三星和<span style='color:red'>SK海力士</span>将延长DDR4生产至明年！
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三星和SK海力士将延长DDR4生产至明年！

　　据报道，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。　　今年早些时候，三星电子、SK 海力士和美光陆续发布了计划停产DDR4的消息。今年4月，有报道称三星电子已向客户发出通知，多款DDR4内存模块将在2025年底达到产品生命周期的终点(EOL)，最终订购截止日期为2024年6月上旬。根据供应链消息，三星的多款8GB、16GB DDR4 SODIMM和UDIMM模块即将停止生产，最后一批货物的交付时间定在2024年12月10日。　　继三星电子之后，SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将DDR4产能压缩至20%左右，向供应商通知DDR4颗粒的EOL信件，推动供应链加速转单。　　今年6月，美光发布了DDR4和LPDDR4的生命周期终止(EOL)通知，预计DDR4的出货将在2-3个月内结束。　　DDR4短缺引发价格飙升，甚至出现价格倒挂　　三大原厂之所以相继选择停产DDR4，是因为要将宝贵的晶圆产能与研发资源，优先投入到以HBM为代表的、面向AI服务器的高附加值产品中。例如，SK海力士在其2025年第一季度实现了高达42%的营业利润率，并预计HBM销售额在2025年将占其总内存销售额的50%以上。　　但令人意外的是，由于停产导致DDR4短缺，产品价格反而一路上涨，甚至出现了罕见的价格倒挂。　　根据Trend Force数据显示，5月DDR4单月涨幅达53%，创2017年以来最高涨幅。而6月，DDR4 8Gb批发价为4.12美元左右、容量较小的4Gb产品价格为3.14美元左右，均是前一个月份(2.06美元、1.57美元)的2倍水平，且为连续第3个月上涨。其中4Gb产品价格创2021年7月以来新高。7月，消费DDR4合约价飙涨超60~85%，其中PC DDR4 8GB模组价格已超越同容量的DDR5模组，出现罕见的“价格倒挂”。　　业内人士表示，尽管DDR5是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4仍是更具性价比的选择。此外，部分仍在服役的英特尔旧款CPU平台仅支持DDR4，也构成了其需求的底层支撑，正是这部分刚性需求，为市场的询价提供了热度基础。　　DDR4价格上涨的市场行情还会持续吗?　　展望第三季度，DDR4还会持续价格上涨吗?　　有分析认为，经过一个多季度轰轰烈烈的上涨行情之后，服务器DDR4内存条成交市场已经显著降温，动辄高于DDR5的市场报价，严重打击客户积极性，过高的成本甚至引发部分低端服务器亏钱的窘况。随着部分原厂延长DDR4供应期限，并适当加大供应，部分客户需求缺口已经收窄，即便部分客户目前仍有部分DDR4供应缺口，但高昂价格下及一定库存水位下，也宁愿静观其变。在供应与价格双重压制下，服务器客户对于切换至DDR5平台依然有心理预期，部分厂商已经开始着手升级，然而，DDR5平台及基板定制料也将为成本带来巨大压力。　　在对价格更为敏感的消费类市场，大部分终端客户会选择了“松手”并转换赛道。DDR4与DDR5之间日益缩小的价差乃至“倒挂”，正在“倒逼”PC市场的渠道客户“从DDR4升级至DDR5”。华强北商家曾表示，在DDR4现货短缺的情况下，会主动推荐客户转向供应更稳定、价格差距不大的DDR5产品。　　在TrendForce看来，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势，由于服务器的刚性订单挤压了PC和消费类市场的供应，PC OEM不得不加速导入DDR5方案，消费类厂商则面临高价、难以获取物料的挑战，而DDR市场供需紧张也推升Mobile DRAM合约价格，第三季LPDDR4X涨幅为近十年单季最大。
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发布时间：2025-09-03 13:42 阅读量：402 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>开始量产321层QLC NAND闪存
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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

　　SK海力士近日宣布，已开发出321层2Tb(太比特，Terabit) QLC* NAND闪存产品，并开始量产。　　SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”　　公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。　　一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面*(Plane)架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。　　因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。　　公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。　　SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)’，实现更大的飞跃。”　　* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)，分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。　　* 平面(Plane)：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能(Data Bandwidth)之一的同时读取性能。　　* 32DP(32 Die Package)：是指为了提升芯片(Chip)容量，将32个Die(裸芯)封装在同一封装中的方式。
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发布时间：2025-08-27 13:26 阅读量：321 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>考虑新建DRAM工厂应对需求增长
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SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

　　除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。　　据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”　　当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币)，目标是明年 11 月启动产线。　　据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线(EUV)光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。　　此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”
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发布时间：2024-04-29 15:21 阅读量：854 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>宣布与台积电合作开发HBM4
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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术 。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
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发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：1223 继续阅读>>
传英伟达向<span style='color:red'>SK海力士</span>和美光大量预购HBM3内存
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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1821 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司
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SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司

　　近日，据businesskorea报道，SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司。　　Solidigm关闭韩国分公司　　据业内人士透露，由于行业形势下滑，Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初，Solidigm韩国分公司只有少数人工作，但随着经营状况不断下滑，最终为了提高运营效率而关闭。　　Solidigm是SK海力士的子公司，前身为英特尔NAND闪存业务部门，被SK海力士以90亿美元收购后，于2021年12月成立为独立公司。Solidigm负责固态硬盘 (SSD) 的所有产品开发、生产和销售。　　但在被SK海力士收购以及市场低迷之后，Solidigm一直面临着运营挑战。　　NAND价格在较长时间保持低迷。据DRAM Exchange称，存储卡和USB通用NAND闪存产品(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易价格截至去年5月平均维持在4.81美元，但今年8月跌至3.82美元。　　企业营收亏损也在加大。Solidigm今年上半年净亏损超过2.2423万亿韩元，与去年同期(2,583亿韩元)相比，增长了八倍多。　　为了应对这些挑战，Solidigm最近通过大规模裁员来降低支出。此前有报道称，由于业绩下滑，Solidigm在7月份对美国总部约 100 名员工进行了重组，约占其美国总部员工总数的 10%。据称，裁员的对象是与SSD相关的软件(SW)和研发(R&D)等领域的人员。　　SK海力士代表表示：“由于Solidigm总部正在实施运营效率措施，包括韩国在内的某些地区的分支机构已关闭。未来的国内产品销售将通过我们的总部或经销商进行。”　　NAND价格触底　　不过，近期综合各方消息，NAND价格开始逐渐触底，部分原厂小范围涨价。　　8月初，有业内人士透露，三星通知客户，打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。　　分析师郭明錤在近日也发文称，紧跟三星8月的涨价步伐，美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅在10%左右。　　由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力，模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。　　方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至。
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发布时间：2023-09-11 14:05 阅读量：3041 继续阅读>>
库存超百亿美元，三星、<span style='color:red'>SK海力士</span>一季度芯片业务恐亏损数十亿美元
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库存超百亿美元，三星、SK海力士一季度芯片业务恐亏损数十亿美元

　　3月20日消息，据韩国媒体The Korea Herald报道，由于存储芯片市场需求下滑，价格疲软，再加上库存水位过高，今年第一季度，韩国半导体巨头三星电子和SK 海力士的芯片业务恐面临数十亿美元亏损。　　根据三星3月19日提交给韩国金融监督院（Financial Supervisory Service）的申报文件，截至2022年第四季，该公司整体库存资产达到52.2万亿韩元（约399亿美元），刷新历史新高，远高于2021年的41.4万亿韩元。其中，占三星总营收比重最高的半导体事业部，2022年第四季库存金额达29.1万亿韩元，相比2021年同期大幅增加约12.6万亿韩元。　　SK海力士也陷于一样的问题，根据申报文件显示，其2022年第四季整体库存资产攀升至15.7万亿韩元（约120亿美元），同比增长75%。由于SK海力士业务主要专注于DRAM和NAND Flash，占总营收的90%以上，因此在市况低迷时期容易受到更大打击。　　报导指出，因疫情红利不再，电视等家电需求已失去支撑，加上美欧主要经济体积极升息，大大削弱消费者的购买力，使得市场充斥著芯片库存过剩，导致芯片价格大幅下跌。　　产业人士指出，PC DRAM和NAND Flash价格已跌到快接近成本。韩国券商KB Securities预测，2023年第一季，DRAM和NAND Flash价格将分别出现19%、18%的跌幅。　　根据FnGuide的数据，在芯片价格下跌及高库存的情况下，2023年第一季，三星和SK海力士的芯片业务预计将陷入亏损，其中，三星半导体事业部的营业亏损估计介于1.91兆至4.47万亿韩圜（约14.6亿至34亿美元），而SK海力士为3.11万亿韩元（约23.7亿美元）。　　根据集邦科技（TrendForce）3月16日发布的最新报告预测，2023年第一季，NAND Flash产业营收仍将季减8.1%。不过，受益于铠侠（KIOXIA）、美光（Micron）、西部数据（WD）、SK海力士等主要供应商相继减产，有助于缓解目前供给过剩的情况，带动NAND Flash均价跌幅收敛至10%-15%。
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发布时间：2023-03-20 11:37 阅读量：2839 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤
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SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备 的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。 韩媒猜测， 此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-04-08 00:00 阅读量：1963 继续阅读>>
<span style='color:red'>SK海力士</span>：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购
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SK海力士：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购

近日，韩国内存大厂SK海力士表态，将抢攻晶圆代工市场，考虑靠扩产或并购，让8吋晶圆代工厂的产能翻倍。据韩联社、BusinessKorea报道，SK海力士副会长Park Jung-ho 13日表示，打算让8吋晶圆代工厂的产能提高一倍，方法是扩大韩国厂产能或是进行并购，SK海力士是存储器大厂，非存储器部门和晶圆代工业务，目前只占该公司总营收的2%。SK海力士说，会先投资8吋厂，解决全球芯片荒，并要协助韩国IC设计厂扩大海外市场。上周韩国政府宣布，2030年前要提供510兆韩元(4,530亿美元)的税务优惠和补助，协助企业发展半导体供应链。目前SK海力士的晶圆代工业务，主要由旗下企业SK Hynix System IC负责，SK Hynix System IC在中国无锡设有晶圆代工厂，主要生产8吋CMOS图像传感器(CIS)以及电源管理芯片。另外，该公司的韩国清州(Cheongju)厂，仍有空间能安放新的晶圆代工设备。业界人士说，SK海力士可能很快会宣布并购，强化该公司在非存储器市场的地位。今年3月升任SK海力士副会长的Park，是SK集团知名的并购专家。他参与了SK海力士的多起大型收购案，包括2017年花费4兆韩元投资日厂铠侠(Kioxia)、2020年斥资90亿美元并购英特尔(Intel)的NAND业务。除此之外，SK海力士还有意在韩国龙仁(Yongin)的半导体聚落，增建四家新晶圆厂。增建的第一家工厂将在2024年开工，最快2025年量产。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-05-17 00:00 阅读量：1806 继续阅读>>
半导体公司SiFive获6100万美元融资 由<span style='color:red'>SK海力士</span>领投
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半导体公司SiFive获6100万美元融资 由SK海力士领投

8月13日消息，据国外媒体报道，半导体公司SiFive宣布获得6100万美元的E轮融资。此轮融资由SK海力士领投，新投资者Prosperity7 Ventures和现有投资者Sutter Hill Ventures、西部数据的风险投资部门、高通风险投资基金（Qualcomm Ventures）、Intel Capital、Osage University Partners和Spark Capital参投。SiFive成立于2015年，是一家致力于将开源半导体技术商业化的加州初创企业，该公司目前正致力于销售基于RISC-V架构的半导体设计。据报道，这笔新资金使该公司自2015年成立以来的总融资额超过1.85亿美元。有了这笔新资金，该公司将帮助领先的半导体公司将用于航空航天、汽车、人工智能、数据中心、移动、网络和存储应用等领域的新产品推向市场。
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发布时间：2020-08-14 00:00 阅读量：1790 继续阅读>>

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