一文盘点开关电源MOS损耗,看看你了解哪种损耗类型吧!
01导通损耗
为什么有导通损耗:MOSFET线性区等效为电阻,与GS电压相关。通过电流有损耗。
如何计算导通损耗:(I2R)电阻乘电流平方计算。需查询Datasheet MOS RDSON,注意和Gate驱动电压相关。
02开关损耗
为什么有开关损耗:硬开关拓扑,MOSFET开关经过饱和区,需对CGD充放电经过饱和区进入线性区。
如何计算开关损耗:需查询Datasheet MOS Eon和Eoff,乘Frequency频率计算。 03驱动损耗
为什么有驱动损耗:驱动MOSFET Gate门极需要反复充放电。消耗电荷在驱动回路。
如何计算驱动损耗:需查询MOSFET门极驱动特性。驱动到驱动电源轨道,需要多少电荷。乘频率和电源轨电压计算。
04反向续流损耗
为什么有续流损耗:开关电源死区通过MOSFET的寄生二极管续流。
如何计算续流损耗:需查询MOSFET寄生二极管压降。同时分析死区占总周期的比值。U*I*DT/Ts即可计算。
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