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广和通发布全球版LTE Cat.1 bis模组LE271-GL，助IoT设备“单<span style='color:red'>SK</span>U”畅连全球

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广和通发布全球版LTE Cat.1 bis模组LE271-GL，助IoT设备“单SKU”畅连全球

　　1月7日，广和通推出全球版LTE Cat.1 bis模组LE271-GL。该模组凭借“小尺寸、全球化、低功耗、高兼容”四大优势，旨在为全球物联网客户提供高性价比的全球4G连接方案，加速Tracker、IPC、新能源、消费电子等终端的全球化部署。　　小尺寸设计，单SKU实现全球频段覆盖　　随着物联网应用的出海需求日益增长，终端设备对模组的频段支持和尺寸要求也愈发严苛。广和通LE271-GL采用紧凑的 17.7mm x 15.8mm 尺寸设计，与广和通MC661系列、LE270系列、LE37X系列相互PIN兼容，同时兼容市场上同封装产品，客户无需更改PCB设计即可快速导入。在有限的空间内，LE271-GL实现了对全球主流频段的全面覆盖，支持FDD-LTE和TDD-LTE等广泛频段，真正做到了“一芯连全球”。通过全球版本设计，LE271-GL极大地简化了客户的库存管理和物流成本，助力国内客户出海及海外客户进行全球应用部署。　　性能全面升级，驻网速度提升　　LE271-GL在性能上优于同类平台，充分满足对响应速度和稳定性要求极高的应用场景。模组支持3.5秒内快速驻网，串口AT响应和USB枚举方面表现优异，大幅提升了终端设备的启动与连接效率。LE271-GL支持OpenCPU架构，为客户提供了充足的二次开发空间，进一步降低整机成本。　　极致低功耗，延长设备续航　　针对电池供电的敏感型应用，LE271-GL在功耗控制上进行了深度优化。LE271-GL支持uA级休眠功耗，实现了有效的低功耗管理。同时，其支持DRX等休眠唤醒功能，VDD_EXT及多个GPIO在休眠模式下保持不掉电，确保设备在保持长续航的同时，关键功能依然在线。　　功能丰富，兼容性强　　为便于客户从旧方案平滑迁移，LE271-GL在硬件设计和软件功能上展现了极高的灵活性。LE271-GL支持 LBS + Wi-Fi Scan辅助定位(支持海外及室内定位)和eSIM及单卡/双卡功能，满足物流追踪等场景需求。LE271-GL集成USB、I2C、ADC、UART、LCD、Camera、SPI、GPIO等丰富接口，并支持TTS语音库及MQTT/HTTP/SSL等多种网络协议。　　凭借率先量产的优势，LE271-GL正引领Cat 1 bis模组的全球化进程。目前，广和通LE271-GL已正式进入工程送样阶段，欢迎全球客户及合作伙伴垂询申请，共同探索全球物联网市场的无限商机。

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广和通

发布时间：2026-01-08 10:14 阅读量：294 继续阅读>>

三星和<span style='color:red'>SK</span>海力士将延长DDR4生产至明年！

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三星和SK海力士将延长DDR4生产至明年！

　　据报道，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。　　今年早些时候，三星电子、SK 海力士和美光陆续发布了计划停产DDR4的消息。今年4月，有报道称三星电子已向客户发出通知，多款DDR4内存模块将在2025年底达到产品生命周期的终点(EOL)，最终订购截止日期为2024年6月上旬。根据供应链消息，三星的多款8GB、16GB DDR4 SODIMM和UDIMM模块即将停止生产，最后一批货物的交付时间定在2024年12月10日。　　继三星电子之后，SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将DDR4产能压缩至20%左右，向供应商通知DDR4颗粒的EOL信件，推动供应链加速转单。　　今年6月，美光发布了DDR4和LPDDR4的生命周期终止(EOL)通知，预计DDR4的出货将在2-3个月内结束。　　DDR4短缺引发价格飙升，甚至出现价格倒挂　　三大原厂之所以相继选择停产DDR4，是因为要将宝贵的晶圆产能与研发资源，优先投入到以HBM为代表的、面向AI服务器的高附加值产品中。例如，SK海力士在其2025年第一季度实现了高达42%的营业利润率，并预计HBM销售额在2025年将占其总内存销售额的50%以上。　　但令人意外的是，由于停产导致DDR4短缺，产品价格反而一路上涨，甚至出现了罕见的价格倒挂。　　根据Trend Force数据显示，5月DDR4单月涨幅达53%，创2017年以来最高涨幅。而6月，DDR4 8Gb批发价为4.12美元左右、容量较小的4Gb产品价格为3.14美元左右，均是前一个月份(2.06美元、1.57美元)的2倍水平，且为连续第3个月上涨。其中4Gb产品价格创2021年7月以来新高。7月，消费DDR4合约价飙涨超60~85%，其中PC DDR4 8GB模组价格已超越同容量的DDR5模组，出现罕见的“价格倒挂”。　　业内人士表示，尽管DDR5是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4仍是更具性价比的选择。此外，部分仍在服役的英特尔旧款CPU平台仅支持DDR4，也构成了其需求的底层支撑，正是这部分刚性需求，为市场的询价提供了热度基础。　　DDR4价格上涨的市场行情还会持续吗?　　展望第三季度，DDR4还会持续价格上涨吗?　　有分析认为，经过一个多季度轰轰烈烈的上涨行情之后，服务器DDR4内存条成交市场已经显著降温，动辄高于DDR5的市场报价，严重打击客户积极性，过高的成本甚至引发部分低端服务器亏钱的窘况。随着部分原厂延长DDR4供应期限，并适当加大供应，部分客户需求缺口已经收窄，即便部分客户目前仍有部分DDR4供应缺口，但高昂价格下及一定库存水位下，也宁愿静观其变。在供应与价格双重压制下，服务器客户对于切换至DDR5平台依然有心理预期，部分厂商已经开始着手升级，然而，DDR5平台及基板定制料也将为成本带来巨大压力。　　在对价格更为敏感的消费类市场，大部分终端客户会选择了“松手”并转换赛道。DDR4与DDR5之间日益缩小的价差乃至“倒挂”，正在“倒逼”PC市场的渠道客户“从DDR4升级至DDR5”。华强北商家曾表示，在DDR4现货短缺的情况下，会主动推荐客户转向供应更稳定、价格差距不大的DDR5产品。　　在TrendForce看来，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势，由于服务器的刚性订单挤压了PC和消费类市场的供应，PC OEM不得不加速导入DDR5方案，消费类厂商则面临高价、难以获取物料的挑战，而DDR市场供需紧张也推升Mobile DRAM合约价格，第三季LPDDR4X涨幅为近十年单季最大。

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DDR4

发布时间：2025-09-03 13:42 阅读量：909 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士开始量产321层QLC NAND闪存

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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

　　SK海力士近日宣布，已开发出321层2Tb(太比特，Terabit) QLC* NAND闪存产品，并开始量产。　　SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”　　公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。　　一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面*(Plane)架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。　　因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。　　公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。　　SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)’，实现更大的飞跃。”　　* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)，分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。　　* 平面(Plane)：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能(Data Bandwidth)之一的同时读取性能。　　* 32DP(32 Die Package)：是指为了提升芯片(Chip)容量，将32个Die(裸芯)封装在同一封装中的方式。

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SK海力士

发布时间：2025-08-27 13:26 阅读量：568 继续阅读>>

兆易创新高性能GD32A7x车规级MCU已获TA<span style='color:red'>SK</span>ING编译器支持

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兆易创新高性能GD32A7x车规级MCU已获TASKING编译器支持

　　近日，兆易创新 GD32A7x 车规级 MCU 正式获得 TASKING VX-toolset for Arm v7.1r1 的全面支持。作为业内领先的嵌入式开发工具，TASKING VX-toolset for Arm 的兼容性和优化能力将进一步提升 GD32A7x MCU 在汽车电子领域的开发效率和性能表现。　　自2024年达成战略合作以来，兆易创新与 TASKING 始终保持紧密合作，围绕汽车电子应用需求不断优化工具链支持，助力开发者轻松构建高性能、安全可靠的嵌入式系统。此次兼容性升级不仅丰富了 GD32A7x MCU 的开发生态，也为汽车行业客户提供了更加高效的开发环境，加速高端MCU在车身域控(BDC)、车身控制(BCM)、电池管理(BMS)、车载充电机(OBC)、T-BOX、底盘应用、车灯控制、DC-DC 等核心领域的应用落地。　　兆易创新 GD32A7x 系列车规级 MCU 搭载 Arm®Cortex®-M7 内核，160MHz 主频，763DMIPS 算力，可高效处理复杂任务。并配备最高4MB 片上Flash 与 512KB SRAM，支持双 Flash bank，助力无缝 OTA 升级需求。它采用宽压2.97-5.5V供电，支持-40℃~+125℃工作温度范围，符合 AEC-Q100 Grade1 标准，稳定耐用。同时提供丰富接口，涵盖高速车用总线及多种通信接口，满足系统网络化、拓展功能需求。安全性能卓越，符合 ISO26262 ASIL B 标准，保障功能安全;满足国际 Evita-full 信息安全要求。支持 AUTOSAR 架构，适配主流编译器与调试器，文档支持全面。GD32A7x 系列车规级MCU提供5 种封装24个型号，满足多样设计为汽车电子注入强大动力与可靠保障。　　TASKING 公司不断更新升级 Arm 编译器平台TASKING VX-toolset for Arm，该产品获得了 TÜV Nord 颁发的功能安全认证证书，不仅可为客户提供嵌入式软件开发工具一站式平台，还支持客户开发符合功能安全标准的车规级应用程序。随着中国 MCU 半导体芯片的蓬勃发展，TASKING 也逐步加大对国产芯片公司的支持力度。　　VX-toolset for Arm 的产品优势　　卓越性能　　TASKING VX-toolset for Arm 继承了 TASKING 公司先进的 Viper 技术，能够生成高效精简的执行代码，集成编译器、汇编器和链接器等工具，提升开发效率。同时，内置的C/C++库和浮点库有助于节省大量开发时间。　　可靠保障　　提供行业标准的Eclipse IDE开发环境，确保用户稳定使用并提高开发效率;支持最新Cortex架构微控制器，如 Cortex®– Mx 和 Cortex®-R52系列，兼容第三方工具链，如调试器、AUTOSAR 操作系统和 MCAL 驱动程序，满足嵌入式开发需求。　　安全合规　　严格遵循 ISO 26262、ISO 25119、EN 50657、ISO21434和IEC 61508等行业安全标准，具备 TÜV Nord 认证(ASIL D等级)，并集成 MISRA C 和 CERT C 规则检查功能，帮助用户轻松通过行业标准测试。　　广泛应用　　适用于汽车、工业和电信等多个领域，为客户项目成功实施提供有力支撑，是嵌入式开发者的首选工具。　　TASKING 首席技术官Christoph Herzog表示：“兆易创新与 TASKING 建立了坚实的合作基础，双方积极开展交流和探讨协作，实现了 TASKING 对 GD32A7x 系列芯片的高标准支持，可以让汽车客户放心地开发符合功能安全标准的车规级应用。我们相信，兆易创新的车规级 MCU 产品将在汽车市场遍地开花。”　　兆易创新汽车产品部负责人何芳表示：“作为全球领先的汽车嵌入式软件开发工具供应商之一，TASKING 始终致力于提供高性能、高质量，并以安全为核心导向的开发工具。此次双方的深度合作，不仅进一步完善了兆易创新车规级 MCU 的开发生态，也为汽车电子开发者提供了更加高效、可靠的工具支持。未来，兆易创新将持续加大技术创新与生态布局，为全球客户带来更高品质、更具竞争力的车规级 MCU 产品，助力智能汽车产业的蓬勃发展。”

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兆易创新

发布时间：2025-04-10 17:19 阅读量：802 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>集团旗下工厂突发火灾！

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SK集团旗下工厂突发火灾！

　　6月24日消息，据韩媒报道，韩国SK集团旗下的锂电池工厂发生火灾，现场发现20多具遇难者遗体。　　中国驻韩国大使馆确认，韩国锂电池工厂火灾中有19名中国公民遇难。　　据报道，这座工厂是一座钢筋混凝土结构的三层建筑。火灾发生时，工厂里可能存有至少3.5万块电池。一名从二层楼逃出的员工告诉消防员，一块电池发生爆燃。消防部门投入100多人和50辆消防车灭火。不过消防部门说，火势蔓延很快，而锂电池火灾难以用通常灭火方式扑灭，消防员难以进入火场搜救。　　据新华社消息，韩国京畿道华城市电池工厂发生火灾后，韩国总统尹锡悦已经下令相关部门全力搜救。当天下午，韩国政府召开了中央灾害安全对策本部紧急会议，讨论了减少伤亡的对策。会上，韩国行政安全部长官李祥敏要求各相关部门和地方自治团体动员所有资源和人力，全力扑灭火灾，抢救幸存者。　　一位韩国民众在社交媒体上透露，主打韩剧播放的韩国MBC电视台也在下午中断正常节目，转而播放通往失火电池工厂的道路监控画面。　　此次大火发生在位于首尔南部华城的锂电池制造商Aricell的一家制造工厂内。这家名为Aricell的电池工厂是韩国SK集团旗下的一家锂电池制造商，由SK Innovation和SK IE Technology合资，于2020年成立，生产用于传感器和无线电通信设备的锂电池。Aricell年产能5GWh，约占韩国电池年总产能的1.25%。　　根据Aricell的监管文件，该公司未在韩国股市上市，但公司多数股权由纳斯达克上市公司S Connect CO.Ltd持有，后者于2007年上市。火灾事故发生后，S Connect CO.Ltd公司股价于24日下午急转直下，最终报收1460韩元(约7.64元人民币)，同比下滑22.51%。　　近年来，韩国企业加速在电池产业的布局。2022年以来，三星、现代、SK、LG等韩国企业集团接连公布大规模投资计划。其中，韩国第二大企业集团SK和第四大企业集团LG均宣布自2022年之后的5年内将在动力电池等关键领域投资超过800亿美元。

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SK集团

发布时间：2024-06-25 13:53 阅读量：1180 继续阅读>>

三星、 <span style='color:red'>SK</span> 海力士将停止供货这类芯片

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三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

　　据台媒经济日报消息，业界传出，全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达二成，且下半年报价还会再上扬。　　业内表示，随着两大内存巨头退出DDR3市场，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等台内存厂有利，相关台厂可望惠这波转单商机及涨价效益，推动业绩迅速回温。　　业界人士分析，AI商机持续爆发带动下，英伟达、AMD等AI芯片巨头出货大幅成长，并疯抢AI芯片必备的高带宽内存，放眼当下能供应高带宽内存的厂商，仅SK海力士、美光、三星等三家国际内存业者，由于需求又急又猛，三大内存厂不仅今年高带宽内存产能已全被包走，明年相关产能也已销售一空。　　由于高带宽内存成为市场当红炸子鸡，「有多少货都有人愿意出价买」，让SK海力士、美光、三星大发利市，今年重点都聚焦高带宽内存产能扩建。　　不仅如此，由于英特尔等PC平台大厂将在下半年端出的新处理器，将全面支持DDR5规格DRAM。三大国际内存芯片厂在拓展高带宽内存产能，又要顾及冲刺DDR5市场之际，根本无暇兼顾相对成熟的DDR3市场，因而开始逐步退出DDR3生产，以腾出设备及产能，全力冲刺单价与利润都更好的DDR5及高带宽内存生产。　　业界传出，因发展高带宽内存与DDR5的策略，三星已经通知客户将在第2季底停产DDR3。SK海力士方面，则更早在去年底将无锡厂将DDR3制程转进DDR4;而美光为扩充DDR5、高带宽内存产能，也大幅减少DDR3供应量。　　另外，中国台湾最大DRAM芯片制造商南亚科目前产能主力也开始大幅转向DDR4及DDR5，DDR3仅开始接受客户代工订单。

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三星

发布时间：2024-05-13 14:17 阅读量：1048 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

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SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

　　除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。　　据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”　　当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币)，目标是明年 11 月启动产线。　　据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线(EUV)光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。　　此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”

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海力士

发布时间：2024-04-29 15:21 阅读量：1080 继续阅读>>

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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”

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SK海力士

发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：1445 继续阅读>>

英飞凌与<span style='color:red'>SK</span> Siltron CSS达成SiC供应协议

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英飞凌与SK Siltron CSS达成SiC供应协议

　　近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商SK Siltron CSS正式达成协议。　　根据协议，SK Siltron CSS将为其提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。　　针对本次合作，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示，对于公司来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推动脱碳。本次公司与SK Siltron CSS合作，以符合SiC市场最高标准的新型高能效、高质量产品来满足其广大客户群不断增长的SiC需求。　　为何碳化硅如此受欢迎，需求又来自何处?　　主要是新能源——英飞凌之前表示，未来几年内，可再生能源发电及储能、电动汽车及相关基础设施的商业机会巨大。　　英飞凌目标到2025财年，碳化硅收入超过10亿欧元;到2030年，碳化硅年收入70亿欧元，并占据全球30%的碳化硅半导体市场份额。　　此外，英飞凌还在扩建其位于德国Dresden的半导体工厂，投资额高达50亿欧元;且公司已在奥地利Villach开设了一家新工厂，该厂将转向生产碳化硅。

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英飞凌

发布时间：2024-01-16 15:51 阅读量：2360 继续阅读>>

传英伟达向<span style='color:red'>SK</span>海力士和美光大量预购HBM3内存

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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。

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英伟达

发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1967 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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