电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性

发布时间：2024-10-10 13:04
作者：AMEYA360
来源：维安
阅读量：1452

　　VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，它具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力。

　　维安VDMOS的产品优势及特点

　　在VDMOSFET的设计中，维安重点优化耐压和导通电阻的矛盾，提高耐压并兼顾低导通电阻;同时降低Qg及开关损耗。维安VDMOSFET通过优化设计提高雪崩耐量、拓宽安全工作区进而提高通用性和耐用性。针对工业控制等高可靠应用场景，维安开发高质量的氮化硅钝化层工艺，显著提高器件的可靠性。

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　　图一 晶圆结构图

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　　图二 晶圆钝化提高可靠性

　　依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了200V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等;

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　　图三 维安VDMOS Roadmap

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　　图四 维安VDMOS 量产规格

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　　图五 维安VDMOS 封装

　　VDMOS被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节能灯、逆变器等各个领域。

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　　图六 VDMOS 应用行业

　　维安VDMOS典型应用

　　1、适配器(开关电源)的应用

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　　2、高速风筒(BLDC驱动)的应用

电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性

　　功率半导体作为电力系统的重要组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。未来维安会结合客户应用开发更多的VDMOS新规格、新封装;比如高压300V，400V快恢复系列等规格。为客户提供更多选择，以在高性能效率转换、高可靠应用场合实现效率、功率密度和可靠性的最佳组合。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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屏显会说话，MCU 来撑腰！维安用“芯”，开发省心
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　　一块小芯片，也能把世界点亮!　　想象一下......你刚插上 PD 充电器，屏幕瞬间蹦出“彩虹电量条”；移动电源在桌面眨眨眼，告诉你它还能再战 3 部电影；小朋友的玩具一开机，就上演 8bit 像素风的欢迎秀;就连雾化器也能化身弹幕机，喷个雾环都是爱你的形状......这些可可爱爱的小惊喜，背后都藏着维安的小宇宙　　关于维安，我们不止做产品　　多年半导体江湖老司机，半导体产品出货量早已破亿　　自家实验室 7×24 小时高温“烤”机，105 ℃ 都不掉链子　　设计、工具、量产一条龙，客户从打样到上市最快 4 周搞定　　UI 设计师+嵌入式工程师混编队，PS 不会?我们帮你画!　　FAE 小哥哥小姐姐全国飞，现场改动画，现场撸代码，咖啡管够!　　开发爽点，一个不落　　开发板开箱即用，I²C、UART 接口统统预留，Type-C 一插就能亮屏　　自动生成图片地址、张数、大小，UI 换图像换手机壁纸一样简单　　动画丝滑到可以“打王者”，横屏竖屏秒切换　　低功耗待机，睡觉也省电　　TFT 彩屏、专属 UI、品牌 LOGO，想怎么炫就怎么炫　　好啦，下面还有一些技术语言，是留给严谨的工程师来研究的。　　WY32F1030系列　　● 搭载64MHz M0+内核，　　● 内置64KB程序Flash与8KB SRAM，支持DMA功能;　　● 产品工作温度超工规-40~105°C，满足PD快充的高温应用场景;　　● 内置64M高速时钟，常温精度±1%以内，无需外挂晶振。　　PD显示屏方案1：协议芯片无内置MCU　　由维安MCU进行功率PDO、PPS控制和屏幕显示驱动，方案支持触摸功能　　PD显示屏方案2：协议芯片有内置MCU　　由协议芯片内部MCU进行功率PDO、PPS控制，同时将各个端口的功率数据通过出口发出来，由维安MCU进行出口数据包解析并进行功率显示等　　维安屏显方案开发板实物图　　预留IIC接口和UART接口，同时支持上述两种方案开发　　维安自研屏显相关开发工具，为开发者快速更换UI显示　　一句话总结：　　把繁琐交给我们，把创意留给你。下一款刷屏朋友圈的“桌面小萌物”，也许就从你的一封邮件开始！　　维安——让每一次充电，都成为一场小型发布会。
2025-07-30 10:32 阅读量：469
维安发布950V、1050V超结MOSFET产品
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维安发布950V、1050V超结MOSFET产品

　　在工业控制(如大功率伺服驱动、变频器)、特种照明、矿机等高要求应用领域，对超高压、紧凑型电源系统的需求正迅速增长。这些应用往往面临严苛的运行环境(高温、高湿、强干扰)和紧凑的空间限制，对核心功率器件提出了极高要求：一方面需要承受超高工作电压以确保系统安全可靠;另一方面必须实现极低的导通损耗(RDS(ON))和开关损耗(Qg, Qrr)，以提升效率、降低温升并满足小型化设计需求。　　应对以上问题，维安自主研发并推出超高压超结950V和1050V MOS平台。该平台采用创新的工艺设计，在实现超高耐压等级的同时，显著降低了器件的结电容(体现为低Qg)和反向恢复电荷(Qrr)。显著提升电源系统的整体效率，有效控制温升，并满足紧凑型设计对功率密度的苛刻要求。其优异的性能参数可对标进口品牌的同规格产品，为上述特殊应用领域提供了可靠、高效的国产化功率解决方案。　　维安950V、1050V超高压超结MOSFET　　产品优势　　1、优异的FOM品质因数　　超结950V、1050V FOM是传统VDMOS工艺的13.6% 。使用超结950V、1050V器件，相同导通电阻下，栅极电荷大幅下降，更容易驱动和降低开关损耗，提供整体效率。　　图1： 平面超高压Qg示意图　　图2： 超结超高压Qg示意图　　2、强壮的体二极管特征　　反向恢复电荷Qrr 仅有普通慢管的30%，降低体反向恢复引起的损耗和应力。提升系统在硬开关等应用中的可靠性，并有助于进一步提高效率。　　图3： MOSFET体二极管反向恢复的波形示意图　　蓝色是普通工艺MOSFET体二极管;　　红色是快恢复工艺 ;　　3、丰富的产品规格　　950V SJ-MOSFET C2P　　1050V SJ-MOSFET C2P　　从上图规格可以看出，950V，1050V TO-220F封装，内阻最低可以到0.31Ω-0.32Ω;平面超高压相同规格TO-220F封装内阻最低达到1Ω。更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，在高功率密度的应用场景中，维安超结超高压MOSFET展现出显著优势，助力实现更紧凑、更高效的电源设计。　　维安完整的超高压产品系列，结合先进的封装技术，确保了高可靠性和安全性，助力工程师轻松应对定制化、高效率电源系统的设计挑战。
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