不就可以了吗?实际也是一个保险电阻，当后级电路有短路，电阻就会烧断，还有就是在单面PCB电路板的直插0欧姆电阻，是用作跳线的作用，单面板只能单面走线，有的地方绕不开，就需要跳线，有的用跳线，有的直接用0欧姆电阻。　　还有就是0欧姆电阻在调试时使用，在每一个电路模块的电源串联一颗电阻，当调式时，断开其它的电阻，只连接这一颗电阻，就可以单独调试，尤其在批量的电路板时，某一点可以时断开，也可以是短路，据根据需要，是否焊接这个0欧姆电阻。　　经常在电路中遇到小阻值的电阻，每个电阻在每个位置的不同，它的叫法和功能也不同，常见的小电阻就是用于保险的电阻，保险电阻，检测电流大小的电阻，检流电阻。
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发布时间：2024-07-25 11:33 阅读量：635 继续阅读>>
海凌科：100W足功率ACDC<span style='color:red'>开关电源</span>模块—HLK-100Lxx系列
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海凌科：100W足功率ACDC开关电源模块—HLK-100Lxx系列

　　100W是海凌科为客户提供的金属机壳式电源。该系列电源具有全球通用输入电压范围、交直流两用、高性价比、低功耗、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。　　产品安全可靠，EMC 性能好，EMC 及安全规格满足国际IEC/EN61000-4、CISPR32/EN55032、IEC/UL/EN62368、EN60335、GB4943 的标准。广泛应用于工控、LED、路灯控制、电力、安防、通讯、智能家居等领域。　　一、100W系列ACDC开关电源模块　　100W系列ACDC开关电源模块，共计HLK-100L05、HLK-100L12、HLK-100L15、HLK-100L24、HLK-100L36、HLK-100L48有7款产品，100W功率，转换效率可达86%，高效率、功率密度大。　　二、100W系列ACDC开关电源模块亮点　　模块参数　　输入电压范围：85 - 264VAC/120 - 373VDC　　低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.5W　　工作温度范围：-30℃ to +70℃　　4000VAC 高隔离电压　　高效率、功率密度大　　低纹波噪声　　输出短路、过流、过压保护　　符合 IEC/EN/UL62368、EN60335、GB4943 认证标准　　可承受 300VAC 输入浪涌电压 5s　　过电压等级Ⅲ(符合 EN61558)　　满足 5000m 海拔应用　　1 年质量保质期　　转换效率高　　100W系列ACDC开关电源模块，输入低电压效率 Vin=115Vac，输出满载≥86 %;输入高电压效率 Vin=230Vac，输出满载≥86 %;转换效率高，功耗密度大。　　安全可靠　　100W系列ACDC开关电源模块，MTBF≥300，000，使用寿命长。同时，该电源模块具备输出短路、过流、过压保护，可承受 300VAC 输入浪涌电压 5s过电压等级Ⅲ(符合 EN61558)，安全性高，稳定可靠。　　三、100W系列ACDC开关电源模块应用场景　　工业自动化：在工业自动化领域，100W系列ACDC开关电源模块常用于控制电路、传感器、执行器等的电源供应，为各种自动化设备和系统提供稳定的直流电源。　　通信设备：通信设备需要高效率、高可靠性的电源供应，100W系列ACDC开关电源模块能够满足通信设备的电源需求，为基站、交换机、路由器等通信设备提供稳定的直流电源。　　电力控制：在电力控制领域，100W系列ACDC开关电源模块可用于各种电力控制设备的电源供应，如智能电表、继电器、控制器等，为电力控制系统的稳定运行提供保障。　　照明系统：在照明系统中，100W系列ACDC开关电源模块可用于LED灯具的电源供应，能够实现高效、节能的照明效果，同时延长灯具的使用寿命。
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发布时间：2024-02-02 16:40 阅读量：2033 继续阅读>>
通信<span style='color:red'>开关电源</span>电磁兼容性故障及维修方法
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通信开关电源电磁兼容性故障及维修方法

　　通信开关电源在现代通信系统中扮演着至关重要的角色，但是在使用过程中常常会遇到电磁兼容性故障，这些故障可能会导致通信中断、数据丢失或设备损坏等严重后果。因此，了解常见的通信开关电源电磁兼容性故障及其维修方法对于保障通信系统的稳定运行至关重要。本文AMEYA360电子元器件采购网将介绍几种常见的故障类型，并提供相应的维修方法，希望能够为读者解决相关问题提供参考。　　一、通信开关电源电磁兼容性故障的分类　　通信开关电源电磁兼容性故障主要分为两类：传导故障和辐射故障。传导故障是指设备通过电源线、接地线等传输线将电磁干扰信号传输到电源和信号线路上，导致其他设备出现异常。辐射故障是指设备内部电磁干扰信号通过空间辐射的形式影响其他设备。　　通信开关电源的电磁兼容性测试主要包括以下几个方面：　　1. 传导测试：测试通信开关电源通过电源线、信号线等传输线传导的电磁干扰信号。这种测试主要用来评估电源和信号线路对外部电磁干扰信号的抗干扰能力。　　2. 辐射测试：测试通信开关电源通过空间辐射的电磁干扰信号。这种测试主要用来评估设备对外部电磁环境的干扰程度。　　3. 静电测试：测试通信开关电源对静电的抗干扰能力。静电是一种常见的电磁干扰源，对电子设备的影响较大，因此需要对设备进行静电测试。　　4. 雷击测试：测试通信开关电源对雷击的抗干扰能力。雷击是一种强电磁干扰源，对设备的危害较大，因此需要对设备进行雷击测试。　　5. 电磁脉冲测试：测试通信开关电源对电磁脉冲的抗干扰能力。电磁脉冲是一种强电磁干扰源，主要来自于核爆炸、雷电等自然现象，对设备的危害较大，因此需要进行电磁脉冲测试。　　在进行通信开关电源电磁兼容性测试时，需要使用专业的电磁兼容测试仪器和设备，按照相关标准和规范进行测试，并记录测试数据和结果。根据测试结果，可以对通信开关电源的电磁兼容性进行评估和改进，提高设备的可靠性和稳定性。　　二、常见故障及原因分析　　电源线传导发射超标　　电源线传导发射超标是通信开关电源电磁兼容性故障中最常见的问题之一。主要原因是电源线在传输电能时，会同时传输噪声和干扰信号，导致电源线传导发射超标。此外，电源线设计不良、屏蔽效果差、接线端子松动等问题也可能导致传导发射超标。　　辐射骚扰超标　　辐射骚扰超标是通信开关电源电磁兼容性故障中的另一个常见问题。主要原因是设备内部电路设计不合理、布局不规范、屏蔽不严密等导致电磁干扰信号外泄。此外，设备外部的磁场和电场也可能对设备产生影响，导致辐射骚扰超标。　　三、维修方法　　针对以上常见故障，可以采取以下维修方法：　　检查电源线是否完好，如有破损或老化现象，应及时更换;检查接线端子是否松动，如有问题应及时紧固。　　检查设备的屏蔽效果是否良好，如有问题应及时修复。可以采取加装屏蔽网、更换屏蔽材料等方式提高设备的屏蔽效果。　　检查设备内部的电路设计和布局是否规范，如有问题应及时调整。可以优化电路设计、改善布局等方式提高设备的电磁兼容性。　　使用专业的电磁兼容测试仪器对设备进行测试，找出故障的具体原因，并根据原因采取相应的维修措施。　　对于辐射骚扰超标的问题，可以采取增加吸收材料、优化设备外部的磁场和电场等方式进行维修。　　通过了解常见的故障类型及其维修方法，我们可以更好地保障通信系统的稳定运行，避免不必要的损失和影响。因此，在日常维护和管理通信系统时，我们需要密切关注通信开关电源的运行状况，及时发现和解决问题。
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发布时间：2024-01-18 11:46 阅读量：1616 继续阅读>>
海凌科：350W系列ACDC<span style='color:red'>开关电源</span>模块 高性能大功率变压器
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海凌科：350W系列ACDC开关电源模块 高性能大功率变压器

　　350W是海凌科为客户提供的金属机壳式电源。该系列电源具有全球通用输入电压范围、交直流两用、高性价比、低功耗、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。　　产品安全可靠，EMC性能好，EMC 及安全规格满足国际IEC/EN61000-4、CISPR32/EN55032、IEC/UL/EN62368、EN60335、GB4943 的标准。广泛应用于工控、LED、路灯控制、电力、安防、通讯、智能家居等领域。　　一、350W开关电源产品介绍　　350W开关电源分别有HLK-350L05、HLK-350L12、HLK-350L15、HLK-350L24、HLK-350L36、HLK-350L48，共计6款产品，产品尺寸大小215*115*30，产品性能稳定，应用广泛。　　二、350W开关电源的优点　　产品参数　　输入电压范围：90-132VAC/180- 264VAC/240-373VDC　　低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.75W　　工作温度范围：-30℃ to +70℃　　4000VAC 高隔离电压　　高效率、功率密度大　　低纹波噪声　　输出短路、过流、过压保护　　符合 IEC/EN/UL62368、EN60335、GB4943 认证标准　　可承受 300VAC 输入浪涌电压 5s　　过电压等级Ⅲ(符合 EN61558)　　满足 5000m 海拔应用　　1 年质量保质期　　高效节能　　350W开关电源相较于传统电源，具有更高的转换效率，通常可达到80%以上。这意味着它能够更有效地将输入电能转化为输出电能，减少能量的浪费，从而实现节能环保的目标。在大规模应用中，高效节能的特点可以带来显著的经济效益和环境效益。　　稳定可靠　　稳定性是开关电源的一大优势。350W开关电源采用先进的控制技术和高质量的材料，具有较高的工作稳定性。它能够在不同的输入电压范围内保持输出电压的稳定性，同时具备过流、过压、短路等多种保护功能，确保设备的安全运行。这使得它在各种复杂的工作环境中都能表现出色，为设备提供可靠的电力支持。　　节能环保　　350W开关电源系列直流开关电源模块MTBF≥300，000，使用寿命长。同时，该电源模块具备低功耗、空载损耗<0.3W等特点，能够助力产品节能降耗，绿色环保。　　三、350W开关电源的应用场景　　350W开关电源由于其出色的性能，在多个领域中得到广泛应用。　　首先，在工业控制领域，如PLC、机器人、工控机等，350W开关电源能够为各类工业设备提供稳定可靠的电源支持，保障工业自动化的高效运行。　　其次，在通讯设备领域，如交换机、路由器、网络设备等，350W开关电源能够为通讯设备提供稳定的电力输出，确保通信的畅通无阻。　　此外，在医疗设备领域，如医疗影像设备、检测仪器等，350W开关电源能够提供可靠的电力支持，确保顺利进行。最后，在LED照明领域，如LED灯条、LED显示屏等，350W开关电源能够为LED照明设备提供稳定的电源，保证照明效果的良好表现。
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发布时间：2024-01-15 10:45 阅读量：1711 继续阅读>>
8种<span style='color:red'>开关电源</span>MOS管的工作损耗计算
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8种开关电源MOS管的工作损耗计算

　　MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分：　　1、导通损耗Pon　　导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流(即漏源电流) IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。　　导通损耗计算：　　先通过计算得到 IDS(on)(t) 函数表达式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通过如下电阻损耗计算式计算：　　Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don　　说明：　　计算 IDS(on)rms 时使用的时期仅是导通时间 Ton ，而不是整个工作周期 Ts ;RDS(on)会随 IDS(on)(t) 值和器件结点温度不同而有所不同，此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的 RDS(on) 值(即乘以规格书提供的一个温度系数 K )。　　2、截止损耗Poff　　截止损耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生的漏电流 IDSS 造成的损耗。　　截止损耗计算：　　先通过计算得到 MOSFET 截止时所承受的漏源电压 VDS(off) ，在查找器件规格书提供之 IDSS ，再通过如下公式计算：　　Poff=VDS(off) × IDSS ×( 1-Don )　　说明：　　IDSS 会依 VDS(off) 变化而变化，而规格书提供的此值是在一近似 V(BR)DSS 条件下的参数。如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值，如很小，则可取零值，即忽略此项。　　3、开启过程损耗　　开启过程损耗，指在 MOSFET 开启过程中逐渐下降的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与逐渐上升的负载电流(即漏源电流) IDS(off_on)(t) 交叉重叠部分造成的损耗。　　开启过程损耗计算：　　开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx 。然后再通过如下公式计算：　　Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) × dt　　实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 VDS(off_on)(t) 的开始下降与 ID(off_on)(t) 的逐渐上升同时发生;图 (B) 那种假设认为 VDS(off_on)(t) 的下降是从 ID(off_on)(t) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 (A) 类假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式：　　(A) 类假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_end) × Ip1 × tr × fs　　(B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_end) × Ip1 × (td(on)+tr) × fs　　(B) 类假设可作为最恶劣模式的计算值。　　说明：　　图 (C) 的实际测试到波形可以看到开启完成后的 IDS(on_beginning)>>Ip1 (电源使用中 Ip1 参数往往是激磁电流的 初始值)。叠加的电流波峰确切数值我们难以预计得到，其 跟电路架构和器件参数有关。例如 FLYBACK 中 实际电流应是 Itotal=Idp1+Ia+Ib (Ia 为次级端整流二极管的反向恢 复电流感应回初极的电流值 -- 即乘以匝比， Ib 为变压器 初级侧绕组层间寄生电容在 MOSFET 开关开通瞬间释放的 电流 ) 。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的 主要原因之一。　　4、关断过程损耗　　关断过程损耗。指在 MOSFET 关断过程中 逐渐上升的漏源电压 VDS(on_off) (t) 与逐渐 下降的漏源电流 IDS(on_off)(t) 的交叉重 叠部分造成的损耗。　　关断过程损耗计算：　　如上图所示，此部分损耗计算原理及方法跟 Poff_on 类似。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx 。　　然后再通过 如下公式计算：　　Poff_on= fs ×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) × dt　　实际计算中，针对这两种假设延伸出两个计算公式：　　(A) 类假设 Poff_on=1/6 × VDS(off_beginning) × Ip2 × tf × fs　　(B) 类假设 Poff_on=1/2 × VDS(off_beginning) × Ip2 × (td(off)+tf) × fs　　(B) 类假设可作为最恶劣模式的计算值。　　说明：　　IDS(on_end) =Ip2 ，电源使用中这一参数往往是激磁电流 的末端值。因漏感等因素， MOSFET 在关断完成后之 VDS(off_beginning) 往往都有一个很大的电压尖峰 Vspike 叠加其 上，此值可大致按经验估算。　　5、驱动损耗Pgs　　驱动损耗，指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗　　驱动损耗的计算：　　确定驱动电源电压 Vgs 后，可通过如下公式进行计算：　　Pgs= Vgs × Qg × fs　　说明：　　Qg 为总驱动电量，可通过器件规格书查找得到。　　6、Coss电容的泄放损耗Pds　　Coss电容的泄放损耗,指MOS输出电容 Coss 截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。　　Coss电容的泄放损耗计算：　　首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS ，再通过如下公式进行计算：　　Pds=1/2 × VDS(off_end)2 × Coss × fs　　说明：　　Coss 为 MOSFET 输出电容，一般可等于 Cds ，此值可通过器件规格书查找得到。　　7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f　　体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。　　体内寄生二极管正向导通损耗计算：　　在一些利用体内寄生二极管进行载流的应用中(例如同步整流)，需要对此部分之损耗进行计算。公式如下：　　Pd_f = IF × VDF × tx × fs　　其中：IF 为二极管承载的电流量， VDF 为二极管正向导通压降， tx 为一周期内二极管承载电流的时间。　　说明：　　会因器件结温及承载的电流大小不同而不同。可根据实际应用环境在其规格书上查找到尽量接近之数值。　　8、体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover　　体内寄生二极管反向恢复损耗，指MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。　　体内寄生二极管反向恢复损耗计算：　　这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下：　　Pd_recover=VDR × Qrr × fs　　其中：VDR 为二极管反向压降， Qrr 为二极管反向恢复电量，由器件提供之规格书中查找而得。　　MOS设计选型的几个基本原则　　建议初选之基本步骤：　　1、电压应力　　在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：　　VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS　　注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS值作为参考。　　2、漏极电流　　其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即：　　ID_max ≤ 90% * ID　　ID_pulse ≤ 90% * IDP　　注：一般地， ID_max 及 ID_pulse 具有负温度系数，故应取器件在最大结温条件下之 ID_max 及 ID_pulse 值作为参考。器件此参数的选择是极为不确定的—主要是受工作环境，散热技术，器件其它参数(如导通电阻，热阻等)等相互制约影响所致。最终的判定依据是结点温度(即如下第六条之“耗散功率约束”)。根据经验，在实际应用中规格书目中之 ID 会比实际最大工作电流大数倍，这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max。　　3、驱动要求　　MOSFEF 的驱动要求由其栅极总充电电量( Qg )参数决定。在满足其它参数要求的情况下，尽量选择 Qg 小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离最大栅源电压( VGSS )前提下使 Ron 尽量小的电压值(一般使用器件规格书中的建议值)　　4、损耗及散热　　小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差(同样耗散功率条件下)，故有利于散热。　　5、损耗功率初算　　MOSFET 损耗计算主要包含如下 8 个部分：　　PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover　　详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合，还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。　　6、耗散功率约束　　器件稳态损耗功率 PD,max 应以器件最大工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度，则可以按如下方法估算出最大的耗散功率：　　PD,max ≤ ( Tj,max - Tamb ) / Rθj-a　　其中 Rθj-a 是器件结点到其工作环境之间的总热阻 , 包括 Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance 等。如其间还有绝缘材料还须将其热阻考虑进去。
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发布时间：2023-08-14 15:25 阅读量：2617 继续阅读>>
欧姆龙：新推出<span style='color:red'>开关电源</span>S8VK-WA 2000W
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欧姆龙：新推出开关电源S8VK-WA 2000W

　　2023年7月，欧姆龙自动化(中国)有限公司新品【开关电源S8VK-WA 2000W】正式发布。该产品系列符合Value Design for Panel理念，助力节省空间和工时;进一步融入环保考量，支持环保、节省电力和资源。通过低功耗的控制柜设计，为制造现场的电力和资源节约做出贡献，助力实现碳中和。　　全球变暖和气候变化引发的自然灾害是全球性的社会课题，需要全球150多个国家和地区为实现低碳社会做出努力。欧姆龙以生产现场的核心控制柜制造为基础，以2025年欧姆龙控制柜CFP温室气体(GHG)排放量减半为目标，提出了全新控制柜制造方案。　　欧姆龙对控制柜内产品规格采用共通的理念“Value Design for Panel”， 实现了控制台的工时减少和节省空间，解决了制造现场人手不足等社会问题。【开关电源S8VK-W/S8VK-S系列】通过追加新的“环保的控制柜制造”理念，为生产现场的脱碳化做出贡献，为实现可持续性生产做出贡献。　　1、采用低功耗设备减少控制柜的GHC排放量　　►►►控制柜的功耗课题　　控制柜中运行的许多设备都有功耗，这些电力会在各设备内部消耗并以热量的形式散出。其中，直流电源是功耗较大的设备之一。　　本公司以往产品 600W×3台(=1800W)　　89.5%典型值/AC200V　　输入2172W，输出1944W，此时功率损耗228W。　　年CO2排放量=228Wh(功率损耗)×8小时×365天×0.4591g-CO2/Wh=306kg/年　　►►►S8VK-WA 2000W　　95.4%典型值/AC200V　　输入2172W，输出2040W，此时功率损耗99W。　　年CO2排放量=99Wh(功率损耗)×8小时×365天×0.4591g-CO2/Wh=133kg/年　　使用更高效的S8VK-WA 2000W可降低控制柜内功耗，减少CO2排放量，GHC大幅度削减!　　CO2排放量削减：306kg -133kg =173 kg　　GHC削减率：(306kg-133kg)/306kg=56.5%　　2、欧姆龙技术实现低功耗设备　　►►►采用交错式，提升高谐波抑制回路的效率　　交错式是通过改变由晶体管、二极管和电感组成的2组高谐波抑制回路的相位，降低纹波电流的技术。　　追求部件性能　　采用磁模拟技术优化变压器的卷线规格和磁芯间隙以降低功耗(发热)。　　►►►建模技术实现自然空冷　　建模验证部件发热和对流，实现理想的部件布局。　　►►►轻负载下也能提升效率　　►►►削减相同负载下的CO2排放　　欧姆龙控制柜，在保持以往设计理念的基础上，通过选择低功耗设备，实现控制柜的电力节省，打造环保的控制柜。
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发布时间：2023-08-02 09:20 阅读量：2225 继续阅读>>

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