罗姆<span style='color:red'>ROHM</span>面向车载应用开发出高耐压霍尔IC新产品
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罗姆ROHM面向车载应用开发出高耐压霍尔IC新产品

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向使用到磁场检测的车载应用开发出新的霍尔IC“BD5310xG-CZ / BD5410xG-CZ系列”。　　近年来，随着汽车的电动化和高性能化发展，以及舒适性和安全性的提高，在汽车中电子产品的应用越来越多，而控制这些电子产品的ECU(电子控制单元)和附带的传感器已成为不可或缺的组成部分。在传感器类产品中，霍尔IC能够以非接触方式进行位置检测和电机旋转检测，与机械式开关相比，具有不易磨损、体积小、可配备保护电路等诸多优点，因此其应用尤为广泛。ROHM将在移动设备和消费电子领域多年积累的霍尔IC技术优势与高耐压工艺相结合，开发出可以提高汽车可靠性的霍尔IC。　　本系列产品采用高耐压工艺，实现了42V的业界超高耐压，还可与一次电源(直接连接12V电池)相连接，在使用电压容易受情况影响而急剧波动的电池电源时，有助于提高产品的可靠性。另外，该系列产品的耐压范围宽达2.7V～38V，适用于各种应用。不仅如此，通过采用ROHM自有的内部拓扑结构，使功耗比普通产品低20%左右，实现了仅为1.9mA的业界超低消耗电流。本系列产品不仅符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q100”(Grade1)的要求，还内置了车载应用所需的各种保护电路。　　BD5310xG-CZ / BD5410xG-CZ系列有单极检测*1型BD5310xG-CZ和交变检测*2型BD5410xG-CZ共两个系列的产品，客户可根据用途灵活选用。产品阵容中共有11款机型，可检测2.0mT～28.0mT的磁通密度*3。单极检测型非常适用于车门开合和车门锁等的位置检测应用，交变检测型非常适用于电动车窗和滑动门等中使用的各种电机的旋转检测应用。　　在新产品中，单极检测型“BD53103G-CZ / BD53108G-CZ”和交变检测型“BD54102G-CZ”已于2023年6月起暂以月产150万个的生产规模投入量产(样品价格300日元/个，不含税)。另外，相应的产品也已开始电商销售，从Ameya360电子元器件采购网等电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于车载应用的传感器IC产品阵容，为提高汽车的可靠性和性能贡献力量。
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发布时间：2023-07-03 15:00 阅读量：2206 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>罗姆BD14210G-LA电流检测放大器
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ROHM罗姆BD14210G-LA电流检测放大器

　　据AMEYA360电子元器件采购网所知，ROHM罗姆半导体 BD14210G-LA电流检测放大器具有-0.2V至26V的宽共模电压范围和±1%(最大)的增益精度。 放大器的匹配增益电阻可使增益误差最小化，实现了低失调电压。在典型情况下，输入偏置电流为1µA(典型值)，且无需调整增益误差。BD14210G-LA电流检测放大器的电源电压范围为2.7V至5.5V，温度范围为-40°C至125°C。BD14210G-LA电流检测放大器适用于工业设备、电信设备和过流检测。　　特性　　为工业应用提供长期支持产品　　增益精度：±1.0%(最大值)　　低失调电压　　低输入偏置电流　　规范　　电源电压范围：2.7V至5.5V　　静态电流：170μA(典型值)　　尺寸：2.8mmx2.9mmx1.25mm　　共模电压范围：-0.2V至26V　　增益：20V/V(典型值)　　工作温度范围：-40°C至125°C　　应用　　工业设备　　电信设备　　过流检测　　应用电路图
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发布时间：2023-06-20 14:51 阅读量：2257 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span> Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

　　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。　　特性　　》650V E模式GaN FET　　》低导通电阻　　》高速开关　　》内置ESD保护　　》高度可靠的设计　　》帮助减少电源转换效率和尺寸　　》出色的散热性能　　》符合RoHS标准　　应用　　》高开关频率转换器　　》高密度转换器　　规范　　》GNP1070TC-Z　　》DFN8080K封装类型　　》连续漏极电流范围：7.3A至20A　　》脉冲漏极电流范围：24A至66A　　》漏源电压：650V　　》瞬态漏源电压：750V　　》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC　　》瞬态栅源电压：8.5V　　》+25℃时功耗：56W　　》栅极输入电阻：0.86Ω(典型值)　　》输入电容：200pF(典型值)　　》输出电容：50pF(典型值)　　》输出电荷：44nC　　》总栅极电荷：5.2nC(典型值)　　》典型接通延迟时间：5.9ns　　》典型上升时间：6.9ns　　》典型关闭延迟时间：8.0ns　　》典型下降时间：8.7ns　　》GNP1150TCA-Z　　》DFN8080AK封装样式　　》连续漏极电流范围：5A至11A　　》脉冲漏极电流范围：17A至35A　　》漏源电压：650V　　》瞬态漏源电压：750V　　》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC　　》瞬态栅源电压：8.5V　　》+25℃时功耗：62.5W　　》栅极输入电阻：2.6Ω(典型值)　　》输入电容：112pF(典型值)　　》输出电容：19pF(典型值)　　》输出电荷：18.5nC　　》典型总栅极电荷：2.7nC　　》典型接通延迟时间：4.7ns　　》典型上升时间：5.3ns　　》典型关闭延迟时间：6.2ns　　》典型下降时间：8.3ns
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发布时间：2023-06-19 13:12 阅读量：2617 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span> Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器
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ROHM Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器

　　ROHM Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器是一款用于电流检测的10mΩ低阻值片式电阻器。 该电阻器的结构在两个终端之间具有较短的距离，有助于实现强焊接固定。LTR电阻器可在紧凑尺寸中实现功率和精度，改进的元件结构可确保出色的电阻温度系数(TCR)。 该LTR分流电阻器具有高接合可靠性和较高的抗硫化性能。LTR电阻器非常适用于LED前照灯、电机外设电路、通信基站、FA设备、AC、洗衣机和冰箱。　　特性　　10mΩ低阻值片式电阻，专为电流检测设计　　具有长边端接的高可靠性接头　　额定功率中的更小尺寸电阻器，节省空间　　改进的元件结构可确保出色的电阻温度系数(TCR)　　通过ISO9001/TS16949认证　　符合AEC-Q200要求　　以较小尺寸实现更高的功率和精度　　更高的抗硫化能力　　应用　　LED前照灯　　电机外设电路　　电信基站　　工厂自动化设备　　AC　　洗衣机　　冰箱
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发布时间：2023-06-16 17:01 阅读量：2232 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出汽车内饰用RGB贴片LED，减少由混色引起的色差问题
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ROHM开发出汽车内饰用RGB贴片LED，减少由混色引起的色差问题

　　ROHM推出一款面向汽车内饰的RGB贴片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常适用于仪表盘和CID（Center Information Display）*2等车内功能和状态显示用的指示灯*3，以及脚灯和门把手灯等装饰照明应用。　　有助于车内功能和状态显示用的指示灯和装饰照明实现目标颜色　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出一款面向汽车内饰的RGB贴片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常适用于仪表盘和CID（Center Information Display）*2等车内功能和状态显示用的指示灯*3，以及脚灯和门把手灯等装饰照明应用。　　近年来，随着汽车电子化程度的提高和功能多样化的发展，车速自动控制、车距检测、车道线检测等各种驾驶辅助功能得以广泛应用。为了用仪表盘等的指示灯显示这些功能的工作状态，业内对于能够表现各种颜色的RGB贴片LED的需求日益高涨。另外，对使用RGB贴片LED来打造车内空间的舒适感和奢华感的内饰产品的需求也在不断增加。在这种背景下，ROHM利用自有的元件技术，通过精细地控制RGB元件的发光特性并提高混色性能，开发出色差更小的RGB贴片LED。　　通常，要想使RGB贴片LED发出目标颜色的光，需要可以精准地控制其红、绿、蓝（RGB）发光元件的颜色和亮度的技术，以及能够提高混色性能的技术。ROHM利用其从元件制造阶段就能融入优势技术的一贯制生产体系，成功地抑制了元件的色差问题，实现了优于普通产品的色彩表现。另外，通过元件的混色控制技术，减少了RGB贴片LED混色时容易发生的色差，有助于实现汽车内饰等所需的目标颜色。此外，ROHM还利用与所需规格相匹配的色度仿真系统，提供精细配色支持。　　新产品已于2023年2月开始暂以月产30万个的规模投入量产（样品价格：500日元/个，不含税）。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.（中国）。另外，新产品已于2023年5月开始电商销售，从Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。　　今后，ROHM将继续秉承“质量第一”的理念，开发适用于车用照明领域的先进产品，为打造安心舒适的车内环境贡献力量。　　＜色度仿真系统＞　　SMLVN6RGBFU为每个色度等级设置了调整系数，并提供更接近目标颜色的配色支持。通过同时提供RGB贴片LED新产品和高精度的色度仿真，可以实现更精细的配色效果。　　＜应用示例＞　　◇用来显示功能和状态的指示灯：仪表盘、CID、导航、音响、加热器控制等　　◇装饰照明：脚灯、顶灯、门把手灯、杯架灯等　　＜电商销售信息＞　　开始销售时间：2023年5月起　　电商平台：Ameya360　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　ROHM开发出汽车内饰用RGB贴片LED，减少由混色引起的色差问题　　＜术语解说＞　　*1) RGB贴片LED　　通过光的三原色——R（Red，红色）、G（Green，绿色）和 B（Blue ，蓝色）三种元件组合，可以产生各种颜色的LED。　　*2) CID（Center Information Display）　　位于汽车驾驶舱中控台部位的液晶显示器。近年来，CID的用途除了汽车导航系统和信息娱乐系统的显示之外，还发挥着空调等车载功能的操作单元的作用。　　*3) 指示灯　　为驾驶员显示车辆状态的装置。
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发布时间：2023-06-07 10:20 阅读量：2776 继续阅读>>
罗姆<span style='color:red'>ROHM</span>确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 ​
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罗姆ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 ​

　　全球知名半导体制造商罗姆ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。　　近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。　　在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。　　目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN™系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。　　未来，ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用的易用性，积极开发解决社会课题的产品。　　日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能的功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这对于促进GaN器件的普及而言，可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，日本有包括ROHM在内的很多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块，需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。”　　<背景>　　在追求电源电路小型化时，需要通过高频开关来减小外围元器件的尺寸，而这就需要能够充分激发出GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。这次，为了实现包含外围元器件的解决方案，ROHM确立了非常适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术，该技术中还融入了ROHM引以为豪的模拟电源技术之一“Nano Pulse Control™”技术 。　　<控制IC技术详情>　　该技术采用了在ROHM的垂直统合型生产体制下融合了电路设计、工艺和布局三大模拟技术而实现的“Nano Pulse Control™”技术。通过采用自有的电路结构，将控制IC的最小控制脉宽由以往的9ns大幅提升至2ns，这使得以48V和24V应用为主的应用，仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作(从最高60V到0.6V)。该技术非常适合与GaN器件相结合，实现高频开关，从而助力外围元器件小型化，对采用了该技术的DC-DC控制器IC(开发中)和采用了EcoGaN™技术的电源电路进行比较时，后者的安装面积比采用普通产品时可减少86%。
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发布时间：2023-05-29 13:37 阅读量：2746 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
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ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

　　全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。　　据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC (Silicon Carbide：碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。　　新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc. (以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。　　ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。　　什么是EcoGaN™　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
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发布时间：2023-05-24 13:02 阅读量：2662 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开始量产具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT
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ROHM开始量产具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

　　全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。　　据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC(Silicon Carbide：碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。　　新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.(以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。　　新产品已于2023年4月起投入量产(样品价格 5,000日元/个，不含税)，并已开始网售，通过Ameya360等电商平台可购买。　　ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。　　<什么是EcoGaN™>　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。      <应用示例>包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统
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发布时间：2023-05-18 16:22 阅读量：2963 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>罗姆：在打印机用激光二极管市场的优劣势分析
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ROHM罗姆：在打印机用激光二极管市场的优劣势分析

　　打印机是我们工作和生活中常见的一类OA产品，根据不同的工作方式，主流的打印机可以分为：激光打印机、喷墨打印机和针式打印机。相比喷墨打印机和针式打印机，激光打印机具有分辨率高、打印速度快、坚固耐用等特点，因此被广泛地应用于银行、学校、政府机构、医疗机构、保险、大型企业等场景中。近年来，随着中国国内的激光打印机产品研发速度加快，不断孕育出新的市场需求，中国激光打印机的市场需求越来越大。　　激光打印机示意图　　激光二极管被称为打印机的光之“笔”　　激光打印机脱胎于上世纪八十年代末的激光照排技术，流行于上世纪九十年代中期。激光打印机和复印机的工作原理基本相同，均采用了静电照相技术，即将待打印的内容转换为感光鼓上的以像素点为单位的位图图像，再通过静电成像将文件转印到纸上，具体工作流程可以总结为以下三个步骤：　　1. 激光二极管（LD）发射光，通过多边形反射镜旋转，实现在感光鼓上的扫描。　　2. 激光二极管光照射的部位被消除静电，因此调色剂不附着。　　3. 通过加热器将调色剂定影在纸上，完成印刷。　　从组成结构的角度来看，激光打印机的核心部件包括三部分：感光鼓、包含多边形反射镜的激光扫描光学系统以及激光器。其中，在激光打印机、复印机的光学系统中，激光二极管被称为光之“笔”。　　激光扫描光学系统　　罗姆在打印机用激光二极管市场的产品阵容与优势　　罗姆在激光二极管市场拥有30年以上的实绩，自1984年开发出用于CD机的780nm激光二极管以来，不断开展激光业务，继而面向激光打印机和传感器扩充了产品阵容。如今，在激光打印机、复印机用激光二极管市场中，罗姆已成为重要的供应商之一。　　罗姆在激光二极管市场拥有30年以上的业绩实绩　　凭借长期积累的器件设计经验和技术，罗姆的激光二极管产品具有优异的脉冲响应等特性，非常易用，可提升激光打印机的打印清晰度、色彩自然度。目前，产品阵容涵盖650nm-670nm、780nm-800nm波段，功率在7mW-25mW区间的低速用单光束以及高速用双光束产品。　　罗姆激光打印机用激光二极管产品线阵容　　在上述产品阵容中，RLD78NZM5是单光束激光二极管的畅销型号，具备激光打印机高品质打印所要求的全部特性，10年来其作为低速激光打印机使用光源，拥有较高的供应量。此外，实现高品质打印需要非常稳定的脉冲响应特性，RLD78NZM5凭借罗姆独自开发的波导设计技术及高散热性封装，具有1ns以下的脉冲上升和下降时间(Tr,Tf)，其脉冲波形也保持近似矩形的形状。除了脉冲响应特性外，罗姆拥有专用于激光打印机的器件设计技术，不仅用于单光束产品，也应用于双光束产品，助力实现高品质打印。　　激光二极管光脉冲波形　　此外，RLD2BPNG3是用于高速打印的双光束激光二极管代表型号。双光束激光二极管除了单光束要求的特性之外，还必须尽量减少各光束之间的特性偏差。由于两行同时显像，特性差别过大则会使打出的字或者颜色浓淡不均匀。比如，RLD2BPNG3的驱动电压偏差被控制在0.1V以下。罗姆凭借30多年来不断改进的晶体生长技术和化合物半导体工艺技术，实现了非常稳定的器件特性。　　【小结】　　基于以上产品特点，罗姆的激光打印机用激光二极管的市场先进地位得到持续性巩固。未来，罗姆将继续为中国的高品质激光打印机研究开发贡献力量。
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发布时间：2023-05-10 11:30 阅读量：3486 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”、“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。　　ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC“BM60212FV-C”裸芯片，这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。此外，根据Apex Microtechnology委托外部机构进行的一项调查，与分立元器件组成的结构相比，使用裸芯片构建这些关键部件可减少67%的安装面积。　　“　　Greg Brennan, President, Apex Microtechnology表示：　　“Apex Microtechnology主要以大功率、高精度模拟、混合信号*解决方案为业务组合，我们的模块还适用于医疗设备、航空航天和人造卫星等要求苛刻的应用。由于要为各种应用产品提供电力，所以我们的目标是设计出符合严格标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为Apex Microtechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够如期将产品交付给最终用户。未来，Apex Microtechnology将会继续开发模拟和混合信号创新型解决方案，助力解决各种社会课题。另外，我们也很期待与ROHM展开更深入的合作。”　　”　　“　　Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：　　“APEX Microtechnology是一家为工业、测试和测量等众多应用领域提供大功率模拟模块的制造商，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与APEX Microtechnology协力，通过更大程度地发挥ROHM在功率电子技术和模拟技术方面的潜力，为提高大功率应用的效率做出贡献。”　　据悉，电源和电机占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和Apex Microtechnology在功率电子和模拟技术领域都拥有强大的优势，双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后，通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合，双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案，从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
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发布时间：2023-04-13 17:25 阅读量：2801 继续阅读>>

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