华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域-Ameya360 electronic components purchasing network

华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

Release time：2020-07-22

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source：电子发烧友

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近日，华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品，并实现量产。其碳化硅二极管将主打充电桩、太阳能、UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国际一线品牌对标，并且依托华润微自有产线，供应自主可控。

聚焦功率半导体

华润微电子是中国本土规模最大、产品系列最为齐全的硅功率器件研发和生产企业。拥有1100余种分立器件产品。根据2018年销售收入排名，华润微电子目前在中国本土半导体企业排名第十，也是前十名当中唯一一家以IDM模式为主经营的企业。华润微电子2019年在中国MOSFET市场占有率仅次于英飞凌和安森美，排名第三，也是前六家企业中唯一一家中国企业。

近年来华润微电子战略聚焦于功率半导体和智能传感器的产品和方案。华润微电子有限公司功率器件事业群总经理李虹介绍，华润微电子的功率半导体聚焦于三电应用，即电源、电池和电机，面向消费电子、工业控制、绿色能源、汽车电子等多种应用领域。

华润微电子SiC二极管量产！覆盖充电桩、通信、服务器电源等热门领域

华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔

从区域布局看，华润微电子在长江+珠海两江区域布局，在无锡、上海、重庆，以及未来在大湾区、海外实现全面布局。产业链从设计、晶圆制造、封装、掩膜制造和模块设计等实现全方位覆盖。华润微电子拥有3条6寸生产线，年产能超过247万片，2条8寸生产线，年产能超过133万片。年封装能力达62亿颗。

在发布会现场，华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔表示，华润微电子在朝着做大做强的道路上，既是国内最大的功率器件企业，也要在细分领域开拓创新。此次碳化硅二极管的发布，就是做强产品，深入应用的有力行动。

华润微SiC二极管四大优势

以SiC、GaN为代表的第三代化合物半导体正成为功率器件的未来发展方向，SiC应用于高压、高频、大功率领域优势明显，GaN是超高频器件的极佳选择，用于5G通信、微波射频等领域。预计2022年SiC市场规模将达到4.5亿美元。在新基建中，SiC是5G、充电桩和数据中心的核心器件，在特高压和轨道交通也有大量SiC的机会。

多年前华润微电子着手布局宽禁带半导体器件，在产品研发过程中利用产业链完整优势和在硅功率器件领域积累的丰富经验，同时与浙江大学深度合作，使其前期研究成果在公司成功实现产业化。

华润微电子功率器件事业群市场部经理邓旻熙表示，已经完成研发并实现量产的1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品性能卓越，主要关键器件参数，如导通电压（VF），反向恢复电荷 (Qrr) 和抗浪涌能力（IFSM）均与国际一线品牌对标，在系统应用中拥有与竞争对手一致的性能，可以满足市场上用户的需求。

华润微电子的SiC二极管具有四个独特价值。性能卓越、高可靠性、系列化产品和供应安全。

性能方面，产品规格对标国际一线品牌，系统性能与国际一线品牌同一水准。

高可靠性方面，抗浪涌能力强，属于工业级产品。

系列化产品方面，提供650伏系列4-50A，封装TO 220/TO252；1200V系列2-40A，封装TO220/TO247/TO252。即将量产的封装形式还有TO263-2L,TO220F-2L,DFN8*8和TO247-4L。

供应安全方面，华润微电子拥有国内首条量产自有6寸SiC生产线，以及自有封装线。6寸线月产能超过1000片WAFER，并且拥有国内最大的6寸Si功率器件产线，可转成SiC产线。

1200V SiC二极管主要应用在充电桩、太阳能、UPS和车载充电器领域，650V SiC二极管主要应用于服务器电源和通信电源等领域，带来高可靠性、高耐压和高功率密度的卓越性能。

不断丰富的产品线

据介绍，华润微电子已经开始设计第二代SiC二极管产品，不断优化性能。另外SiC MOSFET 1200V和650V的产品也将在明年量产。在SiC产品的研发和量产取得进展的同时，氮化镓研发也在进行。据透露，华润微的氮化镓生产线已经建成，650V功率器件接近量产。

作为功率器件IDM龙头厂商，华润微电子在第三代半导体的产品研发上厚积薄发，随着其SiC二极管的入市将形成新的增长动力。

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行业新闻

TVS二极管和齐纳二极管的区别

　　TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管和齐纳二极管都具有在施加反向电压后，在某一电压下击穿、钳制电压的特性。本应用笔记将对 TVS 二极管和齐纳二极管的区别予以说明。I-V 特性上的使用范围区别Figure 1 是齐纳二极管的 I-V 特性，Figure 2 是 TVS 二极管的 I-V 特性。这两个二极管都利用了反方向特性这一点，但是齐纳二极管主要用于稳压用途，所以设计成在 1mA 到 40mA 这样的小电流区域电压稳定，不能流过大电流(Figure 1 的阴影部分)。在击穿区域内施加指定的小电流 IZ 时，二极管两端电压值被规定为齐纳电压 VZ。齐纳二极管通常在使用时处于击穿状态。　　对于 TVS 二极管，为了不妨碍保护电路的驱动电压，通常使用在切断电压 VRWM 以下电压范围内(Figure 2 右侧的阴影部分)。然后，施加浪涌等过电压时会击穿、流过数 A 到数十 A 的电流(左侧的阴影部分)。由于通常情况下不可以击穿，因此规定了绝对不会引起击穿的电压最大值即截至电压 VRWM 和击穿电压 VBR 两种。　　由于击穿电压 VBR 与齐纳电压 VZ 一样使用小电流进行测量，因此与实际应用条件下的雪崩电压不同。因此，将流过大电流时的最大击穿电压规定为钳位电压 VCL。Datasheet 上参数定义的区别TVS 二极管和齐纳二极管的 datasheet 上规定的差异如 Table 1 所示。在前面中也说明过，由于齐纳二极管主要用于稳压用途，所以只规定了小电流域的齐纳电压 VZ。与此相对，TVS 二极管有着小电流区域的击穿电压 VBR、截至电压 VRWM、高电流区域的钳位电压 VCL3 个参数的区分。只有 TVS 二极管会有表示在特定浪涌波形中能承受的最大浪涌功率的峰值脉冲功率 PPP 和表示最大浪涌电流的峰值脉冲电流 IPP 的定义。仅有 TVS 二极管有 ESD 对策用的 ESD 耐量的规定。对于端子间电容，在通信线路中使用时，需要选择数据波形不会被电容影响而钝化的端子间电容值，因此仅 TVS 二极管有该项规定。如上所述，齐纳二极管主要用于稳压，因此 datasheet 上的参数定义主要是齐纳电压等，项目较少。而 TVS 二极管的目的是保护其他设备不受浪涌的影响，所以电压的参数定义比较广泛，还规定了 ESD 耐量和端子间容量等重要项目。

2025-07-10 15:01 reading：579

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