AMEYA360代理品牌 | 罗姆功率半导体产品概要!

发布时间:2025-01-14 16:42
作者:AMEYA360
来源:罗姆
阅读量:1412

  1. 前言

  近年来,全球耗电量逐年增加,在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外,以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成为严重的社会问题。因此,为了实现零碳社会,努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。

  在这种背景下,罗姆致力于通过电子技术解决社会问题,专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体,并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念,介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。

  2. 市场需求和罗姆的举措

  近年来,随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长,对于各类应用中配备的电源系统,要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此,要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言,就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时,功率半导体的应用范围也在不断扩大,需求量也与日俱增。

  多年来,罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力,其中包括于全球首家*实现了SiC(碳化硅) MOSFET的量产。另外,预计相关产品的市场需求会进一步扩大,罗姆也在不断开拓新的产品领域,比如将作为下一代半导体与SiC同样备受关注的GaN(氮化镓)产品投入量产。下图1中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量(纵轴)和工作频率(横轴)范围。长期以来一直被用作半导体材料的Si(硅),其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。另外,新一代半导体SiC元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域;而GaN器件“EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”,并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。

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  *截至2025年1月 罗姆调查数据

  3. 组成“Power Eco Family”的四大品牌

  3-1. 关于EcoSiC™

  EcoSiC™是采用了因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。

  罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来,已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。另外,罗姆还提供各种形式的SiC元器件,其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此,为满足SiC市场不断扩大的需求,罗姆于2023年开始生产8英寸衬底,并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中,一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室,实现了快速有效的投资,还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力,不断增强满足快速增长的SiC市场需求的能力。

  在车载设备领域,xEV牵引逆变器对SiC的需求增长最快,SiC产品在其中的应用加速。例如,2024年8月,吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外,罗姆还专注于模块开发,推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型SiC模块TRCDRIVE pack™。TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度,有助于逆变器的小型轻量化,法雷奥的下一代逆变器已经计划采用(图2)。综上所述,罗姆的EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势,而获得了客户高度好评,并已斩获全球130多家公司的Design Win(赢得设计)。

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  在工业设备领域,罗姆还面向PV逆变器(太阳能发电逆变器)、EV充电桩、DC-DC转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发1,500V系统用的2kV耐压SiC MOSFET,并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于SiC SBD,罗姆已经拥有650V~1,700V分立或裸芯片的产品阵容,相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用,在电动汽车充电桩的PFC单元等应用中也已被越来越多地采用。此外,在工业设备领域,罗姆还正在加速建立向模块制造商提供SiC裸芯片的商业模式,例如,加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作,并已经开始为其提供SiC和IGBT裸芯片。

  在产品开发方面,罗姆正在进行下一代即第5代SiC MOSFET开发,计划于2025年发布。与当前第4代产品相比,第5代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约30%,有助于进一步提高效率。另外,罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期,来快速响应市场变化并满足市场需求。

  ・适用应用示例

  工业设备:光伏逆变器、UPS(不间断电源)、EV充电桩、DC-DC转换器

  车载设备:牵引逆变器、辅助逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoSiC™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

  EcoSiC™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=SiC

  3-2. 关于EcoGaN™

  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括GaN HEMT单品,还包括内置控制器的、搭载了GaN的 IC等产品。另外,EcoGaN™旨在成为“易用的GaN器件”,并促进GaN在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作,进而为实现无碳社会做出贡献。

  2022年罗姆的第一个EcoGaN™产品系列150V耐压GaN HEMT实现量产,2023年实现业界超高器件性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌Innergie的“C4 Duo”、“C10 Duo”等AC适配器采用,为AC适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。

  与Si器件相比,GaN器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化,但其栅极驱动很难,而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能,还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的LSI相结合,实现“易用的GaN”。将650V耐压GaN HEMT和栅极驱动器等元器件一体化封装的Power Stage IC(SiP:System in Package)“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品(图3)。该产品可轻松替换现有的Si MOSFET,而且可使器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%。未来,罗姆还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的GaN驱动用控制器IC等产品,通过普及“易用的GaN器件”,为进一步提高电源效率贡献力量。此外,罗姆还计划将配备功率因数校正电路(PFC)的Power Stage IC和配备半桥电路的产品投入量产,预计到2026年,罗姆将可以提供集GaN HEMT、栅极驱动器IC和控制器IC于一体的综合解决方案。另外,在EcoGaN™特设页面(英文)中,会发布包括正在开发中的产品在内的最新EcoGaN™解决方案信息。

  预计GaN器件市场将在本世纪20年代后半期快速增长,并有望被广泛用于车载领域的OBC等应用。在车载GaN器件的开发和量产方面,罗姆计划通过各种举措,比如与台积(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,TSMC)建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和OSAT,来加快推出车载GaN器件的速度。

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  ・适用应用示例

  工业设备:服务器电源、基站电源

  消费电子:AC适配器(USB充电器)、无线路由器

  车载设备*:OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  *车载设备用的产品目前正在开发中,计划于2026年发布。

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoGaN™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

  EcoGaN™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=GaN

  EcoGaN™特设页面(英文)

  https://www.rohm.com/support/gan-power-device

  ・“Nano Pulse Control™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3-3. 关于EcoIGBT™

  EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。目前,IGBT的性价比优于SiC MOSFET,因此在注重成本的大功率应用和不要求小型化的应用中,其需求量依然很高,罗姆预计未来IGBT市场将会继续扩大,因此正在推进相关的技术开发。

  罗姆于2010年开始IGBT的研发,并于2012年开始量产。目前,已经在包括日本滋贺工厂在内的多个生产基地实施生产。2024年,罗姆推出了最新一代(第4代)IGBT产品——1,200V耐压的“RGA系列”(图4)。该产品实现了业界超高特性,与以往产品相比,功率损耗减少了35%,短路耐受时间提高到10μs,因此已被车载电动压缩机和工业逆变器等应用采用或考虑采用。另外该产品已经被用于赛米控丹佛斯的电源模块。

  对于IGBT而言,优化特定应用所需的特性非常重要。例如,汽车空调的电动压缩机用的产品注重短路耐受能力,光伏逆变器等用的产品则需要减少开关损耗。罗姆为了很好地平衡这些产品特性,正在根据应用需求对器件结构和杂质浓度等进行精细调整,以设计出满足客户需求的产品。未来,罗姆计划推出650V耐压的“RGE系列”和“RGH系列”等新产品,以满足众多应用(比如车载OBC、光伏逆变器等工业设备和空调等消费电子产品)的需求。另外,罗姆还致力于开拓将IGBT和栅极驱动器IC相结合的IPM(智能功率模块)市场,通过功率损耗和噪声更低的产品,增强在IPM市场的竞争力。

  罗姆也已经着手开发第5代IGBT,目标是在2026年到2027年发布相关新产品。第5代产品不是现有技术的延伸,而是旨在通过采用新的器件结构来进一步提高性能。关于IGBT市场,虽然有SiC元器件普及所带来的影响,但罗姆认为工业设备和车载设备为主的市场将会持续增长,因此计划在未来继续扩大EcoIGBT™的产品阵容。

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  ・适用应用示例

  工业设备:工业逆变器、工业机器人

  消费电子:空调、冰箱、洗衣机

  车载设备:车载电动压缩机、辅助逆变器、车载HV加热器、OBC(车载充电器)

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoIGBT™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt

  EcoIGBT™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=IGBT

  EcoIGBT™快速搜索页面(场截止结构的产品)

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#easyPartFinder

  3-4. 关于EcoMOS™

  EcoMOS™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的耐压600V以上的Si MOSFET,是包括器件和模块在内的品牌名称。EcoMOS™采用的是在保持耐压能力的同时可降低导通电阻(RDS(ON))并减少栅极电荷(Qg)的超级结(Super Junction)技术。

  EcoMOS™适用于冰箱、电动汽车充电桩和服务器电源等众多应用。由于这些产品有很多参数(比如重视噪声性能或开关性能等不同性能的参数),罗姆提供的产品阵容中产品丰富,客户可以根据应用需求灵活选择。例如,与普通产品相比,开关损耗减少约30%且实现了低噪声特性的“R60xxRNx”系列,非常适用于冰箱和换气扇等注重噪声性能的小型电机驱动应用。另外,存在权衡关系的反向恢复时间(trr)和导通电阻(RDS(ON))同时得到改善、开关损耗比普通产品低约17%的“R60xxVNx”系列,非常适用于处理大功率的电动汽车充电桩和服务器等的电源电路,以及日益普及的变频空调等的电机驱动应用(图5)。

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  ・适用应用示例

  工业设备:电动汽车充电桩、光伏逆变器、服务器

  消费电子:空调、冰箱、换气扇

  ・EcoMOS™相关页面

  EcoMOS™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/mosfets/high-voltage?DrainSourceVoltage_num=600.0%7C650.0%7C800.0%23videoAndCatalogData

  EcoMOS™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=Super%20Junction

  Super Junction MOSFET特设页面

  https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

  4. 结语

  本文介绍了组成“Power Eco Family”的四大品牌。罗姆对每一个品牌都非常注重产品开发速度、应用产品设计过程中的支持体系强化以及稳定供应等,并会考虑合作生产和联合开发等方式。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量;并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献(图6)。

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首先,在图中的分度1中,电源电压施加在U相绕组上,V相绕组接地(以下简称“GND”)。也就是可以理解为电流从U相流向V相。  另外,如果U相绕组为N极,则V相绕组为S极(假设是这样绕制的)。当转子处于1分度的位置时,如果绕组的磁极如上所示,则转子将逆时针旋转。  当转子转动,霍尔信号W的极性切换后,进入分度2。在这里,电流从U相流向W相,绕组的磁场如上图所示进行切换。此时转子也是逆时针旋转。  转子通过反复“产生磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”→“产生下一模式的磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”而连续旋转。这是该时序图所显示的工作情况。  对了,讲解内容读到这里,有些人可能会有疑惑:讲解的角度是否反了呢?的确,如果是讲解电路工作的话,按照上述思路是没问题的,但是从驱动电机的角度来看,应该是按照“希望在能让转子转动的位置产生磁场”→“以这种方式控制晶体管的ON/OFF” → “在必要的位置安装霍尔器件”的思路进行。在下一篇中,我将按照这个思路为大家介绍如何绘制时序图。  本文的关键要点  ・时序图是电机驱动控制用的规格说明图,因此理解其中的波形含义是非常重要的。  ・本文通过时序图显示了用来使电机旋转的施加电压模式,以及由此产生的电磁场。  无刷电机时序图的绘制方法  在上一篇文章中,我从控制IC入手,从电路工作的角度为大家讲解了电机的工作机制。通过这些内容,我想大家应该已经了解了整个电路的运作情况。在本文中,我将更进一步,来讲解为什么信号会形成这样的时序。实际上,在电机驱动器的开发和设计过程中,要想绘制(可能用“创建”更贴切吧)出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图,从这个方向进行思考是非常重要的。  首先应该掌握的是,相对于转子(永磁体),应该在什么位置产生电磁体的磁场更好。例如,如果希望逆时针旋转,那么就需要在永磁体N极左侧的适当位置创建电磁体的S极。然而,仅仅如此并不能说是最优的,除此之外还要求电机能够以尽可能少的功率(电能)产生所需的转矩(机械能)。这会受电机要素特性(如增加磁体的磁力)的影响,也受永磁体与电磁体的相对位置(角度)的影响。因此,重要的是要确切地知道创建电磁体的位置,而不仅仅是知道配置在左侧。  关于永磁体转子和电磁体定子产生的转矩,适用下图所示的理论。从下图可以看出,电机产生的转矩取决于磁体磁场与绕组(电磁体)磁场之间的相对角度θ,通过sinθ计算(假设绕组产生的磁场和永磁体产生的磁场的大小是恒定的)。  理论上,在磁场的相对角度为90度时转矩最大。因此,相对于转子磁场方向,最好使绕组磁场的方向在该角度附近。  基于该理论,我们根据可能的条件来思考,在实机应用中应该以怎样的时序来产生绕组磁场才算好。首先,我们在“电机的极数与槽数、机械角度与电角度”一文中,了解过可以利用3枚霍尔器件的极性信号,以60度间隔的电角度来区分转子位置。还有,通过施加在绕组端子上的电压组合,可以在6个方向上产生绕组磁场,这在“无刷电机驱动电路的时序图”的“无刷电机驱动电路的时序图(2):电压模式产生的电磁场”中也提到过。由此可见,根据转子的6个位置(范围),正好可以选择6个方向的绕组磁场。  那么,在每个转子位置应产生多大相对角度的绕组磁场呢?如果要想获得较大的转矩,那么相对角度范围应在60~120度之间比较好。当转子旋转并超出该范围后,电机将会进入下一个绕组磁场模式(下图)。  我们基于这个思路,从下往上看下面给出的时序图。换句话说,我们需要根据转子的位置和转动情况来确认各信号处于什么样的状态(必须处于哪种状态)。  针对时序图最右侧灰色箭头所示的1~5,说明如下:  首先,U、V、W绕组的磁极是由转子的位置来决定的。从图中可以看出,在这个转子位置上转矩最大,需要在该位置前后30度区间产生相同的磁场。  接下来,确定产生该绕组磁场的电流方向。电流方向与施加在绕组上的电压方向一致。例如,如果电流从U相流向V相以使U为N极、V为S极的话,那么U相绕组端子电流为正,V相电流为负(GND)。  要想这样向绕组施加电压,需要使U相的高边晶体管和V相的低边晶体管导通。因此,将UH和VL的信号置Hi。此时,其他信号为Lo。其他转子位置也是用同样的思路,来确定从UH到WL的信号逻辑。  接下来,为了能够如图所示切换从UH到WL的6个信号,最好使原来的霍尔信号在图示位置进行切换。顺便提一下,这里每个信号的Hi/Lo的切换位置都很重要,并不是必须实现和上图完全一样的霍尔U、V、W波形(只要知道转子的6个位置位置,那么其他逻辑组合也可以)。  为了在该转子位置切换霍尔信号,应在上图所示的位置安装霍尔器件。对于此处的安装位置而言,相对于绕组的角度是非常重要的。径向位置需要另行单独考虑。  如上所述,无刷电机的时序图以及相应的霍尔器件安装位置就是这样决定的。这种工作模式与有刷电机一样的时序图,在无刷电机驱动控制中被称为“120度激励”。由于这种控制方式比较简单而得以广泛应用,不过目前已经针对无刷电机的驱动控制,设计出了其他多种激励模式。也可以说,这种方式与使用换向器的机械开关的结构不同,现在已经可以使用控制IC来调整激励模式了。其他的激励模式我会另行介绍。  那么至此,已经分三篇讲解了无刷电机的驱动电路结构和时序图,不知您是否已经理解?从下一篇开始,我将围绕120度激励的电机驱动工作,稍微详细地讲解一下此前没有介绍过的电机实际特性。  本文的关键要点  在电机驱动器的开发和设计过程中,绘制出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图是非常重要的。  要想使无刷电机按预期旋转,基于时序图确定位置检测器(这里为霍尔器件)的安装位置也是很重要的工作。
2026-03-02 15:28 阅读量:239
星光熠熠!2025罗姆产品荣获多项行业大奖
  获奖产品一览  · 4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”  · 二合一SiC模块“DOT-247”  · 适用于边缘计算的完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”  1、2025盖世汽车金辑奖  在盖世汽车主办的“金辑奖”颁奖典礼上,罗姆的4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”荣获“2025中国汽车新供应链百强”,此次是罗姆第五次获得该奖项。  产品介绍  4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”,非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(OBC)的PFC和LLC转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型 (BSTxxx1P4K01) 和1200V耐压的7款机型 (BSTxxx2P4K01) 。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中,可有效减少客户的设计时间,而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。  2、2025行家极光奖  在由行家说主办的2025行家说第三代半导体年会——“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”上,罗姆因在SiC和GaN领域贡献技术创新并引领行业发展,荣获“年度企业”之“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”。  同时,罗姆的二合一SiC模块“DOT-247”也凭借其在技术创新、性能提升、成本优化、量产支持及效率改善等方面的突出表现,荣获“年度产品奖”之“2025年度创新产品奖”。  产品介绍  二合一SiC模块“DOT-247”非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性,同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。  3、2025电子发烧友年度优秀电机控制技术产品奖  电子发烧友主办的“2025电机控制先进技术研讨会”成功举办。大会同期颁发“电机控制技术市场表现奖”,罗姆适用于边缘计算的完全独立型AI解决方案 “Solist-AI™”荣获“年度优秀电机控制技术产品奖”。  产品介绍  罗姆凭借自主研发的设备端学习AI技术推出的Solist-AI™微控制器,其无需与外部通信、仅用单芯片即可实现监控设备。Solist-AI™解决方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器,以及支持系统引入的专用实用软件构成。这项突破性AI解决方案为工业设备和消费电子设备带来全新可能性。
2026-01-28 13:32 阅读量:577
参会有礼 | 罗姆车载应用产品解析
  罗姆的产品体系丰富全面,涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型,能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求,其应用场景广泛,涉及工控、光伏以及车载等关键领域。  本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名,参与还有机会赢取精美礼品!  1、研讨会概要  - MOSFET系列产品  1. 封装技术发展及介绍  2. 产品阵容及封装优势  3. 全球化生产及产能布局  - IGBT系列产品  1. 产品发展路线图  2. 产品阵容及封装优势  2、研讨会主题  车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT  3、研讨会时间  2026年1月21日上午10点  4、研讨会讲师倪敏(高级经理)  2010年加入罗姆,现任罗姆半导体(上海)有限公司 中国技术中心高级经理。 统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。  多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供,并在车载市场,有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解,曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。  5、官方技术论坛  不仅是Webinar相关内容,所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!  相关产品页面  · 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858  · 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858  · MOSFET产品列表:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858  · IGBT产品列表: https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858  相关产品资料  面向车载应用的产品目录:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf  晶体管的种类和特征:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf  罗姆功率半导体产品概要:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf  好礼来袭  互动礼  观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个,共计15份。  宣传礼  转发研讨会文章/海报,同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。  专业微信群  标签打印机(30份)  微信朋友圈  车载手机支架(20份)  邀约礼  分享本次研讨会,邀请5位好友报名,并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台,即有机会获取30元京东卡1份,共计20份。  注意事项  1. 请注意,想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号:rohmsemi)。  2. 每位用户仅可领取一种奖品,报名信息须真实有效。  3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
2026-01-16 13:01 阅读量:464
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