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长鑫存储量产<span style='color:red'>DDR5</span>

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长鑫存储量产DDR5

　　12月24日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)已成功实现DDR5内存芯片的量产。目前，已有数家DRAM模组厂商开始销售基于长鑫存储DDR5芯片的DRAM模组，预示着DDR5内存价格有望进一步下调。　　报道指出，长鑫存储近期启动DDR5生产，其公布的良品率约为80%，与韩国企业生产DDR5的80-90%良品率相比，双方差距并不显著。此外，中国存储模组品牌如King Bank(金百达)和Gloway(光威)等，已开始在电商平台销售标注为“国产DDR5”的32GB DDR5DRAM模组。据业界推测，这些产品所采用的DDR5芯片正是由长鑫存储所提供。

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长鑫存储

发布时间：2024-12-24 13:20 阅读量：443 继续阅读>>

瑞萨率先推出第二代面向服务器的<span style='color:red'>DDR5</span> MRDIMM完整内存接口芯片组解决方案

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瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM完整内存接口芯片组解决方案

　　全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次传输，满足AI和高性能计算应用需求。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块(MRDIMM)的完整内存接口芯片组解决方案。　　人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输(MT/s);与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。　　瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG50120第二代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)、RRG51020第二代多路复用数据缓冲器(MDB)，和RRG53220第二代电源管理集成电路(PMIC)。此外，瑞萨还批量生产温度传感器(TS)和串行存在检测(SPD)集线器解决方案，并为包括行业标准下一代MRDIMM在内的各类服务器和客户端DIMM提供全面的芯片组解决方案。作为内存接口领域的卓越厂商，瑞萨致力于为用户提供高质量、高性能的产品和服务。　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：　　“AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。我们面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”　　瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主机控制器与DRAM之间的命令/地址(CA)总线、芯片选择和时钟。与第一代产品相比，其功耗降低45%。这对于超高速系统的热管理而言是一个关键指标。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一个关键器件，用于缓冲从主机CPU到DRAM的数据。瑞萨的新MRCD和MDB均支持高达每秒12.8吉比特(Gbps)的速度。此外，瑞萨的RRG53220下一代PMIC提供出色的电气过压保护和卓越的能效，并针对高电流及低电压操作进行优化。

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瑞萨

发布时间：2024-11-22 09:23 阅读量：610 继续阅读>>

佰维存储推出新一代高效能LP<span style='color:red'>DDR5</span>X内存，加速高性能终端设备AI应用

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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。

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佰维存储

发布时间：2024-11-12 10:38 阅读量：598 继续阅读>>

三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LP<span style='color:red'>DDR5</span>X验证

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三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。

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发布时间：2024-07-16 09:18 阅读量：571 继续阅读>>

佰维基于LP<span style='color:red'>DDR5</span>的uMCP赋能智能手机高效运行

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佰维基于LPDDR5的uMCP赋能智能手机高效运行

　　佰维基于LPDDR5的uMCP产品集成了LPDDR5和UFS3.1存储芯片，顺序读写速度分别高达2100MB/s、1800MB/s，频率高达6400Mbps，容量高达8GB+256GB，芯片尺寸小至11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约55%主板空间，助力智能手机系统更灵活设计。　　读速高达2100MB/s、频率高达6400Mbps、LPDDR5功耗降低30%，赋能手机高效运行、持久续航　　相比公司基于LPDDR4X的uMCP产品，佰维基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及Write booster、SLC Cache、HID、Deep Sleep等固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。同时，佰维基于LPDDR5的uMCP产品支持多Bank Group模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps，且基于动态电压调节 (DVFS)功能，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。凭借优异的性能，佰维基于LPDDR5的uMCP产品可从容处理海量数据，高效支持智能手机多任务处理、高清视频解码、游戏加载、大文件拷贝等应用。　　容量高达8GB+256GB，海量数据轻松存储　　在实际生活中，手机长久使用后会出现卡顿现象，尤其是在拍摄高清照片和打开大型视频文件时，卡顿现象愈发严重，需要配置更大的手机存储空间。佰维基于LPDDR5的uMCP产品可提供高达8GB+256GB容量(未来将推出12GB+512GB)，轻松存储并处理AIoT、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用产生的海量数据。此外，该产品提供更大的SLC缓存空间，减少因长时间写入缓存不足，导致手机卡顿。　　节约55%主板空间，助力手机提升电池容量、系统更灵活设计　　依托公司多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺，佰维uMCP通过将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，可节约55%主板空间，助力简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，实现手机更灵活的系统设计，同时也有利于终端厂商优化BOM清单，缩短出货周期。　　随着短视频繁盛、更大手游推出以及4K/8K等超高清视频普及，带动手机存储朝着更高性能、更大容量、更低功耗等方向不断演进。依托研发封测一体化优势，佰维将紧随存储器大容量、大带宽、低延时、低功耗等升级方向，在智能手机、智能穿戴、平板等应用领域持续创新，推出更具竞争优势的存储解决方案，赋能智能终端设备高效稳定运行。　　佰维除了推出基于LPDDR5/LPDDR4X的uMCP以及提供eMCP等集成式存储方案外，亦可提供eMMC5.1、UFS2.2/3.1、LPDDR4x/5等分离式存储方案，充分满足智能终端设备的存储需求。

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佰维

发布时间：2023-10-11 09:48 阅读量：1729 继续阅读>>

三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb <span style='color:red'>DDR5</span> DRAM产品

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三星电子发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

　　三星电子宣布该公司已采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。　　通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。　　以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。

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三星电子

发布时间：2023-09-04 10:59 阅读量：2494 继续阅读>>

瑞萨电子推出客户端时钟驱动器和第三代<span style='color:red'>DDR5</span>寄存时钟驱动器

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瑞萨电子推出客户端时钟驱动器和第三代DDR5寄存时钟驱动器

　　瑞萨电子宣布面向新兴的DDR5 DRAM服务器和客户端系统推出客户端时钟驱动器(CKD)和第三代DDR5寄存时钟驱动器(RCD)。凭借这些全新驱动器IC，瑞萨仍旧是唯一一家为双列直插式存储器模块(DIMM)、主板和嵌入式应用提供完整DDR5存储器接口组合的供应商。　　DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分别达到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的传输速度均有所提升。CKD支持高达7200MT/s的速度，是业内首款与小型DIMM(SODIMM)、非缓冲DIMM(UDIMM)、高性能游戏DIMM，以及客户端平台的焊接式存储应用相连接的产品。瑞萨的第3代DDR5 RCD专为寄存DIMM(RDIMM)而设计。　　CKD在主机控制器和DRAM间缓冲时钟信号，这是DDR5 DIMM针对客户端DIMM和焊接式存储应用在高达7200MT/s速度运行时的新要求。全新时钟驱动器CKD支持I2C和I3C边带访问以实现异步控制，并提供内部控制字访问，以配置器件功能，适应不同的SODIMM和UDIMM配置及焊接式存储系统应用。　　RCD驱动器在主机控制器和DRAM模块之间针对命令地址(CA)总线、芯片选择和时钟进行缓冲，此外还创建了一个BCOM总线来控制LRDIMM数据缓冲。全新驱动器增强了决策反馈均衡器(DFE)的支持;其将DFE 相位转换器从4个增加至6个，以提高接收器裕量，而I2C和I3C边带总线支持提供了直连寄存器的访问控制。　　采用CKD和RCD驱动器的成功产品组合　　瑞萨将RCD和CKD驱动器与其它成功产品组合中的兼容产品相结合，包括DDR5电源管理IC(PMIC)和CKD串行存在检测(SPD)集线器。RCD还可以与瑞萨的温度传感器、SPD集线器、PMIC和数据缓冲器搭配。瑞萨“成功产品组合”依托于相互兼容且可无缝协作的产品，同时采用经过技术验证的系统架构，提供优化的低风险设计，加快产品上市。基于广泛的产品阵容，瑞萨现已推出超过400款“成功产品组合”，旨在帮助用户加速设计，加快上市。

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瑞萨电子

发布时间：2023-06-29 09:30 阅读量：2166 继续阅读>>

三星电子宣布12nm级16Gb <span style='color:red'>DDR5</span> DRAM已开始量产

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三星电子宣布12nm级16Gb DDR5 DRAM已开始量产

　　5月20日消息，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。　　与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。　　三星12纳米级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。三星为满足客户需求将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力数据中心、人工智能在内的下一代计算。　　三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。

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发布时间：2023-05-22 10:51 阅读量：2376 继续阅读>>

佰维推出高品质<span style='color:red'>DDR5</span>内存模组

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佰维推出高品质DDR5内存模组

　　随着PC、服务器等应用终端不断升级迭代，其在数据存储上对低延迟、低功耗、高速度、大带宽等提出了越来越高的要求，导入拥有更高性能、更稳定可靠的DDR5内存模组或将成为更好的存储解决方案。近期，佰维新推出高品质DDR5 UDIMM、SODIMM内存模组，以更好应对市场挑战。　　佰维DDR5内存产品特点　　数据传输速率大幅提升，轻松实现多任务处理　　佰维DDR5 UDIMM和SODIMM内存模组数据传输速率达4800Mbps，突发长度和预取长度扩展到16位，使得存储器单一读写指令可存取的数据量是DDR4的两倍；此外，DDR5每个模块均拥有两个独立的32位I/O子通道，双通道设计在保证大带宽的同时，可提高存储器存取效率，大幅缩短存取延迟，提高信号完整性，保障PC等终端轻松实现多任务处理。　　更低电压与崭新电源架构，有效降低功耗　　佰维DDR5模组工作电压从DDR4的1.2V降低至1.1V，将电源管理系统从主板拆分，集成IC至模组本身（PMIC），可更高效控制系统电源负载，调节电源纹波、电压和上下电时序，提升信号完整性与兼容性，并有效降低功耗。　　芯片单元容量翻倍，提供更多容量选择　　佰维DDR5采用八个Bank Group组成的32 Banks，相较于DDR4的16 Banks增加一倍，提升了单片芯片存储密度，单条容量相应提升，为内存模组容量提供8GB~32GB的多种选择。　　On-Die ECC纠错+智能温感控制，高稳定、高可靠　　佰维DDR5模组采用高品质晶圆颗粒，支持片内纠错（On-Die ECC）机制，每128位元数据就附带8位元纠错码；产品使用一组差分信号（DQS_t和DQS_c）来捕获数据，一组差分时钟（CK_t和CK_c）来捕获命令、地址和控制信号，差分时钟和数据选通确保了这些信号的特殊抗噪性，并提供精确的触发沿来捕获输入信号，大大提高了模组的数据传输可靠性；此外，佰维DDR5模组支持智能温感控制，可有效避免存储器因过度发热、温度过高造成数据丢失。　　未来展望　　当下，除传统应用终端（如手机、PC、服务器等）迅速更新迭代外，5G、AI等新兴技术亦不断发展，随之而生的各种应用终端迅速占领市场，对高效能运算提出要求。DDR5在性能上的巨大飞跃使其能广泛应用于上述领域（PC、服务器、AIoT、5G应用），并为AR/VR设备、边缘计算、工控等各种高性能、高可靠需求领域终端赋能。　　佰维积极布局DDR5内存模组，构建全栈产品线，公司的全栈测试能力也为DDR5产品提供量产品质保证。未来，佰维将继续充分发挥研发封测一体化优势，在已量产的DDR5 UDIMM、SODIMM产品基础上，开发生产DDR5 RDIMM产品，全力推动DDR5时代的到来。

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佰维

发布时间：2022-12-26 10:42 阅读量：1869 继续阅读>>

TE推出<span style='color:red'>DDR5</span> DIMM插槽连接器

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TE推出DDR5 DIMM插槽连接器

　　内存是数据中心、服务器以及个人计算机等技术发展的重要组成。目前内存的发展是由DDR技术路线引导，TE Connectivity(以下简称“TE”)经历了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代发展。为了更好地助力数据传输的带宽，DDR5 DIMM插槽应运而生，今天Ameya360电子元器件采购网将给大家进行介绍。　　早先这款升级产品即将面世消息一出，我们收到了非常多客户询问，好消息是，现在DDR5 DIMM插槽已全面开放订购！大家可以即刻下单，先人一步畅享更快的数据传输体验。　　TE的DDR DIMM插槽连接器从第一代发展至今，每次升级都能够给客户提供更快的数据传输速率和更可靠的产品使用体验。DDR5 DIMM面向高性能计算和服务器平台，支持高达6.4GT/S（每秒千兆位）的带宽，性能较DDR4 DIMM插槽又更胜一筹，同时也能满足客户对质量和稳定性的要求。　　DDR5 DIMM插槽连接器优势　　支持的数据传输速率翻倍　　支持的数据速率达到6400MbPs，带宽达到16Gbps，相较于DDR4 DIMM插槽整体翻倍　　SI性能得到提升　　特别是对于较厚的PCB，采用表贴安装技术而不是通孔插装安装技术，提高了SI的性能　　散热效果更好　　除了短、中、长耳扣，DDR5 DIMM插槽连接器新增了窄耳扣类型，同时本体也较DDR4 DIMM插槽更瘦，可通过更多风流进而更好散热，最大限度减少设备停机　　解决了焊接难的问题　　相较于上一代产品，DDR5 DIMM插槽连接器对焊接要求更高。TE通过更好的表贴共面度这一解决方案减少焊接过程中的翘曲　　更稳健的结构和设计　　塔座更牢固，同时提供金属卡箍选项，提高操作可靠性　　节省PCB空间　　缩短表贴引脚减小了插槽间距　　提供系统设计灵活性　　耳扣的不同类型和不同颜色、塑料外壳的多色选择以及电镀方式的不同选择为系统设计提供了更多灵活性　　新的料号易于辨识产品　　全新的料号命名方式易于挑选不同产品，节省时间　　主要应用：　　数据中心　　服务器　　存储设备　　人工智能　　台式计算机　　通信设备

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TE,插槽连接器

发布时间：2022-12-02 13:31 阅读量：2400 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor

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