ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

发布时间:2023-06-19 13:12
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:2169

  ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能,方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。

ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

  特性

  》650V E模式GaN FET

  低导通电阻

  高速开关

  内置ESD保护

  高度可靠的设计

  帮助减少电源转换效率和尺寸

  出色的散热性能

  符合RoHS标准

  应用

  高开关频率转换器

  高密度转换器

  规范

  GNP1070TC-Z

  DFN8080K封装类型

  连续漏极电流范围:7.3A至20A

  脉冲漏极电流范围:24A至66A

  漏源电压:650V

  瞬态漏源电压:750V

  栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC

  瞬态栅源电压:8.5V

  +25℃时功耗:56W

  栅极输入电阻:0.86Ω(典型值)

  输入电容:200pF(典型值)

  输出电容:50pF(典型值)

  输出电荷:44nC

  总栅极电荷:5.2nC(典型值)

  典型接通延迟时间:5.9ns

  典型上升时间:6.9ns

  典型关闭延迟时间:8.0ns

  典型下降时间:8.7ns

  GNP1150TCA-Z

  DFN8080AK封装样式

  连续漏极电流范围:5A至11A

  脉冲漏极电流范围:17A至35A

  漏源电压:650V

  瞬态漏源电压:750V

  栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC

  瞬态栅源电压:8.5V

  +25℃时功耗:62.5W

  栅极输入电阻:2.6Ω(典型值)

  输入电容:112pF(典型值)

  输出电容:19pF(典型值)

  输出电荷:18.5nC

  典型总栅极电荷:2.7nC

  典型接通延迟时间:4.7ns

  典型上升时间:5.3ns

  典型关闭延迟时间:6.2ns

  典型下降时间:8.3ns

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