最新一代的宽禁带半导体材料SIC具有耐高温、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点;可以满足现代电力电子技术对半导体器件大电流、高压、高频、低损、高温、高功率密度、高可靠性、长寿命等高标准要求;在消费、工业、汽车、航空航天等领域都有重要应用前景。
高击穿场强(SI的10倍)→高耐压;芯片耐压等级更高、同耐压下芯片厚度更薄、内阻更低、面积更小、损耗更低、工作频率更高、功率密度更高高禁带宽度(SI的3倍)→高工作温度;芯片内部理论极限温度,SIC可达600℃以上;高热导率(SI的3倍)→低热阻;提高散热效率,有利于产品的小型化,提升功率密度;
专注于功率器件专业领域十二年的“国家级专精特新重点小巨人企业”威兆半导体新推出了第三代半导体SIC MOS 1200V40mohm_
HCC*120R040H1,该产品封装采用TO-247和TO-247-4L,可满足不同客户的应用需求。该产品采用自对准Planar技术和新型栅氧氮化技术,具有沟道密度高、导通压降低、沟道迁移率高、界面态低、参数一致性好,可靠性高等特点。产品依据国际行业通用可靠性标准进行考核,可满足于工业、汽车等应用需求。
产品性能
经过公司内部详细测试评估HCC*120R040H1,其各方面参数都完成设计目标,达到同行先进水平。与国外友商同类两颗产品C***40120、S*****40**进行比较,详情如下:
静态参数:
动态参数:
这款产品静动态参数平衡较好,比较好地兼顾了导通损耗和开关损耗,有利于控制总体损耗提高系统效率,降低器件温升;内阻高温上升比例比较小;开启、关断过程中波形良好平滑,能做到无振荡或低振荡,有利于降低动态损耗,且对EMC友好;寄生二极管反向恢复软度良好,无振荡。该产品比较适合用于有高频、高压、高效、高功率密度等需求的各类电力转换装置中。
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BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
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STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BP3621 | ROHM Semiconductor |
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