新洁能:金兰<span style='color:red'>功率半导体</span>发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块
  在“双碳”目标驱动下,光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率,成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测,三电平模块市场年增长率将超18%,其中650V平台因适配1000V光伏系统,占据核心份额。  产品介绍  新洁能全资子公司:金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW  INPC逆变储能一体模块,全方位助力客户应对能源高效化挑战。  产品特点  均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)  使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT,损耗更小  模块内外管均使用快管,集逆变储能应用为一体  封装材料 CTI > 500  紧凑型模块封装设计实现高功率密度  可根据客户特殊工况定制模块  核心技术  优异的动静态参数,低压降、低动态损耗,适配高频高功率应用场景  通过全套芯片级&封装级可靠性验证  低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果  选用ZTA/AMB基材,保证更优异的散热能力和更好的可靠性  竞争优势  芯片优势:搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT  定制化扩展:支持客户多功率段定制化需求  精益化生产:MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯  应用领域  储能系统  光伏逆变器  其他三电平应用
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发布时间:2025-03-20 09:26 阅读量:224 继续阅读>>
东芝<span style='color:red'>功率半导体</span>后道生产新厂房竣工
  日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上,并将于2025财年上半年开始全面生产。  新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率,并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电,包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。  功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件,在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战,并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。  新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上,为推进碳中和作贡献。         新生产厂房概况  建筑面积:4,760.31 m2  总建筑面积:9,388.65 m2  结构:钢架结构,地上2层  竣工时间:2025年3月  用途:功率半导体制造(后道工艺)  姬路工厂 - 半导体工厂概况  地点:日本兵库县揖保郡太子町鵤-300  占地面积:246,800.08 m2  总经理:Kyozo Takeo  员工:约1,400人(截至2025年1月)  主要产品:分立半导体(功率器件、小信号器件)  [1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。
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发布时间:2025-03-14 09:31 阅读量:243 继续阅读>>
AMEYA360代理品牌 | 罗姆<span style='color:red'>功率半导体</span>产品概要!
  1. 前言  近年来,全球耗电量逐年增加,在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外,以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成为严重的社会问题。因此,为了实现零碳社会,努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。  在这种背景下,罗姆致力于通过电子技术解决社会问题,专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体,并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念,介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。  2. 市场需求和罗姆的举措  近年来,随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长,对于各类应用中配备的电源系统,要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此,要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言,就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时,功率半导体的应用范围也在不断扩大,需求量也与日俱增。  多年来,罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力,其中包括于全球首家*实现了SiC(碳化硅) MOSFET的量产。另外,预计相关产品的市场需求会进一步扩大,罗姆也在不断开拓新的产品领域,比如将作为下一代半导体与SiC同样备受关注的GaN(氮化镓)产品投入量产。下图1中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量(纵轴)和工作频率(横轴)范围。长期以来一直被用作半导体材料的Si(硅),其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。另外,新一代半导体SiC元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域;而GaN器件“EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”,并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。  *截至2025年1月 罗姆调查数据  3. 组成“Power Eco Family”的四大品牌  3-1. 关于EcoSiC™  EcoSiC™是采用了因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。  罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来,已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。另外,罗姆还提供各种形式的SiC元器件,其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此,为满足SiC市场不断扩大的需求,罗姆于2023年开始生产8英寸衬底,并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中,一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室,实现了快速有效的投资,还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力,不断增强满足快速增长的SiC市场需求的能力。  在车载设备领域,xEV牵引逆变器对SiC的需求增长最快,SiC产品在其中的应用加速。例如,2024年8月,吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外,罗姆还专注于模块开发,推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型SiC模块TRCDRIVE pack™。TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度,有助于逆变器的小型轻量化,法雷奥的下一代逆变器已经计划采用(图2)。综上所述,罗姆的EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势,而获得了客户高度好评,并已斩获全球130多家公司的Design Win(赢得设计)。  在工业设备领域,罗姆还面向PV逆变器(太阳能发电逆变器)、EV充电桩、DC-DC转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发1,500V系统用的2kV耐压SiC MOSFET,并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于SiC SBD,罗姆已经拥有650V~1,700V分立或裸芯片的产品阵容,相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用,在电动汽车充电桩的PFC单元等应用中也已被越来越多地采用。此外,在工业设备领域,罗姆还正在加速建立向模块制造商提供SiC裸芯片的商业模式,例如,加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作,并已经开始为其提供SiC和IGBT裸芯片。  在产品开发方面,罗姆正在进行下一代即第5代SiC MOSFET开发,计划于2025年发布。与当前第4代产品相比,第5代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约30%,有助于进一步提高效率。另外,罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期,来快速响应市场变化并满足市场需求。  ・适用应用示例  工业设备:光伏逆变器、UPS(不间断电源)、EV充电桩、DC-DC转换器  车载设备:牵引逆变器、辅助逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器  ・EcoSiC™相关页面  EcoSiC™产品介绍页面  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices  EcoSiC™相关的新闻稿一览  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=SiC  3-2. 关于EcoGaN™  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括GaN HEMT单品,还包括内置控制器的、搭载了GaN的 IC等产品。另外,EcoGaN™旨在成为“易用的GaN器件”,并促进GaN在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作,进而为实现无碳社会做出贡献。  2022年罗姆的第一个EcoGaN™产品系列150V耐压GaN HEMT实现量产,2023年实现业界超高器件性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌Innergie的“C4 Duo”、“C10 Duo”等AC适配器采用,为AC适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。  与Si器件相比,GaN器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化,但其栅极驱动很难,而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能,还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的LSI相结合,实现“易用的GaN”。将650V耐压GaN HEMT和栅极驱动器等元器件一体化封装的Power Stage IC(SiP:System in Package)“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品(图3)。该产品可轻松替换现有的Si MOSFET,而且可使器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%。未来,罗姆还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的GaN驱动用控制器IC等产品,通过普及“易用的GaN器件”,为进一步提高电源效率贡献力量。此外,罗姆还计划将配备功率因数校正电路(PFC)的Power Stage IC和配备半桥电路的产品投入量产,预计到2026年,罗姆将可以提供集GaN HEMT、栅极驱动器IC和控制器IC于一体的综合解决方案。另外,在EcoGaN™特设页面(英文)中,会发布包括正在开发中的产品在内的最新EcoGaN™解决方案信息。  预计GaN器件市场将在本世纪20年代后半期快速增长,并有望被广泛用于车载领域的OBC等应用。在车载GaN器件的开发和量产方面,罗姆计划通过各种举措,比如与台积(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,TSMC)建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和OSAT,来加快推出车载GaN器件的速度。  ・适用应用示例  工业设备:服务器电源、基站电源  消费电子:AC适配器(USB充电器)、无线路由器  车载设备*:OBC(车载充电器)、DC-DC转换器  *车载设备用的产品目前正在开发中,计划于2026年发布。  ・EcoSiC™相关页面  EcoGaN™产品介绍页面  https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices  EcoGaN™相关的新闻稿一览  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=GaN  EcoGaN™特设页面(英文)  https://www.rohm.com/support/gan-power-device  ・“Nano Pulse Control™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  3-3. 关于EcoIGBT™  EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。目前,IGBT的性价比优于SiC MOSFET,因此在注重成本的大功率应用和不要求小型化的应用中,其需求量依然很高,罗姆预计未来IGBT市场将会继续扩大,因此正在推进相关的技术开发。  罗姆于2010年开始IGBT的研发,并于2012年开始量产。目前,已经在包括日本滋贺工厂在内的多个生产基地实施生产。2024年,罗姆推出了最新一代(第4代)IGBT产品——1,200V耐压的“RGA系列”(图4)。该产品实现了业界超高特性,与以往产品相比,功率损耗减少了35%,短路耐受时间提高到10μs,因此已被车载电动压缩机和工业逆变器等应用采用或考虑采用。另外该产品已经被用于赛米控丹佛斯的电源模块。  对于IGBT而言,优化特定应用所需的特性非常重要。例如,汽车空调的电动压缩机用的产品注重短路耐受能力,光伏逆变器等用的产品则需要减少开关损耗。罗姆为了很好地平衡这些产品特性,正在根据应用需求对器件结构和杂质浓度等进行精细调整,以设计出满足客户需求的产品。未来,罗姆计划推出650V耐压的“RGE系列”和“RGH系列”等新产品,以满足众多应用(比如车载OBC、光伏逆变器等工业设备和空调等消费电子产品)的需求。另外,罗姆还致力于开拓将IGBT和栅极驱动器IC相结合的IPM(智能功率模块)市场,通过功率损耗和噪声更低的产品,增强在IPM市场的竞争力。  罗姆也已经着手开发第5代IGBT,目标是在2026年到2027年发布相关新产品。第5代产品不是现有技术的延伸,而是旨在通过采用新的器件结构来进一步提高性能。关于IGBT市场,虽然有SiC元器件普及所带来的影响,但罗姆认为工业设备和车载设备为主的市场将会持续增长,因此计划在未来继续扩大EcoIGBT™的产品阵容。  ・适用应用示例  工业设备:工业逆变器、工业机器人  消费电子:空调、冰箱、洗衣机  车载设备:车载电动压缩机、辅助逆变器、车载HV加热器、OBC(车载充电器)  ・EcoSiC™相关页面  EcoIGBT™产品介绍页面  https://www.rohm.com.cn/products/igbt  EcoIGBT™相关的新闻稿一览  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=IGBT  EcoIGBT™快速搜索页面(场截止结构的产品)  https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#easyPartFinder  3-4. 关于EcoMOS™  EcoMOS™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的耐压600V以上的Si MOSFET,是包括器件和模块在内的品牌名称。EcoMOS™采用的是在保持耐压能力的同时可降低导通电阻(RDS(ON))并减少栅极电荷(Qg)的超级结(Super Junction)技术。  EcoMOS™适用于冰箱、电动汽车充电桩和服务器电源等众多应用。由于这些产品有很多参数(比如重视噪声性能或开关性能等不同性能的参数),罗姆提供的产品阵容中产品丰富,客户可以根据应用需求灵活选择。例如,与普通产品相比,开关损耗减少约30%且实现了低噪声特性的“R60xxRNx”系列,非常适用于冰箱和换气扇等注重噪声性能的小型电机驱动应用。另外,存在权衡关系的反向恢复时间(trr)和导通电阻(RDS(ON))同时得到改善、开关损耗比普通产品低约17%的“R60xxVNx”系列,非常适用于处理大功率的电动汽车充电桩和服务器等的电源电路,以及日益普及的变频空调等的电机驱动应用(图5)。  ・适用应用示例  工业设备:电动汽车充电桩、光伏逆变器、服务器  消费电子:空调、冰箱、换气扇  ・EcoMOS™相关页面  EcoMOS™产品介绍页面  https://www.rohm.com.cn/products/mosfets/high-voltage?DrainSourceVoltage_num=600.0%7C650.0%7C800.0%23videoAndCatalogData  EcoMOS™相关的新闻稿一览  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=Super%20Junction  Super Junction MOSFET特设页面  https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet  4. 结语  本文介绍了组成“Power Eco Family”的四大品牌。罗姆对每一个品牌都非常注重产品开发速度、应用产品设计过程中的支持体系强化以及稳定供应等,并会考虑合作生产和联合开发等方式。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量;并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献(图6)。
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发布时间:2025-01-14 16:42 阅读量:462 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率半导体</span>和集成电路的有什么不同之处
  功率半导体和集成电路作为电子领域中两类重要的元件,分别在不同的应用场景中发挥着关键作用。虽然它们都是半导体器件,但在功能、结构、应用等方面存在显著差异。  1.功率半导体  功率半导体是指用于控制和调节大电流、大电压的半导体器件,通常用于功率放大、开关控制等高功率应用。常见的功率半导体包括晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。  特点  承受大电流、大电压:功率半导体设计用于承受大功率、大电流、大电压的特点,适用于高功率、高电压的电路。  高耐受能力:具有较强的耐受能力,能够在高温、高压等恶劣环境下可靠工作。  多用途:功率半导体广泛应用于直流电源、交流变频器、电机驱动、电磁感应加热等领域。  主要用途:用作功率开关、电源控制、电机驱动、逆变器等功率电子器件。  2.集成电路  集成电路是将大量电子元器件集成到一块芯片上的微电子器件,通过在单个晶片上整合电路元件实现多种功能。集成电路主要分为模拟集成电路和数字集成电路。  特点  功能多样:集成电路在微小空间内集成了大量的电子元件,实现多种功能,如存储、计算、信号处理等。  规模化生产:通过标准化设计和批量生产,降低成本,提高稳定性和可靠性。  微型化:由于集成度高,体积小,适用于各种便携设备和嵌入式系统。  主要用途:应用于计算机、通信设备、消费电子、汽车电子等领域,在逻辑控制、数据处理、信号处理等方面发挥重要作用。  3.不同之处  应用范围:  功率半导体主要应用于功率控制和传输领域,如电力电子、电机驱动、逆变器等;  集成电路则广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域,用于处理信息、运算计算等功能。  工作原理:  功率半导体受控制电流大小决定其导通与截止状态,用于控制电路中的功率传输;  集成电路则通过内部电子元件相互连接和协作,实现各种逻辑、存储、处理功能。  特性:  功率半导体具有高电流、高电压承受能力、耐受能力强,主要用于功率控制和功率传输;  集成电路则以微小空间内集成大量电子元件、多样功能、规模化生产、微型化等特点著称,主要用于信息处理、计算、通信等领域。  结构差异:  功率半导体通常具有较简单的结构,为了承受高功率,通常需要更大面积的芯片设计;  集成电路则侧重于在小尺寸芯片上集成大量电子元件,并通过复杂的工艺实现各种功能。  应用场景:  功率半导体常见于电力电子、电机控制系统、逆变器等领域,需要高功率、高电压的场景;  集成电路广泛应用于计算机、通信设备、消费电子产品中,涉及到数据处理、存储、逻辑控制等方面。  性能要求:  功率半导体需具备高耐受能力、大电流、大电压承受能力,以确保在高负载环境下稳定工作;  集成电路对精度、速度、功耗等性能指标有较高要求,以满足信息处理、计算等要求。  功率半导体和集成电路在功能、结构、应用方面存在显著差异。功率半导体注重高功率、高电压场景下的稳定传输和控制,而集成电路则致力于在微小芯片上实现多功能集成,广泛应用于信息处理、计算等领域。
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发布时间:2024-08-16 13:23 阅读量:759 继续阅读>>
什么是<span style='color:red'>功率半导体</span>?一文快速了解<span style='color:red'>功率半导体</span>基础知识
  功率半导体是一种在现代电子设备和系统中发挥关键作用的元件。它们具有高效能、快速开关、耐高温等优势,被广泛应用于各种领域,如电力电子、电动汽车、可再生能源等。  1.什么是功率半导体  功率半导体是一种用于控制和调节电力的半导体器件。与传统的晶体管或二极管相比,功率半导体可以处理更高功率的电信号,并且具有更好的散热性能。功率半导体通常由硅(Si)或碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料制成,能够承受更高的电压和电流,适用于高功率应用。  2.功率半导体的类型  功率半导体的主要类型包括:  2.1 场效应晶体管(FET):  MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管): 通过栅极控制漏极电流。  JFET(结型场效应晶体管): 通过栅极控制漏极电流。  2.2 双极型晶体管(BJT):通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流放大倍数。  2.3整流器与变流器:  整流二极管: 用于将交流电转换为直流电。  可控硅(SCR): 可实现对交流电的精确控制。  2.4 硅(Si)功率半导体:常用于低中功率应用,价格低廉、稳定可靠,较低的导通损耗和开关速度。  2.5 碳化硅(SiC)功率半导体:适用于中高功率应用,具有高耐高温特性和高导通效率。  2.6 氮化镓(GaN)功率半导体:用于高频、高功率应用,具有高开关速度和导通能力。  2.7 其他类型:包括IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MCT(异质接触双极型晶体管)等在内的一些新型功率半导体器件。  这些不同类型的功率半导体在各种领域中拥有广泛的应用,满足不同功率范围和工作条件下的需求。根据具体应用场景和性能要求,可以选择合适的功率半导体类型来实现电路设计和电力控制目标。  3.功率半导体的特点  高功率处理能力:能够处理较高功率的电信号,适用于各种需要大电流、高电压的应用场景。  快速开关特性:具有快速的开关速度和响应时间,可实现高效的功率控制和调节。  耐高温性能:具有良好的耐高温特性,在高温环境下仍能稳定工作,适用于各种苛刻的工作环境。  低导通损耗:通常具有较低的导通损耗,能够提高系统的能效和性能。  高频特性:针对一些高频应用,功率半导体具有较高的开关速度和导通能力,能够实现精确的功率控制。  可靠性和稳定性:具有良好的可靠性和稳定性,长期稳定运行不易出现故障,保障系统的安全和可靠性。  体积小巧:相比传统的功率器件,功率半导体通常体积小巧轻便,方便集成在各种电路设计中。  节能环保:由于高效能、低损耗的特性,功率半导体在能源利用效率上表现优异,符合节能环保的发展趋势。  多功能性:可以根据不同的应用需求选择不同类型的功率半导体器件,实现多种功能和用途。  这些特点使得功率半导体成为现代电子技术中不可或缺的重要组成部分,推动着电力控制和能源转换领域的不断发展和创新。  4.功率半导体的应用领域  4.1 电力电子领域:  逆变器、整流器、变频器等设备中的功率控制和调节。  电力供应系统、电网调度等领域的能源转换和控制。  4.2 电动汽车行业:  电动汽车的驱动系统,包括电机控制、充放电管理等方面。  提高电动汽车的性能、续航里程以及充电效率。  4.3 可再生能源领域:  太阳能逆变器、风力发电变频器等设备中的能源转换和接入电网。  提高可再生能源的利用效率和稳定性。  4.4 工业自动化与机器人技术:  工业自动化设备中的电机控制、伺服系统、传感器输出等控制。  机器人系统中的运动控制、精准定位、力量传递等方面。  4.5 通信和信息技术领域:  通信基站、数据中心等设备中的电源管理和功率控制。  射频功率放大器、宽带通信设备等领域的功率调节和传输。  4.6 家用电器和消费电子产品:  家用电器、智能家居产品中的电源管理、控制功能。  消费电子产品中的充放电管理、高效能适配器设计等应用。  4.7 航空航天领域:  飞机、火箭、卫星等航空航天器件的电力系统和动力控制。  飞行器电动推进系统、航天器载荷控制等相关应用。  这些领域只是功率半导体应用的一部分范围,其广泛应用已经深刻影响了现代科技和产业发展。
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发布时间:2024-07-03 09:31 阅读量:1178 继续阅读>>
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产,供应先进<span style='color:red'>功率半导体</span>
安森美 (onsemi)将实施高达 20 亿美元的多年投资计划,巩固其面向欧洲和全球客户的先进功率半导体供应链垂直整合的碳化硅工厂将为当地带来先进的封装能力,使安森美能够更好地满足市场对清洁、高能效半导体方案日益增长的需求安森美与捷克共和国政府合作制定激励方案,以支持投资计划落实该投资将成为捷克共和国历史上最大的私营企业投资项目之一,属于对中欧先进半导体制造领域开展的首批投资项目  电气化、可再生能源和人工智能是全球大势所趋,激发了市场对可优化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求,安森美采取了战略举措,宣布将在捷克共和国建造先进的垂直整合碳化硅 (SiC) 制造工厂。该工厂将生产智能电源半导体,有助于提高电动汽车、可再生能源和人工智能 (AI) 数据中心应用的能效。  安森美总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 表示:“通过棕地投资,我们将打造一个中欧SiC供应链,更好地满足客户对创新技术快速增长的需求,从而帮助其提高应用的能效。通过与捷克政府密切合作,此次扩建还将提升我们的智能电源半导体产能,帮助欧盟实现大幅减少碳排放和环境影响的目标。”  安森美计划在几年内完成高达 20 亿美元(440 亿捷克克朗)的棕地投资,以扩大SiC产能,这是安森美先前披露的长期资本支出目标的一部分。这项投资基于安森美在当地的现有运营,包括硅晶体生长、硅和碳化硅晶圆制造(抛光和外延)以及硅晶片制造。如今,该工厂年产逾 300 万片晶圆,包括 10 亿多个功率器件。  一旦获得所有最终监管和激励措施批准1,这将成为捷克共和国历史上最大的私营企业投资项目之一。安森美是首批在中欧投资先进半导体制造业的公司之一。此次公告反映了安森美的发展战略,即增加市场份额,实现技术进步;以及面对不断增长的需求,增强其半导体供应链韧性的决心。  推动功率半导体创新  SiC是一种用于大功率、高温应用的关键材料,生产难度极大。安森美是全球屈指可数的能够制造从晶体生长到先进封装方案的碳化硅半导体公司之一。通过扩建在捷克的工厂,安森美将能够更快地为全球客户提供供应保障,并加强安森美在智能电源方案领域的领导地位。此次整合还将使安森美能够利用自身在研发方面的最新进展来尽可能提高制造和生产效率。
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发布时间:2024-06-20 10:23 阅读量:754 继续阅读>>
罗姆寻求与东芝深化<span style='color:red'>功率半导体</span>领域业务整合
  日本罗姆半导体集团正在寻求与最近退市的东芝公司合作,在功率半导体方面寻求业务整合。罗姆副总裁Isao Matsumoto在近期财报电话会议上透露,将于6月启动与东芝公司的谈判,落实整合功率半导体业务,预计一年左右的时间才能达成协议。  东芝于2023年12月正式从东京证券交易所退市,以JIP(日本产业合作伙伴)为首的企业财团通过要约收购的方式将东芝私有化。这一过程中罗姆总共投资3000亿日元,为与东芝在功率半导体领域的整合铺平道路。  东芝退市不久之后,罗姆与东芝便宣布相互替代生产的合作方式,罗姆位于日本宫崎县的碳化硅(SiC)新工厂与东芝位于日本石川县的全新硅基功率半导体工厂,相互合作生产功率半导体。  根据这项计划,罗姆投资2892亿日元,东芝计划投资991亿日元,此外日本经济产业省还宣布将提供最多1294亿日元的补贴,以促进功率半导体企业整合。  罗姆积极寻求进一步整合,已向东芝的大股东JIP提出,希望深化整合,几乎涵盖所有运营层面,包括功率半导体研发、生产、销售供应和物流。  罗姆正在加大对功率半导体的投资,目标是在2021财年至2027财年期间,使该领域的复合年均增长率(CAGR)达到24.7%,远远超过整个市场8.1%的数值。值得注意的是,该公司SiC功率半导体的收入份额预计将稳步上升,超过硅基功率半导体。此外,罗姆8英寸晶圆SiC功率半导体生产计划于2025年开始。  业界表示,罗姆的巨额投资使其盈利能力造成压力,该公司折旧费用增加、研发成本增长,使其利润减少300亿日元。  罗姆认为,电动汽车、工业机械等领域,对于功率半导体的中长期需求将大幅增长,因此有必要尽快投入,在该领域建立国际竞争力。
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发布时间:2024-05-14 13:10 阅读量:931 继续阅读>>
尼得科:MOSFET和IGBT<span style='color:red'>功率半导体</span>介绍
  随着科技的飞速发展,功率半导体器件正日益成为日常生活和工业生产中不可或缺的技术支持。它们不仅广泛应用于手机、电脑等消费电子设备,更深度涉及到汽车、人工智能等多个领域。因此,为了更好地适应市场需求,功率半导体器件的开发和生产正在朝着更高效、更可靠以及更本地化的方向迅猛发展。  其中,MOSFET和IGBT是目前功率半导体产品的主力,让我们一起来了解一下他们的特点吧!  随着MOSFET和IGBT等功率半导体广泛应用,市场需求上升,性能要求增加。尤其在车规级别,对安全性能要求更高。因此,在功率半导体投入使用前,对其进行专业参数测试至关重要。为此,尼得科精密检测科技株式会社(尼得科集团旗下子公司)推出两款新型功率半导体检测装置。  特征1:  通过各检测工作台相连接的方式实现高达 144UPH(25 秒/Unit)的工作量。  特征2:  一键式装卸的结构以及通用型治具的采用,大幅度降低了对应不同品类的治具的安装时间以及治具成本。  特征3:  实现行业高水平的低Ls 4.5nH,可进行高精度检测提案。  除了实现自动检测的NATS-1000,还有手动款NATS-1630/1730可以选择,其在NATS系列的高精度&高速度检测基础上,操作更加简单,可选择手动/在线/加载和卸载配置,客制化检测路径!  尼得科精密检测科技株式会社的功率半导体检测装置在2023年亮相于PCIM展会,在展会上引起了各行业客户的关注与认可。  今后,为响应碳中和的愿景,准确把握新能源发展市场的脉搏,尼得科精密检测科技株式会社将持续深耕电气和电子相关行业领域,不断进行技术研究和实践,致力于为半导体行业提供专业的检测检查技术,为推动更安全、更高效的社会做出积极贡献。
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发布时间:2024-02-20 09:28 阅读量:1813 继续阅读>>
日本<span style='color:red'>功率半导体</span>的焦虑
  功率半导体用于包括电动汽车、家用电器、太阳能电池板和数据中心等所有类型的设备中以控制电力。预计全球需求将会增加。  具体到日本厂商在这一领域,市场份额排名全球第7的东芝和排名全球第9的罗姆已宣布合作生产,(日本)经济产业省还将提供高达资本投资1294亿日元。当我们就合作的背景采访他们时,我们发现,参与其中的人对于日本企业是否能够在世界上生存存在着强烈的危机感。  由于向电动汽车的转变和工业设备数字化的进步,对功率半导体的需求正在增加。据研究公司Fuji Keizai称,全球市场规模预计将从2022年的26,827亿日元增长到2035年的134,302亿日元,增长五倍。  由于预计需求增加,日本制造商正在增加产量。  大型半导体公司瑞萨电子已向山梨县一家曾经关闭的工厂投资了 900 亿日元,并计划于 2024 年重新启动。此外,三菱电机还计划在熊本县建设一座新工厂生产功率半导体,并升级现有工厂的设施,总投资约1000亿日元。  上月,东芝和罗姆宣布利用两家公司的工厂进行联合生产。当中,罗姆将管理资源集中在SiC功率半导体上,而东芝将管理资源集中于Si(传统)功率半导体,罗姆子公司将在德国和日本生产SiC晶圆。合作的关键是共享各公司擅长的产品生产,以增强竞争力。  当东芝将管理资源集中于使用传统Si(硅)生产功率半导体时,罗姆则专注于生产使用SiC(碳化硅)的产品,总业务价值将攀升至3883亿日元。尽管使用SiC的半导体的制造成本高于硅产品,但由于其优异的节能性能,作为旨在实现脱碳的下一代半导体,特别是在电动汽车中的应用的期望正在不断提高。  罗姆在SiC功率半导体的研发方面具有优势,而东芝则通过多年来向铁路和汽车等领域提供传统功率半导体来积累专业知识。一家半导体相关公司的高管对两家公司的合作表示了很高的期望。  “虽然是一小步,但我们终于迈出了一步。如果我们能在日本建立一家强大的半导体制造商,那么材料和设备的开发就会更容易,这也将有利于半导体行业。”经济产业省也将为此次合作提供高达1294亿日元的巨额补贴。政府的目标是加强半导体行业的竞争力,这对于经济安全变得越来越重要。  在中美关系紧张以及新冠疫情导致半导体短缺的背景下,各国都在注重加强供应链,该公司寻求利用SiC功率半导体领域。  不过,这种方法并不寻常,因为满足补贴支付要求所需的最低资本投资额为2000亿日元。这在功率半导体领域是前所未有的水平,对于单个公司来说是一个沉重的负担。  他们故意设定这样的金额作为条件,希望能够鼓励企业之间的合作和重组。当今年一月开始申请补贴时,一位行业官员似乎感到惊讶。他认为,“这体现了经济产业省围绕 SiC 重组功率半导体产业的强烈意愿。  ”不过,投资能力仅限于一定程度的全球市场份额。  事实上,日本在这一领域具有一定的竞争力,市场份额超过20%。然而,从各公司的市场份额和海外销售比例来看,问题就显而易见了。  而一些外国企业的市场份额为10%,其中包括通过多次收购扩大规模的全球最大公司英飞凌科技(德国),其市场份额为21%,而日本企业的市场份额仅为5%多一点,即使三菱电机排名第四,合作伙伴东芝和罗姆也仍保持在较低的个位数。  此外,各公司的销售都偏向日本,未能在海外市场占领市场份额。此外,在电动汽车需求预计将增长的SiC功率半导体领域,罗姆排名全球第五,市场份额略高于6%。它以被特斯拉采用后市场份额不断增加而闻名,与排名前列的意法半导体(瑞士)等海外厂商的差距一目了然。熟悉半导体行业的专家指出日本制造商面临的挑战如下。  南川高级咨询总监指出:“他们在日本很强,但在世界其他地方并不是很强。由于每个公司都规模较小,他们没有能力向海外扩张。日本的功率半导体制造商相对较弱。我们曾经有一个强势地位,但我们不能再这么说了。”  同时,随着电动汽车的转变,中国在功率半导体领域正在迅速追赶。比亚迪是全球第二大电动汽车制造商,拥有一家设计和开发自用半导体的子公司,同时也从事开发和制造。  此外,德国英飞凌科技公司透露,其采购的SiC晶圆的6家公司中有2家是中国公司,并且正在迅速提高其产能。  中美之间的半导体冲突也产生了意想不到的影响。在生成人工智能和智能手机等领域使用的“先进半导体”方面,美国对向中国出口制造设备实施了严格的监管。  另一方面,与这些“先进”器件相比,功率半导体被称为“传统(老一代)”,其制造设备不受法规约束。  原本中国希望斥巨资推动半导体产业发展,但由于出口限制,原本用于尖端半导体的资金大部分被转用于功率半导体。相信涉及的企业很多,并且相关企业持续快速成长。这种情况可以被描述为“出口限制的副作用”。  日本厂商该如何克服这种局面呢?有人认为,日本企业应该采取更深入的措施,不仅包括合作,还包括企业重组,但一些业内人士表示,这并不那么容易。  在功率半导体的生产过程中,每家公司在管理设备温度和运行时间等方面都有自己独特的技术和诀窍。虽然这是竞争力的源泉,但它也成为工程师的症结所在以及公司之间合作的障碍。  一家半导体制造商的消息人士表示:“如果事情继续这样发展下去,我们将在未来遭遇失败,因为我们将无法在规模和成本方面与海外制造商竞争。我们理解这一点,但感觉管理层的危机并没有与工程师和人们分享。“每个人都有不同的想法。需要时间来弄清楚如何接受它。”  另一方面,专家指出,即使行业不必重组,但每个公司都可以做一些事情。  南川高级咨询总监举例说:“例如,日本制造商在数字营销方面不如海外制造商。虽然他们的个体市场可能很小,但总体上拥有大量客户,但由于数字化的滞后,他们无法应对。企业应该明确区分他们竞争的领域和不竞争的领域,并尽可能地合作。  基于此,我们将强调管理层在促进企业间协作方面所发挥的作用的重要性。  “日本制造商有很多对各自技术感到自豪的工程师。决定采用哪种技术是一个艰难的决定,但我认为高层管理人员应该做出重大决定。而且,仅仅做出决定是不够的;还需要做出决定。”设定目标很重要。很重要。然后你自然就会知道该使用哪种技术。”南川高级咨询总监  接着指出。  那么,日本日本功率半导体制造商会怎么做?  SiC晶圆半导体产业依赖于使用SiC晶圆的家电、汽车等终端产品。然而,随着日本企业的存在感下降,包括在家电领域被韩国制造商超越,半导体行业也逐渐失去了市场份额。现在,中国正乘着电动汽车转型的顺风而崛起。  这种情况不仅仅是功率半导体特有的问题,而且似乎也是日本制造业面临的严酷现实的一个缩影。
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发布时间:2024-01-08 14:15 阅读量:1774 继续阅读>>
东芝披露短期目标 扩大<span style='color:red'>功率半导体</span>产能
  作为全球功率半导体龙头企业,东芝致力于电动汽车、工业机器人、火车、电站等行业应用的半导体研发制造。东芝CEO近期表示,由于电动汽车需求增长,电源管理芯片将成为直接驱动利润复苏的因素。  东芝CEO Taro Shimada表示,“短期内,扩大功率半导体的销量是东芝首要目标。我们希望尽快扩大功率半导体的产能。”  在此之前,东芝宣布将与芯片制造商罗姆(ROHM)合作生产功率半导体,此举旨在扩大规模并增强竞争力。这是罗姆参与以140亿美元收购东芝以来的首次合作。  东芝计划斥资1250亿日元(约合1.7557亿美元)将功率芯片产量提高一倍以上,旨在赶上英飞凌等功率芯片巨头。  Taro Shimada表示:“我们将对日本和海外的增长领域和潜在利润进行最佳资源配置。”该公司的目标是迅速实现10%或更高的销售回报率。  当被问及重组和出售未盈利业务的可能性时,Taro Shimada表示尚未做出任何决定。他还拒绝就可能重新上市的时间框架置评,称这将由JIP决定。  据悉,功率半导体是电力电子设备实现电力转换和电路控制的核心元器件,主要用来对电力进行转换、控制,用于改变电子装置中的电压和频率、直流交流转换等,涉及电动汽车的驱动效率、充电速度以及续航里程等多方面性能,是电动汽车三电系统的核心部件。
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发布时间:2023-12-27 15:16 阅读量:1715 继续阅读>>

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