<span style='color:red'>AR</span>K （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异
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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。
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发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：228 继续阅读>>
实现光MOS继电器国产化替代：<span style='color:red'>AR</span>K （方舟微）OP系列（下）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（下）

　　1、OP系列产品　　ARK(方舟微)依托其在耗尽型MOSFET领域多年的研发与制造积淀，开发出耐压覆盖60V至1800V的光MOS继电器系列产品。公司构建了以FORM B型为核心、FORM A型为主力的“OP系列”产品线，其卓越的性能可全面满足工业自动化与电气控制领域的多样化需求，更加能替代松下、东芝等国际大牌同类产品。以下为ARK(方舟微)光MOS继电器的典型产品，更多信息欢迎咨询。　　2、产品应用　　·电信切换　　·工业自动化　　·测试与测量设备　　·电池管理　　·高速检验设备　　·安全设备　　·机械继电器的替代　　3、典型应用　　Ø BMS的应用　　在电动汽车电池管理系统(BMS)中，光MOS继电器凭借其卓越的隔离性能，被广泛应用于锂电池模组的电压采样与漏电流检测。ARK(方舟微)推出的OPV278D光MOS继电器，具备0.1ms的快速响应与μA级的超低关态漏电流，输入输出间绝缘耐压达3750V，能为800V高压电池组与低压控制电路提供安全、可靠的电气隔离保障。该产品拥有高达1800V的耐压，是应对800V高压BMS系统隔离需求的理想解决方案。　　Ø 测试与测量设备应用　　在自动化测试设备、数据采集系统和仪器仪表中，光MOS继电器能够提供高精度信号切换以及无干扰测量能力。图4为OPY214S产品组成的开关矩阵用于PCB四探针测试机的系统框图，使用光MOS继电器作为开关，可以有效避免测试干扰，提高测试精度。该产品耐压达400V，断态漏电流低，最大不超过 1μA，其开通关断时间短，Ton=40μs , Toff=20us可极大的提高了PCB测试效率。
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发布时间：2026-01-16 15:08 阅读量：186 继续阅读>>
实现光MOS继电器国产化替代：<span style='color:red'>AR</span>K （方舟微）OP系列（上）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（上）

　　什么是光MOS继电器　　光MOS继电器，又称PhotoMOS或光耦合MOSFET继电器，其结构主要包含三个组成部分：输入部分的发光二极管(LED)、进行光电转换的光电二极管阵列(PVG)以及输出部分的MOS管。图1展示了该产品的结构示意图。　　工作原理：LED给定正向电流，LED发光。此光照射到光电二极管阵列(PVG)上，并在光电二极管阵列上产生光生电压，此电压作用MOS管的栅极，当电压等于或超过MOS管栅极电压的阈值时，输出端导通。如果输入端的正向电流消失，则LED不发光，光电二极管阵列的光生电压随即消失，输出端成断开状态。从而实现了电-光-电转换，实现了输入与输出间的电气隔离。　　器件特点　　与传统机械机电器进行对比，光MOS继电器具有很多优势：　　高可靠性，长寿命：因产品无机械触点和可移动的部件，不存在机械磨损，寿命几乎是半永久性的;没有触点抖动，完全消除了机械继电器触点闭合/断开时产生的弹跳现象，抗干扰能力强。　　低功耗，小型化：动作电流低，驱动功率小，且可采用表面贴装封装，常用封装SOP-4、SMD-4，适合高密度安装。　　优异的开关特性：光MOS的开关速度可达0.1ms，远快于机械继电器的10-100ms，适合高频应用，且开关过程中无噪音。　　参数详解
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发布时间：2025-12-30 16:41 阅读量：345 继续阅读>>
极海 & Vector | Vector MICROS<span style='color:red'>AR</span> Classic OS成功适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器
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极海 & Vector | Vector MICROSAR Classic OS成功适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器

　　近日，国际著名汽车软件系统服务商Vector基于AUTOSAR标准的软件开发平台MICROSAR Classic OS已成功适配极海量产的G32A14xx系列汽车通用微控制器，全面支持深度定制和移植，助力智能汽车电控供应商稳定、高效、符合行业标准地实现系统开发。　　Vector MICROSAR Classic OS支持适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器意味着：　　降低开发门槛与风险：通过MICROSAR工具链进行配置，大幅缩短开发周期;　　确保符合AUTOSAR标准：适配保证应用软件可以与硬件解耦，提高可复用性和可移植性;　　满足功能安全要求：符合ISO 26262功能安全标准，助力客户构建满足ASIL-B/D要求的系统;　　提供长期支持与维护：提供长期技术支持、bug修复和更新，这对于汽车产品长达10-15年的生命周期至关重要。　　极海G32A14xx系列汽车通用微控制器基于Arm® Cortex®-M4F内核设计，相继通过了AEC-Q100 Grade1车规可靠性认证和ISO 26262 ASIL-B功能安全产品认证，并先后与50+Tier1厂商完成模组开发和测试，实现了规模量产。该系列产品可移植性强，且在产品定义、迭代升级和应用验证方面充分协同，目前已成功应用于BCM、BMU、充电桩、座椅控制器、T-box、OBC车载充电机、HVAC暖通空调系统等汽车细分应用。　　极海自主研发的G32A14xx AUTOSAR MCAL软件包，主要包括AUTOSAR 定义的标准模块和CDD拓展的非标准模块，均严格遵守AUTOSAR CP V4.3.1 MCAL SWS、SRS规范以及BSW General要求进行开发设计。所交付的软件均通过业界主流第三方工具平台的单元测试、集成测试、静态代码分析、动态代码配置功能验证，在代码质量和规范上皆具有较高的保障和交付标准;提供的示例代码，在软件安全性、集成性、可移植性、便捷性等方面均可满足国内外客户需求。
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发布时间：2025-12-29 14:43 阅读量：357 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）：AKP10M60R-600V可开关电流调节器，以卓越瞬态抑制确保系统稳健运行
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ARK（方舟微）：AKP10M60R-600V可开关电流调节器，以卓越瞬态抑制确保系统稳健运行

　　01 产品简介　　AKP10M60R是ARK(方舟微)推出的一款高压、可开关的电流调节器，阳极和阴极间具备高达600V击穿电压和1~100mA电流输出能力。该器件可以通过外部电阻R灵活的设定电流值，并支持通过栅极电压(VG)进行开关控制。　　AKP10M60R具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　02 产品特性　　· 产品类型：高压电流调节器。　　· 高压能力：击穿电压600V，适用于高压环境。　　· 电流可编程：通过外部电阻R灵活设定输出电流。　　· 高功率耗散：连续功耗可达40W。　　· 可开关控制：支持通过栅极电压实现电流源的开启与关闭。　　03 应用领域　　· 开关电源(SMPS)启动电路　　· 高稳定性电压源　　· 限流器和过压保护装置　　· 快速恢复可复位保险丝　　· 软启动电路　　04 典型应用电路及原理　　如图2所示，AKP10M60R的输入端A可承受高达600V电压。相较于几十伏的常规输入或300V的整流市电，此耐压值提供了宽裕的余量。同时，其负反馈机制确保了输出电流的恒定，使器件能有效抑制浪涌电流与电压瞬变，具备优异的抗瞬态能力。　　输出电流的调节取决于电流调节电阻R，可以灵活地配置稳定的输出电流。也可直接在G-K上直接施加负电压，使得AKP10M60R完全关断。　　05 AKP10M60R的典型应用方案　　Ø 高压电机驱动电路应用　　对于感性负载的应用，AKP10M60R能有效的抑制感性负载产生的瞬态脉冲，同时也能有效地简化电路，提高应用的性价比。　　Ø 车载电器应用　　对于多媒体娱乐等车载电子应用，AKP10M60R能有效地抵御汽车各种电机的启停而产生的高达数百伏的瞬态脉冲对应用产品的干扰或破坏，同时也能有效简化电路。　　Ø LED驱动(可调光)　　如图5所示，采用高压调节器AKP10M60R可简便构建LED恒流驱动电路。前端由220V市电经整流滤波得到310V直流电压，后级由AKP10M60R与电阻R构成恒流源，为LED提供稳定驱动。通过调节电阻R即可轻松实现模拟调光，与PWM调光相比，此方案能有效避免可闻噪声。　　该LED驱动方案抗瞬态能力强;电路结构简单，系统成本低;输入电压范围极宽，可以直接联接到整流后的市电;另外，通过控制电阻R的阻值，可以进行模拟调光。
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发布时间：2025-12-26 15:52 阅读量：361 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K(方舟微）低压低电阻双芯增强型P MOS：AKF20P45D
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ARK(方舟微）低压低电阻双芯增强型P MOS：AKF20P45D

　　01 产品简介　　AKF20P45D 是AKR(方舟微)推出的一款20V 双芯片P沟道 MOSFET，采用DFN-6(2*2)的封装，具有低导通电阻和非常紧凑的尺寸(典型值为35mΩ @ VGS=-4.5V)。适用于手持设备的充电管理、负载开关及DC-DC转换器，支持低电压栅极驱动(-1.5V即可导通)。‌　　02 产品特性　　· 产品类型：增强型双芯片P沟道 MOSFET　　· 低导通电阻：在栅极电压-4.5V、-2.5V、-1.8V和-1.5V下分别为35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ　　· 功耗：最大功率耗散7.8W　　· 紧凑的封装设计：采用DFN-6(2x2)封装，节省空间　　· 可替代 SIA923EDJ　　03 应用领域　　· DC/DC转换器　　· 充电管理　　· 负载开关　　04 典型应用　　Ø 电源控制开关　　PMOS作为负载开关，用于精确控制通向特定电路模块或负载的电源。如图2为PMOS应用于负载开关的典型应用拓扑，其通过控制栅极电压实现负载的通断。　　当控制信号为高电平时，三极管Q2导通，电阻R2相当于直接与地相连。由于R1和R2串联分压，MOS管Q1的VGS= - Vin*R1/(R1+R2)，若|VGS|>|VTH|，则MOS管Q1导通。当控制信号为低电平时，三极管Q2截止，R2下端相当于悬空，MOS管栅极电压与Vin相等，即VGS=0，MOS管Q1处于截止状态，切断电源。　　ARK(方舟微)推出的双芯PMOS产品AKF20P45D，其具有耐压20V、低电阻(35mΩ)、DFN-6(2*2)封装等特点，可直接应用于多路负载的电源控制，可节省PCB占用面积。　　Ø 电池保护的应用　　在锂电池保护电路中，PMOS可作为高边开关，PMOS源直接与电池正极相连，实现过充、过放、过流等保护保护功能。其电路保护方案如图3所示，两个PMOS的漏极相连，分别控制充电与放电回路。电池保护芯片通过监测电池的电压、电流，在发生过充、过放、短路或过流时，迅速关闭相应的MOSFET，切断电路。　　ARK(方舟微)的AKF20P45D产品，耐压20V，电阻35mΩ，非常适合2节或3节串联锂电池保护;其内部含双芯PMOS，封装形式为DFN-6(2*2)，其封装紧凑，占板面积小，可节约PCB占用面积。　　05 更多选型
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发布时间：2025-12-26 15:40 阅读量：357 继续阅读>>
国民技术NSTurnkey-SmartToken安全方案荣获物联网行业优秀解决方案奖
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国民技术NSTurnkey-SmartToken安全方案荣获物联网行业优秀解决方案奖

　　12月19日，国民技术股份有限公司凭借 “NSTurnkey-SmartToken：基于N32S0xx安全芯片的一站式交钥匙方案” ，在“维科杯·OFweek 2025物联网行业年度评选”中，从近200个参评项目中脱颖而出，荣获 “优秀解决方案奖” 。该奖项是对国民技术重构物联网安全范式、推动技术普惠的行业认可。　　获奖方案：重塑范式，化繁为简　　此次获奖的 NSTurnkey-SmartToken 方案，其核心优势在于“软硬一体、开箱即用”。方案基于已通过商密芯片二级及EAL4+等高安全等级认证的N32S0xx安全芯片，通过 “芯片+COS+标准中间件” 的一体化设计，将商密算法、密钥管理等复杂的安全能力封装为标准、易用的API接口。这使得物联网开发者无需深入理解底层密码学与硬件细节，即可实现产品快速集成芯片级的安全防护，从而真正实现了业务应用与底层安全能力的解耦。　　方案适用于构建可信网络接入(加密路由器/网关)、保障金融与身份安全(USB Key/支付终端)、守护关键物联网终端(加密摄像头/车载终端/智能门锁)以及保护核心数字资产(加密硬盘/多媒体内容)等重要场景，是各行业应对安全合规与数据保护挑战的理想选择。　　方案核心价值：敏捷交付，赋能生态　　NSTurnkey-SmartToken方案的核心价值在于 “一站式”与“交钥匙” ，它从根本上解决了安全产品落地“最后一公里”的难题：　　1. 开箱即用，零改造集成：方案提供从硬件参考设计、完整SDK到详尽文档的全套资源。其标准中间件支持与OpenSSL、GMSSL等主流协议栈无缝对接，使客户侧可实现“零改造、易集成”。　　2. 降低门槛，赋能创新：该方案显著降低了物联网设备厂商(尤其是中小型创新企业)实现高级别安全防护的技术门槛与综合成本，使企业能将更多资源聚焦于产品本身的业务逻辑与用户体验创新。让密码技术易用，好用!　　3. 统一标准，构建信任：方案支持GM/T 0016 SKF接口(智能密码钥匙密码应用接口规范)，通过提供标准化的安全服务接口，有助于在整个物联网生态中建立统一、可验证的安全基准，为万物智联时代的设备互信与数据安全流通奠定坚实基础。　　未来展望：安全为基，智联万物　　此次荣获“维科杯”优秀解决方案奖，是国民技术在物联网安全领域长期深耕、持续创新的一个缩影。未来，国民技术将持续以安全为基石，与生态伙伴携手，推动安全技术的标准化与普惠化，致力于为每一台物联网设备提供便捷的芯片级守护，共同构建更可信的万物智联世界。
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发布时间：2025-12-22 11:38 阅读量：376 继续阅读>>
瑞萨电子基于R-Car第五代SoC推出端到端多域融合解决方案，加速推动SDV创新
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瑞萨电子基于R-Car第五代SoC推出端到端多域融合解决方案，加速推动SDV创新

　　12月16日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布围绕其第五代(Gen 5)R-Car产品家族进一步扩展软件定义汽车(SDV)解决方案阵容。作为该产品家族的最新成员，R-Car X5H是业内首款采用先进3纳米制程的车规级多域融合片上系统(SoC)，可同时运行先进辅助驾驶系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI)和网关系统等多项功能。　　目前，瑞萨已启动第五代芯片的样品供应，并推出完整评估板及R-Car Open Access(RoX)平台白盒软件开发套件(SDK)，以支持下一阶段开发工作。与此同时，瑞萨正深化与客户及合作伙伴的协作，以加速产品落地进程。在2026年国际消费电子展(CES 2026)上，瑞萨将展示基于R-Car X5H的AI驱动多域应用实景演示。　　R-Car X5H采用业界先进的3纳米工艺节点，实现了更高的集成度、性能与能效，功耗较前代5纳米解决方案降低达35%。随着AI成为新一代SDV的核心要素，该SoC为多域车载应用提供强大的中央计算能力，并支持通过芯粒(Chiplet)封装技术灵活扩展AI性能。其提供高达400TOPS的AI性能，若通过芯粒技术拓展，性能更可提升四倍以上。此外，该产品还具备4TFLOPS等效*的GPU性能，可支持高端图形处理，并搭载32个Arm® Cortex®-A720AE CPU内核及六个支持ASIL D等级的Cortex®-R52锁步内核，整体运算能力超过1000K DMIPS。该SoC支持混合功能安全机制，能够在多域执行高阶功能的同时，确保系统安全无虞。　　为应对日益复杂的电气/电子(E/E)架构，瑞萨持续增添RoX开发平台功能，以推动硬件与软件在开发初期深度融合。RoX平台整合了开发下一代汽车所需的关键硬件、操作系统、软件和工具，并支持无缝软件更新，大幅简化开发流程。　　以开放、可扩展的RoX白盒SDK加速车辆创新　　为助力客户缩短产品上市时间，瑞萨针对R-Car X5H推出RoX白盒软件开发套件(SDK)。该开放平台基于Linux、安卓操作系统及XEN虚拟机。我们还为合作伙伴操作系统和解决方案提供额外支持，包括AUTOSAR、EB corbos Linux、QNX、Red Hat和SafeRTOS。开发者可即刻投入开发，构建ADAS、L3/L4级自主驾驶、智能座舱及网关系统。集成式AI/ADAS软件栈可实现实时感知与传感器融合，生成式AI与大型语言模型(LLM)则为下一代AI座舱提供智能人机交互支持。该SDK整合了来自Candera、DSP Concepts、纽劢、Smart Eye、STRADVISION、中科创达等领先合作伙伴的量产级应用软件栈，全面支持现代车载软件架构的端到端开发。　　Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示：“自去年推出先进的R-Car产品以来，我们持续致力于开发系统解决方案，并于今年早些时候向客户交付了芯片样品。我们正与OEM、一级供应商及合作伙伴紧密协作，快速推出完整的开发平台，赋能下一代SDV。这些智能计算平台具备设计灵活性，可提供更智能、更安全、更互联的驾驶体验，并满足未来的AI出行需求。”　　Christian Koepp, Senior Vice President Compute Performance at Bosch’s Cross-Domain Computing Solutions Division表示：“我们非常高兴能与瑞萨携手推进最新汽车创新成果的落地。基于双方多年的合作基础，将瑞萨的R-Car X5H集成至我们的ADAS ECU中是顺理成章的下一步。在CES 2026上，我们将重点展示这款具备先进感知与融合能力的高性能解决方案，以满足快速发展的L2+及L3自动驾驶市场需求。”　　Dr. Christian Brenneke, Head of ZF’s Electronics & ADAS Division表示：“将瑞萨R-Car X5H与我们的ADAS ECU相结合，使我们能够提供兼具高性能计算与可扩展性的创新传感器融合能力。该联合平台融合雷达定位与高清地图技术，实现精准感知与定位，从而提供可靠的ADAS性能。在CES 2026上，我们将重点展示覆盖多个车载域的联合ADAS解决方案。”　　瑞萨将于CES 2026联合合作伙伴首次展示R-Car X5H融合演示　　在2026年CES上，瑞萨将通过一系列特邀演示，首次展示R-Car X5H的强大功能。　　此次全新多域演示基于RoX平台，从R-Car Gen 4升级至新一代R-Car X5H，集成ADAS和IVI软件栈、实时操作系统(RTOS)，以及基于Linux和Android的边缘AI功能，并搭载XEN虚拟机。该平台支持8路高分辨率摄像头输入和最多8块分辨率高达8K2K的显示屏，为下一代SDV带来沉浸式视觉体验和强大的传感器集成能力。结合RoX白盒SDK和量产级合作伙伴软件栈，该平台专为覆盖多车载域的实际部署而设计。
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发布时间：2025-12-17 15:36 阅读量：367 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护
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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

　　ARK(方舟微)推出的双芯片20V P沟道功率MOSFET——AKF20P45D。该产品性能卓越，兼具超低导通电阻与高达2500V的ESD防护能力。其采用的DFN2×2紧凑型封装，不仅有助于节省PCB布局空间，还具备优异的散热表现。　　AKF20P45D广泛应用于DC-DC转换器、智能手机、平板电脑、智能音乐播放器、电子书等手持设备，主要用于电池充电管理与负载开关。其超低的导通电阻能显著降低传导损耗，这不仅有效提升了电能利用效率，延长了电池单次充电的使用时长，还能减少发热，有助于延长电池的整体寿命。　　AKF20P45D具有±8V的栅-源额定电压，其在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，分别对应35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。相比Vishay公司同类型的SiA923EDJ产品，AKF20P45D具有更低的导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，对应54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的导通电阻。　　在关键的导通电阻性能上，AKF20P45D 显著领先于主流竞品。对比 Vishay 的 SiA923EDJ，在相同的栅-源电压(4.5V/2.5V/1.8V/1.5V)条件下，AKF20P45D的导通电阻(35/50/100/160 mΩ)均低于后者的(54/70/104/165 mΩ)，相比AKF20P45D的导通电阻全面更低，性能优势明显。此外，它同样具备 ±8V 的栅-源耐压，确保工作的可靠性。　　AKF20P45D具备低至1.5V的导通阈值，使其非常适用于采用低压栅极驱动器的各类手持设备。该特性使其在低总线电压系统中能直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而有效节省了PCB空间与BOM成本。同时，其超低的导通电阻能够在峰值电流条件下产生更低的导通压降，这有助于稳定系统电压，降低因电压跌落引发非正常欠压锁定事件的风险，从而提升系统可靠性。　　附AKF20P45D的部分典型参数：
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发布时间：2025-12-09 15:03 阅读量：501 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流
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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。
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发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：471 继续阅读>>

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AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

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