芯片防电江湖：HBM、CDM、MM 竟是三大“防雷门派”？
一、你以为芯片最怕摔?错!真正的“芯片终结者”是隐形杀手“静电”!
像脱毛衣的火花、指尖触碰的瞬间，都可能让芯片 “罢工”。—— 如果这股能量怼到芯片上，直接让它“当场去世”!
这是因为静电放电超快(纳秒级)、电压超高(几千伏)，会直接击穿芯片内部精细电路。
冷知识：芯片内部电路比头发丝细100倍，静电放电瞬间(比眨眼快10万倍!)能产生几千伏高压，会直接把晶体管“炸成渣”!
二、江湖传言，芯片界有三大“防雷门派”，用生活场景类比，秒懂!
1.HBM(人体模型)—— 防 “人摸电”
模拟场景：组装工人没戴手环，指尖静电碰到芯片引脚。
测试条件：电容100pF + 电阻1.5kΩ，脉冲宽度约200ns，电流峰值0.67A/kV。
失效阈值：分为Class 1A(<250V)到Class 3B(≥8kV)，工业级芯片通常需满足≥2kV。
2.CDM(器件充电模型)—— 防 “自放电”
模拟场景：芯片在运输中摩擦带电，突然放电。
测试特点：脉冲极短(<20ns)、电流峰值大(数十安培)。
失效阈值：按125V~1000V分级，车规芯片要求≥500V。
3.MM(机器模型)—— 防 “机器电”
模拟场景：金属工具(如机械臂)碰到芯片引发的放电。
测试条件：电容200pF + 电阻0Ω，脉冲能量更高失效阈值：通常低于HBM，工业级要求≥200V。(比 HBM 要求低但更“狠”)。
三、一张表看懂三大模型差异
四、防电避坑指南，给芯片“穿防弹衣”的绝招
HBM：引脚别挤太近，多装“避雷针”(TVS管)
CDM：减少芯片内部寄生电容，采用多层ESD保护结构
HBM：遵循IEC 61000-4-2标准，整机需通过±8kv空气/±4kv接触放电测试
结语
ESD防护是芯片可靠性的根本，选择正确的模型并进行适当的测试，才能确保产品的“抗静电”能力达到最佳水平!
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