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瑞萨电子推出行业首创第六代<span style='color:red'>DDR5</span>寄存时钟驱动器

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瑞萨电子推出行业首创第六代DDR5寄存时钟驱动器

　　11月12日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存时钟驱动器(RCD)。这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒(MT/s)的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代(Gen5)RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。　　瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性　　带宽较瑞萨第五代RCD提升10%(9600MT/s vs 8800MT/s)　　向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径　　增强信号完整性与能效：支持AI、HPC，及LLM工作负载　　扩展的决策反馈均衡架构：提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐　　决策引擎信号遥测与裕量调节(DESTM)：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈，以支持更高速度运行　　新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能(AI)、高性能计算(HPC)，及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。　　Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”　　Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今，我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆盖多个SoC平台，以满足AI、HPC，及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”　　供货信息　　RRG5006x第六代RCD专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户开放全新RRG5006x RCD样品，预计于2027年上半年启动量产。

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瑞萨

发布时间：2025-11-13 15:04 阅读量：472 继续阅读>>

三大DRAM原厂暂停报价，<span style='color:red'>DDR5</span>现货价单月暴涨102%！

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三大DRAM原厂暂停报价，DDR5现货价单月暴涨102%！

　　11月5日消息，在AI需求持续爆发之下，全球存储芯片市场正经历一场史无前例的结构性供需失衡，特别是数据中心对于DRAM巨大需求，导致DRAM供应更为紧缺。据Digitimes报道，三星电子在今年10月已经暂停的DDR5的合约报价，随后也引发了SK海力士、美光等DRAM原厂相继跟进，导致DRAM供应链面临严重的供货中断，迫使有急需的客户只能转向现货市场抢货，进一步导致DDR5现货价格一周内大涨了25%。　　对此，市场调研机构TrendForce表示，目前市场上DDR5陆续都有报价，但报价的确被动，导致10月份成交非常有限，价格也由单季模式改成逐月报价。而就目前的报价状况来看，主要是三星暂停报价，其他供应商也转为观望态度，形成竞价氛围。对此，业界人士担忧，原厂不提供报价恐将成为未来的常态。由于上游DRAM原厂目前仅针对科技大厂或一线云端服务供应商(CSP)提供报价，DDR5几乎完全没有释出给其他中小客户。这种供货紧缩，让内存市场已完全进入“卖方市场”。　　报道还指出，由于DDR5合约报价停摆，现货市场成为唯一选择，导致价格急速般飙升。DDR5现货价在近1个月以来全面陷入疯狂大涨。其中，DDR5 16Gb价格从9月底的7.68美元，单月暴增至15.5美元，单月涨幅高达102%，成为所有产品线中涨价最为惊人的品类。另外，尽管今年第四季合约价尚未确认，但市场预期，从第四季开始至2026年上半年，DDR5价格将呈现暴涨走势，逐季涨幅将以两位数百分比以上的幅度调升。一旦趋势确立，预计DDR5 16Gb报价在2026年上半年将有可能达到30美元的天价。　　针对这场由DDR5暂停报价所引爆的危机，日前存储控制芯片厂商慧荣科技总经理苟嘉章就分析指出，此轮存储芯片元件与过去不同，并非单一因素或减产所致，而是由AI推理需求所推动高带宽内存(HBM)、NAND Flash及机械硬盘(HDD)三大核心储存与存储器元件同时紧缺，形成强大的“拉扯性”需求，其中HBM缺货量极大。　　苟嘉章强调，这种“恐慌性短缺”直接改变了产业的议价模式，议价焦点已从“价格”转向“供应能力”上，这就造成了暂停了DDR5合约报价的情况。在此情况下，就连科技大厂苹果都在努力争取2026年的产能分配，且不见得能拿到全部数量。这显示DRAM市场已进入“有货就好” 的阶段，价格谈判几乎停摆。　　此外，美国四大CSP业者(亚马逊、谷歌、Meta、微软)近期全数上修资本支出，且预计2026年将加码投入。这股对高阶存储晶片的强劲需求，有增无减，导致原厂为了追求更高的获利空间，将产能转向利润更高的DDR5及HBM 产品。而且，要增加先进DDR技术(如DDR5)的产能耗资巨大且耗时。若要将DDR使用1b或1c技术的产能每月增加一万片晶圆，所需的先进技术资本支出约为100亿美元。由于先进设备交期长、制程复杂，产能无法迅速增加，使得短期内难以缓解供需差距。　　基于以上的情况，全球三大记忆体制造商，包括三星、SK海力士、美光皆无法为这波AI需求提供足够的DRAM，所以各大厂正积极投入HBM的研发与量产。其中SK海力士预计到2027年，其大型Fab开始大量生产DRAM时，DRAM的缺货情况结实才有希望获得一定程度的缓解。三星是预期到2026年底使其HBM产能规模达到相当可观的程度。美光方面正在加快新加坡厂区HBM的产能扩张。　　总体而言，三星暂停DDR5合约报价，是当前AI狂潮下存储市场供需极度失衡的缩影。由于HBM 产能的结构性限制，加上AI推理对高性能存储芯片的需求爆发，使得原本应做为主流产品的DDR5供应被极度压缩，导致价格单月翻倍，并将市场完全推向卖方市场。这场由结构性限制与空前强劲需求交叠的变局，将持续考验各大厂的智慧与应对能力。DRAM原厂必须在利润丰厚的数据中心需求、以及手机、汽车等其他产业链之间，平衡资源分配。否则，可能导致整个产业链的崩溃。

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DDR5

发布时间：2025-11-05 15:19 阅读量：534 继续阅读>>

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上海贝岭DDR5 SPD芯片：性能升级，助力内存模组升级换代

　　随着计算密集型任务的日益增长，DDR4内存的性能瓶颈已逐步显现。DDR5的出现虽解燃眉之急，但真正推动内存发挥极致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD(Serial Presence Detect)芯片。　　上海贝岭推出全新 DDR5 SPD芯片 BL5118，在上一代DDR4 34TS系列基础上，完成三大关键突破，助力内存模组迈入新纪元!注：上图为产品效果图　　1.I3C总线Hub功能：性能更快更稳　　新增 I3C总线Hub 功能，全面提升内存条与主板间的数据传输效率与兼容性。　　更高带宽透明传输　　智能调节内存状态　　有效隔离Host与Local Devices→更低的电容负载　　结果：表现更流畅，响应更迅捷!　　2.高精度温度传感器：稳定守护者　　BL5118内置的高精度、高可靠温度传感器，可实现：　　实时温度监控　　智能调节运行状态　　有效预防过热降频　　在数据中心等高可靠性服务器场景下，BL5118芯片可以协助主机采集3颗温度传感芯片的实时数据(1颗SPD自带+2颗外置)，让主机精准感知内存模组的温度波动。无论是高负载运行还是长时间待机，内存模组的热稳定性都得以实时监测和全面守护，为整个系统的长期稳定运行奠定坚实基础。　　优势：持续高负载运行中确保内存始终处于稳定、高效状态，延长模组寿命。　　3.更低电压设计：节能更高效　　采用更低的工作电压与I/O接口电压，显著降低功耗：　　更低的发热量　　更高的能源效率　　更适配高频、高负载环境　　特别适用于数据中心、服务器、大型AI运算平台等长期高负载系统!　　4.实力验证：稳定性 + 效率双重保障　　BL5118三大升级，全面优化系统体验：　　5.验证适配领先一步，保障客户无缝集成　　尽管SPD芯片遵循JEDEC标准，但实际应用中，不同主板平台、内存模组设计、BIOS环境等差异，仍对SPD芯片的兼容性、稳定性提出更高要求。　　贝岭BL5118在验证适配方面的三大优势：　　1.全流程兼容性验证　　已通过国内外多家主流服务器/PC主板厂商的SPD兼容性测试;　　支持XMP/EXPO配置识别与BIOS初始化调试;　　高适配率，有效避免“冷启动失败”与“内存识别异常”等常见问题。　　2.快速响应的本地化技术支持　　支持客户自定义寄存器内容初始化;　　紧急适配支持响应时间<24小时，适配效率远优于海外同类厂商。　　3.高可靠出厂测试保障　　所有出货芯片均通过100%功能测试 + 高低温老化测试。　　许多SPD芯片的问题并非出现在“规范不合”，而是出现在“适配不到位”。　　而上海贝岭BL5118通过软硬一体化的适配保障体系，让模组厂、主板厂无需承担不必要的整合风险，为产品上市周期争取宝贵时间。

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上海贝岭

发布时间：2025-06-09 13:33 阅读量：1014 继续阅读>>

SSD/<span style='color:red'>DDR5</span>价格全线上涨！闪存市场即将回暖

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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

　　随着特朗普政府对存储产品关税立场软化，叠加原厂控货与库存周期进入补库阶段，存储现货市场观望情绪显著减弱。渠道SSD和DDR5价格近期呈现调涨趋势，反映出供需格局的结构性调整与技术升级的双重驱动。　　关税政策的不确定性缓解是本轮市场回暖的核心动因。4月以来，美国对华存储产品加征125%关税的预期减弱，渠道客户因担忧关税导致的采购停滞逐步恢复。　　CFM闪存市场数据显示，DRAM和NAND Flash现货交易活跃度较3月提升约25%，其中受关税冲击较大的MLC NAND因停产供应短缺，价格周环比上涨7.61%。　　原厂控货策略的持续执行进一步加剧资源紧张。三星、美光、SK海力士自2024年第四季度起持续削减产能，2025年第一季度NAND Flash产能同比减少约25%。　　这种主动控产直接导致现货市场资源短缺，例如搭载QLC NAND的企业级SSD因产能被优先分配，现货价格较年初上涨约15%。　　库存周期进入补库阶段则推动需求回升。经过2024年的库存去化，全球存储芯片库存水位已从峰值下降约30%，部分大众市场客户(非Tier1客户)开始释放三季度备货需求。　　集邦咨询预测，二季度DRAM合约价涨幅将达13-18%，NAND涨幅15-20%，远超一季度预期。　　消费级SSD价格呈现“阶梯式上涨”。受NAND Flash现货价格上涨带动，256GB SATA3 SSD价格在4月21日至27日当周环比上涨7.61%，但PC厂商因库存较高对价格接受度偏低，原厂与品牌之间的博弈加剧。　　企业级SSD则因AI服务器和云计算需求持续走高，搭载QLC NAND的eSSD价格较年初上涨15%，且产能被优先分配至数据中心客户。　　DDR5价格呈现“颗粒与模组分化”。颗粒层面，DDR5 16Gb Major价格在4月29日当周微幅上涨至4.30美元，而集邦咨询预测二季度DDR5合约价涨幅将达13-18%。　　模组层面，受上游PCB等电子辅料供应紧缺影响，DDR5内存条现货价格涨幅有限，但期单价格已出现5-8%的上调。此外，三星、SK海力士加速DDR4减产，产能转向DDR5，进一步加剧了DDR5的供应紧张。　　NAND与DRAM的价格分化加剧。NAND Flash虽因原厂控产出现结构性紧缺，但整体供应仍相对过剩，消费级NAND价格上涨乏力，部分产品甚至出现价格分化。DRAM则因DDR5等高端产品需求旺盛，价格回升明显，而DDR4因低端资源冲击市场，渠道成品难以涨价。　　这种分化反映了存储行业向高端化转型的趋势，例如三星计划2025年HBM产能占比提升至60%，SK海力士HBM3E单颗售价突破1000美元。　　供需格局的长期演变将由AI与高端存储主导。2025年DRAM位元需求预计增长15%，NAND增长12%，而AI相关需求可能贡献其中50%以上的增量。　　原厂资本开支聚焦HBM和DDR5，例如美光计划放缓NAND节点升级进度，三星则将HBM产能翻倍。需求端，AI服务器、智能汽车和消费电子复苏是核心驱动力，Meta、谷歌等云厂商 2025年资本开支预计同比增长36.8%。　　国产替代加速重塑市场格局。国内存储模组厂商凭借低价库存和敏捷供应链，在SSD和DDR5市场加速替代海外品牌。　　长鑫存储的DDR5产品已进入PC厂商供应链，价格较海外竞品低约10%，预计2025年末全球市场份额将达16.1%。长江存储则通过270层3D NAND技术突破，切入企业级存储市场，与中国AI芯片厂合作强化数据中心布局。　　当前存储现货市场回暖是政策、供需、库存等多重因素共振的结果。短期来看，价格上涨趋势有望延续，但需警惕终端需求疲软和库存二次累积的风险。长期而言，AI和高端存储将主导行业增长，而国产替代和技术升级将重塑市场格局。

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发布时间：2025-05-06 16:23 阅读量：2233 继续阅读>>

长鑫存储量产<span style='color:red'>DDR5</span>

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长鑫存储量产DDR5

　　12月24日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)已成功实现DDR5内存芯片的量产。目前，已有数家DRAM模组厂商开始销售基于长鑫存储DDR5芯片的DRAM模组，预示着DDR5内存价格有望进一步下调。　　报道指出，长鑫存储近期启动DDR5生产，其公布的良品率约为80%，与韩国企业生产DDR5的80-90%良品率相比，双方差距并不显著。此外，中国存储模组品牌如King Bank(金百达)和Gloway(光威)等，已开始在电商平台销售标注为“国产DDR5”的32GB DDR5DRAM模组。据业界推测，这些产品所采用的DDR5芯片正是由长鑫存储所提供。

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长鑫存储

发布时间：2024-12-24 13:20 阅读量：1046 继续阅读>>

瑞萨率先推出第二代面向服务器的<span style='color:red'>DDR5</span> MRDIMM完整内存接口芯片组解决方案

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瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM完整内存接口芯片组解决方案

　　全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次传输，满足AI和高性能计算应用需求。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块(MRDIMM)的完整内存接口芯片组解决方案。　　人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输(MT/s);与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。　　瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG50120第二代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)、RRG51020第二代多路复用数据缓冲器(MDB)，和RRG53220第二代电源管理集成电路(PMIC)。此外，瑞萨还批量生产温度传感器(TS)和串行存在检测(SPD)集线器解决方案，并为包括行业标准下一代MRDIMM在内的各类服务器和客户端DIMM提供全面的芯片组解决方案。作为内存接口领域的卓越厂商，瑞萨致力于为用户提供高质量、高性能的产品和服务。　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：　　“AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。我们面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”　　瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主机控制器与DRAM之间的命令/地址(CA)总线、芯片选择和时钟。与第一代产品相比，其功耗降低45%。这对于超高速系统的热管理而言是一个关键指标。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一个关键器件，用于缓冲从主机CPU到DRAM的数据。瑞萨的新MRCD和MDB均支持高达每秒12.8吉比特(Gbps)的速度。此外，瑞萨的RRG53220下一代PMIC提供出色的电气过压保护和卓越的能效，并针对高电流及低电压操作进行优化。

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瑞萨

发布时间：2024-11-22 09:23 阅读量：1267 继续阅读>>

佰维存储推出新一代高效能LP<span style='color:red'>DDR5</span>X内存，加速高性能终端设备AI应用

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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。

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佰维存储

发布时间：2024-11-12 10:38 阅读量：1018 继续阅读>>

三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LP<span style='color:red'>DDR5</span>X验证

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三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。

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三星

发布时间：2024-07-16 09:18 阅读量：1106 继续阅读>>

佰维基于LP<span style='color:red'>DDR5</span>的uMCP赋能智能手机高效运行

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佰维基于LPDDR5的uMCP赋能智能手机高效运行

　　佰维基于LPDDR5的uMCP产品集成了LPDDR5和UFS3.1存储芯片，顺序读写速度分别高达2100MB/s、1800MB/s，频率高达6400Mbps，容量高达8GB+256GB，芯片尺寸小至11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约55%主板空间，助力智能手机系统更灵活设计。　　读速高达2100MB/s、频率高达6400Mbps、LPDDR5功耗降低30%，赋能手机高效运行、持久续航　　相比公司基于LPDDR4X的uMCP产品，佰维基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及Write booster、SLC Cache、HID、Deep Sleep等固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。同时，佰维基于LPDDR5的uMCP产品支持多Bank Group模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps，且基于动态电压调节 (DVFS)功能，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。凭借优异的性能，佰维基于LPDDR5的uMCP产品可从容处理海量数据，高效支持智能手机多任务处理、高清视频解码、游戏加载、大文件拷贝等应用。　　容量高达8GB+256GB，海量数据轻松存储　　在实际生活中，手机长久使用后会出现卡顿现象，尤其是在拍摄高清照片和打开大型视频文件时，卡顿现象愈发严重，需要配置更大的手机存储空间。佰维基于LPDDR5的uMCP产品可提供高达8GB+256GB容量(未来将推出12GB+512GB)，轻松存储并处理AIoT、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用产生的海量数据。此外，该产品提供更大的SLC缓存空间，减少因长时间写入缓存不足，导致手机卡顿。　　节约55%主板空间，助力手机提升电池容量、系统更灵活设计　　依托公司多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺，佰维uMCP通过将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，可节约55%主板空间，助力简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，实现手机更灵活的系统设计，同时也有利于终端厂商优化BOM清单，缩短出货周期。　　随着短视频繁盛、更大手游推出以及4K/8K等超高清视频普及，带动手机存储朝着更高性能、更大容量、更低功耗等方向不断演进。依托研发封测一体化优势，佰维将紧随存储器大容量、大带宽、低延时、低功耗等升级方向，在智能手机、智能穿戴、平板等应用领域持续创新，推出更具竞争优势的存储解决方案，赋能智能终端设备高效稳定运行。　　佰维除了推出基于LPDDR5/LPDDR4X的uMCP以及提供eMCP等集成式存储方案外，亦可提供eMMC5.1、UFS2.2/3.1、LPDDR4x/5等分离式存储方案，充分满足智能终端设备的存储需求。

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佰维

发布时间：2023-10-11 09:48 阅读量：2272 继续阅读>>

三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb <span style='color:red'>DDR5</span> DRAM产品

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三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

　　三星电子宣布该公司已采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。　　通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。　　以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。

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三星电子

发布时间：2023-09-04 10:59 阅读量：2922 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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