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类比<span style='color:red'>半导体</span>推出全新第二代高边开关芯片HD8004

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类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD8004

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD8004，单通道低内阻4.3mΩ产品。自类比第一代高边开关芯片HD7XXX系列2023年面世以来，该系列产品已经在国内外知名Tier1和车厂大批量出货，高边开关系列产品累计出货量已突破千万颗。为解决国产1-4mΩ低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险，类比半导体联合上下游供应链历经两年解决工艺，设计和封装等关键技术难点，实现高边开关芯片产品国产化新的进步。　　HD8004系列产品特性　　内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需外围增加TVS和防反二极管，减少系统电路复杂度和降低成本　　工艺、设计、封装三方联合攻关，实现比肩国际厂商高边芯片产品的散热能力　　多重保护功能和CS负载诊断，快速过流保护和动态过温保护专利技术　　高精度的负载电流采样阈值，高阶温度补偿专利技术，实现低温漂的负载电流采样阈值

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类比半导体

发布时间：2025-05-20 10:07 阅读量：169 继续阅读>>

东芝<span style='color:red'>半导体</span>，“硬核”加持空气净化器

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东芝半导体，“硬核”加持空气净化器

　　随着人们对室内空气质量的关注度日益提升，空气净化器已成为现代家庭和办公环境中不可或缺的设备。为了满足消费者对高效净化、低能耗以及紧凑设计的期待，半导体技术在空气净化器中的应用变得至关重要。东芝半导体凭借其在半导体领域的深厚积累，为空气净化器的电源管理、电机驱动和传感器信号处理等关键单元提供了多样化的解决方案，帮助设备实现更高的性能和可靠性。　　无刷直流电机控制IC　　空气净化器的核心组件之一是无刷直流电机(BLDC)，其性能直接影响能效、噪音和寿命。东芝推出的TB6584FNG、TB6584AFNG和TB6586AFG等电机控制IC，通过自动导通角控制和正弦波驱动技术，实现高效、低噪运行。相比传统的方波驱动，正弦波驱动能显著降低电流波形波动，从而减少电机振动和噪音。此外，东芝提供第三方评估板和PSpice®仿真数据，助力开发者快速优化电机驱动设计。　　低功耗、高效的MCU　　东芝的TMPM036FWG和TMPM037FWUG是低功耗、高效的MCU，专为需要高性能信号处理和小型封装的应用场景(如空气净化器)设计。它们基于Arm Cortex®-M0内核，结合NANO FLASH™技术，兼具低功耗与高性能。它们内置多通道AD转换器，能高效处理传感器数据，非常适合空气净化器中的空气质量监测和信号处理需求。小型封装设计进一步节省空间，为设备小型化提供支持。　　高效整流二极管CMG06A　　在空气净化器的电源管理与电机控制系统中，整流二极管扮演着至关重要的角色。东芝的CMG06A整流二极管采用M-FLAT™表面贴装封装，与传统引线式器件相比，能够显著降低高度，减少电路板占用空间，同时提升设备内部组件的集成度。其电压范围覆盖200 V至1000 V，电流范围0.5 A至3 A。其正向特性曲线表明，在不同温度条件(如125°C、75°C、25°C、-55°C)下，器件均能保持稳定的正向电流特性，有效适应空气净化器在各种环境下的工作状态。　　双极型晶体管2SC6026CT　　在空气净化器的PCB设计中，空间优化是关键因素之一。2SC6026CT晶体管以低饱和电压和多样的封装形式(如平引线、无引线)满足PCB空间优化的需求。即使在高负载下，它也能保持低导通损耗，提升能效。同时，其优异的静电放电(ESD)防护能力增强了设备在复杂环境中的稳定性，延长使用寿命。从VCE(sat) - IC特性曲线可以看出，如下图，在不同温度条件下 (-25°C、25°C、100°C)，2SC6026CT的饱和压降始终保持在较低水平，确保其在不同环境条件下均能稳定工作。　　高压智能功率驱动器(IPD)　　TPD4162F IPD产品优化了BLDC电机驱动，集成三相逆变电路及多种保护功能(如过流、过热、欠压保护、电流限制、热关断)，减少外部元件并缩小PCB面积。东芝还提供TPD4204(MOSFET输出)和TPD4163F/TPD4163K/TPD4164F/TPD4164K(IGBT输出)等IPD产品，支持直接通过MCU信号实现高效变速驱动。高压与控制端口分离设计进一步降低电磁干扰，提升信号完整性。　　低功耗运算放大器　　TC75S102F和TC75S67TU运算放大器专为传感器系统设计，低至0.27µA(TC75S102F)的工作电流和6.0 nV/√Hz(TC75S67TU)的噪声水平，确保信号放大的高精度与低功耗。这不仅提升空气净化器的感知能力，还延长电池续航。　　晶体管输出光耦合器　　东芝的TLP383/TLP293/TLP385光耦合器采用高电流传输比(CTR)和高温稳定性设计，能够在低输入电流条件下实现高效信号隔离，确保空气净化器在不同环境条件下的稳定运行。通过优化设计，TLP系列光耦在极端温度下(-55°C至110°C或125°C)依然能稳定工作，确保设备长期可靠运行。　　从无刷直流电机控制到低功耗MCU，再到高效整流二极管、运算放大器和智能功率驱动器，东芝的创新技术为空气净化器提供了强大的支持，助力设备在节能、静音和耐用性上全面提升。

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发布时间：2025-05-19 10:14 阅读量：195 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>ST25R系列高性能NFC读卡器新增车规产品，目标应用主打汽车数字钥匙

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意法半导体ST25R系列高性能NFC读卡器新增车规产品，目标应用主打汽车数字钥匙

　　意法半导体ST25R系列NFC读卡器推出两款唤醒速度和检测距离俱佳的车规新产品，提升用户体验。ST25R500和ST25R501符合车联网联盟(CCC)和无线充电联盟(Wireless Power Consortium)两大标准的要求，目标应用瞄准汽车数字钥匙、设备配对、发动机启动和中控台无线充电NFC卡保护。　　新读卡器的峰值输出功率2W，达到市场先进水平，接收灵敏度高，读卡距离比市面上其他读卡器高出70%。ST25R501采用4mmx4mm QFN封装，PCB占用面积缩减36%，是市场上功能最高、尺寸最小的车规NFC读卡器，适用于车门把手和B柱模块。即使在空间有限的天线设计中，这两款芯片组也能确保射频性能出色。两款都通过了AEC-Q100汽车行业认证，符合NFC Forum CR13标准，并满足汽车和手机OEM厂商的严格要求。　　除了车门控制和发动机启动系统外，意法半导体的ST25R500和ST25R501还可以用于中控台Qi充电器NFC卡保护、手机配对和数据传输。ST25R501更适用于空间受限的汽车设备，而ST25R500则具有更高的连续输出功率，也适合遥控钥匙充电等用途。这两款芯片都支持广泛使用的协议，包括NFC-A、NFC-B(ISO14443A/B)、NFC-F(FeliCa™)和NFC-A/NFC-F卡模拟(保护Qi无线充电NFC卡安全)。　　意法半导体在2025年嵌入式世界大会上展示了新的车规NFC读卡器，以及支持开发者在各种场景中创造性地使用标准化短距离非接触式技术的其他的ST25R高性能产品，其中，ST25R300消费类和工业级产品具有高达2.2W输出功率，确保设备在高噪声环境中建立稳定的连接，而ST25R300和ST25R500让设计人员能够将天线放置在LCD屏幕后面或机器、机柜或机门内。　　意法半导体汽车NFC读卡器市场营销总监Rene Wutte表示：“目前包括大多数客户和汽车市场主要参与者在内的潜在客户都在使用今天我们推出的车规读卡器设计产品。新产品可以简化工程设计，让产品开发团队能够专注于设计时尚、纤薄、美观的产品，建立无缝、愉悦的非接触式人车交互方式，提升用户体验。”　　Marquardt Group是一家为汽车、家用电器等市场开发电气电子产品的高科技公司，也是意法半导体新产品的早期客户。该公司的全球门禁传感器产品部负责人Johannes Mattes表示：“汽车原始设备制造商(OEM)和设备制造商对汽车NFC设备的读取距离有着严格的要求。过去，我们需要投入大量时间才能满足这些要求，并且存在巨大的工程风险。现在，我们在数字门禁控制的新型门把手模块项目中使用ST最新的大功率读卡器芯片后，开发速度非常快，性能也比传统产品显著提升。”　　更强的噪声抑制功能和极高的接收灵敏度让新款读卡器能够在恶劣环境下工作，同时简化电磁抗扰度设计，降低产品认证难度。其他功能包括动态功率输出(每个功率值都有主动波形控制功能)、诊断和NFC卡保护功能(包括方便进行非侵入式调试的测试输出)。　　动态功率输出功能可自动调整发射功率，以补偿不同天线尺寸和距离的失谐效应，使其符合NFC Forum的限制要求，并确保标签的安全。主动波形整形技术有助于简化终端产品符合最新的NFC Forum技术规范和CCC数字钥匙强制性标准要求，包括单调性测试和信号过冲/下冲限制。开发人员使用意法半导体GUI软件开发工具，通过简单的寄存器设置，即可调整信号，满足这些条件。　　ST25R全系提供丰富的软件库和API接口，包括CCC数字钥匙、射频抽象层(RFAL)中间件等车用软件。ST25R读卡器也支持意法半导体的eDesignsuite工具，例如，全新的PCB热模拟器。　　ST25R500现已量产，采用5mmx5mm QFN封装。ST25R501将于2025年第三季度上市，采用4mmx4mm车规QFN小封装。

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发布时间：2025-05-16 15:16 阅读量：209 继续阅读>>

瑞萨电子与印度政府合作，加强印度<span style='color:red'>半导体</span>生态系统

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瑞萨电子与印度政府合作，加强印度半导体生态系统

　　5月14日，瑞萨电子株式会社宣布与印度政府电子和信息技术部 (Meity) 建立合作伙伴关系，以支持 VLSI 和嵌入式半导体系统领域的当地初创公司和学术机构。瑞萨电子还扩大了在班加罗尔和诺伊达的办公室，以适应其不断增长的研发团队。　　瑞萨电子与 MeitY 的自主科学学会先进计算发展中心 (C-DAC) 在 MeitY 芯片创业 (C2S) 半导体计划下签署并交换了两份谅解备忘录 (MOU)。这些谅解备忘录旨在支持当地初创企业，使其能够推动技术进步，促进与“印度制造”倡议一致的本地制造，并加强产学合作。　　瑞萨电子印度地区经理兼 MID 工程、模拟和连接集团副总裁 Malini Narayanamoorthi 表示：“我们扩建后的办事处落成是瑞萨电子在印度的一个重要里程碑。通过在印度为印度和世界制造产品，我们将继续推动增长并在整个印度市场产生有意义的影响。我们在 MeitY C2S 计划下签署了两份谅解备忘录，专注于推进研究、促进创新和培养以产品为中心的工程师。这些战略合作与“印度制造”计划相一致，旨在加强本地设计和制造能力，并赋予本土人才推动行业未来发展的能力。”　　瑞萨电子和 C-DAC 谅解备忘录涵盖 VLSI 和嵌入式半导体系统领域的合作，以支持当地初创公司和学术机构加速创新并促进印度半导体和产品生态系统的自力更生。C2S计划包括与全国250多个学术机构和研发组织的合作，包括IITS、NITS、IITS、政府和私立学院，以及大约15家初创公司，为本土创新创造了一个强大的生态系统。　　该谅解备忘录将增强本地初创企业的产品工程能力，瑞萨电子将提供开发板和领先的 PCB 设计软件 Altium Designer。　　针对学术机构的谅解备忘录承诺，瑞萨电子将通过提供开发板、PCB 教育和培训、Altium Designer 软件以及对 Altium 365 云平台的访问来支持体验式学习。其目的是培养下一代电子工程师，并培养创新者群体。　　印度是瑞萨电子的关键市场，具有巨大的增长潜力和高技能人才库。瑞萨电子致力于加深与当地公司、初创公司和大学的合作伙伴关系，目标是到 2030 年，印度市场占其全球收入的 10% 以上。最近的合作包括与古吉拉特邦 CG Power 和 Stars Microelectronics 合作的 OSAT 工厂项目，以及与 IIT 海得拉巴分校的谅解备忘录。瑞萨电子还在扩大其在印度的业务，计划到 2025 年底将其员工人数增加到 1,000 人。这一增长计划加强了瑞萨电子对印度的长期承诺，并支持其成为这个充满活力和快速发展的市场中的首选雇主的雄心。　　5月，瑞萨电子将其在班加罗尔和诺伊达的现有办事处整合并搬迁到新的、最先进的办公空间，这标志着公司在印度增长和扩张的一个重要里程碑。　　新的班加罗尔办事处是瑞萨电子印度最大的办事处，拥有世界一流的设计团队、测试实验室和为员工提供支持的综合设施。它汇集了大约500名团队成员，包括研发工程师、业务团队以及最近收购的Altium和Part Analytics的员工。　　新的诺伊达办事处将工程和业务团队联合起来，以加速交付世界一流的高性能计算，通过创新、协作和一致的执行推动汽车市场的增长。此次战略扩张加强了瑞萨电子对投资本地顶尖人才和增强其在 R-Car 片上系统 (SoC) 方面的能力的承诺。

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瑞萨电子

发布时间：2025-05-15 11:50 阅读量：200 继续阅读>>

东芯<span style='color:red'>半导体</span>获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

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东芯半导体获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

　　2025年是IC设计成就奖举办的第23年，一路伴随和见证产业的成长与发展，是中国电子业界最重要的技术奖项之一，颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!活动评选并表彰业内优秀的IC设计公司、上游服务供应商、热门模块/设计方案和热门产品。　　深耕存储，创新不断，颁奖晚宴上，东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了“2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖：年度最佳存储器”。同时，进入“Aspencore2025中国IC设计Fabless100排行榜--TOP 10 存储器公司”，这不但是对我们成果的肯定，也鼓舞我们持续研发创新，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案!”　　作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司，现有六大产品矩阵,提供定制化解决方案。东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

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东芯半导体

发布时间：2025-05-12 14:39 阅读量：215 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出创新的、带有可改变存储配置存储器的车规微控制器解决方案，确保满足下一代汽车的未来需求

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意法半导体推出创新的、带有可改变存储配置存储器的车规微控制器解决方案，确保满足下一代汽车的未来需求

　　◆ 新推出的Stellar微控制器内置了xMemory技术，它为正在发展的软件定义汽车以及不断进化的电动汽车架构提供了一个更为简单且具有更强可扩展性的计算平台。　　◆ 可改变存储配置让汽车厂商能够不断开发创新应用，包括更多需要大容量内存的人工智能应用。　　◆ xMemory基于意法半导体专有相变存储器(PCM)技术，2025年底投产。　　意法半导体(简称ST)推出内置xMemory的Stellar车规级微控制器。xMemory是Stellar系列汽车微控制器内置的新一代可改变存储配置的存储器，可彻底改变开发软件定义汽车(SDV)和升级电动汽车平台的艰难过程。　　不同于因需要不同存储容量而使用多个不同芯片从而引发不同芯片相关的开发和测试成本，内置xMemory的Stellar微控制器是当前市场首款可改变存储配置的创新产品，为客户提供了高能效和高性价比的解决方案。采用从一开始就简化的方法，汽车制造商能够使他们的汽车设计更具前瞻性。这种方法不仅在开发周期的后期为创新提供了更大的空间，还有助于降低开发成本，并通过简化供应链流程来加快产品的上市时间。Stellar P6 MCU是首款采用xMemory的Stellar微控制器，主要用于电动汽车的电驱系统新趋势和架构，计划将于2025年底投产。　　意法半导体产品部副总裁兼通用和汽车微控制器部门总经理Luca Rodeschini表示：“ST为汽车市场开发出了存储单元很小的终极存储器技术，可满足汽车应用对更大内存的无尽需求。内置xMemory的Stellar将为汽车制造商简化未来汽车架构，优化成本效益，并大大缩短产品开发时间。这种创新解决方案让相同的硬件提供原有的基础设施和功能，并为持续不断的产品创新预留充足的内存空间，让汽车制造商安心地推出数字化和电动化创新技术，保持市场领先地位，延长汽车的生命周期。”　　博世副总裁Axel Aue表示：“通过嵌入相变存储器(PCM)技术，Stellar提供了一种稳健、灵活的存储器概念，可用于开发高性能、适应性强的汽车微控制器。相较于其他存储器技术，例如，RRAM和MRAM，PCM技术的应用优势更强。”　　Moor Insights&Strategy首席分析师Anshel Sag表示：“通过选择Stellar xMemory这样的可扩展MCU，工程师不必为支持新的软件功能，花费昂贵的成本重新设计硬件。无论是在开发早期还是发布后的OTA更新过程中，随着软件代码量不断增加，同一平台可以现场升级，从而显著缩短了产品上市时间和维护成本。像Stellar这样采用xMemory的解决方案还能简化物流流程，提高物料清单效率。”　　工作原理　　汽车制造商需要无缝集成软硬件，最大限度地提高软硬件跨平台二次使用率，延长汽车生命周期，并增强数字化功能。随着汽车行业不断推出新功能、新法规和对内存容量需求很大的人工智能和机器学习应用，以及无线(OTA)更新功能，软件变得日益复杂，内存容量成为汽车发展的瓶颈。为解决这一挑战，意法半导体的xMemory存储技术可以在开发阶段或车辆使用过程中扩大内存容量，让汽车应用程序更新升级不再受内存空间的限制。　　在软件定义汽车生命周期开始阶段选择正确的MCU，可确保微控制器能够为未来的软件开发提供充足的存储空间。选择存储容量过高的芯片会增加成本，而选择存储容量过低的芯片则可能需要后期寻找存储空间更大的MCU，并重新测试，从而增加了开发复杂性、成本和时间。内置xMemory的Stellar MCUs的价格具有竞争力，可以节省更多成本，简化OEM供应链，并延长产品寿命，最大限度扩大跨项目二次使用率，缩短检测时间，从而加快产品上市。　　PCM相变存储器和Stellar技术说明：　　ST一直处于汽车MCU从闪存向嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术过渡的前沿，推出了首个车规28nm eNVM技术，同时这也是xMemory的核心技术。与RRAM、MRAM、闪存等NVM技术相比，ST的嵌入式相变存储器(ePCM)在能效、性能、面积(PPA)指标上表现更好。　　PCM拥有业界最小的eNVM存储单元，18nm和28nm PCM的存储密度是其他技术的两倍。　　即将推出的基于Arm®处理器的Stellar P和G两大系列MCU将集成新一代PCM技术。Stellar产品家族是为汽车应用专门设计，可简化车辆电气架构，提高能效、灵活性和安全性。产品组合包括用于中央域控制器、域控制器和车身控制的Stellar Integration MCU(Stellar P和Stellar G系列)，它们整合了多个独立通信和控制ECU功能，还有一个针对电动汽车电驱模块电源转换器控制优化的Stellar Electrification MCU(Stellar E系列)。

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发布时间：2025-05-09 13:35 阅读量：241 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>荣登CDP气候变化和水安全A级企业榜单

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意法半导体荣登CDP气候变化和水安全A级企业榜单

　　意法半导体(简称ST)因在企业透明度和气候与水安全类别表现出色而受到非营利环境评级机构全球环境信息研究中心(简称CDP)的认可，荣登该机构的气候变化A级企业榜单，并被评为水安全类别A级企业。　　意法半导体人力资源和企业社会责任部总裁Rajita D’Souza表示：“荣登CDP气候变化A级企业榜单，是对我们的兑现2027年实现碳中和承诺方面取得重大进展的认可，以及对我们降低工厂对气候变化的影响以及携手合作伙伴共同推进供应链碳排放行动的肯定。被评为水安全A级企业，则表明我们在降低生产运营和制造基地的水足迹，以及进一步提升我们对社区的积极影响和支持方面取得了进展。”　　根据CDP 2024年气候问卷所披露的数据，意法半导体从近22,400家参评公司中脱颖而出，是为数不多的获评A级的公司之一。A级授予那些详细、透明地报告气候保护活动，并在减少碳足迹方面取得显著进展的公司。意法半导体自2004年起就开始向CDP披露气候保护相关数据。　　CDP的年度环境信息披露和评级流程是公认的衡量企业环境信息透明度的黄金标准。根据气候相关财务披露工作组(TFF)的数据，CDP拥有全球最大的环境数据库，在进行零碳可持续化韧性经济投资和采购决策中，CDP环境评级结果是广泛使用的参考指标。　　意法半导体近期制定了新的承诺和目标，以推动公司在2030年和2035年实现可持续发展目标。新目标不仅着眼于意法半导体2027年实现碳中和的承诺(涵盖了所有直接和间接排放，即范围1和范围2的排放、以及产品运输、商务旅行以及员工通勤排放——重点关注的范围3的排放)，并制定了新的供应链减碳目标，与供应商合作减少上游温室气体排放。此外，意法半导体还制定了新的节能目标、水循环利用目标和水资源管理联盟认证目标。

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意法半导体

发布时间：2025-05-08 13:18 阅读量：242 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>芯片中，什么是多晶硅耗尽效应？

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半导体芯片中，什么是多晶硅耗尽效应？

　　1. 引言：多晶硅栅极的重要性及耗尽效应的问题　　在现代集成电路制造领域，多晶硅栅极是场效应晶体管(FET)的核心组件，其性能直接决定着晶体管的开关特性与集成电路的整体功能。凭借良好的电学性能、与现有硅基工艺的高兼容性，多晶硅栅极长期以来成为集成电路制造的首选材料，在推动晶体管尺寸不断缩小、性能持续提升方面发挥了关键作用。　　然而，随着集成电路制造工艺向纳米级不断迈进，多晶硅栅极耗尽效应逐渐成为制约器件性能提升的关键瓶颈。该效应不仅影响晶体管的开关速度与驱动能力，还会导致电路功耗增加、可靠性下降，严重阻碍了集成电路产业的进一步发展。　　2. 耗尽效应的物理机制　　多晶硅栅极耗尽效应的产生源于栅极与硅衬底间的电荷分布变化。当栅极施加电压时，会在电介质与沟道界面吸引少数载流子，形成反型载流子分布。为维持电中性，电介质与多晶硅界面附近会出现载流子积累，进而耗尽附近半导体的电荷。当半导体电荷完全耗尽时，该区域呈现绝缘特性，等效增大了栅介质的有效厚度。尽管耗尽层厚度极薄，仅相当于几个埃的二氧化硅厚度(NMOS 约 2 - 4 埃，PMOS 约 3 - 6 埃)，但在栅介质厚度不断缩减的纳米级工艺中，其对器件性能的影响变得不容忽视。此外，栅介质厚度变薄时，相同栅极电压下内建电场增强，促使更多载流子积累，进一步加剧耗尽效应。　　3. 耗尽效应对器件性能的影响　　耗尽效应会显著降低器件的电学性能。由于耗尽层的存在，栅极对沟道的控制能力减弱，导致晶体管的阈值电压漂移、亚阈值摆幅增大，影响器件的开关速度与信号传输能力。同时，耗尽效应还会增加栅极电容，导致充放电时间延长，进一步降低电路的工作频率。此外，耗尽效应引起的电荷分布不均会使器件的漏电流增大，不仅增加了电路的静态功耗，还会产生额外的热量，影响集成电路的稳定性与可靠性。　　4. 传统解决方法的局限(如掺杂浓度)　　提高多晶硅栅极的掺杂浓度曾是缓解耗尽效应的常用方法。通过增加自由载流子浓度，可减少耗尽现象的发生。然而，随着工艺节点的不断缩小，如28纳米以下，这一方法逐渐面临诸多限制。一方面，栅极掺杂浓度已接近饱和状态，难以进一步提升;另一方面，高浓度掺杂会引发严重的工艺问题。以 PMOS 为例，高浓度的硼掺杂极易穿透栅介质，破坏器件结构，影响器件性能与可靠性。目前，NMOS 掺杂浓度需控制在 10²⁰ cm⁻³ 以下，PMOS 掺杂浓度需控制在 10¹⁹ cm⁻³ 以下，这使得通过提高掺杂浓度解决耗尽效应的途径愈发困难。　　5. 金属栅极的引入及其优势　　鉴于传统方法的局限性，金属栅极在 28nm 节点及以下工艺中逐步得到应用，如HKMG工艺28纳米以下先进制程为何离不开HKMG。金属具有极高的自由载流子浓度，从根本上避免了耗尽效应的产生。采用金属栅极后，晶体管的阈值电压稳定性显著提高，亚阈值摆幅减小，开关速度与驱动能力大幅提升。同时，金属栅极还能有效降低栅极电阻与电容，减少信号传输延迟，提高电路的工作频率。此外，金属栅极与高K电介质的结合使用，进一步优化了器件的电学性能，降低了功耗，为集成电路的持续发展提供了有力支撑。　　6. 结论与未来展望　　多晶硅栅极耗尽效应是集成电路纳米级工艺发展过程中面临的重要挑战，传统解决方法的局限性促使金属栅极成为主流解决方案。金属栅极的引入有效克服了耗尽效应的影响，推动了集成电路性能的大幅提升。然而，随着集成电路向更小尺寸、更高性能方向发展，新的挑战依然存在。未来，需要进一步探索新型栅极材料与工艺技术，优化器件结构设计，以满足不断增长的高性能、低功耗需求，持续推动集成电路产业的创新与发展。

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多晶硅耗尽效应

发布时间：2025-05-07 09:48 阅读量：233 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>发布HC32L021：超低功耗MCU引领者，开启迭代新篇章

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小华半导体发布HC32L021：超低功耗MCU引领者，开启迭代新篇章

　　在国内集成电路产业发展的进程中，小华半导体作为率先投身超低功耗微控制单元(MCU)领域的先锋企业，一直以来都在积极推动技术创新与产品革新。近期，小华半导体正式推出极具竞争力的新一代超低功耗微控制器产品——HC32L021。　　在超低功耗方面，HC32L021采用了先进的电源管理技术与国产超低漏电工艺技术，确保在各种复杂应用场景下都能有效降低能耗，延长设备的续航时间。其功能、性能优化体现在对运算速度、数据处理能力以及外设接口的精心设计上，如48MHz的工作主频、经优化的高精度高速内部时钟、低功耗定时器和串口通信接口等。在产品质量保障上，小华半导体建立了严格的质量管控体系，从芯片设计、晶圆制造到封装测试，每一个环节都经过了多重检测与验证，确保产品的稳定性与可靠性，全方位满足客户的多元需求，在竞争激烈且技术迭代迅速的MCU市场中占据独特而稳固的地位。　　当下，低成本MCU市场正处于深刻的变革时期。随着半导体制造工艺的不断进步以及市场竞争的日益激烈，入门级32位MCU价格持续下行。如今，其成本已与传统8/16位MCU相当，甚至在特定应用下更具成本竞争力。这种成本结构的变化，使得入门级32位MCU在性能优势基础上，凭借价格优势大规模抢占8/16位MCU的市场份额，市场需求呈现出爆发式增长的态势。在此市场变革的浪潮中，HC32L021凭借其卓越的综合性能，展现出强大的市场适应性和广阔的应用潜力。　　HC32L021产品配置特色：　　•Arm Cortex-M0+，主频可达48MHz　　•动态功耗低至45uA/MHz@48MHz，深度休眠模式低至0.65uA　　•高精度内部时钟RC48M：±1.5%(全温)　　•64KB Flash，6KB SRAM　　•通信接口：2组LPUART接口;1组SPI接口;1组I2C接口　　•模拟接口：1组12bit 1Msps ADC　　•定时器：1组高级定时器，可支持互补PWM输出;1组低功耗定时器;2组可灵活配置的通用/基本定时器;1组实时时钟RTC　　•ESD_HBM：±4KV　　•工作温度：-40-105℃　　•1.8-5.5V宽供电电压　　•TSSOP20，QFN20及QFN14 2*2mm2超小封装　　功能框图：　　产品规格：

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小华半导体

发布时间：2025-04-30 17:55 阅读量：278 继续阅读>>

龙腾<span style='color:red'>半导体</span> | 双项殊荣加冕，见证产业领军实力！龙腾<span style='color:red'>半导体</span> 2025年04月29日 17:08 陕西

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龙腾半导体 | 双项殊荣加冕，见证产业领军实力！龙腾半导体 2025年04月29日 17:08 陕西

　　4月27日至28日，2025西部半导体产业创新发展论坛暨陕西省半导体行业协会成立20周年大会在西安盛大召开，龙腾半导体受邀参会。　　凭借“技术突破引领产业升级、区域协同赋能生态全链”的卓越实践，董事长徐西昌先生获评“陕西半导体协会20周年突出贡献人物”，龙腾半导体荣膺“陕西省半导体协会20周年突出贡献单位”。　　1.突出贡献人物　　徐西昌先生，龙腾半导体创始人、董事长，长期从事电子信息、半导体产业研究与管理工作，取得显著成果。　　他带领企业建成陕西首条8英寸功率半导体制造生产线，在以超结MOSFET为代表的高端功率半导体器件领域走出一条自主创新之路并成功实现产业化，形成了Fabless+IDM半导体全新经营模式。　　2.突出贡献单位　　龙腾半导体自成立以来，始终将技术创新视为企业发展的第一驱动力。产品广泛应用于汽车电子、新能源发电、储能、工业及消费电子领域。　　多年来，先后荣获国家首批重点支持的“专精特新”小巨人企业、陕西省重点产业链(半导体及集成电路)“链主”企业、陕西省绿色工厂企业及陕西技术发明奖等多项荣誉。　　十六年来，从技术攻坚到区域协同，龙腾半导体正以“战略升级+硬核技术”的双重优势，携手西部半导体产业向“高价值、高协同、高韧性”跃迁。此次双项荣誉的获得，不仅是对企业过往成绩的加冕，更是对未来使命的召唤。　　面向未来，龙腾半导体将始终与西部产业同频共振，以功率半导体为支点，撬动中国“芯”版图!

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龙腾半导体

发布时间：2025-04-30 17:29 阅读量：236 继续阅读>>

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