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电源的优选 | 维安VDM<span style='color:red'>OS</span>：高通用性与耐用性

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电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性

　　VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，它具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力。　　维安VDMOS的产品优势及特点　　在VDMOSFET的设计中，维安重点优化耐压和导通电阻的矛盾，提高耐压并兼顾低导通电阻;同时降低Qg及开关损耗。维安VDMOSFET通过优化设计提高雪崩耐量、拓宽安全工作区进而提高通用性和耐用性。针对工业控制等高可靠应用场景，维安开发高质量的氮化硅钝化层工艺，显著提高器件的可靠性。　　图一晶圆结构图　　图二晶圆钝化提高可靠性　　依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了200V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等;　　图三维安VDMOS Roadmap　　图四维安VDMOS 量产规格　　图五维安VDMOS 封装　　VDMOS被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节能灯、逆变器等各个领域。　　图六 VDMOS 应用行业　　维安VDMOS典型应用　　1、适配器(开关电源)的应用　　2、高速风筒(BLDC驱动)的应用　　功率半导体作为电力系统的重要组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。未来维安会结合客户应用开发更多的VDMOS新规格、新封装;比如高压300V，400V快恢复系列等规格。为客户提供更多选择，以在高性能效率转换、高可靠应用场合实现效率、功率密度和可靠性的最佳组合。

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维安

发布时间：2024-10-10 13:04 阅读量：1173 继续阅读>>

安森德超结(SJ)M<span style='color:red'>OS</span>在PD快充上的应用

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安森德超结(SJ)MOS在PD快充上的应用

　　安森德超结(SJ)MOS应用　　移动互联网时代，为了满足人们对小巧便携简单，快速充电的需求，缓解充电的烦恼，催生了快速充电器的发展和普及。手机快充技术迅速发展，能效高，功率密度大，以PD快充为代表的充电器迅速发展，且市场空间巨大。功率器件MOSFET，作为PD快充、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。　　快充技术的发展，充电器功率也将不断提升，对其内部的元器件性能要求提出了新的挑战。　　为满足充电器、适配器等需求，安森德ASDsemi推出了一系列可靠、高效的高中低压MOSFET。涵盖20V-700V电压全系列产品，各种工艺Trench, SGT, 超结等，RDS(ON)小，Qg小，产品种类齐全，满足客户各种选型需求的同时，产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。　　01、安森德多层外延SJ MOS优势　　效率高　　较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。　　低温升　　较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。　　稳定性强　　强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。　　内阻低　　超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。　　体积小　　在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。　　02、应用拓扑图　　03、安森德多层外延SJ MOS应用　　超结(SJ)MOSFET被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于PD快充、充电桩、新能源汽车等领域。　　04、安森德ASDsemi产品选型推荐

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安森德

发布时间：2024-10-08 14:28 阅读量：1027 继续阅读>>

上海雷卯：怎样选择合适的M<span style='color:red'>OS</span>FET

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上海雷卯：怎样选择合适的MOSFET

　　一、确定应用需求　　1、电路类型　　- 开关电路：如果应用于开关电路，如电源开关、电机驱动等，需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗，提高效率;低导通电阻能降低导通时的能量损耗;而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。　　- 放大电路：用于放大电路时，要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的准确放大，低噪声则可以减少对信号的干扰。　　2. 工作电压和电流　　- 工作电压：确定电路的工作电压范围，选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压，并留有一定的余量(建议至少 1.5 倍余量)，以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。　　- 工作电流：根据负载的电流需求，选择能够承受相应电流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的额定电流(连续电流)和最大漏极脉冲电流等参数，额定电流应满足负载在正常工作状态下的电流需求，而最大漏极脉冲电流则要考虑在瞬态或脉冲电流情况下的承受能力。　　3. 工作温度　　了解应用环境的温度范围，确保所选 MOSFET 的工作温度范围能够覆盖该范围。如果工作环境温度较高，需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数，选择热阻较小、结温较高的器件，以保证在高温环境下的可靠性。　　二、选择MOSFET类型(P沟道或N沟道)　　- P 沟道 MOSFET：P 沟道 MOSFET 的栅极电压为负时导通，适用于源极接电源正极的电路。在一些需要低电压控制或逻辑电平转换的场合比较适用，例如电池供电的设备中，可用于防反接保护电路。其优点是在电路设计上可以简化驱动电路，但缺点是导通电阻相对较大，电流驱动能力相对较弱。　　- N 沟道 MOSFET：N 沟道 MOSFET 的栅极电压为正时导通，通常用于源极接地的电路。具有较低的导通电阻和较高的电流驱动能力，适用于对功率要求较高、需要大电流输出的场合，如功率放大器、电源转换电路等。但其驱动电路相对复杂，需要较高的栅极电压来控制导通。　　三、关注关键参数　　-导通电阻(Rds(on))：导通电阻越低，MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小，效率越高。对于对效率要求较高或工作电流较大的应用，应选择导通电阻较小的 MOSFET。但导通电阻较低的器件价格可能相对较高，需要在性能和成本之间进行权衡。　　- 栅极电荷(Qg)：栅极电荷决定了 MOSFET 的开关速度和驱动电路的功耗。栅极电荷越小，开关速度越快，驱动电路的功耗越低。在高频开关应用中，应选择栅极电荷较小的 MOSFET 以提高系统的效率和性能。　　- 漏源击穿电压(V(BR)DSS)：漏源击穿电压是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压，选择时应确保该参数大于电路中的最大电压应力，以防止器件击穿损坏。　　- 热阻(Rθ)：热阻反映了 MOSFET 散热的能力，热阻越小，器件在工作时产生的热量越容易散发出去，结温越低，可靠性越高。在高功率应用或散热条件较差的环境中，应选择热阻较小的 MOSFET，热阻的具体参数可以参考另外一篇　　《MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥》。　　四、封装选择　　- 封装类型：上海雷卯提供多种封装类型的 MOSFET，如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封装类型具有不同的尺寸、引脚排列和散热性能。例如，　　SOT-23 封装体积小，适用于空间受限的应用;　　SOP-8 封装引脚较多，可提供更好的电气连接和散热性能;　　DFN 封装具有较低的寄生电感和电容，适合高频应用。　　- 封装质量：检查封装的质量和可靠性，确保引脚焊接牢固，封装材料能够承受高温和机械应力。良好的封装可以保证 MOSFET 在长期使用过程中的稳定性和可靠性。　　五. 参考数据手册和应用案例　　- 数据手册：仔细阅读上海雷卯 MOSFET 的数据手册，了解器件的详细参数、性能曲线、工作条件和应用注意事项等信息。数据手册是选型的重要依据，能够帮助您准确地选择适合的 MOSFET。　　- 应用案例：参考上海雷卯提供的应用案例或其他客户的成功经验，了解不同型号的 MOSFET 在类似应用中的表现和可靠性。这可以为您的选型提供参考，避免在实际应用中出现问题。　　六、应用案例分享　　1. LM3D40P02　　- 特点：这是一款 P 沟道沟槽技术的 MOSFET，专为电子烟等小型设备优化设计。具有低阈值电压(Vgs(th)=-0.65V(type))，可使设备快速启动;强大的电流承载能力(Id=-40A)，能在高负载条件下稳定工作;较低的导通电阻(Rds(on)=5mΩ)，能有效减少能量损耗，延长电池续航;低门极电荷(Qg=38nc)，加快了开关速度，提高了整体效率;采用 DFN3.3*3.3 的紧凑型封装，易于集成到小型设备中。　　- 应用场景：非常适合电子烟、小型智能设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。　　2. LM8S16P03　　- 特点：属于 PMOS 类型的 MOSFET。漏源电压(Vdss)为-30V，漏极电流(Id)为-16A，漏源导通电阻(Rdson)为 6.5mΩ，栅源电压(Vgs)为±20V，栅极电荷(Qg)为 62.5。工作温度范围为-55℃~150℃，可适应较为恶劣的工作环境。　　- 应用场景：适用于新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居等多种领域。

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上海雷卯

发布时间：2024-09-30 10:12 阅读量：841 继续阅读>>

纳芯微推出全新CSP封装M<span style='color:red'>OS</span>FET: NPM12023A

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纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。　　纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。　　图1：纳芯微CSP封装MOSFET产品优势　　便携式锂电设备对于充放电保护的要求：　　高强度，小体积　　智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。　　图2：CSP封装MOSFET典型应用场景　　技术特点　　专有的CSP封装技术　　传统CSP封装结构为了降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，从而降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。　　纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N)，更高的机械强度，可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。　　图3：纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比　　高抗短路和雪崩的能力　　作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品，纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力：短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。　　纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表

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纳芯微

发布时间：2024-09-27 11:24 阅读量：928 继续阅读>>

永铭电容器为英飞凌CoolM<span style='color:red'>OS</span>™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾

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永铭电容器为英飞凌CoolMOS™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾

　　01、英飞凌推出CoolMOS™ 8硅基MOSFET　　随着电力电子技术的进步，高效能和高功率密度解决方案的需求不断增加。英飞凌新推出的CoolMOS™ 8相较CoolMOS™ 7，显著提升了功率密度和效率，关断损耗降低10%、输出电容减少50%、热阻降低14%，在数据中心和可再生能源等领域表现出色。　　02、永铭电容器在服务器中的应用　　在数据中心中，电源效率和散热性能是提升系统整体性能的关键因素。使用英飞凌CoolMOS™ 8所设计的2.7kW PSU评估板专为数据中心服务器打造，凭借卓越的低功耗和出色的散热表现，为数据中心提供了高效的电源解决方案。　　为实现最佳的电源管理效果，电容器性能同样重要。永铭电容器在服务器电源应用中可提供以下支持：　　输入端(AC部分)解决方案：永铭液态牛角铝电解电容器CW3 450V 1200μF产品拥有大容量储能的同时还具备小尺寸的卓越优势，能够完美嵌入数据中心服务器电源方案中。　　输出端解决方案：永铭导电聚合物固态铝电解电容器NPL 16V 390μF产品，其低ESR和高频性能，能够快速响应电流变化，降低噪声并提升服务器效率。　　03、结语　　永铭电容助力英飞凌CoolMOS™ 8功率器件，显著提升服务器运行效率和速度。上海永铭电子不仅提供高品质的电容产品，还为客户提供全面的电容技术支持，以上产品已实现批量生产，确保快速供货能力。

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永铭电容器

发布时间：2024-09-03 09:51 阅读量：864 继续阅读>>

罗姆第4代SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

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罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

　　日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。　　吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流，并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系，合作至今。这次，作为合作成果，上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型，以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。　　罗姆正在推进SiC器件的开发，计划于2025年推出第5代SiC MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且，通过构筑SiC供应体制，实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。　　关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型极氪的“X”车型虽然是小型SUV，但最大输出功率300kW以上，续航距离400km以上，性价比高，在中国以外的地区也受到关注。另外，小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外，还搭载了140kWh的大容量电池，最大续航距离达822km。并且，作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”，由于双电动机最大输出达400kW以上，续航距离超580km，拥有4轮独立控制机构等，作为高性能EV被广泛关注。　　关于极氪极氪是浙江吉利控股集团有限公司旗下高端智能电动品牌，2021年3月，浙江极氪智能科技有限公司成立。极氪是一家以智能化、数字化、数据驱动的智能出行科技公司，秉承用户型企业理念，聚焦智能电动出行前瞻技术的研发，构建科技生态圈与用户生态圈，以“共创极致体验的出行生活”为使命，从产品创新、用户体验创新到商业模式创新，致力于为用户带来极致的出行体验。极氪的诞生区别于传统造车与新势力模式，实现智能纯电的快速进化，开拓纯电发展第三赛道的“极氪模式”。极氪致力于建立新型用户关系，实现与用户共创，根据用户需求与创造力得以持续进化，实现企业与用户平等融合。　　更多信息请访问网站：https://www.zeekrlife.com/　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信器等的众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。欲了解更多信息，请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)　　市场背景与第4代SiC MOSFET 近年来，为了实现“碳中和”和其他减轻环境负荷的目标，就需要进一步普及下一代电动汽车(xEV)，这就推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的主驱逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对SiC功率元器件寄予厚望。　　罗姆于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。目前，罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌，并正在不断扩展其产品群。目前不仅可提供裸芯片，还可提供分立封装和模块等多种形态产品。欲了解更多信息，请访问罗姆官网上的SiC介绍页面(https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices)。　　关于罗姆的EcoSiC™ EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　支持信息罗姆拥有在公司内部进行电机测试的设备，可在应用层面提供强力支持。此外，为了加快第4代SiC MOSFET的评估和应用普及，罗姆官网上还提供各种支持资源。通过下面的链接，可以查看SPICE模型等各种设计模型、主要应用的仿真电路(ROHM Solution Simulator)和评估板(Evaluation Board)等信息。　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo

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罗姆

发布时间：2024-08-30 11:34 阅读量：846 继续阅读>>

上海雷卯：M<span style='color:red'>OS</span>FET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

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上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。　　1. MOSFET温度参数的重要性　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。　　3. 热阻定义及计算　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2　　代入公式1，综合可得：　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。　　5.温度计算实例　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：　　例一：　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C　　例二：　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C　　例三：　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C　　6.结论　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。

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MOSFET

发布时间：2024-08-23 11:15 阅读量：780 继续阅读>>

ROHM：支持PSIM™的第4代SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET仿真模型

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ROHM：支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。　　PSIM™的特点　　稳健、高速的功率转换器和电机驱动仿真　　通过直观的GUI，轻松创建主电路和控制电路　　可与Altair多物理场仿真平台联动，比如可利用CFD耦合进行高保真度温度预测　　发布的产品

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发布时间：2024-08-21 13:41 阅读量：813 继续阅读>>

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pmos管工作原理及详解

　　PMOS管是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一种类型，属于场效应管。PMOS管在集成电路中具有重要作用，常用于数字电路和模拟电路中，广泛应用于逻辑门、存储器单元等电路中。　　1.工作原理　　1. 结构组成　　PMOS管由P型衬底(Substrate)、P型掺杂漏极(Source)、漏极(Drain)以及控制栅极(Gate)构成。在N型衬底上形成P型沟道，通过栅极施加电压来控制沟道导通情况。　　2. 原理简述　　沟道关闭状态：当栅极对源极施加正电压时，形成P-N结反向偏置，使得P型沟道被击穿，PMOS管截止。　　沟道导通状态：当栅极对源极施加负电压时，栅极与源极间的电场将P型沟道吸引，沟道形成导通通道，PMOS管导通。　　3. 工作原理　　导通状态：当栅极电压低于源极电压，P型沟道被吸引，电流从漏极到源极流动，PMOS管处于导通状态。　　截止状态：当栅极电压高于源极电压，P型沟道被击穿，无法形成导通通道，PMOS管处于截止状态。　　2.特点与优势　　1. 低功耗　　由于PMOS管在禁止区域消耗功率较小，适合设计低功耗电路。　　2. 高噪声容限　　相较于NMOS管，PMOS管具有更高的噪声容限，适合在噪声环境下工作。　　3. 抗静电能力强　　PMOS管抗静电能力较强，不易受外界干扰而损坏。　　4. 适用范围广　　PMOS管适用于CMOS电路、开关电路、放大电路等多种电路中，具有广泛的应用领域。　　3.应用领域　　1. 数字电路：PMOS管常用于逻辑门、存储单元等电路中，起到信号放大、传输和控制的作用。　　2. 模拟电路：PMOS管可用于放大器、滤波器等电路中，实现信号处理和调节功能。　　3. CMOS电路：在CMOS(互补金属氧化物半导体)中，PMOS管与NMOS管结合使用，构成数字逻辑电路、微处理器等芯片中的关键部分。　　4. 消费电子产品：PMOS管被广泛应用于手机、平板电脑、电视机等消费电子产品中，用于控制电路、功率管理等方面。　　5. 电源管理：在电源管理系统中，PMOS管用于开关电源、稳压器等电路中，提供电路的开关和调节功能。

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pmos管

发布时间：2024-08-21 11:06 阅读量：863 继续阅读>>

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佰维存储推出工业级宽温SD Card & microSD Card，高效稳定录影不掉帧

　　近日，针对新一代高性能、高可靠性的工业视频监控及影像长时间稳定录制要求，佰维存储推出了工业级宽温 TGC 207 SD Card&TGC 209 microSD Card，传输速度高达160MB/s，覆盖32GB~256GB容量规格，-40℃~85℃宽温应用，支持4K高清多路视频稳定连续录入，适应安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等领域户外拍摄、高强度工作、复杂路况等多变场景与冷热环境冲击。　　高性能自研固件，产品经久耐用　　多路视频稳定写入不掉帧　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card精选工业级3D TLC闪存颗粒，擦写次数(P/E Cycle)达3000次，拥有出色的耐久性，并提供32GB~256GB多种容量选择。系列产品搭载佰维自研固件，采用了闪存磨损均衡技术(Wear Leveling)，可实现每个NAND闪存block擦写次数的相对均衡性，从而延长产品使用寿命。性能方面，系列产品符合C10速度等级与U3性能指标，最高读写速度达160MB/s，保证持续写入的速度不低于30MB/s，支持4K高清视频录制，录制时间可高达90,000小时。　　在应用表现方面，TGC系列工业存储卡满足V30视频处理性能等级以及A1应用程序性能等级，随机读/写性能达到1500 IOPS和500 IOPS以上，带来更快的应用程序响应速度。针对多路视频写入场景，通过固件特殊优化，该产品保证最低10MB/s的稳定写入性能，录制画面流畅稳定不掉帧。　　此外，佰维自研固件还针对GC算法、坏块管理算法进行了优化，通过合理规划数据在NAND上的布局，减少GC对写入数据延时的影响，保障读写效能;有效避免录影中的卡顿、中断和掉速问题，守护数据的完整性和有效性。　　守护数据安全与可靠，　　硬核实力无惧环境挑战　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card可在-40℃~85℃宽温范围内运行，耐得住极寒与酷暑等温度冲击。产品在硬件设计上增加了IP67防水防尘/抗磨损/抗震/抗X-Ray/抗静电/抗磁/抗落摔等可靠性特性。　　依托公司多年来积累的高性能测试设备与丰富的测试算法库，佰维存储旗下工规级产品线均历经了专业且严苛的可靠性测试流程，确保每一款存储卡拥有坚强的“体魄”，不畏环境挑战，MTBF>2,000,000小时。在技术特性上，佰维TGC系列存储卡支持S.M.A.R.T监控与LDPC ECC智能纠错技术，一方面通过健康监测及时预警卡片寿命状况，防止关键数据意外丢失，另一方面可及时进行数据检错和纠错，确保数据的完整性和准确性。此外，TGC系列工业宽温存储卡设计了无备电断电数据保护机制，在发生异常断电时，可保证已写入闪存的数据不被破坏，保障数据的一致性。　　锁定BOM+高品质稳定供应　　兼容性无忧　　佰维存储始终致力于为客户提供全面而周到的技术支持与配套服务。TGC系列工业级宽温SD Card & microSD Card经过与市场主流平台、操作系统以及设备的全面兼容性测试，并已通过CE/FCC/UKCA/RCM/VCCI/RoHS/REACH等国际安全与环保认证，兼具安全、绿色与高品质特性。在产品供应方面，佰维积极配合客户完成产品长周期的导入验证，确保产品符合各类行业应用标准。TGC系列工业级宽温存储卡支持BOM(主控、固件与NAND)锁定服务，通过稳定长周期的供应，避免因物料清单更换而导致的兼容性问题和验证资源浪费。　　佰维TGC系列工业级宽温存储卡产品兼顾高稳定、高可靠与持久耐用等优势，满足工业录像设备在多路摄像头写入、7x24全天候监控摄影场景下稳定不掉速、数据完整性的严苛要求。随着高清显示技术和影像系统的不断升级迭代，对数据的传输速度和容量提出了更高的要求。佰维存储凭借其在存储解决方案研发、先进封装测试等领域的核心能力，致力于持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性的工规级存储卡产品，以满足安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等高阶工业数据存储需求。

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佰维存储

发布时间：2024-08-19 14:02 阅读量：1023 继续阅读>>

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TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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