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长晶科技|卓越F<span style='color:red'>ST</span> 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域

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长晶科技|卓越FST 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域

　　随着全球能源转型的加速，光伏发电与储能系统已成为构建新型电力系统的关键。作为电力电子系统的 “核心心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT模块的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性及综合成本。　　长晶科技基于FST G3.0工艺平台推出IGBT半桥模块，优化器件在导通损耗和开关损耗表现的综合性能，保证恶劣环境下的运行可靠性，为光伏逆变器、PCS 等应用场景提供高效率、强稳定性的核心技术支撑。　　01 产品介绍　　长晶科技推出的1200V IGBT半桥模块系列，包含450A、600A与900A三种电流规格，搭载自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低损耗及高可靠性的特点，可全面覆盖光伏储能系统需求。　　同时长晶科技与国内头部驱动厂商合作推出按产品参数特性定制的驱动板，可提供配合调试支持服务。　　02 电性参数　　长晶科技1200V IGBT半桥模块产品具有卓越的性能设计　　◆ 针对开关特性，通过优化栅电荷(Qg)，实现了开关应力与损耗之间的平衡，提升不同栅极驱动设计的兼容性，并减轻散热系统承受的压力。　　◆ 针对通态性能，产品在高温下表现出显著的低VCE(sat)，在系统运行时转化为更低的导通损耗。　　◆ 综合芯片选用条件，表现出更低的FOM值(定义见下图)，性能优秀同时兼具成本优势。FOM值定义 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]　　03 竞争优势　　1.饱和降压　　长晶科技FST 3.0 IGBT采用先进的微沟槽栅(1.6μm Pitch)场截止结构，发射极效率优化，有效提升了功率密度。　　同测试平台条件下，VCE(sat)基本达到国际主流友商第七代产品优秀水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱和压降降低5%~6%，实现高温系统下优异的通态损耗性能。　　2.关断损耗　　基于同平台双脉冲测试得到TJ=150℃时的关断损耗Eoff，结果如下图所示。　　测定条件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　测定条件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　长晶FST 3.0 IGBT在高温条件下实现了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一特性确保了模块在光伏储能系统特定工况下的运行效率与长期稳定性。　　长晶科技将致力于高效功率模块的研发与创新，持续推动电力电子系统朝着更小尺寸、更高效率、更可靠稳定且更具成本竞争力的方向不断升级!

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长晶科技

发布时间：2026-01-13 14:39 阅读量：278 继续阅读>>

国民技术N<span style='color:red'>ST</span>urnkey-SmartToken安全方案荣获物联网行业优秀解决方案奖

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国民技术NSTurnkey-SmartToken安全方案荣获物联网行业优秀解决方案奖

　　12月19日，国民技术股份有限公司凭借 “NSTurnkey-SmartToken：基于N32S0xx安全芯片的一站式交钥匙方案” ，在“维科杯·OFweek 2025物联网行业年度评选”中，从近200个参评项目中脱颖而出，荣获 “优秀解决方案奖” 。该奖项是对国民技术重构物联网安全范式、推动技术普惠的行业认可。　　获奖方案：重塑范式，化繁为简　　此次获奖的 NSTurnkey-SmartToken 方案，其核心优势在于“软硬一体、开箱即用”。方案基于已通过商密芯片二级及EAL4+等高安全等级认证的N32S0xx安全芯片，通过 “芯片+COS+标准中间件” 的一体化设计，将商密算法、密钥管理等复杂的安全能力封装为标准、易用的API接口。这使得物联网开发者无需深入理解底层密码学与硬件细节，即可实现产品快速集成芯片级的安全防护，从而真正实现了业务应用与底层安全能力的解耦。　　方案适用于构建可信网络接入(加密路由器/网关)、保障金融与身份安全(USB Key/支付终端)、守护关键物联网终端(加密摄像头/车载终端/智能门锁)以及保护核心数字资产(加密硬盘/多媒体内容)等重要场景，是各行业应对安全合规与数据保护挑战的理想选择。　　方案核心价值：敏捷交付，赋能生态　　NSTurnkey-SmartToken方案的核心价值在于 “一站式”与“交钥匙” ，它从根本上解决了安全产品落地“最后一公里”的难题：　　1. 开箱即用，零改造集成：方案提供从硬件参考设计、完整SDK到详尽文档的全套资源。其标准中间件支持与OpenSSL、GMSSL等主流协议栈无缝对接，使客户侧可实现“零改造、易集成”。　　2. 降低门槛，赋能创新：该方案显著降低了物联网设备厂商(尤其是中小型创新企业)实现高级别安全防护的技术门槛与综合成本，使企业能将更多资源聚焦于产品本身的业务逻辑与用户体验创新。让密码技术易用，好用!　　3. 统一标准，构建信任：方案支持GM/T 0016 SKF接口(智能密码钥匙密码应用接口规范)，通过提供标准化的安全服务接口，有助于在整个物联网生态中建立统一、可验证的安全基准，为万物智联时代的设备互信与数据安全流通奠定坚实基础。　　未来展望：安全为基，智联万物　　此次荣获“维科杯”优秀解决方案奖，是国民技术在物联网安全领域长期深耕、持续创新的一个缩影。未来，国民技术将持续以安全为基石，与生态伙伴携手，推动安全技术的标准化与普惠化，致力于为每一台物联网设备提供便捷的芯片级守护，共同构建更可信的万物智联世界。

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国民技术

发布时间：2025-12-22 11:38 阅读量：376 继续阅读>>

国产MCU领跑！小华半导体斩获A<span style='color:red'>ST</span>C2025重磅荣誉，全链创新赋能家电升级

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国产MCU领跑！小华半导体斩获ASTC2025重磅荣誉，全链创新赋能家电升级

　　12月10日，2025中国家电科技年会(ASTC2025)在武汉盛大启幕。小华半导体凭借在国产家电MCU领域的深耕积淀与亮眼市场表现，一举斩获“自有品牌空调整机国产芯片用量排行榜”权威证书，这不仅是行业对其市场实力的高度认可，更标志着国产MCU在空调核心控制领域实现全面突围。　　01 锚定三大需求，构建全链路自主体系　　家电MCU国产化的加速推进，核心源于对三大核心需求的精准把控。小华半导体立足产业痛点，构建“设计自主+国产工艺+全程可控”的全链路自主体系：以经过市场验证的国产设计为核心，依托主流成熟的国产晶圆工艺与具备成本优势的国产封测服务，筑牢供应链安全防线;通过工艺迭代升级、高集成度芯片设计、软硬件协同优化，打造自主可控的可持续降本路径;打通“消费者-整机厂-供应链”无缝链路，实现创新快速落地，形成覆盖应用到生态的全层闭环创新能力。　　02 可靠性筑牢根基，闭环生态加速创新　　可靠性是国产MCU立足市场的硬核基石。小华半导体聚焦瞬态电应力、寿命可靠性、嵌入式NVR Flash可靠性等关键维度强化设计，实现产品可靠性与量产一致性追平国际传统大厂。如今，国产MCU已跨过简单替代阶段，迈入深耕创新的全新阶段。小华半导体依托应用驱动的全生态供应链加速技术迭代，构建 “从应用中来，到应用中去”的闭环生态，快速响应客户需求，一系列技术突破持续落地，彰显其创新实力。　　03 硬核产品赋能，全流程服务护航落地　　硬核产品矩阵是市场认可的核心支撑。“国产化破局者” HC32F460凭借强悍性能与超强抗干扰能力，在高温、高湿、强电磁的严酷环境下稳定运行，累计出货超2亿颗，彻底扭转行业对进口芯片的依赖局面;集成度标杆HC32F448以“压缩机+风机+高频PFC”三合一单芯片控制能力，助力客户简化设计、降本增效，已在头部企业大规模出货。　　从主控、触控、主变一体到高端变频家电控制，小华半导体产品完美适配空调、冰箱、洗衣机等多产业需求，对家电应用实现全场景覆盖。搭配成熟的变频算法支持与全流程技术服务，从代码生成器到IEC60730认证样例库，全方位加速客户产品迭代。　　04 践行产业担当，重构MCU行业地位　　从供应链自主可控到核心技术创新，从产品矩阵突破到全生态赋能，小华半导体以实际行动践行国产MCU的产业担当。此次获奖不仅是行业对其深耕成果的高度肯定，更是国产MCU崛起的生动缩影。未来，小华半导体将持续深耕家电核心场景，以全链创新推动国产MCU从“替代备选”走向“主导引领”，为家电产业高质量发展注入源源不断的核心动力，书写中国智造的自主创新新篇章。

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小华半导体

发布时间：2025-12-11 14:17 阅读量：455 继续阅读>>

江西萨瑞微<span style='color:red'>ST</span>B58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS

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江西萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS

　　在网络设备迈向全智能化与高密度部署的今天，以太网供电(POE)技术已成为基石。其核心的48V电源端口，如同设备的“心血管”，至关重要却也异常脆弱。　　江西萨瑞微电子推出的 STB58VCB651-T瞬态电压抑制二极管，并非泛泛而谈的通用保护器件，而是一款为48V POE及DC电源端口静电浪涌防护精准定义的专业解决方案。　　› 01 精准定位：为何是58V?　　一切卓越防护始于精准的电压定位。STB58VCB651-T的反向断态电压(VRWM)为58V，这是一个极具针对性的设计。　　STB58VCB651-T核心参数　　完美匹配POE标准：IEEE 802.3bt标准下，58V的VRWM确保了TVS在设备正常工作时完全处于高阻态，漏电流极低(典型值<1µA)，如同一位沉默的哨兵，绝不干扰系统本身的电力传输。　　充足的安全裕量：为电源本身的波动和纹波预留了合理空间，杜绝了在正常工况下的误触发风险，保证了防护的“智能性”。　　› 02 核心防护参数深度解读：三重安全边界　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，STB58VCB651-T在浪涌冲击测试中表现优异：　　浪涌测试通过5.0KV：在10/700μs波形、40Ω阻抗条件下，样品可持续承受5.0KV的浪涌电压，冲击电流达130A，各项参数保持稳定。　　直流特性符合防护需求：在58V下的反向漏电流IR均低于0.02μA，表现出优良的绝缘特性，适用于48V系统防护。　　› 04 关键要点分析　　1. 响应速度的巅峰：其响应时间典型值小于1.0皮秒(ps)。这意味着从感应到过压到开始钳位的物理延迟极短，足以应对最前沿陡峭的ESD脉冲。　　2. 双波形防护能力：器件详细区分了10/1000µs(长时感应雷)和8/20µs(短时直击雷)两种标准浪涌波形下的性能。在8/20µs波形下IPP高达650A，展现了应对直接雷击感应电流的强悍实力。　　› 05 固定应用场景：POE端口的“贴身保镖”　　DC/48V 电源端口静电浪涌防护　　完美适配安防行业广泛采用的48V POE标准，为摄像机、无线AP等受电设备(PD)的电源入口提供第一道、也是最重要的电压钳位防线。　　POE端口静电浪涌防护方案　　TVS的接地路径必须尽可能短、走线宽，以减小寄生电感，确保高频浪涌电流能快速泄放。在紧凑设计中，TVS前端可串联小阻值电阻或磁珠，与后级设备输入电容形成退耦，优化钳位效果并分担应力。　　选择萨瑞微，选择可靠　　这颗料不仅是参数的集合，更是江西萨瑞微电子技术实力的体现。从精准的芯片设计、严格的晶圆制造到高可靠性的封装测试，萨瑞微通过IDM(垂直整合制造)模式实现了全流程品质可控。　　STB58VCB651-T凭借其精准的电压匹配、业界领先的响应速度、强大的浪涌吸收能力以及全面的工业级可靠性设计，已成功导入多家主流网络设备供应商的供应链，成为48V端口防护领域经过市场验证的标杆产品。

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江西萨瑞微

发布时间：2025-12-08 13:41 阅读量：371 继续阅读>>

业界首款！<span style='color:red'>ST</span> 18nm <span style='color:red'>ST</span>M32V8震撼登场

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业界首款！ST 18nm STM32V8震撼登场

　　近日，意法半导体(ST)发布了新一代高性能微控制器(MCU)STM32V8。为要求严苛的工业应用专门设计，STM32V8在意法半导体位于法国克罗勒300毫米晶圆厂生产，采用意法半导体18纳米先进工艺制造，并集成优异的嵌入式相变存储器(PCM)，同时该系列产品还在三星晶圆代工厂生产。STM32产品家族应用广泛，被全球数十亿台产品设备采用，涵盖消费电子产品、家用电器、工业应用、医疗设备、通信节点等领域。　　意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示：“STM32V8是目前STM32产品家族中处理速度最快的产品，为在恶劣工作环境下高可靠性运行而专门设计，能够替代体积大并且功耗更高的应用处理器。STM32V8代表了高性能MCU的未来发展方向，能够为工业控制、传感器融合、图像处理、语音控制等要求较高的嵌入式AI和边缘AI应用领域带来增益。”　　得益于Arm® Cortex®-M85内核和18nm制造工艺，STM32V8的时钟频率高达800MHz，是目前在售STM32微控制器中性能最强的产品。容量更大、速度更快的嵌入式存储器是实现各种安全互联应用的关键特性。FD-SOI制造工艺与嵌入式PCM相结合，即使在恶劣的工作环境下，也能为微控制器提供强大的鲁棒性和可靠性。　　低轨道(LEO)的高辐射环境就是其中一种严苛的工作环境。SpaceX公司选用STM32V8芯片设计星链微型激光系统，用于连接在低轨道内高速运行的星链卫星。　　SpaceX星链工程部副总裁Michael Nicolls表示：“星链卫星激光系统采用ST的STM32V8微控制器，并成功的部署到太空中，标志着星链网络中推进高速连接项目取得了重大进展。STM32V8的高性能算力结合大容量嵌入式存储器和数字功能，对于满足我们严苛的实时处理需求至关重要，同时，得益于18nm FD-SOI制造工艺，STM32V8为低轨道环境带来更高的可靠性和鲁棒性。我们期待将STM32V8集成到其他产品中，并利用其强大的功能开发下一代先进应用。”　　STM32V8目前处于入市早期阶段，仅为部分指定客户供货，从2026年第一季度开始向OEM大客户供货，随后逐渐扩大供货范围。　　技术信息　　STM32V8采用Arm® Cortex®-M系列中最新的性能最高的Arm® Cortex®-M85内核，能够处理复杂的应用，同时保持极高的能效。　　意法半导体的绝缘体上硅(FD-SOI)技术具有卓越的能效和稳健性，支持最高140°C的结温。　　STM32V8的相变非易失性存储器(PCM)拥有目前市场上最小的单元尺寸，可实现4MB的嵌入式非易失性存储器(NVM)，并在保持出色成本效益的同时提供高集成度。　　新产品通过利用STM32 Trust框架以及最新的加密算法和生命周期管理标准集成了先进的安全功能。STM32V8的目标是获得PSA 3级认证和SESIP认证，加快即将发布的《网络弹性法案》(CRA)的认证过程。　　STM32V8支持3.3V电平为工业应用带来了很多好处，包括更低的功耗、更好的信号完整性，以及集成现代工业通信标准。　　新微控制器集成了专用加速器，包括图形加速器、加密/哈希加密加速器，并集成了大量的IP模块，包括1Gb以太网、丰富的数字接口(FD-CAN、8/6通道xSPI、I2C、UART/USART、USB)、模拟外设和定时器。　　作为MCU级的STM32V8可以提供MPU级的处理性能，同时支持裸机或基于RTOS的开发项目，实现更好的系统行为、启动时间、资源利用率和攻击防御能力。　　新微控制器支持包括STM32Cube软件开发和交钥匙硬件在内的STM32开发生态系统，交钥匙硬件包括Discovery套件和高性价比的Nucleo评估板。

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发布时间：2025-11-25 15:54 阅读量：400 继续阅读>>

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搭载罗姆EcoGaN™ Power Stage IC的小型高效AC适配器被全球电竞品牌MSI采用！

　　2025年11月6日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，其EcoGaN™ Power Stage IC已应用于包括游戏笔记本电脑在内的MSI(微星)产品的AC适配器。　　这款AC适配器由全球领先的电源制造商台达开发，采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV- LB”，具备高速电源切换、低导通电阻等特色，结合台达先进的电源管理技术，与以往适配器相比，大幅缩减体积同时提升能效。　　通过搭载EcoGaN™ Power Stage IC，台达为 MSI 设计的适配器不仅提高供电瓦数，还可在峰值状态下维持一小段时间的高输出功率，即使在要求高性能的电竞高负载环境下，也能实现稳定的电力供应。　　近年来，随着游戏笔记本处理能力的提升，其搭载的GPU和CPU的性能也越来越高。这使得功耗也随之增大，要求AC适配器既要提供稳定支撑这种高负荷运算处理的大功率，又要满足用户对便携性日益增长的需求，因此在提升性能的同时缩小体积已成为当务之急。　　另一方面，具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件(如电源电路中使用的电感器等)的小型化而备受瞩目。罗姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、栅极驱动器、保护功能及外围元器件于一体，仅需替换以往的Si MOSFET即可更大程度地激发出GaN HEMT的性能。　　台达边际信息科技电源事业部总经理林政毅表示：“结合台达最先进的电源方案和罗姆的EcoGaN™ Power Stage IC技术优势，我们成功地满足游戏笔记本AC适配器对大功率供电、能效优化及小型化的需求，并被全球知名的电竞品牌MSI采用。罗姆在GaN的技术领域拥有许多优势，也是我们长期合作的重要伙伴。我们期待未来持续透过与其技术合作，为客户提供更多新世代的高效电源方案。”　　罗姆 LSI开发本部功率GaN解决方案开发部统括课长名手智表示：“台达与罗姆在电源系统领域已合作多年。此次合作成果是台达多年积累的电源开发技术和罗姆的功率元器件开发制造技术、模拟电源技术的深度融合，很高兴能够被MSI的产品采用。未来，我们不仅致力于在游戏笔记本领域，还将致力于在服务器、工业设备、汽车等更广泛的领域为电源的小型化和效率提升贡献力量。”　　<关于Power Stage IC>　　罗姆的GaN HEMT Power Stage IC可为需要高功率密度和效率的各种电力电子系统提供理想的解决方案。该产品集下一代功率器件GaN HEMT和为了更大程度地激发GaN HEMT性能而优化的栅极驱动器于一体，支持2.5V～30V的宽输入电压范围，可以与各种控制器IC结合使用。这些特点和优势使其能够取代超级结 MOSFET等传统的分立功率开关。　　<什么是EcoGaN™>　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-11-07 09:34 阅读量：461 继续阅读>>

兆易创新GD32F5xx与GD32G5xx <span style='color:red'>ST</span>L软件测试库获颁IEC 61508功能安全认证

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兆易创新GD32F5xx与GD32G5xx STL软件测试库获颁IEC 61508功能安全认证

　　兆易创新GD32F5xx与GD32G5xx系列MCU配套的STL(Software Test Library)软件测试库获得德国莱茵TÜV授予的IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证。这是继GD32H7与GD32F30x STL之后，兆易创新在功能安全领域实现的又一重要拓展，已实现Arm® Cortex®-M7、Cortex®-M4及Cortex®-M33内核MCU的全面覆盖。依托这一布局，兆易创新将持续为全球工业控制、能源电力、人形机器人等关键领域客户，提供高性能、高安全性的多元化产品与配套软件解决方案。　　随着工业自动化等领域对安全性要求的不断提升，功能安全已成为嵌入式系统设计的核心要素。兆易创新基于Arm® Cortex®-M33内核的GD32F5xx与GD32G5xx系列MCU已发展成为工业高性能应用的重要选择。其中，GD32F5xx系列MCU主要面向能源电力、光伏储能、工业自动化等对处理性能和控制精度有严格要求的应用领域。GD32G5xx系列则凭借出色的处理性能、丰富多样的数字模拟接口资源，以及WLCSP81(4x4)超小封装在内的多种封装形式，广泛适用于人形机器人、数字电源、充电桩、储能逆变、变频器、伺服电机、光通信等多元化场景。与之配套的STL软件测试库可对MCU内部模块进行实时监控与系统检查，能够有效检测随机硬件故障，并在识别到异常后立即触发预设的安全响应机制，确保MCU始终置于安全状态，从而降低潜在的风险隐患。　　此次认证的获得，不仅彰显了兆易创新在功能安全体系构建、技术实现与流程管理方面的深厚积累，更体现了公司对国际安全标准的持续遵循与坚定承诺。未来，兆易创新将继续推进功能安全在多元产品线的纵深布局，致力于以更安全、更可靠的产品，赋能千行百业的智能化升级与高质量发展。

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发布时间：2025-10-24 09:40 阅读量：554 继续阅读>>

稳“控”全局，驭风而行！捷捷微电J<span style='color:red'>ST</span>139E-800E让飞科吹风机秒变

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稳“控”全局，驭风而行！捷捷微电JST139E-800E让飞科吹风机秒变"风速控制大师"！

　　在颜值与性能兼具的个护赛道，一场关于「风」的革命正在发生。国产品牌飞科推出的高速吹风机FH6371，凭借11万转无刷电机、六种风温风模式组合，迅速圈粉新一代用户。拆解发现，在这款产品的智能电力调控核心中，捷捷微电可控硅JST139E-800E如同整个电路的“智能指挥官”，精准调度每一股电流，安静却强大地支撑着整个吹风机的流畅运转。　　不仅要吹得猛，更要控得稳　　高速吹风机不仅是“风速”的竞赛，更是“控制”的较量。飞科FH6371提供多档风温风速，其背后离不开对电机与加热模块的快速、精准电力调控。尤其是在频繁启停、高低功率切换的使用场景中，对功率器件的响应速度、耐压水平和抗冲击能力都提出了极高要求。　　捷捷微电的JST139E-800E凭借800V高耐压与16A大电流能力，从容应对电路中电压浪涌与电流波动，实现近乎无声的迅捷开关控制，保障输出平稳可靠，让用户体验到“每一档风，都恰到好处”。　　硬参数背后，是更硬核的可靠性　　800V耐压，无惧浪涌冲击：远高于常规工作电压的耐受值，为整机提供冗余保护空间，即便在电压不稳定的环境中仍安全运行;　　16A通流，动力输出不衰减：支持吹风机持续高功率输出不过热，避免性能波动;　　TO-263封装，散热与结构双优：封装工艺成熟，利于PCB布局与散热设计，提升整机寿命。　　不仅是元件，更是体验的「基石」　　一款优秀消费电子的背后，离不开多个核心器件的协同支持。捷捷微电JST139E-800E的成功导入，体现了飞科对零部件性能与品质的严苛要求，也反映出捷捷微电在功率半导体领域的产品力与市场认可度。

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发布时间：2025-10-10 15:48 阅读量：716 继续阅读>>

江西萨瑞微电子S<span style='color:red'>ST</span>30100CT系列肖特基二极管重磅来袭

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江西萨瑞微电子SST30100CT系列肖特基二极管重磅来袭

　　高性能肖特基势垒二极管　　在追求高效率、低损耗的现代电源设计中，一款优秀的整流器件是成功的关键。江西萨瑞微电子深耕功率半导体领域，始终致力于为客户提供高性能、高可靠性的产品。　　今天，我们隆重向各位推荐萨瑞微电子SST30100CT5,SST30100CT6,SST30100CT7 三款100V/30A高性能肖特基势垒二极管(SBD)，为您的电源创新保驾护航!　　产品简介　　该系列产品采用业界通用的TO-220, TO-220F和TO-263封装，提供灵活的安装和散热选择，满足不同应用场景的需求。　　型号与封装对应关系：　　SST30100CT5: TO-220封装　　SST30100CT6:TO-220F 封装　　SST30100CT7: TO-263 封装　　关键参数解析　　高反向耐压 (VRRM/VDC): 100V　　提供高达100V的反向重复峰值电压和直流阻断电压，为电路提供坚实的保护，轻松应对各种中高压应用场景，提高系统的可靠性。　　低正向压降 (VF)：VF=0.65V @IF6 15A　　肖特基二极管的核心优势!具有极低的正向导通压降，这意味着在导通相同电流时，器件自身的功耗和发热更小，从而显著提升整机效率，尤其适用于低电压、大电流的输出环境。　　高击穿电压 (VBR): 110V　　最小击穿电压为110V，提供了充足的裕量，确保器件在100V额定电压下工作稳定可靠，抗浪涌能力强。　　产品优势与特点　　1. 高效率：得益于肖特基结构固有的低VF特性，能有效降低能源损耗，提升电源转换效率，是符合节能环保理念的理想选择。　　2. 高可靠性：优良的芯片设计和成熟的工艺制程，确保了产品在高温、高湿等恶劣环境下仍能保持卓越的性能和长寿命。　　3. 多封装选择：同一芯片提供三种主流封装，方便客户根据PCB布局、散热设计和电气隔离(绝缘)需求进行灵活选择，简化设计与采购流程。　　4. 出色的开关特性：肖特基二极管是多数载流子导电器件，没有电荷存储效应，因此反向恢复时间极短，开关速度快，有利于降低开关噪声，提高高频应用下的性能。　　典型应用领域　　这款高性能肖特基二极管系列广泛应用于各类电源和功率转换设备中，包括但不限于：LED电源、适配器和开关电源。　　选择萨瑞微，选择可靠　　江西萨瑞微电子作为国内先进的半导体产品制造商，始终坚持以质量为核心，以客户为导向。我们的SST30100CT系列肖特基二极管经过严格的测试与质量控制，性能可比国际一线品牌，是您实现国产化替代、优化成本结构的优质选择。

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萨瑞微电子

发布时间：2025-09-18 14:32 阅读量：647 继续阅读>>

力芯微推出12.4V大电流BOO<span style='color:red'>ST</span>

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力芯微推出12.4V大电流BOOST

　　产品概述　　ET84501是一款全集成同步升压转换器，带有19mΩ功率开关和23mΩ整流开关。此器件可以为便携式设备提供高效率小型电源解决方案。ET84501具有2.7V到12V的宽输入电压范围，可以支持由单节或多节电池供电的应用，包括锂离子/锂聚合物电池。ET84501具有输出7A持续开关电流的能力，且能够提供高达12.4V的输出电压。　　ET84501 采用自适应恒定关断时间峰值电流控制(ACOT)拓扑结构调节输出电压。在轻载条件下，ET84501以可提升效率的脉频调制(PFM)模式工作，在中等到重负载条件下，ET84501以脉宽调制(PWM)模式工作。其中PWM模式下的开关频率可以通过外部电阻在200kHz至2.2MHz之间调节。除了开关频率可以外部调节之外，ET84501的峰值限流值一样可以通过外部电阻值调节，最大峰值电流可达11.5A。ET84501还内置3ms软启动功能，并提供了13V输出过压保护、逐周期过流保护和热关断保护等保护机制，能够更好地保护整个系统。　　ET84501采用紧凑的UQFN11(2.0mm x 2.5mm)封装。　　产品特性　　输入电压范围:2.7V to 12V　　输出电压范围:4.5V to 12.4V　　效率高达90%(VIN=3.3V,VOUT=9V,IOUT=2A时)　　高达11.5A的可编程峰值限流　　可编程开关频率:200kHZ to 2.2MHz　　3ms的内置软启动时间　　轻载下采用PFM运行模式　　13V的内部输出过压保护　　FB电压为1.212V　　逐周期限流保护、过温保护　　封装：UQFN11(2.0mm x 2.5mm)　　管脚定义　　典型应用

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力芯微

发布时间：2025-08-29 14:02 阅读量：724 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
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