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JLINK与I<span style='color:red'>AR</span> I-JET现已官方支持矽力杰SA32D系列MCU

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JLINK与IAR I-JET现已官方支持矽力杰SA32D系列MCU

　　近日，业内两大主流开发工具——JLINK调试器与IAR I-JET仿真器——正式宣布官方支持矽力杰(Silergy)SA32D系列MCU。这一重大更新为采用矽力杰高性能微控制器的开发者带来了更流畅、更高效的开发与调试体验，进一步推动了SA32D系列芯片在汽车电子领域的应用。　　强强联合，打造无缝开发体验　　矽力杰SA32D系列MCU凭借其高性能、高安全性的特点，已成为众多汽车域控项目的首选芯片。而JLINK和IAR Embedded Workbench作为嵌入式开发领域的核心工具链，此次的官方支持意味着：　　即插即用：开发者无需自行配置调试驱动，可直接通过JLINK或IAR I-JET连接SA32D系列MCU进行程序下载与调试。　　全面兼容：支持全系列SA32DXX型号，包括SA32D610、SA32D408等主流产品。　　高效调试：实时查看寄存器、内存数据，支持断点、单步执行等高级调试功能。　　生态整合：与IAR EWARM、HIGHTECH等主流IDE无缝衔接，提升开发效率。　　Q: 为什么选择矽力杰SA32D系列MCU?　　A: SA32D610/408作为该系列的代表型号，采用高性能RISC-V内核，主频可达300MHz，配备硬件FPU和DSP指令扩展，并集成多路高精度PWM、高速ADC以及丰富的通信接口。其特点包括：　　卓越的实时控制性能：适用于三相电机FOC控制等复杂算法　　高精度模拟外设：内置9个12位ADC(多达180个通道)和7个SD-ADC，支持纳秒级响应保护机制　　强健的可靠性：满足车规级应用需求，具备抗干扰和高低温稳定性　　广泛的应用场景：　　电驱控制器　　400/800V 电池管理系统的BMU　　车身域控(ZCU)　　ADAS　　汽车悬挂控制器　　底盘ONE-BOX　　变速箱控制器(TCU)　　Q: 开发者如何快速上手?　　A: 工具准备：获取官方支持的JLINK调试器或IAR I-JET仿真器。　　环境搭建：在IAR Embedded Workbench或HIGHTECH中更新设备支持包(Device Support Pack)。　　项目配置：选择对应的SA32D610或者SA32D408型号，配置调试接口为JLINK或I-JET。　　连接调试：通过JTAG或者cJTAG接口连接开发板，即可开始开发与调试。　　未来展望　　此次JLINK与IAR对矽力杰SA32D系列MCU的官方支持，标志着矽力杰MCU生态的进一步成熟。未来，随着更多开发工具和软件库的兼容，SA32D系列MCU将在高性能嵌入式市场中扮演更重要的角色。

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矽力杰

发布时间：2025-09-18 13:52 阅读量：330 继续阅读>>

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Arm官宣：自研芯片！

　　7月31日，英国芯片IP设计公司Arm Holdings正式宣布将投资开发自有芯片，标志着其商业模式从传统的IP授权向垂直整合的重大转变。这一决策由CEO雷内·哈斯(Rene Haas)在财报会议中披露，引发行业广泛关注。　　长期以来，Arm通过授权芯片设计架构(如Cortex系列)和收取专利费盈利，而非自行开发和生产芯片，客户涵盖苹果、高通、英伟达等全球半导体巨头。其技术广泛应用于99%的智能手机和数据中心领域。然而，随着人工智能技术的爆发式增长，Arm开始寻求更直接的商业参与。　　1.通过CSS实现，打造Chiplet等实体方案　　根据路透社报道，Arm计划最早今年夏天推出首款自主研发的芯片，定位为面向数据中心的中央处理器(CPU)，并可根据客户需求定制。该芯片将采用Arm v9架构，通过“计算子系统(Compute Sub Systems，CSS)产品的物理体现”形式推出，生产则外包给台积电等代工厂。　　Rene Haas明确强调：“我们正在有意识地加大投资力度，不再局限于设计本身，还可能进一步迈向实际制造，例如打造芯粒(Chiplets)或甚至潜在解决方案。”　　Chiplet指的是大型芯片的模块化缩小版本，每个chiplet执行特定功能，设计人员可以将多个chiplet拼接组合成完整的处理器。媒体报道，为了组建能够生产chiplet和成品芯片的团队，Arm已开始从其客户中挖角，并与客户竞争订单。　　据透露，Arm计划涉足“物理芯片、主板乃至系统”的开发，并已启动大规模人才招募，包括从现有客户公司引入专家。此举被视为软银集团创始人孙正义推动的“Stargate计划”的一部分，旨在通过整合Arm技术构建AI基础设施网络，与OpenAI、甲骨文等合作投资约400亿英镑。　　2.市场反应与财务影响　　自2023年上市以来，Arm股价已飙升约150%。目前其股价相当于预期收益的80多倍，远高于英伟达、AMD和其他专注于人工智能的芯片制造商的市盈率。　　然而Arm本次的转型计划直接影响了其资本市场表现，7月30日，Arm美股盘后大幅下跌 8.5%。　　以下是Arm第一财季财报要点——　　主要财务数据：　　营收：Arm第一财季营收为10.5亿美元，略低于分析师预估的10.6亿美元，高于去年同期的9.39亿美元。营收增长主要受到基于Arm架构芯片在数据中心使用量增加的带动，相关的版税收入增长了25%。　　净利润：Arm第一财季净利润1.3亿美元，低于去年同期的2.23亿美元。　　调整后EPS：Arm第一财季调整后每股收益为0.35美元，与预期一致。　　业绩指引：　　营收：Arm预计第二财季季度的营收将在10.1亿美元至11.1亿美元之间，符合分析师预期的10.6亿美元。　　调整后EPS：Arm预测第二财季的调整后每股收益将在0.29美元至0.37美元之间，中值略低于分析师平均预估0.36美元。　　在财报中，Arm预计第二财季的利润略低于分析师预期。分析认为，这可能是因全球贸易紧张局势可能冲击其主要市场——智能手机领域的需求。根据国际数据公司(IDC)的数据，2025年4月至6月期间，全球智能手机出货量仅增长1%。　　2025年第二季度全球智能手机出货量前五大公司、市场份额及同比增速　　Arm的芯片技术几乎支持了全球所有智能手机，其保守的业绩预测也反映出美国总统特朗普的关税政策带来的不确定性正在影响全球制造商及其供应商。　　尽管如此，Arm的IP业务仍保持高毛利率，显示其核心技术仍具强劲吸引力。分析师预计，Arm将继续在智能手机处理器市场保持主导地位。　　3.与客户竞争格局发生变化　　Arm的垂直整合战略可能重塑半导体行业生态，尤其是将导致Arm与部分客户在芯片订单上形成直接竞争关系。例如其传统客户苹果、英伟达等，这可能削弱Arm“中立技术供应商”地位。　　Arm自研芯片将直接应用于AI数据中心，与英伟达Grace CPU、亚马逊Graviton服务器处理器等展开竞争。据悉Meta已与Arm达成合作，成为其自研芯片的首批客户之一，而高通与Meta的类似谈判仍在继续。　　但与此同时，Arm也将实现手机等移动设备市场之外的技术生态扩张，其可定制化设计或吸引更多云服务提供商采用Arm架构。

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Arm

发布时间：2025-07-31 13:44 阅读量：473 继续阅读>>

村田发布首款搭载XB<span style='color:red'>AR</span>技术的商品化高频滤波器

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村田发布首款搭载XBAR技术的商品化高频滤波器

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)宣布，正式发布村田首款(1)采用XBAR技术(2)的高频滤波器，并已开始量产。该产品结合了Resonant公司(村田已于2022年收购Resonant公司)的XBAR技术与村田专有的滤波器技术(SAW)。在3GHz以上的高频频段中，该产品能够以较低的损耗检测到所需信号，同时消除来自相邻频段(3)的干扰信号，主要应用于带有无线通信功能的各种设备，如智能电话、穿戴电子、笔记本电脑和网关等。　　注释　　(1)数据基于村田调研结果，截至2025年7月7日。　　(2)XBAR技术：该技术是村田在滤波器领域的专有技术，它利用梳状电极和压电单晶薄膜来激发体声波。　　(3)相邻频段：没有被特定通信无线标准采用的频段。　　近年来，随着5G和6G等移动通信系统的持续发展，以及Wi-Fi 6E和Wi-Fi 7等无线局域网标准的推出，市场对超高速和高容量通信的需求迅速增长。这些通信技术使用了3GHz以上的高频频段，通常依赖低温共烧陶瓷(LTCC)滤波器或体声波(BAW)滤波器提取所需的信号。然而，LTCC滤波器和传统的BAW滤波器在高频频段应用中一直面临着一些挑战，例如在衰减不足的情况下，容易导致相邻频段的无用信号无法被有效过滤，进而产生噪声。　　村田此次推出的产品结合了Resonant公司的XBAR技术和村田的专有技术，即使在3GHz以上的频段也依旧具备高衰减能力，从而有效地遏制了噪声的产生。同时，它还支持高频通信的关键需求——低损耗和高带宽，为实现高速、高容量和高质量的无线通信提供了有力支持。　　XBAR技术还能够在10GHz以上的超高频频段中实现高衰减、低损耗和大带宽，而这些频段正是6G通信的目标频段。村田将继续开发可满足市场需求的高频滤波器元件，从而为推动高性能、多功能无线通信技术的发展做出贡献。　　主要特性　　-市面上首款(1)采用XBAR技术的高频滤波器产品　　-在3GHz以上的频段中实现了低插损、高衰减和高带宽　　-结合村田特有的声表面波滤波器(SAW)技术，兼具高性能和高性价比　　主要规格

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村田

发布时间：2025-07-10 13:19 阅读量：547 继续阅读>>

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Aqara 智能摄像机 G100 ：产品创新与君正芯片技术的深度融合

　　在智能家居安防市场的激烈角逐中，Aqara 智能摄像机 G100凭借精准的产品定位与前沿技术脱颖而出，通过与君正 T31X芯片的深度协作，重新定义行业技术标准。　　一、Aqara G100：性能与价值的标杆之作　　作为 “HomeKit 生态高价值比标杆摄像机”，G100 在性能与价值上实现双重领先。300万像素搭配140° 超广角镜头，相比竞品大幅降低监控盲区;经典双模式夜视系统，黑白夜视采用无红曝红外灯补光，全彩夜视可选择定时补光或通过配置自动化实现智能补光模式，适配全天候监控场景。　　IP65级防护与 - 10℃至 + 40℃宽温域运行能力，使其在复杂环境下的可靠性远超同类产品。本地AI移动侦测与人形识别，结合边缘计算实现毫秒级响应，误报率较传统方案降低80%以上。同时，可玩性高，适合极客用户的RTSP流传输和NAS转存功能也得以支持，以及WiFi 6高速传输和多生态兼容，构建起技术护城河。　　二、君正 T31X 芯片：突破性能边界的技术引擎　　君正T31X芯片通过异构计算架构，在1Gbit DDR 平台实现传统2Gbit DDR才能达成的HomeKit SDK 流畅运行，内存利用率提升至传统方案的 1.8 倍。其多核视频处理单元支持1080p、720p、360p三码流实时编码，配合H.265 + 技术降低40%带宽需求，确保全终端低延迟、高质量视频传输。　　基于Magik算力平台，为本地智能提供算法支撑，深度学习算法使物体与人形识别准确率提升65%，有效增强安防可靠性。　　Aqara 智能摄像机 G100凭借产品与芯片的协同创新，在性能与价值维度实现对竞品的全面超越，为智能家居安防领域注入新活力。

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君正

发布时间：2025-07-01 15:07 阅读量：526 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

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ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　ARK(方舟微)推出的高压电流调节器AKP10M60R，支持高达600V工作电压，具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　典型应用原理　　如图1所示，AKP10M60R的输入端A可支持高达600V的耐压，远高于常规几十伏或整流后300V的市电输入，具有充足的电压裕量。其内置负反馈机制可确保输出电流恒定，从而有效抑制浪涌电流/电压冲击，具备卓越的抗瞬态能力。　　输出电流可通过调节电阻R灵活设定，实现稳定的恒流输出。此外，通过在G-K端施加负电压，可完全关断AKP10M60R，增强系统控制灵活性。　　高压电机驱动电路应用　　AKP10M60R特别适用于驱动感性负载，其内置的瞬态抑制电路可有效吸收由电感关断产生的高压脉冲(如继电器、电机等产生的反电动势)。该器件不仅能简化传统RC吸收或TVS保护等外围电路设计，同时显著降低BOM成本和PCB面积，提升系统性价比。　　车载电器应用　　AKP10M60R专为车载电子系统设计，可有效抑制电机启停工况下产生的400V以上负载突波(Load Dump)，满足ISO 7637-2标准要求。其集成化设计可替代传统TVS+LC滤波的复杂保护方案，在保障多媒体系统可靠性的同时，减少30%以上的外围器件数量，显著优化车载娱乐系统的空间布局和制造成本。

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方舟微

发布时间：2025-06-20 14:01 阅读量：548 继续阅读>>

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全兼容高集成 | 维安WAYON推出USB Type-C E-Marker芯片

　　E-Marker(电子标记芯片)是USB Type-C线缆中的核心元器件，用于智能识别线缆属性及功率传输能力，在快充、高速数据传输、多设备兼容等领域应用广泛。　　维安近期推出符合USB PD 3.1标准的E-Marker芯片WUSB310，助力Type-C线材应用提供完整解决方案。　　1. WAYON WUSB310产品信息　　同时兼容USB Type-C 2.3，USB PD 3.1及 EPR扩展功率范围，USB4 2.0和雷电3、4规范。　　支持结构化VDM1.0 和 2.0 版本，支持厂商标识自定义。　　内置双VCONN二极管与Ra电阻，支持2.7V~5.75V宽电压输入，CC和VCONN端口最高耐压36V。　　芯片采用DFN2×2-6L封装;　　工作温度覆盖-40°C至+85°C。　　2.WAYON WUSB31产品优势　　协议全兼容，赋能快充与高速传输　　兼容USB PD 3.1协议及EPR模式，支持USB4 Gen3/Gen4，确保设备快速充电与数据无损传输。内置过温保护与CC过压保护机制，有效防止异常工况下的硬件损坏。　　高集成设计，简化系统布局　　集成BMC PHY、VCONN开关及Ra电阻，减少外围元件数量，既可支持“一线单芯”，也可满足“一线双芯”应用。　　便捷烧录及在线升级　　支持4次厂商信息烧录，提供了I²C与CC线双重通信接口，且支持协议标准Firmware Update信息，能够便捷地实现在线系统升级。　　支持过温保护　　具备智能过温保护功能，当检测到温度超过设定阈值时，WUSB310会发送 Hard Reset，切断大功率传输，防止过热损坏设备，确保充电与数据传输的安全性与稳定性。

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维安

发布时间：2025-06-13 16:40 阅读量：608 继续阅读>>

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村田与Rohde&Schwarz联合开发用于测量Digital ET省电效果的RF系统

　　株式会社村田制作所与Rohde & Schwarz公司联合开发了RF射频系统，用于测量村田专有的功率控制技术——Digital ET (Digital Envelope Tracking)的效果。通过使用本系统，可以高精度地测量5G和6G等的通信设备中Digital ET的省电效果。　　近年来，随着通信设备的高性能化，功耗增加已成为需要解决的问题。降低通信设备功耗的方法之一是一种被称为Envelope Tracking的技术，该技术可根据RF IC输出的RF信号的调制情况调整PA供电电压。　　但是，Envelope Tracking存在一个问题，即在传输5G和6G等的宽频带信号时，无法充分降低功耗。村田的Digital ET是一种以数字方式进行Envelope Tracking的技术，即使在传输宽频带信号时也能大幅降低功耗。Digital ET优化增强RF信号的电压并降低功耗的功率控制，村田于2021年通过收购Eta Wireless, Inc. 获得的该技术由以下三个要素组成：　　生成Digital ET电压控制信号的ETAC(ETAdvanced Control)，它能让RF信号的DPD(Digital pre-distortion)计算及PA(Power Amplifier)有效地工作。　　基于控制信号生成Digital ET电压并向PA提供的PMIC(Power Management Integrated Circuit)　　控制ETAC和RMIC的系统。　　此次，村田与在RF测量领域具有很高的专业水平的Rohde & Schwarz公司联合开发了本系统。本系统由以下五个部分组成：　　FPGA(村田)：计算所设定输入信号的DPD以及生成让PA以较高的效率工作的Digital ET电压控制信号，并生成向SMW200A传输输入信号和控制信号的装置。DPD：为了使PA的输出接近理想值而让输入信号发生变化的处理。　　SMW200A(Rohde&Schwarz)：将从FPGA 接收到的输入信号作为RF输入信号传输到PA，同时将从FPGA接收的PMIC控制信号与RF输入信号同步后传输到PMIC的装置。　　PMIC(村田)：根据控制信号生成Digital ET电压并将其提供给PA的装置。　　PA(村田)：利用PMIC提供的Digital ET电压对SMW200A传输的RF输入信号进行增幅，并将其作为RF输出信号进行传输的装置。　　FSW分析仪(Rohde&Schwarz)：对PA传输的RF输出信号进行解析的装置。　　村田制作所与Rohde & Schwarz开发的本系统，能够高精度、简便地测量通信设备的电路中的Digital ET功耗降低量，从而为降低功耗后的通信设备的开发过程提供支持。　　Rohde & Schwarz是一家总部位于慕尼黑的非上市企业。公司通过其测试与测量、技术系统以及网络与网络安全部门，致力于实现安全且互联的世界。90多年来，这家全球技术集团一直通过开发前沿技术来挑战技术高峰。该公司的创新性产品和解决方案为工业界、监管机关及政府机关的客户实现技术及数字主权提供支持。　　村田的目标是通过Digital ET的普及来降低通信设备的功耗。今后将继续通过提高能源效率为实现可持续发展的社会做贡献。

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村田

发布时间：2025-05-08 13:06 阅读量：645 继续阅读>>

上海贝岭高精度S<span style='color:red'>AR</span> ADC芯片斩获中国电子学会科技进步奖

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上海贝岭高精度SAR ADC芯片斩获中国电子学会科技进步奖

　　4月19日，由中国电子学会主办的“2024年度中国电子学会科学技术奖励大会”在成都隆重举行。由上海贝岭股份有限公司牵头，联合上海交通大学、国电南京自动化股份有限公司共同完成的“高精密逐次逼近模数转换器芯片设计技术”项目荣获科技进步三等奖。　　基于此项获奖技术，上海贝岭开发了系列高精度SAR ADC产品： BL108X 。　　该系列产品具有高精度、多通道、高采样速率、零转换延迟的特点，涵盖了1~16通道、16~18位分辨率、100KS/s~1MS/s采样速率，可提供QFN、QFP、TSSOP等多种封装形式。产品广泛应用于工业自动化、智能电网、轨道交通等领域。　　BL108X系列SAR ADC芯片产品规格　　其中，BL1081(8通道、100KS/s)、BL1082(8通道、200KS/s)、BL1086(4通道、300KS/s)为16位同步采样ADC芯片。全系支持5V单电源供电、±10V/±5V真双极性输入、1MΩ恒定模拟输入阻抗，无需外接驱动放大器和双极性电源。通过引脚可配置的数字滤波器可优化信噪比并降低3dB带宽。产品内置高精度电压基准源，通过上海贝岭特有的修调技术，批量供货时仍能保障<5ppm/℃的温漂性能，为客户提供极佳的全温采样精度。　　BL1088作为最新推出的一款16通道16位1MS/s高精度模数转换器芯片，专为电力线监控、继电保护、DTU、FTU等应用场景设计。支持±10V、±5V、±2.5V双极性或差分信号输入，能以1MS/s速率进行两路同步采样。该产品具备出色的噪声性能和线性度，以及88dBFS的高信噪比，THD低至-100dB。输入短接时输出噪声仅为0.7 LSBrms。并且，BL1088内部电压基准源在全温范围内温漂仅为5 ppm/℃，轻松满足系统0.2%的精度需求。　　BL1088采用LQFP80封装形式，使用5V电源供电，支持2.3V~5V数据接口。该芯片同时还配套单片高精度基准源产品BLR1XX(15V输入)、BLR2XX(5.5V输入)、BLR3XX(超低功耗)供客户选择。　　另外，BL1087和BL1080是上海贝岭推出的两款高性能ADC芯片，针对不同应用场景提供专业解决方案。　　BL1087为8通道16位600KS/s ADC，集成±15.5V钳位保护的模拟前端，以及89dBFS高信噪比表现。创新菊花链接口设计，大幅减少通信线数量，并支持自动/手动双扫描模式。BL1080为单通道18位1MS/s高精度采样，拥有95dBFS超高信噪比和-110dB THD的高线性度。QFN48紧凑型封装适合精密测量仪器等高要求、小型化场景。　　特别值得关注的是，采用BL108X系列芯片的国电南自NPS801自主先进发变组保护装置于2025年4月5日在秦山核电基地方家山核电站1号机组成功投运。　　这创下三项行业纪录：国内首套全自主先进核电保护装置，首个实现元件级国产化的核电机组保护系统，首次在核电领域建立完整的国产化方案。　　此次获奖不仅是对上海贝岭技术创新能力的充分肯定，更是展现了国产高精度ADC芯片在关键领域的应用成果!

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上海贝岭

发布时间：2025-04-29 09:33 阅读量：1087 继续阅读>>

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双核智控，破界芯生|国内首款Arm® Cortex®M7+M4双核异构MCU发布

　　国民技术宣布发布国内首款基于Arm® Cortex®M7+M4双核异构实现的N32H78x系列高性能MCU，以及基于Arm® Cortex®M7内核实现的N32H76x系列高性能MCU。N32H78x系列包含N32H785、N32GH785EC、N32H787、N32H788四大系列，N32H76x系列包含N32H760、N32H762、N32H765、N32H765EC四大系列。　　N32H78x/N32H785EC/N32H76x/N32H765EC系列MCU是国民技术面向具身机器人、工业控制等智控领域推出的标杆产品，系列产品具有超强算力、超快响应、超高精度、高可靠性与高安全性等优势特点，在变频器、伺服、PLC等通用工业控制领域，工业/人形机器人、电梯等高性能电机控制领域，光伏逆变器、拉弧检测、储能BMS、汽车OBC、充电桩等新能源领域，以及工业显示屏、仪表、人脸识别等HMI方面具有应用优势。　　高性能MCU产品优势特点　　● 强劲内核　　─ N32H78x(M7+M4)，N32H76x(M7)　　✔ Cortex-M7：coremark 3200，1284DMIPS (Cortex-M7 @600MHz)　　✔ Cortex-M4F：375 DMIPS (Cortex-M4F @300MHz)　　✔ 支持DSP指令和MPU，双精度浮点运算　　─ Up to 4MB 片内Flash(存储加密)　　─ Up to 1504 KB片内SRAM　　─ 支持扩展存储(1xFEMC，1xxSPI，1xSDRAM，Up to2xSDMMC)　　● 高性能协处理器　　─ 支持浮点数据处理的Cordic算法加速器　　─ 滤波算法加速器(FMAC)　　─ Delta Sigma模块单元(DSMU)　　─ 加解密算法加速器，支持AES/TDES/SHA、商密算法　　● 丰富的通讯接口，更快更灵活　　─ 2xUSB HS OTG with HS USB PHY　　─ 1x100Mbit & 1xGigabit Ethernet　　─ 1x100Mbit/s EtherCAT从站接口( ESC )(H7x5EC only)　　─ Up to 8 x CAN FD (with 4 x TT-CAN )　　─ Up to 15xU(S)ART(其中3个UART支持任意I/O映射)，TX/RX buffer, TX/RX pin swap　　─ Up to 2xLPUART　　─ Up to 7xSPI/4xI2S　　─ Up to 10xI2C　　● 高性能模拟外设　　─ 3x12bit 5Msps ADC, 单端/差分模式，52通道　　─ 4x12bit 15Msps DAC,2x12bit 1Msps DAC　　─ 4xComparator(22ns传输延迟)　　● 超高精度定时器　　─ 2x16bit SHRTIM支持,12通道100ps超高分辨率PWM输出　　─ 灵活的PWM配置,可适应各种电源拓扑结构灵活的内外部事件联动响应机制,快速响应各类故障并进行保护　　─ 4x16bit ATIM　　─ 10x16bit GTIM　　─ 4x32bit BTIM　　─ 5x16bit LPTIM　　● 增强图像功能　　─ 2xDVP　　─ 1xMIPI(内置D-PHY，N32H787/8 only)　　─ 1xTFT-LCD(分辨率 up to 1920x1080)　　─ 内置2.5D GPU　　─ 硬件JPEG编解码器　　● 工业级安全及高可靠性　　─ -40~105℃环境工作温度　　─ Flash支持ECC，SRAM支持ECC和奇偶校验　　─ 外部时钟失效检测　　─ ESD(HBM)：+/-4KV　　─ EFT：IEC 61000-4-4 PASS 4A　　─ 符合IEC61508/IEC60335/IEC60730 Class B安全标准　　产品主要资源

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国民技术

发布时间：2025-04-21 13:38 阅读量：766 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

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ARK方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

　　01产品简介　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品，具有更高的击穿电压，其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V，且具有ESD防护设计，可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用，利用其(超高)亚阈值特性，可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压，给PWM IC等负载供电。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计，其简单易用的稳压特性，非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中，可有效简化PWM IC供电方案，提高电源系统的稳定性。　　02产品特性　　★ 产品类型：N沟道(超高阈值)耗尽型MOSFET。　　★ 阈值电压：　　DMZ(X)1315E：-27V|VGS(OFF)| >17V@ID=8μA);-11.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：11.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　DMZ(X)1315EL：-20V|VGS(OFF)| >13V@ID=8μA);-10.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：10.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　★ 高耐压：允许输入电压高达130V。　　★ ESD能力：具有ESD防护能力。　　★ 功能特点：具有可靠易用的稳压特性。　　03应用领域　　■ QC2.0/3.0/4.0快充系统　　■ USB Type-C PD 电源系统　　■ USB Type-C 直充系统　　■ 宽输出电压范围电源适配器　　■ 直流接触器

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ARK方舟微

发布时间：2025-04-18 16:48 阅读量：563 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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