华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

Release time：2020-07-22
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source：电子发烧友
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近日，华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品，并实现量产。其碳化硅二极管将主打充电桩、太阳能、UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国际一线品牌对标，并且依托华润微自有产线，供应自主可控。

聚焦功率半导体

华润微电子是中国本土规模最大、产品系列最为齐全的硅功率器件研发和生产企业。拥有1100余种分立器件产品。根据2018年销售收入排名，华润微电子目前在中国本土半导体企业排名第十，也是前十名当中唯一一家以IDM模式为主经营的企业。华润微电子2019年在中国MOSFET市场占有率仅次于英飞凌和安森美，排名第三，也是前六家企业中唯一一家中国企业。

近年来华润微电子战略聚焦于功率半导体和智能传感器的产品和方案。华润微电子有限公司功率器件事业群总经理李虹介绍，华润微电子的功率半导体聚焦于三电应用，即电源、电池和电机，面向消费电子、工业控制、绿色能源、汽车电子等多种应用领域。

华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔

从区域布局看，华润微电子在长江+珠海两江区域布局，在无锡、上海、重庆，以及未来在大湾区、海外实现全面布局。产业链从设计、晶圆制造、封装、掩膜制造和模块设计等实现全方位覆盖。华润微电子拥有3条6寸生产线，年产能超过247万片，2条8寸生产线，年产能超过133万片。年封装能力达62亿颗。
 
在发布会现场，华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔表示，华润微电子在朝着做大做强的道路上，既是国内最大的功率器件企业，也要在细分领域开拓创新。此次碳化硅二极管的发布，就是做强产品，深入应用的有力行动。

华润微SiC二极管四大优势

以SiC、GaN为代表的第三代化合物半导体正成为功率器件的未来发展方向，SiC应用于高压、高频、大功率领域优势明显，GaN是超高频器件的极佳选择，用于5G通信、微波射频等领域。预计2022年SiC市场规模将达到4.5亿美元。在新基建中，SiC是5G、充电桩和数据中心的核心器件，在特高压和轨道交通也有大量SiC的机会。
 
多年前华润微电子着手布局宽禁带半导体器件，在产品研发过程中利用产业链完整优势和在硅功率器件领域积累的丰富经验，同时与浙江大学深度合作，使其前期研究成果在公司成功实现产业化。


华润微电子功率器件事业群市场部经理邓旻熙表示，已经完成研发并实现量产的1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品性能卓越，主要关键器件参数，如导通电压（VF），反向恢复电荷 (Qrr) 和 抗浪涌能力（IFSM）均与国际一线品牌对标，在系统应用中拥有与竞争对手一致的性能，可以满足市场上用户的需求。

 华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子的SiC二极管具有四个独特价值。性能卓越、高可靠性、系列化产品和供应安全。
 
性能方面，产品规格对标国际一线品牌，系统性能与国际一线品牌同一水准。
 
高可靠性方面，抗浪涌能力强，属于工业级产品。
 
系列化产品方面，提供650伏系列4-50A，封装TO 220/TO252；1200V系列2-40A，封装TO220/TO247/TO252。即将量产的封装形式还有TO263-2L,TO220F-2L,DFN8*8和TO247-4L。


供应安全方面，华润微电子拥有国内首条量产自有6寸SiC生产线，以及自有封装线。6寸线月产能超过1000片WAFER，并且拥有国内最大的6寸Si功率器件产线，可转成SiC产线。
 
1200V SiC二极管主要应用在充电桩、太阳能、UPS和车载充电器领域，650V SiC二极管主要应用于服务器电源和通信电源等领域，带来高可靠性、高耐压和高功率密度的卓越性能。

不断丰富的产品线

据介绍，华润微电子已经开始设计第二代SiC二极管产品，不断优化性能。另外SiC MOSFET 1200V和650V的产品也将在明年量产。在SiC产品的研发和量产取得进展的同时，氮化镓研发也在进行。据透露，华润微的氮化镓生产线已经建成，650V功率器件接近量产。
 
作为功率器件IDM龙头厂商，华润微电子在第三代半导体的产品研发上厚积薄发，随着其SiC二极管的入市将形成新的增长动力。


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齐纳二极管原理及使用方法介绍
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齐纳二极管原理及使用方法介绍

　　齐纳二极管(Zener Diode)是一种特殊的二极管，其工作原理主要基于反向击穿效应。当施加到齐纳二极管两端的反向电压超过其“齐纳击穿电压”(也称为反向阻挡电压)，器件会开始导通，使得在器件两端形成一个稳定的电压。　　1.齐纳二极管的工作原理　　在正常工作条件下，齐纳二极管的结构与普通二极管相似。但区别在于齐纳电压(阻断电压)通常设定在比较低的电压水平。当外加反向电压超过额定齐纳电压时，由于击穿效应，齐纳二极管将开始导通，形成一个固定的电压跨接在两端。　　2.齐纳二极管的特点　　电压稳定性：齐纳二极管可以提供非常稳定的电压输出。　　保护电路：常用于稳压和电压限制应用，以保护其他器件免受电压波动的影响。　　温度依赖性：齐纳二极管的工作特性受温度影响较小，相对稳定。　　反向电流大：齐纳二极管在击穿状态下的反向电流比普通二极管要大。　　3.齐纳二极管的使用方法　　选取合适的齐纳二极管：根据所需的电压稳定值和功率要求选择合适的齐纳二极管。　　正确连接极性：确保正确连接齐纳二极管，通常将其放置在反向电压方向。　　合理设计电路：在设计中考虑到齐纳二极管的特性，确保其在工作范围内稳定可靠。　　注意散热：对高功率应用，需考虑齐纳二极管的散热，以确保器件工作在可靠的温度范围内。
2024-12-20 13:31 reading：402
锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别
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锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别

　　锗二极管是一种常用于电子电路中的半导体器件。在选择合适的锗二极管时，了解其型号和参数非常重要。此外，还需要清楚硅管和锗管之间的区别。　　1.锗二极管型号及参数　　锗二极管的型号通常由制造商根据该器件的特性指定。常见的锗二极管型号包括但不限于：1N34、1N60、OA81等。这些型号具有各自独特的电性能和应用场景。　　在选择锗二极管时，关注以下参数至关重要：　　最大反向电压(VRM)：即锗二极管可承受的最大反向电压值。　　最大正向电流(IFM)：锗二极管可通过的最大正向电流。　　正向压降(VF)：锗二极管正向导通时的电压降。　　尺寸：锗二极管的物理尺寸对于某些应用也是一个重要考量因素。　　2.硅管和锗管的区别　　尽管硅管和锗管都是半导体材料，但它们在一些方面存在显著区别：　　材料特性：硅管比锗管更普遍，在许多应用中使用。硅管具有较低的功耗和较高的工作温度范围。　　电学特性：锗管的导电性能优于硅管，因此在一些特定应用中，如高频应用，锗管可能更适合。　　价格和稳定性：通常情况下，硅管比锗管便宜，且具有更好的稳定性和一致性。　　反向饱和电压：锗管的反向饱和电压较硅管低，这在一些电路设计中具有优势。　　锗二极管作为一种重要的半导体器件，其型号和参数决定了其在电路中的具体应用。在实际选型时需要结合具体需求进行选择。同时，与硅管相比，锗管在电学特性等方面有着明显的差异，合理选择器件能够有效提高电路性能和稳定性。
2024-11-21 11:53 reading：636
二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别
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二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别

　　二极管是一种常见的半导体器件，具有独特的电学性质。二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中的特性的重要参数。本文将深入探讨二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别。　　1.二极管的基本原理　　二极管是由正负两种材料组成的半导体器件，具有正向导通和反向截止的特性。在正向偏置下，二极管会导通并具有很小的电阻;而在反向偏置下，二极管则处于高电阻状态。　　直流电阻　　二极管的直流电阻是指在稳定的直流工作条件下，通过二极管的电流与电压之比。直流电阻通常通过斜率差值法或微分法计算，在直流电路中对二极管的导通特性和功耗起着关键作用。　　交流电阻　　二极管的交流电阻是指在交流信号下，通过二极管的交流电流与电压之比。由于二极管的非线性特性，其交流电阻取决于交流信号的频率和幅值，对于高频应用尤为重要。　　2.联系和区别　　联系　　共同点：二极管的直流电阻和交流电阻都反映了二极管在电路中的阻抗特性，对于电路设计和分析至关重要。　　受温度影响：直流电阻和交流电阻都会受到温度变化的影响，二极管的电阻值随温度升高而减小。　　区别　　工作原理不同：直流电阻描述了二极管在直流电路中的电阻特性，主要考虑静态工作状态下的电阻值;而交流电阻则更多地考虑了动态工作状态下的电阻变化。　　频率响应不同：交流电阻随着交流信号频率的变化而变化，呈现出非线性特性;而直流电阻相对稳定，不受频率影响。　　应用环境：直流电阻通常用于静态电路分析和设计，交流电阻则更多地涉及到动态信号处理和高频电路设计。　　3.应用举例　　在整流电路中，直流二极管的低直流电阻能够有效地保证整流效果;　　在调制解调器中，交流二极管的快速响应和低交流电阻有助于信号调制和解调。　　二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中特性的重要参数。通过深入理解二极管在不同工作条件下的电阻特性，可以更好地设计和优化电子电路，提高系统性能和稳定性。
2024-11-04 15:17 reading：600
LED发光二极管工作原理及检测方法
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LED发光二极管工作原理及检测方法

　　LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)是一种常见的半导体器件，被广泛用于指示灯、显示屏、照明和通信等领域。　　1.LED的工作原理　　LED是一种电子器件，其工作基于半导体材料在注入载流子时产生光电子效应。以下是LED的工作原理简要概述：　　PN结：LED是由N型半导体和P型半导体构成的PN结构。当在PN结上加正向电压时，电子从N区向P区扩散，而空穴从P区向N区扩散。　　载流子复合：当电子与空穴相遇时，它们发生复合并释放出能量，这些能量被转化为光子。这个过程称为辐射复合。　　发光：光子在晶体中传播，并在PN结附近释放出可见光。根据半导体材料的不同，LED可以发出不同颜色的光。　　选择材料：选择不同的半导体材料可以实现不同波长的发光，例如氮化镓(GaN)可实现蓝光LED。　　2.LED的检测方法　　LED的性能评估和质量控制需要准确且可靠的检测方法。以下是几种常见的LED检测方法：　　1. 外观检测：是最简单和直观的LED检测方法。通过肉眼观察LED的表面是否平整、颜色是否均匀等来判断LED的品质。　　2. 光电参数测试：使用光电参数测试仪器，例如光强计和色温计，来测量LED的亮度、色温、色坐标等参数，以确保LED的光学性能符合要求。　　3. 电性能测试：使用万用表或特定的LED测试仪器，检测LED的电流、电压、功率等电性能参数，以确保LED在正常工作范围内。　　4. 热耦合测试：LED的发光效率会受到温度的影响，因此进行热耦合测试，即在不同温度下测试LED的光电参数，有助于评估LED在不同环境下的性能稳定性。　　5. 寿命测试：对LED进行寿命测试，模拟LED在长期使用中可能遇到的工作条件，以确定LED的使用寿命和稳定性。　　6. 波长测试：使用光谱分析仪或波长测试仪器，测量LED发出的光的波长，以确保LED的色彩准确性和一致性。　　LED作为一种高效、环保的照明和显示技术，在各种领域得到广泛应用。了解LED的工作原理和有效的检测方法，有助于确保LED产品的质量和性能，在工程设计和制造过程中发挥重要作用。
2024-07-04 10:03 reading：717
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