罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

发布时间：2026-06-03 10:41
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：177

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。

罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。

　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。

　　展位概览●　汽车电气化解决方案

　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。

　　●　面向工业应用的高效电源技术

　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。

　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合

　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。

　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim

罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~


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　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
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罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！
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　　在上一篇中，我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套解决方案，而 AI 服务器的高效、稳定运行，除了核心电源单元，热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求，罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品，包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC，精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景，以下为核心产品详情。　　服务器热插拔控制器与罗姆产品　　热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件，核心作用为：在电源导通状态下插拔供电模块时，有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上，避免器件因电流冲击损坏，从而提升整个供电系统的运行可靠性。　　罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套，覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节，完美适配服务器 48V 输入供电架构。　　针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求，罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM，同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器，及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC，形成完整的 HSC 产品解决方案。　　“RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介　　特点　　⚫ 100V耐压的功率MOSFET ，非常适用于48V热插拔电路　　⚫ 标准8080尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据　　两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通，以特定脉宽向电路施加电压和电流，有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC，实现电流的精准监测与器件的智能控制，全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。　　总结　　罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一， 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。　　罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求，为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
2026-03-26 14:12 阅读量：746
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