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海康存储斩获金奖 D300系列闪耀全球<span style='color:red'>闪存</span>峰会

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海康存储斩获金奖 D300系列闪耀全球闪存峰会

　　近日，2025全球闪存峰会(FMW)在南京举办，百余位行业专家和企业代表齐聚一堂。本次峰会以“存力觉醒AI未来”为主题，聚集AI时代存储技术的创新突破，以及新一代闪存技术如何支撑日益增长的智能应用需求。　　随着人工智能成为全球经济增长的关键引擎，AI服务器作为支撑大模型训练与推理的核心基础设施，已站上全球科技竞争的战略高地。在这一背景下，存储技术的创新变革尤为关键。海康存储在存储领域深耕多年，产品已广泛应用于消费级、企业级和工业级等多个领域。　　D300系列固态硬盘针对数据中心场景的I/O与延迟一致性进行优化，在SATA接口上实现了538/509MB/s的顺序读写速度，读写时延低至92/19us，集成端到端数据保护、异常掉电保护及双固件设计，保障数据安全。　　D300系列已通过国内主流整机厂商的认证测试，与多个国产CPU平台、操作系统取得兼容互认证，具备良好的生态兼容性，并在运营商、金融、政企等核心领域实现规模部署。　　凭借优异的产品性能和市场表现，D300系列夺得大会颁发的“2025年度固态硬盘产品金奖”。　　在活动现场，海康存储还带来了DDR5 RDIMM 内存R1，依据JEDEC标准设计，最大支持64GB容量，创新性地添加8位奇偶校验信号，实现错误纠正，具备更好的数据完整性和容错能力，满足大规模虚拟化、高性能计算等应用的内存需求。　　2025年全球数据中心市场规模预计为2356.5亿美元，预计到2034年将达到约4817.3亿美元，复合年增长率11.4%，实现强势增长。　　海康存储将积极布局高性能存储器的研发创新，打造企业级存储行业标杆，为AI应用提供坚实的数据基石。

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海康存储

发布时间：2025-08-08 14:27 阅读量：379 继续阅读>>

SSD/DDR5价格全线上涨！<span style='color:red'>闪存</span>市场即将回暖

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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

　　随着特朗普政府对存储产品关税立场软化，叠加原厂控货与库存周期进入补库阶段，存储现货市场观望情绪显著减弱。渠道SSD和DDR5价格近期呈现调涨趋势，反映出供需格局的结构性调整与技术升级的双重驱动。　　关税政策的不确定性缓解是本轮市场回暖的核心动因。4月以来，美国对华存储产品加征125%关税的预期减弱，渠道客户因担忧关税导致的采购停滞逐步恢复。　　CFM闪存市场数据显示，DRAM和NAND Flash现货交易活跃度较3月提升约25%，其中受关税冲击较大的MLC NAND因停产供应短缺，价格周环比上涨7.61%。　　原厂控货策略的持续执行进一步加剧资源紧张。三星、美光、SK海力士自2024年第四季度起持续削减产能，2025年第一季度NAND Flash产能同比减少约25%。　　这种主动控产直接导致现货市场资源短缺，例如搭载QLC NAND的企业级SSD因产能被优先分配，现货价格较年初上涨约15%。　　库存周期进入补库阶段则推动需求回升。经过2024年的库存去化，全球存储芯片库存水位已从峰值下降约30%，部分大众市场客户(非Tier1客户)开始释放三季度备货需求。　　集邦咨询预测，二季度DRAM合约价涨幅将达13-18%，NAND涨幅15-20%，远超一季度预期。　　消费级SSD价格呈现“阶梯式上涨”。受NAND Flash现货价格上涨带动，256GB SATA3 SSD价格在4月21日至27日当周环比上涨7.61%，但PC厂商因库存较高对价格接受度偏低，原厂与品牌之间的博弈加剧。　　企业级SSD则因AI服务器和云计算需求持续走高，搭载QLC NAND的eSSD价格较年初上涨15%，且产能被优先分配至数据中心客户。　　DDR5价格呈现“颗粒与模组分化”。颗粒层面，DDR5 16Gb Major价格在4月29日当周微幅上涨至4.30美元，而集邦咨询预测二季度DDR5合约价涨幅将达13-18%。　　模组层面，受上游PCB等电子辅料供应紧缺影响，DDR5内存条现货价格涨幅有限，但期单价格已出现5-8%的上调。此外，三星、SK海力士加速DDR4减产，产能转向DDR5，进一步加剧了DDR5的供应紧张。　　NAND与DRAM的价格分化加剧。NAND Flash虽因原厂控产出现结构性紧缺，但整体供应仍相对过剩，消费级NAND价格上涨乏力，部分产品甚至出现价格分化。DRAM则因DDR5等高端产品需求旺盛，价格回升明显，而DDR4因低端资源冲击市场，渠道成品难以涨价。　　这种分化反映了存储行业向高端化转型的趋势，例如三星计划2025年HBM产能占比提升至60%，SK海力士HBM3E单颗售价突破1000美元。　　供需格局的长期演变将由AI与高端存储主导。2025年DRAM位元需求预计增长15%，NAND增长12%，而AI相关需求可能贡献其中50%以上的增量。　　原厂资本开支聚焦HBM和DDR5，例如美光计划放缓NAND节点升级进度，三星则将HBM产能翻倍。需求端，AI服务器、智能汽车和消费电子复苏是核心驱动力，Meta、谷歌等云厂商 2025年资本开支预计同比增长36.8%。　　国产替代加速重塑市场格局。国内存储模组厂商凭借低价库存和敏捷供应链，在SSD和DDR5市场加速替代海外品牌。　　长鑫存储的DDR5产品已进入PC厂商供应链，价格较海外竞品低约10%，预计2025年末全球市场份额将达16.1%。长江存储则通过270层3D NAND技术突破，切入企业级存储市场，与中国AI芯片厂合作强化数据中心布局。　　当前存储现货市场回暖是政策、供需、库存等多重因素共振的结果。短期来看，价格上涨趋势有望延续，但需警惕终端需求疲软和库存二次累积的风险。长期而言，AI和高端存储将主导行业增长，而国产替代和技术升级将重塑市场格局。

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闪存

发布时间：2025-05-06 16:23 阅读量：1387 继续阅读>>

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瑞萨推出其首款集成闪存的双核低功耗蓝牙SoC并实现最低功耗

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出DA14592低功耗蓝牙®(LE)片上系统(SoC)，成为瑞萨功耗最低、体积最小的多核(Cortex-M33、Cortex-M0+)低功耗蓝牙产品。得益于在片上存储器(RAM/ROM/闪存)和SoC芯片尺寸(决定成本)间的谨慎权衡，DA14592非常适合包括联网、资产跟踪、人机接口设备、计量、PoS读卡器，和“众包位置(CSL)”跟踪等在内的广泛应用。　　DA14592延续瑞萨低功耗蓝牙SoC在最低无线电功耗方面的引领地位，并采用全新低功耗模式，从而实现在0dBm时提供业界先进的2.3mA无线电发射电流和1.2mA的无线电接收电流。此外，它还支持仅为90nA的超低休眠电流，延长依赖电池供电的终端产品的工作和使用寿命，并针对需要处理大量应用的产品支持34µA/MHz的超低工作电流。　　从解决方案成本的角度看，DA14592通常只需6个外部组件，带来同类理想的工程物料清单(eBOM)。该产品仅采用系统时钟和高精度片上RCX，消除了大多数应用中对睡眠模式晶体的需求。更低的eBOM，加上DA14592的小型封装(WLCSP：3.32mm×2.48mm，和FCQFN：5.1mm×4.3mm)，也为设计人员构建了极具吸引力的小尺寸解决方案。DA14592还包括一个高精度、sigma-delta ADC和多达32个GPIO。与同类其它SoC不同的是，它还提供一个支持外部存储器(闪存或RAM)扩展的QSPI，以满足需要额外存储器的应用。　　瑞萨已将实施低功耗蓝牙解决方案所需的所有外部组件集成至DA14592MOD模块中，为客户实现最快的上市时间和更低的整体项目成本。该模块的设计重点在于确保最大的设计灵活性：将DA14592的功能全面路由到模块外部，并使用齿形引脚以便在开发过程中轻松/低成本地安装模块。　　“众包”定位是瑞萨基于DA14592和DA14592MOD展示的一个关键应用。预计到2031年，仅北美市场的苹果AirTag销售额就将达到290亿美元以上(注)。谷歌近期也宣布计划建立名为“Find My Device”的众包定位网络。瑞萨致力于在谷歌“Find My Device”网络推出后即刻为这两个移动操作系统提供同类理想的参考设计，带来业界卓越的功耗、eBOM和解决方案占用空间。这些参考设计不仅将加速标签设计，还能让制造商轻松将DA14592附加至其容易丢失或被盗的产品中，借助数十亿部智能手机实现产品的全球定位，从而使其产品与众不同，并提升终端客户的价值。使用DA14592MOD还将消除对全球监管认证的需求，缩减了开发成本并进一步加快产品上市速度。　　Davin Lee, Sr. Vice President and General Manager of the Analog and Connectivity Product Group for Renesas表示：“凭借瑞萨标志性的低功耗特性和同类理想的eBOM，DA14592及DA14592MOD扩展了我们在低功耗蓝牙SoC领域的卓越地位。此外，我们积极听取客户反馈，不断扩大产品支持范围，为众包定位等应用带来参考设计，帮助客户更轻松地达成产品差异化，在保持最低成本的同时创造优质价值。”　　成功产品组合　　瑞萨将全新DA14592与其产品组合中的众多兼容器件相结合，提供了包括轻型电动汽车仪表板在内的广泛“成功产品组合”。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的器件，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　供货信息　　DA14592现已量产，DA14592MOD有望于2024年二季度通过全球监管认证。

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瑞萨电子

发布时间：2024-01-19 09:21 阅读量：1915 继续阅读>>

东芝NAND<span style='color:red'>闪存</span>工厂暂停生产将进行安全评估

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东芝NAND闪存工厂暂停生产将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。

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东芝

发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1718 继续阅读>>

兆易创新车规<span style='color:red'>闪存</span>产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产

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兆易创新车规闪存产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产

　　业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)出货量已超数万台，并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。　　悬架是车架(或车身)与车轿(或车轮)之间的传力连接装置，分为传统被动式、半主动式和主动式三类，而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力，使其更好地适用于当前路段，悬架控制器(CDC)作为主动悬架系统的控制核心，可以通过对减振器和空气弹簧的控制，有效提升车辆的舒适性和操控性。　　随着汽车电动化和智能化的发展，以及消费者对座舱舒适性和车辆操控性的需求提升，主动式悬架的应用受到了车厂的广泛关注，而其作为汽车底盘的关键部件之一，对所搭载的车规级芯片有着极高可靠性和安全性要求。明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)所采用的GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有128Mb容量存储范围，提供单、双、四通道SPI接口和DTR SPI接口，数据读取频率高达166MHz，支持ECC纠错，有效提高产品的可靠性和高速I/O信号的准确性，为汽车电子应用提供快速存储读取和高品质保障。　　明然科技研发总监何洪先生表示：　　“GD25F128F车规级SPI NOR Flash具有高性能和高可靠性的特点，且产品从设计研发、生产制造到封装测试所有环节均采用国内供应链，这与明然科技国产化主动悬架控制器的产品理念不谋而合。我们很高兴能与兆易创新一起，共同打造一站式国产车规芯片开发和量产平台，为汽车产业的创新发展注入新动能。”　　除已成功在奇瑞车型上量产的车规级GD25F128F外，兆易创新GD25/55全系列SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash 均已通过AEC-Q100认证，并提供丰富的选择组合，包括2Mb~8Gb全容量覆盖、高达400MB/s的数据吞吐率、提升可靠性的ECC算法和CRC校验、延长产品寿命的10万次擦写和20年数据保持能力等，这些完善的产品组合能够全面满足汽车电子应用所需，为车载应用的国产化提供了更丰富的选择，为车载娱乐影音、智能网联、智能驾驶、电池管理、充电管理、域控制、车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　截至目前，兆易创新车规级存储产品累计出货量已达1亿颗。并且，兆易创新高度重视汽车芯片管理体系的构建和完善，通过ISO 26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证，具备为顶级的汽车厂商所需的功能安全目标与要求提供匹配的产品和服务能力。

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兆易创新

发布时间：2023-11-01 11:43 阅读量：1927 继续阅读>>

AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速<span style='color:red'>闪存</span>

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AMEYA360代理：佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速闪存

　　手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位，其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。　　针对旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度高达2100MB/s，容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量)，尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是，佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps，容量最高可达64Gb。　　固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在，佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现，助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。　　在嵌入式存储领域，佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业，目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来，佰维将持续深化研发封测一体化布局，发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势，赋能移动智能终端市场和客户。

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佰维存储

发布时间：2023-07-27 16:43 阅读量：3139 继续阅读>>

英飞凌推出首款车用LPDDR<span style='color:red'>闪存</span>芯片预计将于2024年上市

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英飞凌推出首款车用LPDDR闪存芯片预计将于2024年上市

　　德国汽车半导体企业英飞凌科技近日宣布，推出业内首款 LPDDR 闪存芯片——Infineon SEMPER X1，以满足下一代汽车 E/E 架构的新需求。据了解，该存储芯片性能大幅提高，相比 NOR 闪存可达 8 倍，通过 LPDDR 接口可提供 3.2GB/秒的吞吐量，同时随机读取速度提高了 20 倍，可实现实时应用的高效存储和处理。目前，该产品正在进行采样，预计将于 2024 年上市。　　当前汽车市场火爆，汽车存储行业也得到了结构性增长，为了提高系统的智能性、连接性和复杂性，对于片外存储的需求越来越高。另外，越来越多的应用场景要基于高性能的处理单元，驱动类MCU、GPU、MPU、SoC等对程序和参数的存储需求，FPGA对结构化数据的存储需求都在提高。因此，传统的xSPI NOR闪存已无法满足用户的需求。　　据介绍，为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案，并将其应用于闪存当中。　　半导体市场研究公司Objective Analysis总经理Jim Handy表示：“随着半自动驾驶汽车的发展，汽车中的区域控制器越来越多，这些区域控制器对于实时计算有更高的需求，可以提高车辆的可靠性和安全性。英飞凌的LPDDR闪存可以很好地满足下一代汽车的这些需求，实现了比xSPI NOR闪存更高的性能。”

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英飞凌

发布时间：2023-05-05 10:51 阅读量：2816 继续阅读>>

佰维荣膺印度“最值得信赖的<span style='color:red'>闪存</span>制造商品牌”殊荣

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佰维荣膺印度“最值得信赖的闪存制造商品牌”殊荣

　　近期，印度第 14 届DT Awards（数字终端）2022 虚拟颁奖典礼隆重举办，通过对过去一年品牌竞争力等指标的综合评估，Ameya代理品牌--佰维存储荣膺“最值得信赖的闪存制造商品牌”殊荣。　　据悉，2022 年第 14 届 DT（数字终端）奖吸引了来自印度和海外的嘉宾，包括来自 ICT 行业垂直领域的企业高管、供应商、分销商和经销商。DT Awards 2022横跨所有数字平台，一直积极推动 ICT 产业，致力于印度科技品牌的集体成长，旨在表彰为印度市场客户带来最佳产品的科技品牌，目前已成为业界最受追捧的奖项。　　消费级存储领域，佰维（BIWIN）品牌主要面向PC 品牌商、PC OEM 厂商、装机商等 To B 市场，产品主要包括消费级固态硬盘及内存条。全球运营的惠普（HP）存储品牌，定位中高端市场，迅速于全球市场布局渠道建设；掠夺者（Predator）系列产品主要面向游戏电竞市场，授权产品包括内存模组、固态硬盘、移动固态硬盘等品类，在内存品类市场上取得良好成绩。　　佰维掌握存储器研发设计、固件算法开发、先进封装、测试设备研发与算法开发等核心技术，兼顾产品高性能、大容量、低延时、低功耗及安全可靠的要求。以固态硬盘产品为例，其传输速率最高可达 7,400MB/s，处于行业领先地位，并支持数据纠错、寿命监控、异常掉电保护、数据加密、端到端数据保护等功能。　　此次颁奖盛典为全球企业及其技术成果提供了优质的展示平台，该奖项的授予将进一步激励佰维持续精耕高质量品牌。创新驱动发展，佰维自成立以来坚持技术研发与产品创新，深耕渠道拓宽市场，依托研发封测一体化的竞争优势，提供“千端千面”的深度定制化存储器解决方案，着力提升用户满意度及品牌认可度，让广大用户享受科技带来的全新体验。

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佰维

发布时间：2023-01-30 11:30 阅读量：2284 继续阅读>>

海力士发布全球首款基于128层NAND<span style='color:red'>闪存</span>的消费级SSD

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海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD

SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。该报道称，固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡，以及Gold P31的诞生，突显了SK 海力士在向全球PC OEM提供可靠的PCIe NVMe产品方面的领先地位。最新的固态硬盘是市场上速度最快、最具创新性的消费类固态硬盘之一，采用了SK 海力士的最新技术。作为内存芯片的领先制造商，SK 海力士设计、开发并提供自己的DRAM和NAND Flash设备以及内部SSD控制器。在退出Gold P31 PCIe SSD之前，SK 海力士推出了Gold S31 SATA消费级SSD，提供了业界一流的速度和可靠性。继去年Gold S31 SSD在美国成功上市后，该公司相信Gold P31将凭借业界领先的性能指标，在不断增长的PCIe市场上占据重要地位。根据SK 海力士对社会和环境价值的严格承诺，Gold P31采用森林管理委员会认证的纸张、可生物降解塑料袋和大豆墨水进行包装。不过这一次，Gold P31只提供了500GB、1TB两种容量版本，似乎很对不起这种高密度堆叠闪存，或许未来会有更大容量的版本。其他方面，M.2 2280标准形态，单面设计，无散热片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，随机读写最高3.5GB/s、3.1GB/s，持续读写最高570K IOPS、600KIOPS。不过在TLC模式下，持续读取还是能跑到3.5GB/s，但是持续写入只能做到950MB/s、1700MB/s，随机读取降至500K IOPS，随机写入降至220K IOPS、370K IOPS。读取延迟980us，写入延迟45us，负载功耗6.3W，空闲功耗小于0.05W，平均故障间隔时间150万小时。写入寿命未公布。

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海力士

发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：2206 继续阅读>>

日本工厂发生火灾东芝紧急辟谣：跟<span style='color:red'>闪存</span>工厂无关

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日本工厂发生火灾东芝紧急辟谣：跟闪存工厂无关

日前位于日本三重县的东芝工厂又突发火灾，还好这次火灾不大，一个小时之内就被扑灭了，也没有人员伤亡。但是这次火灾依然让全球闪存行业吓了一跳，东芝官方也随即辟谣，称起火工厂与闪存工厂无关，是基础设施相关的工厂起火。业界对这个消息非常敏感是因为今年6月份，东芝位于日本三重县的NAND闪存工厂已经遭遇过一次事故，上次是意外断电，虽然停电只有短短的13分钟，但是导致2座工厂停工5天，另外3座工厂停产一个多月，在这次财报会议上东芝确认所有工厂已经恢复运营。那次意外跟东芝及合作伙伴西数造成了严重损失，根据东芝的说法，这次停电事故导致了344亿日元的损失，约合23亿人民币或者3.2亿美元。在东芝之前，他们的闪存合作伙伴西数公司也表示停电停产事故导致了3.15到3.39亿美元左右的损失，影响的闪存容量高达6EB，相当于1200万个500GB的SSD硬盘容量。当然，大家最担心的影响倒不只是这两家公司损失多少，而是东芝、西数作为全球第二、第三大闪存供应商，一旦停产时间较长，全球闪存产能势必受到影响，导致闪存价格由跌转涨。好在上次的停电事故并没有预期中那样扭转闪存的价格走势，只在个别时间里被JS炒作了一番现货价格，闪存厂商期待中的全面涨价并没有成真。

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东芝火灾

发布时间：2019-09-27 00:00 阅读量：2071 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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