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量产固态纳米孔成为可能：imec利用<span style='color:red'>EUV</span>光刻取得关键突破！

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量产固态纳米孔成为可能：imec利用EUV光刻取得关键突破！

　　在今年的IEEE国际电子器件会议(IEDM 2025)上，世界领先的先进半导体技术研发创新中心imec首次成功展示了利用极紫外(EUV)光刻技术在晶圆级上制备固态纳米孔的成果。固态纳米孔正逐渐成为分子传感领域的强大工具，但尚未实现商业化。此次概念验证是实现其低成本(大规模)生产的关键一步。　　纳米孔是蚀刻在氮化硅膜上的微小孔洞，宽度仅为几纳米。当浸入液体中并连接到电极时，单个分子可以通过这些孔洞，产生可实时分析的电信号。由于孔径易于调节，纳米孔的应用范围十分广泛，从病毒鉴定到DNA和蛋白质分析均可胜任。这种无需标记的单分子检测方法是下一代诊断、蛋白质组学、基因组学乃至分子数据存储应用的关键。　　另一方面，由脂质膜中的蛋白质形成的生物纳米孔已应用于商业测序平台，但其稳定性及集成性仍面临挑战。固态纳米孔凭借其稳健性、可调控性和与半导体制造的兼容性克服了这些限制，使其成为可扩展、高通量传感的理想选择。然而，在大面积范围内实现纳米级精度和均匀性的固态纳米孔仍然是一个挑战。目前的制造方法通常速度较慢且仅限于实验室环境，这阻碍了其在传感应用中的广泛应用。　　在IEDM 2025会议上发表的一篇新论文中，imec报告称成功在整片300mm晶圆上制备了直径小至约10nm的高度均匀纳米孔。该团队将极紫外光刻技术与基于间隔层的刻蚀技术相结合，实现了纳米级的精度和可重复性——这两项长期以来一直是纳米孔技术领域的挑战。　　将纳米孔嵌入氮化硅膜中，并在水性环境中对其进行电学表征。利用DNA片段进行的易位实验也证实了其具有高信噪比和优异的润湿性能，验证了纳米孔对生物材料的传感性能。　　“imec拥有得天独厚的优势来实现这一飞跃。我们可以将传统上用于存储器和逻辑电路的极紫外光刻技术应用于生命科学领域。通过利用我们的光刻基础设施，我们已经证明可以大规模制造出满足分子传感所需精度的固态纳米孔，” imec研发项目经理兼第一作者Ashesh Ray Chaudhuri表示。“这为医疗保健及其他领域的高通量生物传感器阵列打开了大门。”　　展望未来，这项技术有望实现快速诊断、个性化医疗和分子指纹识别。基于极紫外纳米孔技术的进步，imec 目前正在开发一种模块化读出系统，该系统采用可扩展的流体控制技术，旨在为相关应用的化学开发提供平台。imec 团队诚邀生命科学工具开发者使用该平台来测试他们的概念和需求。　　在 2026 年 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，将发表论文“用于固态纳米孔单分子传感的 256 通道事件驱动读出，在 1 MHz 带宽内具有 193 pArms 噪声”，展示 imec 开发的概念验证 ASIC 读出，以支持下一代定制纳米孔。

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EUV

发布时间：2025-12-11 16:49 阅读量：405 继续阅读>>

新型光刻机诞生！突破12nm图案化，媲美<span style='color:red'>EUV</span>！

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新型光刻机诞生！突破12nm图案化，媲美EUV！

　　美国小型初创公司Substrate表示，该公司已开发出一种芯片制造设备，其性能足以媲美目前最先进的光刻机设备。　　Substrate CEO James Proud表示，这款工具是该公司雄心勃勃的计划的第一步，该计划旨在建立美国芯片代工制造业务，与台积电在最先进的人工智能(AI)芯片制造领域展开竞争。James Proud希望通过以远低于竞争对手的价格生产所需工具来大幅降低芯片制造成本。　　James Proud表示：“我们的首要目标是能够在美国以最低的价格大批量生产出最好的晶圆。”他表示，业内许多人认为这不可能实现，“但我认为历史经验告诉我们，这种想法是错误的。”Substrate希望在美国建立一家代工厂，生产定制半导体。James Proud表示，根据目前计划，其设备可能在未来“几年”内在美国的一家芯片制造厂(或称晶圆厂)投入生产。　　如果该公司成功，将对美国的经济和国家安全产生深远影响。美国总统唐纳德·特朗普已将芯片制造业务回归美国作为其计划的关键组成部分，美国政府最近收购英特尔的股份。英特尔曾是领先的芯片制造商，但近年来在制造技术方面难以跟上台积电的步伐。　　Substrate公司表示，已吸引包括中央情报局支持的非营利机构In-Q-Tel、General Catalyst、Allen & Co、Long Journey Ventures和Valor Equity Partners在内的多家投资机构，融资1亿美元，估值超过10亿美元。　　然而，Substrate公司所追求的目标十分艰巨。　　光刻技术是一项即使是大型公司也难以企及的工程壮举，它需要极高的精度。ASML是全球唯一一家能够大规模生产复杂工具的公司，这些工具利用极紫外(EUV)光刻技术，以极高的吞吐量在硅晶圆上生成图案。　　Substrate旨在对EUV光刻方法进行改进。尽管这家初创公司出于竞争原因不愿透露细节，但该公司设备使用粒子加速器从波长较短的X射线中产生光源。这种方法可以产生更窄的光束。　　Substrate声称其设备能够打印12nm尺寸图案，与High NA EUV设备相当。这意味着这家初创公司的设备能够与目前最先进的生产线相媲美。Substrate表示，它不使用任何外部生产的光刻工具或知识产权，并且“已经建立了与任何其他半导体公司没有重叠的差异化技术”。而目前全球顶级High NA EUV光刻机单价超过4亿美元。　　该公司称，已在美国国家实验室和其位于旧金山的工厂进行了演示。该公司提供了高分辨率图像，展示了Substrate设备的性能。　　大幅降低制造成本　　“这对美国来说是一个凭借本土公司重夺市场份额的机会，”橡树岭国家实验室主任、高能X射线束专家Stephen Streiffer表示，“这是一项具有国家重要意义的工作，他们知道自己在做什么。”　　SemiAnalysis分析师Jeff Koch表示，如果Substrate成功实现大幅降低芯片制造成本的计划，很可能会产生连锁效应，就像SpaceX降低火箭发射成本的努力推动太空旅行的发展一样。　　但Substrate公司工程师和高管距离实现目标还有很长的路要走。Jeff Koch说：“他们坚信，在自主研发芯片工艺的过程中，首先要解决的是光刻技术问题。最终，这将取代台积电等巨头。”　　开发一种能够与台积电相媲美的先进芯片制造工艺需要数十亿美元，即使是英特尔和三星等公司也一直在努力完善这项技术。如今，芯片工厂的建设成本超过150亿美元，而且需要专门的技术进行建设和运营。　　James Proud表示，该公司尚未直接获得政府资助，但包括美国商务部部长卢特尼克等在内的美国官员一直对Substrate的工作很感兴趣。　　James Proud和Substrate的投资者组建了约50人的团队，由来自学术界和半导体领域的顶尖人才组成。其中包括20世纪80年代初在劳伦斯利弗莫尔国家实验室、劳伦斯伯克利国家实验室和桑迪亚国家实验室等国家实验室从事EUV技术开发的研究人员和顾问。　　Substrate成立于2022年，但James Proud在此之前就已经开始着手构思。该公司的名称指的是支撑晶体管和集成电路的薄硅基——这对现代电子产品的性能和效率至关重要。　　伯恩斯坦分析师David Dai在一份报告中表示，Substrate此前曾尝试过X射线技术，但收效甚微。此外，他还表示，该公司缺乏行业支持。　　“如果初创公司真的相信自己的技术，我们认为唯一可行的方法就是围绕它构建生态系统，并让整个行业共同努力。”David Dai说道，“然而，它选择了与ASML和台积电竞争，这扼杀了任何建立生态系统来支持这项技术的可能性。”

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光刻机

发布时间：2025-10-30 15:10 阅读量：909 继续阅读>>

三星电子与蔡司合作加强聚焦<span style='color:red'>EUV</span>技术和半导体设备

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三星电子与蔡司合作加强聚焦EUV技术和半导体设备

　　三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。　　三星电子的执行董事长李在镕(Jay Y. Lee)近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特(Karl Lamprecht)及其他公司高管。　　会议上，双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以增强两家公司在晶圆代工代工和存储芯片领域的业务竞争力。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。　　资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。蔡司在EUV技术方面拥有超过2000项核心专利，其掌握的技术可以在高性能先进芯片生产中发挥重要作用。　　三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。

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蔡司

发布时间：2024-04-29 15:11 阅读量：1158 继续阅读>>

英特尔大规模量产Intel 4工艺采用<span style='color:red'>EUV</span>光刻

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英特尔大规模量产Intel 4工艺采用EUV光刻

　　英特尔宣布在位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂成功安装和调试了EUV(极紫外)光刻机，并已正常启用，准备开始Intel 4工艺的量产。这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。　　Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。　　目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。　　其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。　　Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。　　明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。　　Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。　　此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。

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英特尔

发布时间：2023-10-13 09:22 阅读量：1901 继续阅读>>

挥别国产存储上半年，<span style='color:red'>EUV</span>导入、DDR更迭下半场如何走？

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挥别国产存储上半年，EUV导入、DDR更迭下半场如何走？

在几个月就能历经一轮“生死劫”的前沿科技产业，变化本就是主旋律。步入 2020 年，黑天鹅齐飞，诸多新变量的引入，使存储业者面临更多不确定性。回顾存储产业上半年，一些事件值得回味，一些变动指向未来，全球半导体观察带您梳理观察重点。看亮点1. 国产存储“芯”势力国产替代预期催化，半导体成为上半年科技主题基金重仓焦点股，可谓风头十足。高景气度持续下，细分赛道龙头公司也纷纷迎来高速增长拐点。作为国内最大、全球第四大 NOR 芯片供货商，兆易创新开年不久便见识了半导体资本狂潮。2 月 13 日，兆易创新股票涨幅超 9%，股价创历史新高，总市值达到 1020.73 亿元，成为国内第六家市值破千亿的半导体公司。不过，一些投资人直呼“过热”并提醒当下静态估值可能偏高，市场也很快发出“入场需谨慎”的信号。国产存储制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能买到国产固态硬盘 SSD 和内存条的消费者开始体会，“国产存储替代”趋势着实摸得着。 4 月 13 日，紫光集团旗下的长江存储宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功。9 月 10 日，长江存储宣布推出两款消费级固态硬盘 SSD 产品。值得一提的是，长江存储布局多项专利，技术几乎都是自主研发。长江存储独有的 Xtacking 架构可以在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，使 NAND 拥有更高的 I/O 接口速度，实现更高的存储密度以及更小的芯片面积。进入 5 月，多款搭载长鑫存储 10 纳米级 DDR4 芯片的内存条上市，首款中国芯的光威弈 PRO DDR4 内存条由深圳嘉合劲威制造。中国自主研发的 DRAM 芯片终于投入市场，内存芯片产业史又写下一笔。长鑫存储不仅研发出 19 纳米工艺的 DRAM 芯片，填补了国产空白，更是打通了从设计到生产制造的全流程。国际内存芯片市场在迎来中国玩家后，未来将看到更多中国面孔。紫光集团重返 DRAM 赛场，兆易创新等国内企业也已入局。 2. 国际厂商激战升级，DRAM 进入 EUV 时代2020 年一季度，伴随 DRAM 价格回暖，存储龙头厂商的交锋也显得更为激烈。目前，三星电子、SK 海力士和美光科技占据全球 DRAM 市场超过九成的份额。其中，居于前两位的三星和 SK 海力士，都将在 DRAM 生产中导入极紫外光光刻设备 EUV 技术。最先跨入 EUV 时代的自然是三星。3 月 25 日，三星宣布成功出货 100 万个业界首款使用 EUV 的 10 纳米级 DDR4 DRAM 模组，且已经完成了全球客户评估。三星第四代 10 纳米（D1a）、更先进 10 纳米的 DRAM 会开始使用 EUV，预计 2021 年开始批量生产基于 D1a 的 DDR5 DRAM 和 LPDDR5 DRAM。 SK 海力士的相关内部人士透露，公司已开始研发第 4 代 10 纳米级制程(1a)的 DRAM，内部代号为“南极星”，预计将在制程中导入 EUV 技术。 2020 年的变数实在太多，业内人士观测，存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。工艺提速的同时，预计基于 EUV 技术的存储器生产市场竞争将会更加激烈。 EUV 技术确有降本功效，门槛却极高，是否采用值得再三评估。美光企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。 3.DDR5 稍慢，LPDDR5 引领新一轮产品竞争主流内存规格在今年有何进展？相比量产和应用步伐稍缓的 DDR5，主要运用智能手机等移动终端市场的低功耗 LPDDR 则进展神速，且已在终端产品领域掀起浪潮。今年 2 月，美光宣布交付全球首款 LPDDR5 芯片。此后，小米 10 全线采用 LPDDR5 内存芯片，供应商为美光和三星。小米搭载 LPDDR5 芯片消息一出，努比亚总裁倪飞紧随其后宣布红魔 5G 全系列标配 LPDDR5。两天后，Realme 副总裁徐起宣布 realme 真我 X50 Pro 全系标配 LPDDR5。从采用效果来看，根据美光提供的参数，LPDDR5 相较 LPDDR4 整机省电 5%～10%，续航延长 5%～10%。 SK 海力士计划今年量产 DDR5，三星计划 2021 年基于 D1a 工艺大规模量产 DDR5，美光 1Znm 制程的 DDR5 寄存型 DIMM(RDIMM)已开始出样。 TrendForce 集邦咨询表示，DDR5 应用场景以计算机、服务器产品为主，但需要配合主流 CPU 的规格，预计到 2021 年的下半年才能在市场上看到一定数量的产品。看趋势1. 国产替代提速，从 0 到 5%半导体国产替代口号响亮，自给率极低的存储器无疑有着最强音。根据中国海关数据，2019 年，我国进口了价值 3040 亿美元的集成电路，超三分之一为存储器。而在 2018 年，国产存储的量产量为零。 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的存储器产品。在 DRAM 领域，三家国际厂商把控全球主要市场份额。受益于长鑫存储 DRAM 芯片推出，中国存储器开始实现中低端领域的部分替代。 NAND Flash 制造厂长江存储新工厂目前有一座 12 英寸晶圆厂，满产产能为 10 万片 / 月。长江存储计划到年底，其位于武汉的新工厂可以月产量提高 3 倍，达到 6 万片的规模。 2020 的上半年，见证了不少国产存储制造的突破进展。《日经亚洲评论》报道指出，中国存储器产量的全球占比将在今年提升到 5%。 2. 价格罕见拉升，但压力仍在现货渠道部分存储器颗粒现货价格上涨，引发市场高度关注是否会带动存储器产业反转向上。TrendForce 集邦咨询表示，DRAM 现货价格出现久违涨势，但下半年 DRAM 价格仍有压力。 TrendForce 集邦咨询还表示，观察目前 DRAM 市场，consumer DRAM 仅占整体 DRAM 市场消耗量约 8%，涨跌关键仍在于供需双方的库存水位，以及主流 server DRAM 的采购动能何时回温。在 data center 与 enterprise server 业者尚未重启新一轮补货前，DRAM 价格压力仍在，现货价格反弹可能仅是短暂效应。 3. 扩产还是缩减开支？积极预测与审慎现实2018 年 9 月，存储器景气度开始下行，在去年三季度触底并开始回暖。存储市场显现复苏态势后，拉高半导体产业整体预期。市场预测，自 2020 年，全球半导体企业将开始进行扩产，2021 年半导体产业新增产能可望创下历史新高。但热闹是结构性的，或者说，新冠疫情等黑天鹅来了后，难免遭遇现实考量。分析人士指出，COVID-19 影响显著，预计在可预见的未来将继续对存储器市场产生影响。考虑到市场的不确定性，为确保存储器行业的长期健康发展，存储器供应商必须谨慎地作出应对。结语不管是回顾还是展望，国产替代无疑是备受瞩目的线索。EUV 技术导入、DDR 世代更迭、龙头厂商激战升级之外，以长江存储、长鑫存储、兆易创新为代表的本土厂商在应对本土供应难题的同时，也开始因突破性进展放出更大声量。挥别国产存储极具里程碑意义的 2020 上半年，国内存储厂商也迎来发展良机。

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存储产业 NOR芯片 DRAM EUV技术 LPDDR5

发布时间：2020-10-13 00:00 阅读量：4128 继续阅读>>

传三星从比利时获得<span style='color:red'>EUV</span>光刻胶半导体制造加速摆脱日本

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传三星从比利时获得EUV光刻胶半导体制造加速摆脱日本

日本对韩国发起的贸易制裁已经过去一个月了，分别是7月4日、8月7日推出了两波禁令，严控重要材料对韩国出口，其中第一波制裁中的光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢最为关键，对半导体、面板生产极为重要。但是日本通过贸易限制想让韩国屈服的愿望很有可能落空，尽管日本公司在十几种半导体材料中占据50%以上的份额，但是日本的限制迫使韩国公司加速寻求新的来源，即便日本宣布允许对韩出口，韩国三星等公司也决议扩大新的来源，摆脱日本限制。据报道，三星近日从欧洲获得了一种重要的半导体制造材料——EUV光刻胶，据悉三星从比利时一家公司获得了稳定的光刻胶供应，可以使用6到10个月。尽管三星方面没有透露具体的公司名字，但出售EUV光刻机的应该是日本JSR公司与比利时微电子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利时比利时子公司持股。当然，韩国在这方面依然是利用了日本政策的漏洞——日本的政策限制只针对日本国土上的公司，海外公司对外出售产品是不受限制的。从另一个角度来说，日本制定这样的政策限制对本国企业并不是什么好事，不仅影响本土销售，还会迫使这些公司加速向海外转移以绕过政策限制，毕竟韩国公司一年进口的半导体材料价值50亿美元。除了三星之外，韩国的SK海力士、LGD等公司也在使用日本本土之外的半导体、面板材料供应，在日本政府公开限制对韩国出口之后，韩国公司一方面加速寻求日本之外的第三方供应商，另一方面也会加强自主研发，韩国就投资了7.8万亿韩元，约合449亿人民币在未来5年研发100多种关键材料、装备。

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日本韩国半导体

发布时间：2019-08-12 00:00 阅读量：1747 继续阅读>>

麒麟985将采用7nm+<span style='color:red'>EUV</span>工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

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麒麟985将采用7nm+EUV工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

　　据外媒报道，华为即将推出的麒麟985旗舰级芯片组可能成为首款采用极紫外光刻工艺(EUV)制造的智能手机芯片，仍为7nm工艺。　　此前也有相关媒体报道称，华为下半年将大幅追加台积电7nm芯片的投产量，有望超过苹果成为台积电最大的7nm客户。　　按照惯例，麒麟985应该就是麒麟980的升级改良版，预计会提升CPU/GPU主频，进一步提升性能。同时，麒麟985的首发机型会是华为Mate 30系列，预计今年下半年推出。麒麟985的一大亮点就是标配5G基带，这也意味着华为Mate 30系列会支持5G网络。　　外媒报道称，EUV（极紫外光刻工艺）是采用光来蚀刻硅晶片上的晶体管，该技术可以让晶体管的位置更精确，同时芯片上的晶体管密度可以增加20%，使得单位面积的芯片性能更强大，能耗更低。　　值得一提的是，EUV将在后续的芯片中(5nm或更新的工艺)中展现真正价值，在7nm上其实还没有显示真正的潜力。虽然摩尔定律说每隔18个月-24个月晶体管数量翻一番，但很可能很快就会达到物理极限，EUV则有助于改善这一局面，并为下一代5nm芯片组的诞生奠定基础。　　此外，极紫外光刻技术(EUV)预计将在2020年成为大规模生产的可行解决方案。台积电并不是唯一一家致力于完善该技术的供应商，英特尔也在此领域进行了投资，但之前的报告显示英特尔推迟发布其首批基于EUV的芯片组直到2021年，这使得台积电成为领先的竞争对手。

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麒麟

发布时间：2019-03-25 00:00 阅读量：2092 继续阅读>>

台积电,三星与英特尔<span style='color:red'>EUV</span>光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

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台积电,三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星，最快将在2019年导入极紫外光微影技术（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家，家登是其中之一，且家登已经通过艾司摩尔（ASML）认证，此举无疑宣告，家登今年EUV光罩盒将大出货，公司更透露，接单强劲，目前已有供给告急压力。首先就台积电的部分，今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产，而三星的7纳米制程也会采用EUV设备，并在今年进入量产阶段，至于英特尔方面，其7纳米发展进度佳，也确定会导入新一代EUV微影技术，但量产时间可能会落在2020年。而台积电和三星采用EUV设备的7纳米，预计在2019年导入量产，并在2020年大量，但其相关的光罩盒等设备大量采购时间会集中在2019年开始，至于英特尔，虽采用EUV的7纳米会在2020年量产，但其光罩盒采购时间，可望落在2019年下半。换言之，为了先进的EUV设备的7纳米制程，台积电、三星与英特尔将自2019年开始大举向家登采购相关的光罩盒，而家登新一代EUV光罩传送盒G/GP Type也在2018年底获得ASML认证通过，这意味着，家登光罩传送盒今年可望明显放量出货，营收与获利成长可期。

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三星,台积电,EUV

发布时间：2019-01-03 00:00 阅读量：1925 继续阅读>>

台积电挟<span style='color:red'>EUV</span>量产优势横扫5G,AI等订单

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台积电挟EUV量产优势横扫5G,AI等订单

台积电明年上半年将独步同业，成为全世界第一家采用最先进的极紫外光（EUV）微影设备完成量产的晶圆代工厂，助攻台积电横扫全球多数第五代行动通讯（5G）及人工智能（AI）关键芯片订单，稳坐全球晶圆代工龙头宝座。EUV透过高能量、波长短的光源，解决既有显影技术瓶颈，是先进制程发展的关键设备，一台要价1亿欧元，晶圆代工厂导入EUV量产的时程，被业界视为技术领先的关键。台积电明年领先群雄，率先导入EUV量产，意味再次棒打英特尔、三星等劲敌，晶圆代工龙头地位屹立不摇。台积电董事长魏哲家证实，台积电导入EUV的7纳米强化版（7+）将于明年第2季量产，是全球首家采用EUV为客户量产芯片的晶圆代工厂。稍早三星曾宣布取得苹果部分处理器订单，并宣称是全球第一家在7纳米导入EUV量产的半导体厂。魏哲家此言等于打脸三星，宣示台积电技术含金量远高于同业，凸显台积电在先进制程已赢得全球芯片大厂信任。魏哲家不愿透露首批导入EUV设备量产客户，强调有多个产品导入7+FFT先进制程将会量产。据悉，台积电将把EUV应用于2020年量产的5纳米制程，并开始应用于3纳米制程技术开发，业界预期，台积电挟EUV领先量产优势，将横扫5G、AI等订单。

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台积电,IC制造,EUV

发布时间：2018-07-23 00:00 阅读量：2123 继续阅读>>

ASML出货速度提升,中芯国际或更快获得<span style='color:red'>EUV</span>

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ASML出货速度提升,中芯国际或更快获得EUV

　　2018年7月18日，ASML公布了2018年第二季度业绩报告。　　报告指出，ASML第二季度销售额为27.4亿欧元，净利润为5.84亿欧元，毛利率达到43.3%。　　ASML CEO Peter Wennink表示，第二季度的销售额高于预期，主要是因为EUV的销量高于预期。此外，第二季度的毛利率也高于ASML预期，这也进一步表明了EUV强大的盈利能力。　　ASML曾表示计划在今年出货20套EUV系统。在第二季度财报中，ASML指出第二季度出货4套EUV系统，比预期多出一套，将能够稳步完成今年的目标。　　此外，第二季度共接到19.5亿欧元的新订单，其中45%来自于逻辑芯片客户，55%来自于内存芯片客户。　　新增订单来自中芯国际？这新增的订单来自哪里？　　据了解，台积电、英特尔和三星电子已经从ASML订购了许多EUV系统。来自供应链消息来源称，就营收而言为全球最大的芯片代工厂商台积电，今年就预订了10套该系统。三星电子公司预订了约6套EUV系统，而英特尔今年将订购3套。全球第二大芯片代工厂商格芯也预订了1套。　　不难看出，依靠这几家，ASML今年计划的20套EUV销量基本可以实现。　　在5月份集微网曾报道过，中国大陆最大的晶圆代工厂中芯国际已经订购了一台EUV设备，而这一设备正是购自ASML，价值1.2亿美元。此举表明，中芯国际帮助提升中国本土半导体制造技术的抱负日益增强，尽管中芯国际在这一市场仍落后于市场领先者两至三代技术。　　那么，这笔新的订单或许就来自中芯国际。　　不过我们也可看到，ASML的EUV交货数量要比预期要高。ASML表示，目前出货的4套EUV设备是根据原本的生产排期和能力而定的，与此前的下单时间有关。　　Peter Wennink也指出，“ASML 现阶段的执行重点在于加速提升EUV系统的良率和生产力，这将为EUV业务提供更强健的基础，有助于实现2019年至少出货30台EUV系统的计划。 ”　　这是否意味着ASML的出货速度正在提升，中芯国际预定的EUV系统或将更快出货？　　此外，5月，长江存储也迎来了自己的第一台光刻机，同样是由ASML供应，不过这台机器并不是最新的EUV光刻机，而是193nm沉浸式光刻机，可用于生产20nm-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆，售价7200万美元一台。　　无独有偶，在上海浦东新区康桥工业园南区，华虹集团旗下上海华力集成电路制造有限公司建设和营运的12英寸先进生产线建设项目（“华虹六厂”）首台工艺设备光刻机也已在5月进厂。　　据了解，这台光刻机的型号是NXT 1980Di，依然是由ASML供应。官方资料显示，这是一台193nm双级沉浸式光刻机，用于10nm级（14~20nm）晶圆生产，同时它也是大陆装备的最先进的沉浸式光刻设备。　　而这些数据都应当已经归入到ASML第二季度的财报之中。　　光刻机需求持续增长　　此外，从终端应用来看，2018年第一季度内存芯片市场占比为74%，逻辑芯片占比为26%。到第二季度，内存芯片占比下降到54%，而逻辑芯片占比上升到46%。Peter Wennink指出，“今年内存芯片市场对于光刻系统的强劲需求，推动EUV业务的成长，我们预估市场需求增势将从今年持续到2019年。”　　具体来看，ASML在电话会议上表示，由于现有的和新兴的市场对于高性能计算的需求，逻辑芯片市场未来的发展依然稳健。这一市场中的客户正在着力推动7nm技术节点，这将会进一步刺激EUV系统需求的增长。同时，因为EUV系统的不断改善，客户对于系统以及逻辑芯片未来工艺路线的信心正不断增加。　　在内存方面，ASML表示，随着客户技术的迁移和内存容量的增加，几乎每一个客户都需要提升晶圆厂的生产容量，这也将会刺激EUV系统的需求。　　在此影响之下，ASML正在有计划地推进EUV系统的发展。ASML强调，无论是逻辑芯片还是内存，随着工艺的提高，都需要更好的设备来提高生产力。尤其是随着内存层数的不断提高，层数越多就越需要EUV提高生产力，降低生产成本，因为更高的生产力就意味着更低的成本。　　从地区分布上来看，韩国的出货量相比于第一季度的51%已下降到了35%。中国台湾地区的出货量从3%上升到了18%，中国大陆的出货量从20%下降到了19%。　　面向这些市场的产品主要包括EUV、ArF i、ArFdry、KrF、I-Line。其中，EUV的出货量由第一季度的1台上升到7台，ArF i出货量由第一季度的21台下降到了19台，ArFdry由3台上升到5台，KrF依然为19台，I-Line从5台上升到了8台。　　值得注意的是，由于ASML产品的出货量不高，而产品的价格很高，所以不难看出在财报中，部分产品的销售比重一直较低。而像EUV这类设备，由于单价高，出货速度慢，所以反映在财报中的波动就非常大。此外，也正是因为这一原因，销售地区占比波动也比较大。　　预计第三季度销售额约27亿-28亿欧元　　财报中还指出，第二季度共销售了52套全新的光刻设备、7套二手光刻设备。不过对于具体二手设备的销售情况，ASML并没有给出进一步的数据。　　对于第三季度，ASML表示，2018年第三季度的销售额将会介于27亿至28亿欧元之间，其中来自EUV系统的收入为5亿欧元。毛利率介于47%到48%之间，研发费用为3.95亿欧元，主要用于NXT 3400产品线的研发和EUV生产的提速。ASML还强调，今年EUV的预定出货目标依然是20套，在第三季度将会出货5套。　　此外，ASML还表示，与2017年相比，2018年预计销售额和利润都会有稳定的增长，尤其是在上半年良好的业绩下，预计下半年的销售额将会更高，公司整体的盈利能力将会更好。

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ASML,中芯国际

发布时间：2018-07-20 00:00 阅读量：2495 继续阅读>>

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