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更低Rdson，更强动力！捷捷微电<span style='color:red'>MOSFET</span>让您的UPS甩开能效焦虑！

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更低Rdson，更强动力！捷捷微电MOSFET让您的UPS甩开能效焦虑！

　　UPS的“芯”动力　　在数据中心、医疗设备、工业自动化等关键领域，不间断电源 (UPS) 如同“电力卫士”，保障着系统的稳定运行。而作为UPS核心“开关”的功率器件——MOSFET，其性能直接影响着整机的效率、可靠性与成本。捷捷微电深耕功率半导体，推出多款高性能MOSFET产品，为各类UPS系统提供强劲“芯”动力!　　Part.01 UPS系统的“心脏”守护者　　UPS系统的“心脏”守护者—UPS系统根据工作方式主要分为离线/待机式、线上交互式、在线/双转换式等。无论哪种类型，其逆变器、整流器等核心功率转换单元都高度依赖高性能的功率MOSFET作为开关器件。这些MOSFET承担着高电压、大电流的切换任务，其导通电阻 (Rdson)、耐压 (V_{DS})、电流能力 (ID) 等参数，直接决定了UPS的转换效率、输出能力、散热表现乃至整机体积和成本。　　Part.02 捷捷微电的UPS效能重构方程式　　捷捷微电凭借深厚的技术积累，针对UPS应用的严苛需求，精心打造了一系列高性能MOSFET产品。这些产品覆盖了从60V到200V的常用电压平台，具备超低导通电阻 (Rdson)、高电流承载能力 (ID) 以及优异的开关特性，特别适用于UPS中的半桥/全桥拓扑结构。　　Part.03 明星产品阵容，性能对标国际领先水平　　让我们聚焦几款在UPS领域表现出色的JJM MOSFET代表产品：　　80V 平台尖兵：JMSH0803PCQ　　核心优势：超低 Rdson (典型值1.8mΩ, Max@10V 2.6mΩ)，电流能力高达147A (TO-220AB封装)。　　应用场景：高效率、紧凑型UPS的逆变/整流级。　　对标竞品：性能媲美甚至超越国际知名型号。　　60V 平台能手：JMTC3206S核心优势：低 Rdson (典型值2.2mΩ, Max@10V 2.4mΩ)，120A 电流输出 (TO-220AB封装)。　　应用场景：对成本与效率有均衡要求的UPS功率模块。　　对标竞品：可直接对标国际知名型号，提供可靠替代方案。　　100V/200V 高功率担当：JMSH1001N (100V):195A 超大电流能力，Rdson 仅2.0mΩ (Max@10V)，采用散热更优的TO-247AC封装，满足大功率UPS需求。　　JMTS4668S (200V) / JMTS130N20S (200V):专为高压应用设计。　　JMTS130N20S 提供超低 Rdson (典型值7mΩ) 和130A电流能力，是国际知名型号的有力竞争者，适用于在线式UPS的PFC或逆变输出级。　　Part.04 为什么选择捷捷微电MOSFET?　　卓越性能：超低导通电阻带来更低损耗，提升整机效率，减少发热。　　高可靠性：严格的品质管控和工艺保障，确保器件在UPS严苛工况下的长期稳定运行。　　高性价比：在同等甚至更优性能下，提供具有竞争力的成本优势。　　本土化支持：快速响应的技术支持和供应链保障，助力客户产品快速上市。　　在保障关键设备电力安全的道路上，一颗高效、可靠的“芯”至关重要。捷捷微电持续专注于功率半导体技术的创新与突破，其UPS专用MOSFET产品线凭借优异的性能参数和稳定性，已成功应用于各类UPS解决方案中，为客户打造更高效、更可靠、更具成本竞争力的电源系统提供坚实的“芯”保障!

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捷捷微电

发布时间：2025-07-02 16:19 阅读量：250 继续阅读>>

维安发布950V、1050V超结<span style='color:red'>MOSFET</span>产品

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维安发布950V、1050V超结MOSFET产品

　　在工业控制(如大功率伺服驱动、变频器)、特种照明、矿机等高要求应用领域，对超高压、紧凑型电源系统的需求正迅速增长。这些应用往往面临严苛的运行环境(高温、高湿、强干扰)和紧凑的空间限制，对核心功率器件提出了极高要求：一方面需要承受超高工作电压以确保系统安全可靠;另一方面必须实现极低的导通损耗(RDS(ON))和开关损耗(Qg, Qrr)，以提升效率、降低温升并满足小型化设计需求。　　应对以上问题，维安自主研发并推出超高压超结950V和1050V MOS平台。该平台采用创新的工艺设计，在实现超高耐压等级的同时，显著降低了器件的结电容(体现为低Qg)和反向恢复电荷(Qrr)。显著提升电源系统的整体效率，有效控制温升，并满足紧凑型设计对功率密度的苛刻要求。其优异的性能参数可对标进口品牌的同规格产品，为上述特殊应用领域提供了可靠、高效的国产化功率解决方案。　　维安950V、1050V超高压超结MOSFET　　产品优势　　1、优异的FOM品质因数　　超结950V、1050V FOM是传统VDMOS工艺的13.6% 。使用超结950V、1050V器件，相同导通电阻下，栅极电荷大幅下降，更容易驱动和降低开关损耗，提供整体效率。　　图1：平面超高压Qg示意图　　图2：超结超高压Qg示意图　　2、强壮的体二极管特征　　反向恢复电荷Qrr 仅有普通慢管的30%，降低体反向恢复引起的损耗和应力。提升系统在硬开关等应用中的可靠性，并有助于进一步提高效率。　　图3： MOSFET体二极管反向恢复的波形示意图　　蓝色是普通工艺MOSFET体二极管;　　红色是快恢复工艺 ;　　3、丰富的产品规格　　950V SJ-MOSFET C2P　　1050V SJ-MOSFET C2P　　从上图规格可以看出，950V，1050V TO-220F封装，内阻最低可以到0.31Ω-0.32Ω;平面超高压相同规格TO-220F封装内阻最低达到1Ω。更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，在高功率密度的应用场景中，维安超结超高压MOSFET展现出显著优势，助力实现更紧凑、更高效的电源设计。　　维安完整的超高压产品系列，结合先进的封装技术，确保了高可靠性和安全性，助力工程师轻松应对定制化、高效率电源系统的设计挑战。

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维安

发布时间：2025-06-27 09:56 阅读量：203 继续阅读>>

罗姆的SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

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罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

　　~应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升~　　6月24日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”)面向中国市场的全新跨界纯电动汽车(BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。　　“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司(以下简称“BTET”)、一汽丰田汽车有限公司(以下简称“一汽丰田”)联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。　　此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI)Co., Ltd.)进行量产供货，其中以SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案，为这款新型纯电动汽车的续航里程和性能提供了重要保障。　　罗姆目前正加速推进SiC功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代(即第5代)SiC MOSFET的生产线建设，并提前布局第6代和第7代产品的市场投放规划。　　未来，罗姆将继续致力于元器件性能和生产效率的提升，通过强化裸芯片、分立器件、功率模块等各种形态的全方位SiC供应体系，进一步推动SiC技术的普及，为实现可持续交通贡献力量。　　关于“bZ5”　　丰田与BTET、一汽丰田等企业联合开发的跨界纯电动汽车，以“Reboot”为开发理念，采用动感且具标志性的造型设计。针对Z世代年轻用户需求，着力打造兼具个性化与舒适性的驾乘空间。续航能力方面，低配版本可达550公里，高配版本则实现了630公里(CLTC标准)的续航表现。　　该车已于2025年4月22日(第二十一届上海国际汽车工业展览会开幕前日)开启预订，引发广泛关注。　　关于上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)　　上海海姆希科半导体有限公司是由正海集团有限公司(中方)与罗姆株式会社(日方)共同成立的中日合资企业。HAIMOSIC(海姆希科)主要从事碳化硅半导体功率模块的研发、设计、制造及销售，预期产能 36万个/年。项目总投资额为4.5亿元人民币，注册资金2.5亿元人民币。更多详情请访问HAIMOSIC官网(http://www.haimosic.com/)。

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罗姆

发布时间：2025-06-26 11:14 阅读量：269 继续阅读>>

SiC <span style='color:red'>MOSFET</span> 并联的关键技术

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SiC MOSFET 并联的关键技术

　　基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。　　然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联，因为参数差异会影响均流特性。本文将深入探讨该问题，并展示ST第三代SiC MOSFET如何完美适配并联应用。　　分立MOSFET和功率模块　　分立器件采用单管封装形式(每个封装仅含单个MOSFET或二极管)，可灵活选择通孔插装(THT)或表面贴装(SMD)封装。这种形式对拓扑设计和混合封装应用没有任何限制。　　功率模块则截然不同：其内部器件按特定拓扑(如全桥)集成，一旦封装完成，既无法修改拓扑也不能调整器件参数。因此在原型设计阶段，工程师需要投入更多精力进行仿真验证，而使用分立器件时能直接进行实物测试。　　功率模块有两大优点：　　功率耗散：功率模块的横截面结构通常包括散热基板、陶瓷电气绝缘层以及铜平面走线，硅或碳化硅芯片(如MOSFET)通过烧结工艺直接连接在铜走线上。这种设计在散热方面具有显著优势：散热基板可直接与散热器接触，无需额外电气绝缘，两者之间仅需导热界面材料(TIM，如导热硅脂)即可实现高效热传导。　　模块的另一大优势在于缩短换流回路，这一点虽比散热设计更复杂，但效果极为关键，能有效降低寄生参数。走线本身具有电阻和电感，长度越长，寄生效应越严重：电阻会因流经的RMS电流产生不可忽视的导通损耗;电感则会在电流变化时引发电压过冲，开关速度越快，电压尖峰越高，甚至可能损坏器件。　　在以下方面，分立器件难以与模块相比：　　散热设计：分立器件的散热基板通常不绝缘且与MOSFET漏极相连，因此导热界面材料需同时满足绝缘和导热需求。　　走线长度：分立器件芯片间的走线长度较长。电流通过键合线流至封装引线，然后流至PCB，再返回。　　在模块中，器件并联非常简单：两颗芯片并列安装，其余节点通过短键合线连接。走线更短且热耦合性能更优。　　分立器件之间的热耦合性能不如模块好。热量从芯片到封装，再通过导热界面材料 (TIM) 到达散热器，再到其他 MOSFET。每种介质以及它们之间的每次转换都会产生热阻，导致温度梯度。　　并联分立MOSFET的动机　　尽管存在上述局限，分立MOSFET并联仍具备不可替代的优势：设计灵活性、参数可扩展性、供应链冗余以及原型验证便捷性。此外，并联本身还能带来以下物理层面的优化：　　热阻与封装散热面积成反比。若将损耗均分至两个相同器件，总散热面积翻倍，单个封装的热耗减半，从而使结到散热器的热阻降低一半，器件实际温度更接近散热器温度。　　MOSFET损耗主要包含导通损耗和开关损耗。导通损耗由沟道导通电阻(RDSon)引起，并联N个相同MOSFET可使总RDSon降至1/N。　　开关损耗源于开关过程中电压与电流的重叠(图1)。尽管瞬态时间极短，但高压大电流下峰值功率非常显著。通过对功率随时间进行积分(曲线下方的区域)可得到特定条件下的开通能量和关断能量，将二者乘以开关频率(若条件变化则累加1秒内的所有能量)，即可计算出开关损耗。　　给定条件是值得注意的地方，因为开关能量很大程度上取决于几种参数：瞬态时间、电压、电流和温度。关于并联方案，在开关能量的电流函数中隐藏着一些优势。(图2)　　开关能量的变化曲线不是线性的，略呈指数趋势。因此，电流加倍会导致能量增加超过两倍。并联时，结果正好相反：如果将电流均分到两个相同的器件，总开关能量会比单个器件单独开关时更低。　　如果我们将功率模块中的一个 MOSFET 与两个分立 MOSFET 进行比较，则该模块将处于劣势：　　对比功率模块中的单个MOSFET与分立形式的两个MOSFET，模块反而处于劣势：　　散热路径：由于模块结构不同，散热路径难以比较，但是，分立器件通过更大散热面积可弥补结构劣势，甚至超越模块性能。　　导通损耗和开关损耗：分立MOSFET并联的导通损耗是功率模块的二分之一，开关能量损耗显著降低，因此，并联分立 MOSFET 在损耗方面优势非常明显。　　这说明，在所述功率范围内，分立器件并联与模块方案存在性能重叠。使用更多的相同规格的器件可以提高功率，而并联时选择更高导通电阻而成本更低的器件，仍有可能在相同功率下与模块方案竞争。　　热失控——优势背后的隐患　　MOSFET的导通电阻(RDSon)并非静态参数，其数值随电流变化，且受温度影响更为显著。在当前功率范围内，碳化硅(SiC)MOSFET已成为主流选择，其RDSon温度特性远优于硅基MOSFET。　　以ST最新一代HU3PAK封装(顶面散热)的SCT011HU75G3AG为例(图3)，导通电阻RDSon非常低，是并联设计的理想选择。　　然而，从25°C至175°C其导通电阻Rdson仅上升约50%，与标准硅基MOSFET相比，这一增幅明显更低，传统硅基MOSFET在150°C(而非175℃，这是其绝对最高额定温度)时RDSon增幅可达200%。　　平坦的导通电阻(RDS(on))温度曲线是理想设计特性，能使导通损耗随温度变化保持稳定。然而，当损耗上升时，存在热失控风险：损耗增加导致温度升高，进而进一步加剧损耗。这种正反馈效应曾是硅基MOSFET的难题，但对碳化硅(SiC)器件通常可忽略——除非采用并联配置。　　为何存在这种差异?关键在于参数离散性，尤其是导通电阻RDS(on)。以型号SCT011HU75G3AG为例，其标称RDS(on)为11.4 mΩ，但实际可能高达15 mΩ。虽然同一批次中出现如此大偏差的概率较低，但我们仍以此极端情况分析：15 mΩ比11.4 mΩ高出32%，意味着在相同电压下该器件承载的电流将减少32%。因此，11.4 mΩ的MOSFET会产生约32%的额外损耗并更易发热。若RDS(on)随温度上升的斜率更大，虽然会导致更高损耗，但发热更严重的MOSFET会通过自我调节(升温导致电阻增加)使电流向低温器件转移。　　实际应用分析　　实际应用中的风险等级如何?由于并联MOSFET共享散热器(存在热耦合)，这仍构成严重威胁。为验证此问题，我们通过仿真进行深入研究：假设两个HU3PAK封装的SCT011xx75 MOSFET(TO247封装表现会更好，此处选择更严苛案例)，一个RDS(on)=11.4 mΩ，另一个=15 mΩ。散热器温度设定为90°C，采用导热界面材料(TIM)为填隙胶(导热系数7 W/(m·K)，厚度0.4 mm)。　　在总RMS电流140A条件下，重点关注导通损耗。HU3PAK的冷却面积为120 mm²，计算得TIM导致的壳到散热器热阻为0.476 K/W。　　模拟实验结果　　140 A 电流中的 63 A 流经15 mΩ MOSFET，壳温为 123.7°C，结温为 139.9°C　　其余的77 A流经11.4 mΩ MOSFET，壳温为 131.8°C，结温为 151.8°C。　　当前电流失匹率为 22%，而初始值为 32%，并且两个 MOSFET 都有充足的温度裕度，即实际温度与最高绝对温度的差值很大。TIM导热胶的热梯度是一个关键因素，在15 mΩ MOSFET中，从外壳到散热器，温度降幅达到 33.7°C，而另一个 MOSFET则达到41.8°C。在这种情况下，TIM导热胶才是真正的限制因素，而MOSFET 之间的电流失衡不是问题。热导率选定为 7 W/(m∙K)，这个值不错，但并非最佳。幸运的是，近期市场需求推动了对此类材料的研究，现在已出现超过 20 W/(m∙K) 的电隔离间隙填充材料。　　结论　　功率模块适合高功率应用场景，但分立MOSFET也具备诸多优势，使其同样适用于模块的功率范围。选择合适的MOSFET，需要考虑哪些关键因素?答案是优异的开关性能和出色的热管理性能。　　幸运的是，意法半导体的第三代 SiC MOSFET 应运而生，并联时仍能保持稳定开关性能，其导通电阻RDSon 的热变特性在降低能量损耗和有效抑制热失控实现了双重优化。

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SiC MOSFET

发布时间：2025-06-25 11:21 阅读量：230 继续阅读>>

东芝研发出可降低沟槽型SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>和半超结肖特基势垒二极管损耗的新技术

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东芝研发出可降低沟槽型SiC MOSFET和半超结肖特基势垒二极管损耗的新技术

　　日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)研发了一项创新技术，该技术可在增强沟槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同时，显著降低其因导通电阻[1]而产生的损耗。同时，东芝还研发了半超结[4]肖特基势垒二极管(SJ-SBD)，有效解决了高温下导通电阻增大的问题。这两项技术突破有望显著提升功率转换器件的可靠性与效率，尤其在电动汽车和可再生能源系统等领域。　　功率半导体为所有电气设备供电并控制电力，对于节能和碳中和的实现至关重要。随着汽车的电气化和工业设备的微型化，预计对功率半导体的需求与日俱增。SiC MOSFET尤其如此。作为下一代器件，SiC MOSFET凭借其远超传统硅(Si)MOSFET的功率转换效率，正获得日益广泛的关注。其中，沟槽型SiC MOSFET以其独特的沟槽式栅极降低了导通电阻，SiC肖特基势垒二极管(SBD)则凭借金属半导体结实现了高效的功率转换，它们均广泛应用于电动汽车和可再生能源系统等高效功率转换领域。然而，这些应用场景通常伴随着高温工作环境，对可靠性和效率提升构成了严峻的考验。　　沟槽型SiC MOSFET需要保护栅极氧化层免受高电场的影响。然而，由于电场保护结构[6]的UIS耐用性与接地电阻[5]之间的关系尚不明确，因此要同时实现高栅极氧化层可靠性与低导通电阻便极具挑战。　　此外，尽管SiC SBD能承受比传统Si SBD更高的工作温度，但需要面对高温下电阻增加进而造成导通电阻变大的问题。　　东芝研发了两项关键技术来解决这些问题。　　1.提高沟槽型SiC MOSFET的UIS耐用性的技术　　东芝研究发现，通过在沟槽型SiC MOSFET的沟槽中构建保护层(图1)，并适当降低底部p阱的接地电阻，可提高UIS耐用性。这一发现明确了以往不确定的UIS耐用性与电场保护结构接地电阻之间的关系。与传统的平面型SiC MOSFET相比，东芝制作的沟槽型SiC MOSFET原型将导通电阻降低了约20%(图2)。图1. 沟槽型SiC MOSFET结构及底部p阱位置图2. 传统平面型SiC MOSFET与沟槽型SiC MOSFET的导通电阻比较(东芝测试结果)　　2.SiC SJ-SBD特性的改进　　此外，东芝还研发了SiC SJ-SBD，通过在漂移层中置入基极[7]来抑制高温下电阻的增加(图3(b))。通过比较传统的SiC SBD(图3(a))和SiC SJ-SBD在不同温度下的导通电阻变化[8]，东芝证实了SiC SJ-SBD在高温下具有更低的导通电阻(图4)。这是由于超级结(SJ)结构实现了平坦的电场分布并降低了导通电阻。与传统的SiC SBD相比，东芝研发的650V SiC SJ-SBD在175℃(448.15K)高温下将导通电阻降低了约35%。图3. 传统SiC SBD与SiC SJ-SBD的结构图4. 传统SiC SBD与SiC SJ-SBD 导通电阻　　与温度依赖性比较(东芝测试结果)　　这两项技术进一步降低了沟槽型SiC MOSFET和SiC SBD的损耗，提高了未来用于高效功率转换应用的器件的可靠性和效率，尤其是在电动汽车和可再生能源系统等领域。东芝将致力于进一步优化这些技术并加速其产业化进程。　　在6月1日至5日于日本熊本举行的第37届国际功率半导体器件与IC研讨会(ISPSD 2025 ISPSD)上，东芝介绍了这些新技术的详细信息。此项成就基于新能源产业技术综合开发机构(NEDO)的项目补贴而取得。

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东芝

发布时间：2025-06-20 13:34 阅读量：359 继续阅读>>

Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>栅极保护

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Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

　　碳化硅(SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。　　1.栅极驱动器设计措施　　关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导体的主要任务外，各种驱动器还提供短路保护功能。此外，采用适当的设计措施(如在关断状态下施加负栅极电压)来防止寄生开关是至关重要的。负栅极电压可确保增加MOSFET栅极阈值电压的偏移量，并提高开关单元对电压斜坡的抗扰度。另一项强制性措施是保护MOSFET的栅极，防止静电放电 (ESD)事件或电路中的寄生效应造成过压浪涌。　　硅基功率半导体，如Si-IGBT和Si-MOSFET通常具有对称的栅极额定电压。这种额定值允许使用对称TVS二极管进行栅极保护，但这是不必要的，因为硅栅极电压的最大额定值足以高于应用的驱动电压。与硅器件不同，SiC-MOSFET的负栅极电压额定值通常明显低于正栅极电压额定值。因此，使用两个独立的TVS二极管(如图1所示)进行非对称保护是很常见的。Littelfuse现在提供SMFA型集成式非对称双向TVS二极管。这种解决方案有助于有效减少寄生效应和PCB面积，尤其是在快速开关SiC应用中。　图1 使用两个独立TVS二极管的标准栅极保护与一个集成非对称SMFA型TVS二极管的对比　　2.产品选择　　Littelfuse SMFA非对称系列TVS二极管可保护SiC-MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。根据所需的SiC-MOSFET最大栅极额定电压，SMFA封装可从17.6~23.4 V的正击穿电压中选择，同时负向击穿电压被设置在7.15V。有关元件的详细信息，请参见表1。SMFA非对称TVS根据IEC 61000-4-2标准进行测试，采用SOD-123FL扁平封装。表1 SMFA系列产品组合　　图2显示了SMFA型非对称TVS二极管的静态和动态箝位性能。出于测试目的，提高了驱动器电压以显示TVS二极管的动态箝位。SMFATVS二极管不适合永久限制过高的驱动器电压。图2 SMFA型集成非对称TVS二极管的钳位特性　　3结论　　凭借新型集成非对称TVS SMFA系列，Littelfuse提供了一种创新的解决方案，可最大限度地提高SiC MOSFET栅极驱动器电路的稳健性，同时实现具有成本效益、所需PCB空间更小、寄生效应最小的设计。

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Littelfuse

发布时间：2025-06-19 10:36 阅读量：276 继续阅读>>

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>

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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。　　四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能;以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。　　未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。　　测量条件：VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH，Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω　　续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至2025年5月，东芝对比结果)图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较　　应用　　● 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源　　● 电动汽车充电站　　● 光伏逆变器　　● 不间断电源　　特性　　● DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗　　● 东芝第3代SiC MOSFET　　● 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性　　● 低漏源导通电阻×栅漏电荷　　● 低二极管正向电压：VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)　　主要规格

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东芝

发布时间：2025-06-17 13:14 阅读量：369 继续阅读>>

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC <span style='color:red'>MOSFET</span> 1200V模块

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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电

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英飞凌

发布时间：2025-06-16 11:55 阅读量：283 继续阅读>>

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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用

关键词：

英飞凌

发布时间：2025-06-16 11:51 阅读量：274 继续阅读>>

龙腾半导体：车规级超结<span style='color:red'>MOSFET</span> LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

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龙腾半导体：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

　　1.产品概述　　本款产品采用新一代超结技术，专为汽车电子和高功率场景打造。在质量与可靠性方面，产品严格遵循 AEC - Q101 车规级可靠性认证标准以及 IATF 16949 汽车质量管理体系认证要求。凭借低导通电阻与高功率密度设计，确保在极端工况下稳定运行，为高效电机系统提供核心动力支持。封装形式产品可靠性测试报告　　2.核心特性　　导通损耗低：低阻值设计，减少发热并提升能效;　　开关损耗低：低栅极电荷，显著降低驱动损耗;　　功率密度高：卓越的热设计，适用于紧凑型高效能系统。　　3.产品优势　　车规品质：双重认证确保产品符合汽车行业严苛标准，可靠性与安全性行业先进;　　高效节能：通过降低RDS(on)与Qg，系统能耗显著降低的同时提升了运行性能;　　高可靠性：严苛测试保障恶劣环境下的长期稳定性。　　4.典型应用　　汽车领域：48V/12V DC/DC转换器、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS);　　工业场景：工业开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS);　　新能源：光伏逆变器、储能系统解决方案。

关键词：

龙腾半导体

发布时间：2025-06-16 09:42 阅读量：506 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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