小华<span style='color:red'>半导体</span>荣登2025冷暖百强榜,明星产品撑起国产化底气!
  近日,第9届中国“冷暖智造”大奖核心榜单——“2025年度冷暖百强榜”在上海发布。国内领先MCU厂商小华半导体凭核心MCU控制芯片国产化的突破与稳定供应能力,斩获“冷暖供应链百强企业”,成为榜单中少数以芯片技术入围的国产企业,彰显国产芯片在冷暖智造领域的硬实力。  “冷暖百强榜”由产业在线打造,从品牌影响力、科技创新力、产品竞争力、市场表现力四大维度严苛筛选,获奖厂商覆盖全产业链。小华半导体此次获奖,不仅是其综合实力得到行业认可,更标志着国产芯片已经成为冷暖产业“智造升级”的核心力量,打破了进口品牌芯片的长期垄断局面。  破壁而出:HC32F460成国产化先锋  小华半导体的HC32F460系列MCU自面市起,立即成为空调室外双变频芯片的国产化“破局者”。HC32F460功能丰富,性能强悍,满足客户多场景应用需求;抗干扰性能强,在室外高温、高湿、强电磁的严酷环境下依然保持长期稳定工作。凭借这些优异特性,该系列芯片已经在家电领域累计出货上亿颗,扭转了行业长期依赖进口品牌芯片的被动局面。  精益求精:HC32F448实现集成度突破  HC32F448系列MCU聚焦空调室外机变频场景,在变频技术优势上实现集成度再升级,以硬核性能适配复杂控制需求。这款芯片主频高达200MHz,数据处理能力强劲,可稳定应对多设备协同控制;内置电机驱动专用定时器,能输出三相互补 PWM 波形且带硬件死区,精准适配风机、压缩机调速;还搭载 3 单元 12 位 2.5Msps 高速采样 ADC、2 路 DAC 及 4 路比较器。凭借高电机运算性能、丰富功能集成与高精度模拟性能,芯片可轻松实现“压缩机+风机+高频PFC”三合一单芯片控制,助力客户简化设计、降本增效。目前,HC32F448 已在头部客户大规模出货,市场反响良好。  全域覆盖:产品矩阵拓宽应用边界  除空调室外变频MCU外,小华半导体进一步拓展场景,打造覆盖家电领域的主控与主变一体解决方案。其中,HC32L180系列实现空调室内机单芯片控制,集成主控与风机变频功能;HC32F115、HC32F155系列通用MCU,凭借丰富通讯接口与高性价比,成为空调内机、冰箱、洗衣机主控优选,拓宽冷暖及家电产业应用边界。  新推出的HC32M413芯片更具突破,120MHz高主频搭配Cache、电机加速单元及增强模拟特性,为洗衣机主变一体、高端空调内机主变一体注入新活力。芯片集成3.6Msps高速ADC、高精度CMP与高性能OPA单元,还具备丰富的UART等通讯接口,是中高端单电机驱动芯片的最佳选择。  小结  此次登榜是行业对小华半导体MCU国产化成果的肯定。未来,小华半导体将迭代功能集成更丰富、处理性能更高、抗干扰性能更强、品质更高的MCU,让行业客户易用、好用、想用小华半导体MCU,为中国“冷暖智造”注入国产芯片强劲的动力。
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发布时间:2025-09-29 17:02 阅读量:262 继续阅读>>
顾邦<span style='color:red'>半导体</span>:60V高压降压转换器GBI1630A
  顾邦半导体GBI1630A,60V高压降压转换器GBI1630A,支持3A持续电流输出能力,具有超高效率、优异热性能、超低静态功耗等产品特点,适用于48V/53V、24V、12V宽范围输入轨。  广泛应用于POE网络产品、工业控制、仪表显示等应用场景。  产品概述  GBI1630A支持4.5V到60V宽电压输入范围,集成150mΩ 上管MOSFET。 GBI1630A采用峰值电流控制模式。通过外部电阻或同步时钟信号设置从200 kHz到2MHz的宽可调开关频率范围,使应用更加灵活,应用场景更加丰富。支持高达2MHz开关频率,进而实现应用方案小型化,并降低成本。  GBI1630A 在休眠模式下的静止电流为100uA,关机电流为1uA,适合用于电池供电的系统。  GBI1630A 带外部SS引脚,可以实现软启动时间可调功能。默认输入启动电压为4.2V,迟滞电压为350 mV。可通过连接EN引脚的两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定阈值,以满足更精确的UVLO系统要求。  此外,GBI1630A 集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出过电压保护和输入电压欠压保护等保护功能,进一步保障器件使用可靠性。  产品特性  • 峰值电流控制模式  • 0.8V ± 1% 参考电压(全温)  • 150mΩ 高侧 MOSFET 导通电阻  • 支持3A连续输出电流  • 轻载的工作模式为跳脉冲模式  • 可调频率:200kHz~2MHz  • SS引脚实现软启动时间可调  • 工作结温-40°C ~ 125°C  • eSOP-8封装  系统应用图  产品性能  GBI1630A 采用峰值电流控制模式,可实现全负载内高效率工作。轻载下跳频工作模式(PSM),大大降低了开关损耗。下图展示了GBI1630A全负载范围内优异的效率。  GBI1630A 热特性相较于友商60V/5A,热性能优势明显:  GBI1630A 响应速度快,输出负载变化下具有优秀的动态响应性能:
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发布时间:2025-09-24 11:27 阅读量:251 继续阅读>>
里阳<span style='color:red'>半导体</span>:PHY芯片的防护指南
  随着智能电动汽车技术的快速发展,车载通信网络正由传统的CAN、LIN总线架构向以太网架构加速演进。以太网凭借高速率、高拓展性和轻量化布线等优势,已逐渐成为新一代汽车电子系统中的核心通信方式。而在这一通信链路中,PHY芯片作为物理层的关键组件,承担着信号收发与转换的重要职责。  一、什么是PHY芯片  PHY(Physical Layer)芯片是车载以太网中物理层的核心器件,主要负责将 MAC 层传输的数字信号“翻译”为可在物理介质(如电缆、光纤等)上传输的模拟信号,并确保数据在复杂环境下的稳定传输。在车载系统中,PHY芯片广泛应用于 ECU、雷达、摄像头等模块之间的连接,是实现高速通信与系统协同的“桥梁”。因此,对PHY芯片进行专业有效的防护,已成为保障车载以太网稳定运行的关键环节。  二、PHY芯片防护设计  车载环境往往伴随着高温、强震、电磁干扰(EMI)、静电放电(ESD)等极端工况,PHY芯片因直接连接通信线缆,容易受到浪涌、ESD及共模噪声等威胁,可能导致通信中断甚至芯片损坏。  作为专注于车规级保护器件的企业,里阳半导体基于OPEN Alliance标准,推出了满足10BASE-T1S及100/1000BASE-T1应用需求的ESD保护方案,致力于为车载以太网提供可靠的信号防护能力。  以下是两种推荐方案:  方案一  方案二  三、器件参数  方案一:LY23AC24UL-Q:用在耦合电容前;符合AEC-Q101车规认证;满足IEC 61000-4-2;  封装形式:SOT-23;  标准:空气放电/接触放电 ±20kV;  特性:低漏流、低钳位电压、快速响应;超低结电容(1.2pF),对高速差分信号影响极小;  LY23AC24UL-Q凭借高可靠性和低电容 性,既能有效防护PHY芯片,又不会对高速差分信号造成干扰,是构建安全、稳定车载以太网通信链路的理想选择。  LY23AC24UL-Q部分参数  LY23AC24UL-Q外观参考图  方案二:LY8AC05UL-Q:用在耦合电容后;符合AEC-Q101车规认证;满足IEC 61000-4-2静电放电标准;  封装形式:DFN1006;  特性:极低结电容(小于 1pF)、低漏流、低钳位电压;  适用于对差分信号完整性要求较高的应用场景LY8AC05UL-Q能够有效防止ESD对通信接口的冲击,同时可避免增加对通信线路的阻抗,提升整体通信稳定性。  LY8AC05UL-Q部分参数  LY8AC05UL-Q外观参考图  四、结语  现已有很多主流整车厂使用以太网作为骨干网络来替代部分甚至全部CAN/LIN通信,特别是在高算力、重感知的智能电动汽车中已成为主流架构选择。而作为网络信号的起点,PHY芯片的稳定运行至关重要。若您有任何防护器件的选型需求,可联系里阳半导体或者AMEYA360进行技术支持。
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发布时间:2025-09-23 16:03 阅读量:287 继续阅读>>
模拟驱动芯片—强力业务模块下彰显的顾邦<span style='color:red'>半导体</span>实力!
  在新能源汽车、储能、工业自动化、AI加速器等终端场景日益涌现之际,作为功率器件开关的“指挥官”——栅极驱动芯片(Gate Driver),迅速从幕后走向舞台中央。  作为业务板块的重要组成,顾邦半导体多年来,为业界大规模出货多款栅极驱动产品,推动模拟驱动产品国产化:  低边驱动器系列(Low-Side Driver)  介绍  栅极低边驱动器(Low-Side Gate Driver)专门用于控制功率器件(如MOSFET、IGBT)的低端(Low-Side)开关。其核心功能是将控制信号转换为高电流驱动信号,确保功率器件快速、可靠地导通和关断。‌顾邦半导体低边驱动器主要涵盖以下功能:  01电平转换  • 将低压逻辑信号(如3.3V/5V)转换为高压驱动信号(如12V/17V),适配功率器件的栅极电压需求。  • 具有输入逻辑信号的正反相功能;并兼容逻辑信号的负压输入。  02快速开关控制  • 提供瞬态拉电流(Pull-Up Current)和灌电流(Sink Current),缩短功率器件的开关时间,降低开关损耗‌。  • 应用可以通过优化栅极驱动阻抗,抑制米勒效应导致的误触发‌。  03 保护功能  • 集成欠压锁定(UVLO)保护机制,防止功率器件因异常工况损坏‌。  应用场景  01 电机驱动系统  • 直流电机控制‌:在H桥电路中驱动低端MOSFET,调节电机电流方向,实现正反转或调速‌。  • 步进电机驱动‌:配合微控制器(MCU)的PWM信号,精准控制步进电机的相位切换‌。  • 工业电机‌:如泵、风扇等设备的启停控制,需快速响应且对成本敏感的场景‌。  02 开关电源(SMPS)  • 降压转换器(BUCK)‌:驱动低端开关管,配合高端MOSFET实现高效DC-DC电压转换‌。  • 同步整流‌:在次级侧驱动低端MOSFET替代肖特基二极管,降低导通损耗‌。  03 工业逆变器  • 与高端驱动器配合,驱动IGBT模块完成三相逆变‌。  顾邦产品推荐  半桥驱动器(Half-Bridge Driver)  介绍  半桥驱动芯片是用于控制功率器件(如MOSFET、IGBT)半桥拓扑的核心集成电路,通过高/低侧驱动信号实现高效开关控制,广泛应用于电机驱动、电源转换及逆变系统。顾邦半导体板桥驱动器主要涵盖以下功能:‌  01电平转换与驱动增强  • 将低电压逻辑信号(如3.3V/5V)转换为高电压驱动信号(如12V/17V),以驱动功率器件的栅极‌.  • 提供足够的驱动电流(如峰值2A/4A),确保功率器件快速开关,降低开关损耗‌。  02半桥拓扑控制  • 根据逻辑信号的输入,同时驱动高侧(High-Side)和低侧(Low-Side)两个开关管的交替导通,实现直流-交流(逆变)或直流-直流(降压/升压)转换‌。  • 支持同步整流、LLC谐振等拓扑结构,提升电源转换效率。  03  保护机制和集成功能  • 欠压锁定(UVLO)‌:防止电源电压不足时误触发开关‌。  • 自锁保护‌:避免高侧与低侧开关管同时导通导致短路‌。  • 集成自举二极管:无需外部自举二极管,节约应用方案成本与面积。  应用场景  01 电机驱动与控制  • 直流电机‌:在H桥电路中驱动低端MOSFET,实现电机正反转与调速‌。  • 无刷电机(BLDC)‌:通过PWM信号控制三相桥臂,驱动电动自行车、吸尘器等设备‌。  • 步进电机‌:配合MCU实现精准相位切换,适用于工业自动化‌。  02 电源转换与逆变系统  • 开关电源(SMPS)‌:用于LLC谐振转换器、同步整流等,提升DC-DC转换效率‌。  • 逆变器‌:将直流电转换为交流电,应用于太阳能逆变器、UPS电源‌。  03 工业与汽车电子  • 新能源汽车‌:驱动电机预驱系统,支持多电机同步控制‌。  • 工业自动化‌:用于伺服电机、分布式IO模块,提供高精度电流检测与保护。  顾邦产品推荐  GBI7A54功能展示:GBI7A54可承受低于-20V的HS瞬态电平  半桥中点振荡严重,更低的负压耐受能力提供更高的系统可靠性, GBI7A54在110℃下,可承受HS-24V/100kHz 连续运行60小时。
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发布时间:2025-09-19 14:45 阅读量:284 继续阅读>>
中国大陆7家<span style='color:red'>半导体</span>设备商营收排名统计(2025H1)
顾邦<span style='color:red'>半导体</span> GBI1632 异步降压转换器,为高效电源管理注入新活力
  顾邦半导体推出新款GBI1632异步降压转换器,支持4.5V至60V的宽电压输入,具备3A持续电流输出,适用于多种工业与通信应用环境。  GBI1632在高效、低功耗设计方面表现出色,是解决复杂电源管理需求的理想之选。  产品指标概述  GBI1632支持4.5V到60V宽电压输入范围,集成150mΩ 上管MOSFET。  GBI1632采用峰值电流控制模式。通过外部电阻或同步时钟信号设置从200 kHz到2MHz的宽可调开关频率范围,使应用更加灵活,应用场景更加丰富。支持高达2MHz开关频率,进而实现应用方案小型化,并降低成本。  GBI1632在休眠模式下的静止电流为100uA,关机电流为1uA,适合用于电池供电的系统。  GBI1632带外部SS引脚,可以实现软启动时间可调功能, SS 引脚悬空默认软起时间400us。默认输入启动电压为4.2V,迟滞电压为350 mV。可通过连接EN引脚的两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定阈值,以满足更精确的UVLO系统要求。  此外,GBI1632集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出过电压保护和输入电压欠压保护等保护功能,进一步保障器件使用可靠性。  典型应用领域  GBI1632专为12V、24V、48V以及52V轨道应用设计,特别适用于工业设备和网络通信领域,帮助实现更高效的电源转换与成本控制。通过灵活的开关频率调整(200kHz至2MHz),GBI1632能够轻松适应多种应用需求。  参数一览  • 峰值电流控制模式  • 0.75V ± 1% 参考电压(全温)  • 150mΩ 高侧 MOSFET 导通电阻  • 支持3A连续输出电流  • 轻载的工作模式为跳脉冲模式  • 可调频率:200kHz~2MHz  • SS引脚实现软启动时间可调  • 输出过流、输出短路下打嗝保护模式  • 工作结温-40°C ~ 125°C  • eSOP-8封装  产品性能  GBI1632异步降压转换器在全负载范围内均展现了卓越的效率特性,尤其在轻载时,其跳频模式大幅减少开关损耗,确保系统的高效稳定运行。  系统框架图
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发布时间:2025-09-10 14:13 阅读量:308 继续阅读>>
安世<span style='color:red'>半导体</span>宣布推出符合AEC-Q100标准的多路复用器,为汽车应用提供优异的可靠性
  Nexperia(安世半导体)近日宣布其产品组合新增一款符合 AEC-Q100(1级)标准的器件,旨在满足高要求汽车应用对可靠性的需求。NMUX27518-Q100 是一款双向 6 通道 2:1 多路复用器,可通过 qSPI 端口实现内存扩展,适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)域控制器、车载主机及远程信息处理控制单元等安全关键型车载应用。此外,该开关的标准版本 NMUX27518 还可用于消费类与企业级应用的音视频信号路由场景,例如笔记本电脑、平板电脑、主板、机架式服务器等设备。  NMUX27518 和 NMUX27518-Q100 多路复用器可在 1.08 V 至 3.63 V 的宽电压范围内工作,在业内处于领先水平。两款器件均兼容数字与模拟信号,且能够在任一方向传输电压值接近电源电压(VCC)水平的信号。配备的两个控制引脚可同时对三个 1:2 多路复用器进行控制,不仅兼容 1.8 V 逻辑阈值,还向后兼容 2.5 V、3.3 V 逻辑阈值的;同时,未使用的输出可设置为高阻抗状态。该系列开关的带宽为500 MHz,达到同类竞品器件的两倍,有助于更好地保持快速上升与下降时间。此外,通道间端口偏移较低(典型值为150 ps),有助于优化建立时间和保持时间。  Nexperia IC 解决方案事业部总经理 Irene Deng 表示:  Nexperia 始终致力于推出在质量与性能方面树立标杆的产品,这使我们倍感自豪。NMUX27518-Q100 符合 AEC-Q100 1级标准,体现了我们践行超越基础标准要求、保障产品高质量与高可靠性的承诺。这一产品优势不仅能为汽车行业提供所需的可靠性能支持,还可满足下一代安全关键型与高性能应用在带宽及多功能性方面的需求。  NMUX27518 与 NMUX27518-Q100 均采用 24 引脚塑料超薄小外形封装(TSSOP24),主体宽度仅为 4.4 mm。同时,两款器件还提供24端子塑料热增强型无引脚超薄四侧扁平封装(HWQFN24),端子间距为 0.5 mm,主体尺寸为 4 mm ×4 mm ×0.75 mm。在工作温度范围方面,两款器件均能在 -40℃ 至 +125℃ 的环境下稳定运行。
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发布时间:2025-09-10 14:08 阅读量:315 继续阅读>>
顾邦<span style='color:red'>半导体</span>:小电流大智慧!GBI1A00 高压精控快响应
  顾邦半导体 100V 同步降压转换器 GBI1A00,支持 0.5A 持续电流输出,具有低输出纹波和高效率等特点,适用于 48V、60V 和 72V 高压输入轨,广泛应用于电表、电机驱动、通信设备及隔离输出等场景。  1. 产品概述  GBI1A00支持6V到100V宽电压输入范围,集成540mΩ上管/230mΩ下管MOSFET 和内部VCC LDO用以内部驱动供电,无需使用外部续流二极管和外部VCC引脚电容,实现了小型化和低成本的高压应用方案;  GBI1A00采用COT(Contant On Time)控制模式,具有优化的负载动态响应;支持100k-500kHz可配置开关频率范围,提供多样的应用需求。轻载下采用PFWM模式,实现全负载范围内低纹波输出,并且可以实现隔离输出。  GBI1A00带外部PG 引脚,可以实现输出电压good指示功能。默认输入启动电压为5.15V,迟滞电压为200 mV,可通过连接EN引脚的两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定阈值,以满足更精确的UVLO系统要求。  此外,GBI1A00集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出短路以及输入电压欠压保护等保护功能,进一步保障器件使用可靠性。  2. 产品特性  • COT控制模式  • 1.2V ± 1.5% 参考电压(全温)  • 540mΩ上管/230mΩ下管 MOSFET导通电阻  • 支持0.5A连续输出电流  • 轻载的工作模式为FPWM模式  • 100kHz-500kHz开关频率  • PG引脚实现 power good 指示功能  • 精确的使能引脚电压  • 使能引脚实现输入电压UVLO可控功能  • 工作结温-40°C ~ 125°C  • e-SOP8封装  3. 系统框架图
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发布时间:2025-09-09 14:00 阅读量:309 继续阅读>>
极海<span style='color:red'>半导体</span>芯片入选 《2025中国汽车芯片供给手册》
  2025年9月4日,在无锡召开的"2025集成电路(无锡)创新发展大会"系列活动——"2025汽车芯片产业创新生态会议"上,中国汽车芯片产业创新战略联盟正式发布《2025中国汽车芯片供给手册》。极海半导体3大系列车规级芯片产品实力入选该权威手册,彰显了极海在汽车电子芯片领域的技术创新力和产品可靠性。  本次手册由国家相关部委指导,中国汽车芯片产业创新战略联盟联合近百家芯片企业共同编制,旨在建立国产汽车芯片产品数据库,推动优质国产芯片上车应用。极海入选的3大系列产品覆盖汽车电子多个关键领域,包括:  传感类芯片:GURC01、G32A217——超声波传感和信号处理器  GURC01是国产首款顺利量产的超声波传感和信号处理器,突破了国际专利垄断,主要用于汽车距离测量辅助系统中,在测量长短距离物体上具有优异的性能表现;该芯片集成丰富的配置资源,具备高精度定位、即时信号处理、快速实时响应等功能;同时具备小体积、算法集成、抗干扰性强等特点。通过AEC-Q100 Grade 2车规可靠性认证。  G32A217是全自研国产首款符合AK2标准的超声波传感和信号处理器,内置MCU (Cortex-M0+ )和DSP,集成DSI3总线通信接口,实现独立双通道通信;采用全国产供应链,成功突破国外技术封锁;具备卓越的探测性能,可实现远距离探测、多目标识别、盲区优化等;支持点对点、菊花链、并行等连接方式,实现数据融合与通信,该系列产品通过AEC-Q100 Grade 2车规可靠性认证,于2025年4月与广汽集团联合发布。  控制类芯片:G32A1445/1465——汽车通用MCU  G32A1445/G32A1465汽车通用MCU,采用40nm先进制程工艺,搭载Cortex-M4F内核,具备高速运算能力、大容量存储空间和丰富外设资源;严格按照车规级设计理念及生产标准,符合IATF 16949质量标准要求;内置多种安全加密模块,可提供出色的功能安全与信息保障;在安全、性能、功耗上更能满足智驾行业的创新应用需求。产品通过AEC-Q100 Grade 1车规可靠性认证,ISO 26262 ASIL-B功能安全产品认证。  驱动类芯片:GALT61120、GALT62120——车灯LED驱动器  GALT61120汽车前灯LED矩阵控制芯片,专为汽车智能照明系统设计。在技术层面已经达到了国际领先水平,成功填补国内市场空白,显著增强了智驾车灯系统的互操作性与驾驶安全,为汽车智能照明带来更多创新功能,并且解决了汽车前大灯在设计时面临的照射长距离、光束自由切换、防眩光等问题,通过AEC-Q100 Grade 1车规可靠性认证。  GALT62120汽车高边LED驱动器,支持12通道精密高边电流输出,可提供像素级LED独立控制;集成可编程12位PWM调光,实现线性和指数调光;支持LED开路/短路检测、过温保护等功能,符合AEC-Q100 Grade 1标准。  这一入选是对极海产品技术实力和市场应用价值的充分肯定,也标志着其产品在可靠性、安全性和性能方面获得行业权威认可。  极海现已形成三大汽车电子芯片产品阵列,包括G32A系列汽车通用及实时控制MCU、GURC/G32A系列超声波传感器和信号处理器,以及GALT系列车灯LED驱动器。这些产品凭借低功耗、高性能、高集成度、功能安全与信息安全等核心特性,广泛应用于智能座舱、辅助驾驶、车身与舒适系统、动力与底盘系统等多个汽车电子领域。  极海相关汽车电子芯片产品均已通过AEC-Q100车规可靠性认证,符合ISO 26262功能安全认证标准,具备完善的量产级软硬件生态系统支持,能够有效助力整车厂与零部件企业实现更灵活、可靠的芯片选型与系统设计,进一步推动中国智能汽车电动化、智能化转型。极海将持续创新,为汽车产业电动化、智能化升级提供可靠的芯片解决方案,助力中国汽车芯片产业自主可控和创新发展。
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发布时间:2025-09-08 13:27 阅读量:753 继续阅读>>
全球<span style='color:red'>半导体</span>研发投入Top20:英特尔第一,台积电第七!
  9月2日,半导体研究机构TechInsights发布了一份最新的研究报告,披露了2024年全球半导体企业投资排名前20位的厂商名单。  报告显示,深陷“财务危机”的英特尔依旧以165.46亿美元的研发投入占据着第一的位置,紧随其后的前十厂商分别是英伟达、三星电子、博通、高通、AMD、台积电、联发科、美光和SK海力士。而要上Top20榜单,研发投入的门槛则是9.69亿美元。  整体来看,排名前20位的半导体公司的研发支出总额达986.8亿美元,同比增长了17%,约占全球半导体行业研发支出总额的96%。排名前20位的半导体公司平均研发支出占销售额的比重为15.8%。  从研发支出同比变化来看,有15家公司同比增加了研发支出,剩下的5家公司的研发支出则同比下滑。  报告指出,英特尔2024年在研发上的投入最多,达到165.46亿美元,主要用于其代工业务,包括18A(1.8纳米)工艺,较前一年增长3.1%。  英伟达位居第二,研发投入达125亿美元,同比增长47%。  三星电子则将研发投入从上一年的55亿美元大幅提升至95亿美元,排名从第七跃升至第三。然而,三星电子的年增长率最高(71.3%)。TechInsights评估道:“三星电子在尖端工艺节点领域与台积电、英特尔和Rapidus等领先公司展开竞争,同时在DRAM和NAND闪存市场也与其他厂商展开激烈竞争,而这两个市场在过去三年中一直面临困境。”  在研发投入占销售额比例方面,英特尔以33.6%高居榜首,其次是博通(30.3%)、高通(25.9%)和AMD(25.0%),美国半导体公司占据前列。二十大公司的平均研发支出占销售额比例为15.8%,而三星电子和SK海力士分别为11.7%和6.99%,低于整体平均水平。值得一提的是,尽管SK海力士的研发投入较前一年增加了32%以上,但由于其销售额几乎翻倍,研发占比反而下降。  TechInsights预测,英伟达有望在明年成为研发投入最多的公司。  需要指出的是,台积电是研发投入超过10亿美元的公司中唯一一家纯晶圆代工厂。台积电于2010年首次进入研发投入前十名(排名第10)。2010年的研发支出为9.43亿美元,到2024年增长574%,达到63.57亿美元,这是台积电13年来首次达到这一水平。  在2024年研发支出排名前十的公司中,有6家总部位于美国,2家位于中国台湾,2家位于韩国。前十家公司中有5家是无晶圆厂半导体公司,分别是高通、英伟达、AMD、博通和联发科。4家是IDM公司(英特尔、三星电子、美光和恩智浦)。  在研发支出排名前11至20的公司中,有5家总部位于美国,3家位于欧洲,2家位于日本。其中,IDM公司占9家,无晶圆厂半导体公司仅1家。
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发布时间:2025-09-04 17:15 阅读量:413 继续阅读>>

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