AMEYA360代理品牌 | 罗姆功率半导体产品概要!

Release time:2025-01-14
author:AMEYA360
source:罗姆
reading:1711

  1. 前言

  近年来,全球耗电量逐年增加,在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外,以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成为严重的社会问题。因此,为了实现零碳社会,努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。

  在这种背景下,罗姆致力于通过电子技术解决社会问题,专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体,并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念,介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。

  2. 市场需求和罗姆的举措

  近年来,随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长,对于各类应用中配备的电源系统,要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此,要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言,就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时,功率半导体的应用范围也在不断扩大,需求量也与日俱增。

  多年来,罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力,其中包括于全球首家*实现了SiC(碳化硅) MOSFET的量产。另外,预计相关产品的市场需求会进一步扩大,罗姆也在不断开拓新的产品领域,比如将作为下一代半导体与SiC同样备受关注的GaN(氮化镓)产品投入量产。下图1中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量(纵轴)和工作频率(横轴)范围。长期以来一直被用作半导体材料的Si(硅),其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。另外,新一代半导体SiC元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域;而GaN器件“EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”,并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。

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  *截至2025年1月 罗姆调查数据

  3. 组成“Power Eco Family”的四大品牌

  3-1. 关于EcoSiC™

  EcoSiC™是采用了因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。

  罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来,已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。另外,罗姆还提供各种形式的SiC元器件,其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此,为满足SiC市场不断扩大的需求,罗姆于2023年开始生产8英寸衬底,并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中,一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室,实现了快速有效的投资,还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力,不断增强满足快速增长的SiC市场需求的能力。

  在车载设备领域,xEV牵引逆变器对SiC的需求增长最快,SiC产品在其中的应用加速。例如,2024年8月,吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外,罗姆还专注于模块开发,推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型SiC模块TRCDRIVE pack™。TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度,有助于逆变器的小型轻量化,法雷奥的下一代逆变器已经计划采用(图2)。综上所述,罗姆的EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势,而获得了客户高度好评,并已斩获全球130多家公司的Design Win(赢得设计)。

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  在工业设备领域,罗姆还面向PV逆变器(太阳能发电逆变器)、EV充电桩、DC-DC转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发1,500V系统用的2kV耐压SiC MOSFET,并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于SiC SBD,罗姆已经拥有650V~1,700V分立或裸芯片的产品阵容,相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用,在电动汽车充电桩的PFC单元等应用中也已被越来越多地采用。此外,在工业设备领域,罗姆还正在加速建立向模块制造商提供SiC裸芯片的商业模式,例如,加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作,并已经开始为其提供SiC和IGBT裸芯片。

  在产品开发方面,罗姆正在进行下一代即第5代SiC MOSFET开发,计划于2025年发布。与当前第4代产品相比,第5代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约30%,有助于进一步提高效率。另外,罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期,来快速响应市场变化并满足市场需求。

  ・适用应用示例

  工业设备:光伏逆变器、UPS(不间断电源)、EV充电桩、DC-DC转换器

  车载设备:牵引逆变器、辅助逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoSiC™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

  EcoSiC™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=SiC

  3-2. 关于EcoGaN™

  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括GaN HEMT单品,还包括内置控制器的、搭载了GaN的 IC等产品。另外,EcoGaN™旨在成为“易用的GaN器件”,并促进GaN在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作,进而为实现无碳社会做出贡献。

  2022年罗姆的第一个EcoGaN™产品系列150V耐压GaN HEMT实现量产,2023年实现业界超高器件性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌Innergie的“C4 Duo”、“C10 Duo”等AC适配器采用,为AC适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。

  与Si器件相比,GaN器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化,但其栅极驱动很难,而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能,还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的LSI相结合,实现“易用的GaN”。将650V耐压GaN HEMT和栅极驱动器等元器件一体化封装的Power Stage IC(SiP:System in Package)“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品(图3)。该产品可轻松替换现有的Si MOSFET,而且可使器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%。未来,罗姆还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的GaN驱动用控制器IC等产品,通过普及“易用的GaN器件”,为进一步提高电源效率贡献力量。此外,罗姆还计划将配备功率因数校正电路(PFC)的Power Stage IC和配备半桥电路的产品投入量产,预计到2026年,罗姆将可以提供集GaN HEMT、栅极驱动器IC和控制器IC于一体的综合解决方案。另外,在EcoGaN™特设页面(英文)中,会发布包括正在开发中的产品在内的最新EcoGaN™解决方案信息。

  预计GaN器件市场将在本世纪20年代后半期快速增长,并有望被广泛用于车载领域的OBC等应用。在车载GaN器件的开发和量产方面,罗姆计划通过各种举措,比如与台积(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,TSMC)建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和OSAT,来加快推出车载GaN器件的速度。

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  ・适用应用示例

  工业设备:服务器电源、基站电源

  消费电子:AC适配器(USB充电器)、无线路由器

  车载设备*:OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  *车载设备用的产品目前正在开发中,计划于2026年发布。

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoGaN™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

  EcoGaN™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=GaN

  EcoGaN™特设页面(英文)

  https://www.rohm.com/support/gan-power-device

  ・“Nano Pulse Control™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3-3. 关于EcoIGBT™

  EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。目前,IGBT的性价比优于SiC MOSFET,因此在注重成本的大功率应用和不要求小型化的应用中,其需求量依然很高,罗姆预计未来IGBT市场将会继续扩大,因此正在推进相关的技术开发。

  罗姆于2010年开始IGBT的研发,并于2012年开始量产。目前,已经在包括日本滋贺工厂在内的多个生产基地实施生产。2024年,罗姆推出了最新一代(第4代)IGBT产品——1,200V耐压的“RGA系列”(图4)。该产品实现了业界超高特性,与以往产品相比,功率损耗减少了35%,短路耐受时间提高到10μs,因此已被车载电动压缩机和工业逆变器等应用采用或考虑采用。另外该产品已经被用于赛米控丹佛斯的电源模块。

  对于IGBT而言,优化特定应用所需的特性非常重要。例如,汽车空调的电动压缩机用的产品注重短路耐受能力,光伏逆变器等用的产品则需要减少开关损耗。罗姆为了很好地平衡这些产品特性,正在根据应用需求对器件结构和杂质浓度等进行精细调整,以设计出满足客户需求的产品。未来,罗姆计划推出650V耐压的“RGE系列”和“RGH系列”等新产品,以满足众多应用(比如车载OBC、光伏逆变器等工业设备和空调等消费电子产品)的需求。另外,罗姆还致力于开拓将IGBT和栅极驱动器IC相结合的IPM(智能功率模块)市场,通过功率损耗和噪声更低的产品,增强在IPM市场的竞争力。

  罗姆也已经着手开发第5代IGBT,目标是在2026年到2027年发布相关新产品。第5代产品不是现有技术的延伸,而是旨在通过采用新的器件结构来进一步提高性能。关于IGBT市场,虽然有SiC元器件普及所带来的影响,但罗姆认为工业设备和车载设备为主的市场将会持续增长,因此计划在未来继续扩大EcoIGBT™的产品阵容。

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  ・适用应用示例

  工业设备:工业逆变器、工业机器人

  消费电子:空调、冰箱、洗衣机

  车载设备:车载电动压缩机、辅助逆变器、车载HV加热器、OBC(车载充电器)

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoIGBT™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt

  EcoIGBT™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=IGBT

  EcoIGBT™快速搜索页面(场截止结构的产品)

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#easyPartFinder

  3-4. 关于EcoMOS™

  EcoMOS™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的耐压600V以上的Si MOSFET,是包括器件和模块在内的品牌名称。EcoMOS™采用的是在保持耐压能力的同时可降低导通电阻(RDS(ON))并减少栅极电荷(Qg)的超级结(Super Junction)技术。

  EcoMOS™适用于冰箱、电动汽车充电桩和服务器电源等众多应用。由于这些产品有很多参数(比如重视噪声性能或开关性能等不同性能的参数),罗姆提供的产品阵容中产品丰富,客户可以根据应用需求灵活选择。例如,与普通产品相比,开关损耗减少约30%且实现了低噪声特性的“R60xxRNx”系列,非常适用于冰箱和换气扇等注重噪声性能的小型电机驱动应用。另外,存在权衡关系的反向恢复时间(trr)和导通电阻(RDS(ON))同时得到改善、开关损耗比普通产品低约17%的“R60xxVNx”系列,非常适用于处理大功率的电动汽车充电桩和服务器等的电源电路,以及日益普及的变频空调等的电机驱动应用(图5)。

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  ・适用应用示例

  工业设备:电动汽车充电桩、光伏逆变器、服务器

  消费电子:空调、冰箱、换气扇

  ・EcoMOS™相关页面

  EcoMOS™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/mosfets/high-voltage?DrainSourceVoltage_num=600.0%7C650.0%7C800.0%23videoAndCatalogData

  EcoMOS™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=Super%20Junction

  Super Junction MOSFET特设页面

  https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

  4. 结语

  本文介绍了组成“Power Eco Family”的四大品牌。罗姆对每一个品牌都非常注重产品开发速度、应用产品设计过程中的支持体系强化以及稳定供应等,并会考虑合作生产和联合开发等方式。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量;并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献(图6)。

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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
2026-06-03 10:41 reading:190
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
  中国上海,2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。  随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。  此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。  另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。  下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。  罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。  <关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能,以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接:  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET使用时的应用优势  ・白皮书:ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案  ・访谈文章:数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading:311
罗姆丨方案介绍  智驾升级,看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石
  2026年,L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地,产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中,ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体,其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络,为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性,直接影响系统能否正确应对复杂路况。  罗姆围绕ADAS环境感知环节,提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品,覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块,您可点击查看罗姆ADAS解决方案。  车载摄像头  随着ADAS等级提升,单车摄像头数量不断增加,部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求,从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输,提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。  保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管  采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求,还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。  - 创新型保护用肖特基势垒二极管  RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。  PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列,适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下:  · 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统  · 3.5mm见方的业界超小封装,可减少安装面积  · 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)  · 支持各制造商的CMOS图像传感器  SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率,因此与普通产品相比,功耗可降低27%。此外,通过传输速率优化功能和展频功能,还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此,该IC还具有冻结检测功能,可以检测图像的冻结状态,从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。  激光雷达(LiDAR)  LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器,罗姆可提供光源器件和电源管理产品。  高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1~8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光,客户可根据应用需求选择合适的照射方法。  LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等),其特点如下:  · 以小型封装实现300mA的输出电流:采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm),将输出电流从以往的200mA提高到300mA  · 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA):支持在1.8V的电源系统中使用,可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)  · 低输出噪声特性:与普通的低噪声型LDO相比,输出噪声减少约40%,仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)  迈向高阶自动驾驶,环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件,配合ComfySIL™功能安全方案,为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来,罗姆将持续深耕汽车电子,以更高效、可靠的元器件方案,助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
2026-05-14 09:55 reading:499
技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
  数字化转型(DX)和AI的迅猛发展,为社会带来了巨大的便利,而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。  为了助力解决这一社会课题,罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势,更大程度地提高服务器能效当作使命。其中,服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升,以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能,是实现无碳社会的重要课题。  从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件,到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件,罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体,为客户提供前瞻性的解决方案。  罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求,同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。  AI服务器主板(Server Board)  随着生成式AI的普及和数字化转型的加速,现代服务器面临着前所未有的算力需求,以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE),从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型,以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。  罗姆利用多年积累的高效电源IC技术,结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET,为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术,大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度,助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。  电源供应单元(PSU)  罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路,可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群,助力应用产品大幅提升效率。另外,针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途,可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群,可将导通损耗降至超低水平。当然,罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。  在这些种类繁多的产品群基础上,罗姆还可提供系统层面的综合解决方案,其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。  备用电池单元(BBU)  在BBU(备用电池单元,用来在电源异常时保护数据)设计中,能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品,助力BBU的小型化和可靠性提升。  此外,在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中,能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器,对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET,可满足其严苛要求,并可提高系统的可靠性和稳健性。  罗姆不仅提供这类元器件级解决方案,还针对多样化的电源架构,提供满足从传统的12V/50V级电源,到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
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