<span style='color:red'>AR</span>K(方舟微)200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D
  ARK(方舟微)200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下:       一、基本信息  1. 产品名称:FTE03R20D  2. 产品描述:200V N沟道和P沟道增强型MOSFET  3. 产品电路图:  4. 产品基本参数:  二、产品特性  集成栅源电阻和齐纳二极管  可以避免二次击穿  阈值、导通电阻和输入电容低  开关速度快  有独立且电气隔离的N沟道和P沟道  三、产品介绍  FTE03R20D是由高电压,低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管,这对于高压脉冲应用至关重要。  FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管,采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力,又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。  与所有MOS结构一样,该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性,非常适合各种开关和放大应用。  四、常见应用  1. CMOS逻辑电路:N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起,用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性,通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。         2. 功率开关应用:增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力,在功率开关电路中扮演重要角色。  3. 电源管理:在电源管理领域,N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻,这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。  4. 放大器电路:在放大器电路设计中,N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性,以实现更高的增益和更好的频率响应。  N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景,特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。
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发布时间:2025-03-24 10:00 阅读量:221 继续阅读>>
突破工业接口壁垒!<span style='color:red'>AR</span>K(方舟微)DMZ42C10S 让 PLC
  一、行业背景:工业自动化升级,PLC接口兼容性成关键瓶颈  随着工业4.0的推进,PLC(可编程逻辑控制器)作为自动化系统的“大脑”,需连接多种设备(如驱动器、传感器)。然而,不同厂商设备的接口电压标准各异(5V/12V/24V),导致PLC与驱动器间的信号传输常需外置转接电路或特制电缆,成本高、布线复杂、占用空间大,严重制约系统灵活性与效率。  根据数据统计,全球工业自动化设备市场规模已达5200亿美元(MarketsandMarkets 2025),但PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。以汽车焊装产线为例,24V伺服系统、12V光电传感器、5V通信模块并存,传统方案需配置3组独立接口模块,导致以下问题:  1. 布线复杂度提升40%  2. 机柜空间占用增加25%  3. 维护成本上升30%(数据来源:ARC咨询集团报告)  二、痛点分析:传统方案的三大缺陷  1. 多电压适配困难:不同电压级接口需定制连接器,增加库存和管理成本。  2. 外置电路复杂:额外添加电阻、PTC限流元件或隔离模块,占用PCB空间。  3. 高频信号受限:传统限流方案(如PTC)工作频率低(通常<100kHz),难以满足高速脉冲信号(如500kHz)需求。  三、解决方案:耗尽型MOSFET + 自适应限流电路  1. 方案核心:耗尽型MOSFET——DMZ42C10S  2. 步进电机驱动控制器接口电路设计适配电路,利用耗尽型MOSFET恒流控制电路基本原理,仅需一颗耗尽型MOSFET(DMZ42C10S),配合一颗限流电阻,即可实现5V-24V宽电压输入适配,无需外置电路 。  电路工作原理:  1. 耗尽型MOSFET和限流元件(通常为电阻)构成限流单元  2. 自适应限流:当输入电压升高时,MOSFET栅源电压VGS降低,自动限制电流增长,形成负反馈。  3. 公式支撑:限流电阻值 I(MAX)= |VGS(OFF)| / R,精准设定最大电流。  性能优势:  1. 宽电压兼容:5V-24V输入下,电流波动<±2%。  2. 高频支持:工作频率高达500kHz,满足高速脉冲需求。  3. 高鲁棒性:DMZ42C10S耐压达100V,抗浪涌能力强。  技术优势对比传统方案:  实测数据:  1. 输入24V脉冲信号时,电流稳定在17mA,信号失真率<1%。  2. 在-40℃~85℃环境下,接口电路性能无衰减。  四、ARK(方舟微)DMZ42C10S关键参数说明  1. 耐压值(Vds):100V,轻松应对工业环境电压波动。  2. 导通电流 530mA:从容应对工业标准电流输出要求。  3. 导通电阻(RDS(on)):典型值2Ω,功耗低、发热小。  4. 工作频率:支持500kHz,满足高速信号传输。  5. 封装:SOT-23,体积小,适合高密度PCB布局。  以上产品参数源于ARK(方舟微)耗尽型MOSFET产品DMZ42C10S产品手册,对比分析数据源自方舟微电子公司实验室测试结果。  额外需要说明的是:DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品,该产品性能优异,可靠性高,且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169,DMZ42C10S具有更低的导通电阻,以及更大的电流能力,可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
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发布时间:2025-03-24 09:54 阅读量:219 继续阅读>>
北京君正Tassadar平台:解锁电池类摄像头市场未来潜力
  近年来,电池类摄像头从边缘创新品类,迅速成长为AIoT视觉市场的核心赛道。早期,君正推出的Zeratul(泽拉图)平台以标准Linux系统打破技术门槛,推动行业完成从0到1的跨越。助力小米、360、TP-Link、Wyze、Anker、萤石、乐橙等全球众多优秀品牌产品落地。  如今,这一市场已呈现爆发态势:  ➤ 增速迅猛:年均复合增长率近40%,覆盖AIOT、安防、户外探索等多场景;  ➤ 品类裂变:从电池IPC、智能门铃,延伸至太阳能4G摄像头、智能门锁、打猎相机、观鸟器等细分领域;  ➤ 技术升维:全面AI化、多摄融合、黑光全彩、AOV等创新层出不穷。  同时,越来越多的行业品牌/平台/ODM厂商在增加对电池类IPC产品的投入,从单品拓展到系列化产品完整布局。  然而,繁荣背后,行业正面临三重挑战:  ➤ 功能复杂化:AI算法叠加导致固件增大,拖累设备响应速度;  ➤ 功耗性能的平衡:高性能与长待机难以兼得,用户体验陷入“电量焦虑”;  ➤ 管理冗余:客户多品类、多规格的SKU激增,研发与维护成本高企。  Tassadar : 以技术重构电池类终端的“不可能三角”  面对行业痛点,北京君正推出新一代电池类平台Tassadar(塔萨达),通过底层架构革新,实现性能、功耗与开发效率的平衡突破:  首帧快启(TTFF):复杂场景下的“瞬时响应”  无论系统简繁,Tassadar首帧出图时间(TTFF)恒定,彻底打破固件大小对启动速度的制约:  *注:TTFF(Time To First Frame)为设备冷启动至输出首帧稳定图像的耗时,直接影响抓拍信息的完整性  快启出流连续:小内存也能实现“零丢帧”  传统方案依赖大缓存解决丢帧问题,而Tassadar从系统底层机制优化,即便在小内存芯片上,仍可保证码流连续性与画质稳定性,为硬件成本“瘦身”。  Tassadar的快速响应能力源于一项‘隐形黑科技’——RISC-V协处理器。君正T系列芯片从T31开始每代SOC内置一个RISC-V小核,该处理器如同设备的‘第二大脑’,在开机瞬间自动接管后台任务(如网络连接、传感器校准),让主系统专注处理图像输出。即便面对复杂的Linux系统,Tassadar也能通过‘双核并行’机制,在百毫秒级完成启动。  一体化SDK:开发效率的“乘法效应”  将电池类IPC与常规IPC SDK整合,客户可复用90%核心模块,实现“一次开发,多品类部署”,维护成本降低近30%,产品迭代周期显著缩短。  此外,Tassadar继承了上一代Zeratul平台完善的生态,涵盖了包括Wi-Fi、Sensor、PIR(人体红外传感器)等等方案资源,方便客户针对不同细分产品需求快速整合外设方案。  目前,Tassadar作为T32首发的SDK版本已完成发布,经过各品牌客户的评测与实际开发,不断完善与创新,并即将在接下来的一段时间内逐步落地。  结语:技术普惠,让创新回归本质  Tassadar的诞生,不仅是一次技术升级,更是对AIoT终端本质的回归——以更低功耗承载更强性能,以更高集成赋能更广场景。  未来,君正将持续深耕低功耗赛道,与合作伙伴共同解锁视觉终端的无限可能。
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发布时间:2025-03-21 11:32 阅读量:286 继续阅读>>
蔡司 arivis:体电子显微镜数据分析新利器
  体电子显微镜在生物微观结构研究中展现出巨大潜力,但伴随而来的是海量二维数据处理分析的难题。科研人员面临挑战包括:生物结构复杂,电镜图像灰度单一,阈值分割方法效果不佳;电镜图像缺乏荧光标记辅助区分结构,分割难度大;冷冻体电镜图像处理复杂度高于常温,深度学习应用亦受限,常需手动操作;大数据量导致软件处理效率下降,消耗大量时间和精力。  针对上述问题,蔡司 arivis 集成机器学习与深度学习技术,专为科研打造,能高效执行图像处理、分割、三维重建及数据分析,革新科研工作流程。  更精准的图像分割及三维重构  arivis 提供两种 AI 算法,即语义分割和实例分割,能够更加灵活且精准地完成对生物样本特定结构的图像分割及三维重构。研究人员只需在图像上进行简单涂画,标注所需分割的图像信号,即可借助机器学习和深度学习提取想要的结构进行三维重构,让您发掘更多细节。  流畅的三维可视化分析体验  arivis 提供多样化的直观界面展示方式——旋转、缩放、切片,让样本的微观构造在任意视角下纤毫毕现,助您深入探索每一个细微之处。  简化AI模型训练流程  arivis 不仅仅是在本地PC端实现智能分割的得力助手,蔡司更引领创新,推出 arivis 在线版(arivis Cloud)。该云平台依托深度学习技术,免去硬件限制,让您随时随地,仅需一个浏览器,不论是手机、iPad 还是笔记本,都能轻松访问并在线定制个人专属的深度学习分割模型。此模型进一步支持三维可视化呈现、数据量化分析,并配备完善的标注、测量和分析工具,精准对接您的个性化科研需求。最后,通过 VR 技术,我们邀您沉浸式探索数据新维度,体验前所未有的科研之旅。  高效数据处理引擎  arivis 提供了一流的数据处理能力,得益于其独特的算法,该软件无需占用大量内存资源,也不限定于高端硬件配置,这意味着研究者能使用成本更低的计算机系统去高效处理包括但不限于体电子显微镜在内的多渠道2D、3D、4D乃至5D图像数据集。无论面对的数据规模如何庞大,即使是TB级别以上,arivis均能轻松驾驭,显著缩短处理时间,为科研活动提速,提升整体研究效率。  广泛设备接入与数据格式支持  arivis 具有卓越的兼容性,无缝对接多种品牌及型号的体电子显微镜设备,确保您的实验无论采用哪种尖端仪器,均可顺利导入 arivis 进行图像处理。超过60多种的图像文件格式,让数据导入过程变得便捷无阻,无论是通用的.tif、.jpg格式,还是专业的.raw、.czi等科研图像格式,皆能轻松处理。  定制化处理新境界  为进一步提升灵活性与扩展性,arivis 不仅仅是一款强大的图像处理软件,它还内置了 Python 编程环境,让您能够直接在软件内编写脚本,实现高度个性化的图像分析流程。无论是进行复杂的数据预处理、高级特征提取,还是独特的图像分析算法开发,arivis 都将成为您的强大后盾,助您探索科研新领域。
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发布时间:2025-03-18 16:12 阅读量:281 继续阅读>>
蔡司 <span style='color:red'>AR</span>T 5.0 重磅来袭,重塑X射线显微成像的智能体验!
  科技无界,探索不止。蔡司高级重构工具箱 ART 5.0 版本正式发布,以三大核心突破重新定义X射线显微镜(VersaXRM)的成像边界,为您开启智能成像体验!  更清晰:DeepRecon Pro ImageClarity™,细节尽显  告别噪点困扰,迎接极致清晰!  全新DeepRecon Pro ImageClarity™通过深度学习算法,在降噪的同时完整保留关键特征。无论是微纳米级结构,还是材料内部缺陷,细微特征纤毫毕现。  内置「图像差异对比」功能,一键切换比对标准重建与 AI 优化结果,确保去噪不丢细节,让每一份数据都经得起推敲。  更精准:ROI训练+AI引擎,成像偏差精准消除  ART 5.0 首次实现「感兴趣区域(ROI)训练」功能,支持为 DeepRecon Pro 和 DeepScout 定制专属模型。通过聚焦关键区域,系统智能识别并消除背景干扰与成像偏差,让图像细节更加精准。  搭配新一代 AI 运算引擎,重构效率大幅提升,复杂样本处理时间显著缩短,助您快速获取高质量成像结果!  更高效:透明模型管理,多端协同作业  ART 5.0 以智能化管理为核心,为您提供更高效的实验体验。  可视化的模型数据库:一站式管理所有训练模型,关键参数、应用场景一目了然,快速调用已有模型  多平台同时接入:全新架构支持多设备协同,多端进行模型训练和数据重构列队,效率倍增  重构服务器状态监控:实时监控多客户端任务队列,实验室资源智能调度,彻底告别「重建拥堵」  结语  蔡司高级重构工具箱 ART 自发布以来,始终致力于帮助不同领域的客户提升成像效率与质量,此次迎来 ART 5.0 版本,不仅是蔡司 X 射线显微成像技术的又一次自我突破,更是智能化成像时代的崭新起点。
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发布时间:2025-03-12 09:45 阅读量:272 继续阅读>>
恩智浦拟收购边缘AI先锋企业Kinara,重新定义智能边缘
  近日,恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (纳斯达克代码:NXPI)宣布已达成最终协议收购Kinara, Inc.——高性能、低功耗且可编程的分立神经处理单元(NPU)行业的领先企业。该公司产品支持广泛的边缘AI应用,包括多模态生成式AI模型。此次收购将以全现金交易方式进行,交易金额为3.07亿美元,预计于2025年上半年完成,需满足监管审批等常规交割条件。  未来的智能系统将需要安全、经济高效且节能的边缘AI处理。因此,边缘AI处理市场正经历快速增长。先进的边缘AI能够在本地独立做出关键决策,无需依赖云端,提升响应速度、增强数据隐私保护并降低成本。  Kinara的创新NPU及其全面的软件支持,可在包括传统AI和生成式AI等一系列神经网络中实现高能效的AI性能,满足工业与汽车市场快速增长的AI需求。此次收购完成后,恩智浦可将分立NPU和强大的AI软件集成到处理器、连接、安全和高级模拟解决方案产品组合中,进一步增强恩智浦提供从TinyML到生成式AI的完整、可扩展AI平台的能力。  恩智浦和Kinara是长期合作伙伴,Kinara的NPU能够轻松集成到恩智浦行业领先的工业及物联网处理器产品组合中。双方将深化解决方案集成,共同打造可扩展的AI平台,满足工业和汽车领域的各种AI推理需求。  恩智浦半导体执行副总裁兼安全互联边缘总经理Rafael Sotomayor说道,“工业市场正在经历变革,生成式AI等创新技术有助于大幅提高效率、可持续性、安全性与可预测性,在多种情形下,还能解锁新的应用场景和功能。将Kinara的AI功能融入我们广泛的智能边缘产品组合,能为新一代AI系统打造一个可扩展平台。我们携手合作,可帮助客户在打造变革性AI系统时,简化复杂流程并加快产品上市进程。”  Kinara的分立NPU(包括Ara-1和Ara-2)在性能和能效方面位居行业前列,因此非常适合用于视觉、语音、手势等新兴AI应用,以及其他各种由生成式AI驱动的多模态实现。这两款器件均采用创新架构,能够映射推理图,以便在Kinara的可编程专有神经处理单元上高效执行,更大限度地提高边缘AI性能。鉴于AI算法未来将不断从CNN演进至生成式AI,甚至发展出智能体AI等新方法,这种可编程性确保了系统的适应性。  Ara-1是第一代分立NPU,能够进行先进的边缘AI推理。Ara-2作为第二代NPU,运算能力高达40 TOPS(每秒万亿次运算),并针对生成式AI实现系统级高性能进行了优化。Ara-1和Ara-2 NPU可以轻松地与嵌入式系统集成,以增强其AI性能,包括对现有现场系统进行升级。  Kinara还提供丰富的软件开发套件,便于客户优化AI模型性能及简化部署流程。Kinara的AI软件产品组合包括广泛的模型库和模型优化工具,都将集成到恩智浦的eIQ AI/ML软件开发环境中,让客户能够快速轻松地创建端到端AI系统。
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发布时间:2025-03-06 09:54 阅读量:285 继续阅读>>
杭晶电子:超小尺寸晶振在<span style='color:red'>AR</span>眼镜中的应用
  AR眼镜的主要应用?  AR眼镜(增强现实眼镜)是一种结合虚拟信息与现实世界的智能穿戴设备。通过光学镜片、显示屏和传感器,AR眼镜将数字图像叠加到真实场景中,用户可以实时与虚拟元素互动。其核心功能包括信息展示、导航定位、实时通信、工业辅助及娱乐应用等。  AR眼镜广泛应用于教育、医疗、工业维护、游戏和导航领域,为用户提供沉浸式体验。依靠高精度传感器和处理器,其运行离不开超小尺寸高频有源晶振等核心元件,确保系统稳定与高效。  超小尺寸有源晶振在AR眼镜中主要体现在以下方面:  1、尺寸优势:AR眼镜内部空间有限,超小尺寸晶振(1.6x1.2mm)可有效节省空间,满足轻量化设计需求。  2、高频稳定性:为显示驱动芯片、微处理器、传感器等提供精准时钟,支持高刷新率与低延迟的图像处理。  3、低功耗性能:有源晶振在低功耗模式下稳定运行,有助于延长设备续航。  4、稳定通讯:提供精准频率,支持Wi-Fi、蓝牙等无线通信模块,实现实时数据传输。  在AR眼镜中,常用的有源晶振包括:  1. 25 MHz / 40 MHz / 48 MHz:用于无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙)和显示驱动电路,提供高精度时钟信号,确保数据传输稳定和低延迟响应。  2. 32.768 kHz:用于实时时钟(RTC),确保低功耗时间管理功能。  3. 19.2 MHz / 24 MHz:支持处理器、定位模块与传感器系统,提升整体性能。  这些高精度有源晶振帮助AR眼镜实现稳定通信、高刷新率显示和精准数据同步,确保用户体验流畅。
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发布时间:2025-01-10 15:33 阅读量:557 继续阅读>>
杭晶电子:晶振在<span style='color:red'>AR</span>/VR中的应用
  晶振在AR/VR设备中扮演重要角色,为其核心电子系统提供稳定的时钟信号,确保设备的高性能运行。  以下是晶振在AR/VR应用中的具体作用:  01、图像处理与同步  1、晶振为图形处理单元(GPU)和显示芯片提供精准的时钟信号,支持高速图像渲染和刷新率,减少延迟和画面撕裂现象。  2、支持高刷新率(如90Hz、120Hz)和低延迟,提升用户体验。  02、定位与跟踪系统  在AR/VR中的运动跟踪设备(如IMU传感器)中,晶振提供高精度的时钟信号,保证定位系统的稳定性与实时性。  03、无线通信模块  支持Wi-Fi、Bluetooth和5G通信,提供高稳定频率以满足无线传输中的低延迟和高带宽需求。  04、音频信号处理  在AR/VR的3D音频处理模块中,晶振帮助保持音频信号与视觉效果的同步,实现沉浸式体验。  05、边缘计算支持  高性能的晶振(如TCXO、OCXO)为设备提供抗温漂、高精度的频率支持,确保AR/VR在复杂环境下的计算稳定性。  晶振在AR/VR设备中通过提供高稳定性、高精度的时钟信号,支撑了设备在视觉、音频、通信和定位等核心模块的功能,是实现沉浸式体验的基础组件之一。  使用频率  在AR/VR设备中,常用的晶振频率根据应用场景的不同有所差异,以下是主要使用频率:  1、32.768 kHz  用于实时时钟(RTC)模块,提供低功耗的时间参考。  2、16 MHz 和 19.2 MHz  适合主控处理器、蓝牙和Wi-Fi通信模块,支持设备基础功能的运行。  3、26 MHz 和 40 MHz  常用于高性能通信芯片(如5G)和精密传感器,为定位和实时数据处理提供支持。  4、48 MHz 到 100 MHz  为高性能图形处理单元(GPU)和显示驱动芯片提供时钟支持,满足高刷新率和低延迟需求  5、高精度晶振(TCXO/OCXO)  如10 MHz、20 MHz  用于需要高稳定性的模块,如头戴设备中的惯性导航系统和音视频同步模块。  AR/VR的晶振选择需综合考虑性能、功耗和稳定性,以满足设备运行需求。
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发布时间:2024-12-04 10:03 阅读量:393 继续阅读>>
瑞萨推出包括先进可编程14位S<span style='color:red'>AR</span> ADC在内的全新AnalogPAK可编程混合信号IC系列
  全新产品几乎适用于任何应用,大幅减少元件数量、BOM成本和占板空间  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出全新AnalogPAK™ IC系列,其中包括低功耗——SLG47001/3和车规级产品——SLG47004-A,以及业界先进的可编程14位SAR ADC(逐次逼近寄存器模数转换器)——SLG47011。  AnalogPAK作为瑞萨GreenPAK™可编程混合信号矩阵产品家族的一员,是极具成本效益的非易失性存储器(NVM)可编程器件。它使创新者能够整合多种系统功能,同时最大限度地减少元件数量、占板空间和功耗。GreenPAK和AnalogPAK IC可实现混合信号标准产品和独立分立电路的功能替代,并为SoC及微控制器提供可靠的硬件监控功能。GreenPAK和AnalogPAK产品几乎适用于任何应用场景,包括消费电子、计算设备、白色家电、工业设备、通信设备和汽车电子等。借助Go Configure Hub和GreenPAK开发套件,设计人员可以在几分钟内创建定制电路并对其进行编程。  全新AnalogPAK SLG47011  配备14位SAR ADC的低功耗产品  瑞萨全新SLG47011 AnalogPAK产品将可配置模拟集成电路的性能提升到新的水平,其集成丰富的数字和模拟功能,包括带可编程增益放大器(PGA)的可编程多通道14位SAR ADC。SLG47011还为所有宏单元提供灵活的用户定义省电模式,使设计人员能够在睡眠模式下关闭某些模块,从而将功耗降低至微安(µA)级别。  SLG47011可用于提升MCU性能或卸载MCU任务,还能与MCU结合使用,替代复杂的模拟前端(AFE)。SLG47011支持的关键功能包括测量、数据处理、逻辑控制和数据输出。  SLG47011的关键参数  - Vdd=1.71至3.6V  - SAR ADC:高达14位,在8位模式下高达2.35Msps  - PGA:六种放大器配置,轨至轨输入/输出,1x至64x增益  - DAC:12位,333ksps  - 硬件数学运算模块,支持乘法、加法、减法和除法运算  - 灵活的4096字内存表模块  - 振荡器:2/10kHz和20/40MHz  - 模拟温度传感器  - 数量最多的高度可配置计数器/延时模块  - I2C和SPI通信接口  - 采用小型16引脚QFN(2.0mm x 2.0mm x 0.55mm)、0.4mm间距封装  Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of the Analog and Connectivity Group at Renesas表示:  “瑞萨已向全球数千家客户交付了数十亿颗GreenPAK和AnalogPAK产品。凭借SLG47011,我们不仅满足了客户对于更多资源的需求,更实现了更高分辨率的模拟功能,我们满怀期待,相信这款产品将在众多应用中绽放光彩。”  除了SLG47011之外,瑞萨还推出另外两款AnalogPAK产品,即成本优化的SLG47001/3和车规级SLG47004-A。  SLG47001/3 AnalogPAK产品  SLG47001和SLG47003能够以低廉的价格和非常紧凑的封装实现精确测量系统,适用于气体传感器、功率计、测量设备、服务器、可穿戴设备、工业机器人、工业和智能家居传感器模块等应用场景。  - 两个超低偏移运算放大器——最大失调电压为9µV  - 两个10位数字变阻器  - 六通道采样比较器  - 模拟开关  - 电压基准  - 59字节模式发生器  - 2k/10k/25MHz振荡器  - 完全可配置的模块:查找表(LUT)、触发器、移位寄存器、定时器、计数器、延时器
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发布时间:2024-11-15 13:20 阅读量:629 继续阅读>>
瑞萨电子推出全新RA8入门级MCU产品群,提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)产品群,进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU,实现市场领先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同时,通过精简功能集降低成本,成为工业和家居自动化、办公设备、医疗保健和消费品等大批量应用的理想之选。  RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium™技术,即Arm的M-Profile矢量扩展,与基于Arm Cortex-M7处理器的MCU相比,在数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)应用层面实现高达4倍的性能提升,使得快速增长的AIoT领域应用成为可能——在这一领域,高性能对于AI模型的执行至关重要。  RA8系列产品集成低功耗特性和多种低功耗模式,在提供业界卓越性能的同时,可进一步提高能效。低功耗模式、独立电源域、更低的电压范围、快速唤醒时间,以及较低的典型工作和待机电流组合,使得系统整体功耗更低。帮助客户降低整体系统功耗并满足相关法规要求。新款Arm Cortex-M85内核还能以更低的功耗执行各种DSP/ML任务。  RA8系列MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP带来所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和TrustZone支持,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发打造充分的灵活性。借助FSP,可轻松将现有设计迁移至新的RA8系列产品。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示:“我们的客户对RA8 MCU的卓越性能赞不绝口,现在他们期望获得性能更高且功能更优化的版本,以满足其成本敏感的工业、视觉AI和中端图形应用需求。RA8E1和RA8E2为这些市场打造了性能和功能的完美平衡,并且借助FSP实现了在RA8系列内部或从RA6 MCU的轻松迁移。”  RA8E1 MCU的关键特性  - 内核:360MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技术  - 存储:集成1MB闪存、544KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存  - 外设:以太网、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、8位CEU、GPT、LP-GPT、WDT、RTC  - 封装:100/144引脚LQFP  RA8E2 MCU的关键特性  - 内核:480MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技术  - 存储:集成1MB闪存、672KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM+额外128KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存  - 外设:16位外部存储器接口、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、GLCDC、2DRW、GPT、LP-GPT、WDT、RTC  - 封装:224引脚BGA  成功产品组合  瑞萨将全新RA8E1和RA8E2产品群MCU与其产品组合中的众多兼容器件相结合,创建了广泛的“成功产品组合”,包括入门级语音和视觉人工智能系统以及家用电器人机界面(HMI)。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。
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发布时间:2024-11-12 10:55 阅读量:665 继续阅读>>

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