上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD<span style='color:red'>二极管</span>选型指南与布局优化技巧
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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧

　　前两篇雷卯EMC小哥讲了ESD的危害和保护二极管的原理，这一篇上海雷卯EMC小哥再次上线，聚焦 “落地实操”：如何为防护电路选对ESD保护二极管?电路板布局时哪些细节会影响防护效果?雷卯EMC小哥总结了一套 “选型+布局” 实战方法论，新手也能快速上手。　　一、三步搞定ESD保护二极管选型　　选型的核心是 “匹配”——让二极管的参数与被保护电路的需求精准匹配。记住三个关键词：信号特性、防护需求、环境耐受。　　第一步：匹配信号特性　　信号电压：重点看 “最大反向工作峰值电压(VRWM)”，必须大于或者等于信号的最大电压(比如5V信号线，VRWM选5V或以上)。若VRWM不够，正常工作时二极管会漏电，导致信号失真。　　信号频率：高频信号(≥1GHz，如 USB 3.0)必须选低容值(CT≤1pF)产品，否则会增加插入损耗;当 CT>1pF 时，USB 3.0 信号的插入损耗会超过 - 3dB@10GHz，易导致信号误码。雷卯电子的低容系列(如ULC0521CT)CT 仅 0.18pF，适配高速接口;同时需注意封装选择，高频或小空间场景优先选 DFN 封装(寄生电感<0.5nH)，大电流场景可选用 SOT-23FL 封装(散热性能更优) ，封装参数会间接影响高频信号传输与器件长期稳定性。　　信号极性：单极性信号(如0-5V数字信号)可选单向二极管;双极性信号(如音频信号、±12V 电源)选双向二极管(雷卯电子LCC05DT3音频静电防护)。　　第二步：满足防护需求　　ESD 等级：根据系统测试标准选(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV)，二极管的 VESD(静电耐受电压)必须高于该值。雷卯电子常规型号VESD 可达 ±15kV，工业级型号达±30kV。　　钳位能力： ESD防护二极管在静电注入后不会立即响应，若静电脉冲的第一峰值高于ESD防护二极管的钳位电压，该峰值电压可能施加在被保护器件(DUP)上，导致其故障或损坏。相同电流下，钳位电压(VC)越低越好，比如33V VRWM的二极管，在10A脉冲下，雷卯的产品VC比竞品低5-8V，更能保护敏感芯片。　　第三步：适配环境耐受　　浪涌电流：若电路可能遇到雷击或电源浪涌(如户外设备)，需关注 “8/20μs 峰值脉冲电流(IPP)”，雷卯电子大功率型号IPP可达2000A，满足IEC 61000-4-5 测试。　　工作温度：工业场景选- 55℃~150℃宽温产品，雷卯电子全系列满足工业要求。　　二、电路板布局：细节决定防护效果　　选对型号后，布局不当仍可能让防护失效。雷卯 EMC 小哥总结了3个 “黄金原则”：　　二极管必须 “靠近ESD入口”　　ESD脉冲的高频成分会沿 “最短路径” 传播，若二极管离接口太远(比如超过5cm)，脉冲会先击穿被保护芯片，再到达二极管;建议二极管距离接口连接器的走线长度≤3cm，进一步缩短脉冲传播时间。　　正确做法：二极管紧贴USB、网口等接口布局，信号线先经过二极管再到芯片。　　接地路径要 “短、直、粗”　　二极管分流的ESD电流需要快速回到地，若接地过孔多、线细、路径长，会产生 “寄生电感”，导致钳位电压升高(电感×电流变化率 = 额外电压)。实测显示，当接地过孔间距>5mm 或地线线宽<0.3mm 时，寄生电感会增加 2-3nH，进而导致钳位电压抬升 10-15V，削弱防护效果。　　正确做法：二极管接地端用敷铜连接，就近打地过孔(最好2个以上)，避免走细长线。　　避免 “平行线干扰”　　ESD脉冲会在周围产生强电磁场，若敏感信号线(如I2C、SPI)与接口线平行走线，会被感应出高压。　　正确做法：敏感线与接口线交叉布局，或用地线隔离，间距≥3mm。　　三、雷卯选型工具推荐　　为了简化选型，上海雷卯电子官网(www.leiditech.com)提供 “参数筛选工具”，通过筛选器件功率、工作电压、封装、钳位电压，即可自动匹配适配型号;还可以微信搜索由雷卯电子倾力打造 “EMC电磁兼容社区”小程序，包含USB、HDMI、Ethernet 等几十种典型接口的几百个参考设计方案，方案内容涵盖器件选型、标准解读和参数比对。　　四、小结　　选型的核心是 “参数匹配”，布局的核心是 “缩短路径”。做好这两点，ESD 防护效果可提升80%以上。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-11-24 17:36 阅读量：280 继续阅读>>
鲁光 LGE3D20120H 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>
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鲁光 LGE3D20120H 碳化硅二极管

　　现代电力电子领域，对高效率、高功率密度和高可靠性的追求。碳化硅作为新一代的宽禁带材料，正以其卓越的性能，逐步取代传统硅基器件，成为实现这一目标的关键。鲁光推出的LGE3D20120H 碳化硅二极管，便是这一技术浪潮中受欢迎的一款产品，广泛应用于各种高效功率转换场景。　　优势　　1.零反向恢复：实现极高的开关频率，降低开关损耗和EMI。　　2.高耐压：1200V耐压，为工业级应用提供充足的安全裕量。　　3.高温工作能力：175°C最高结温，提升了系统的可靠性。　　4.正温度系数：易于多颗器件并联以实现更大电流应用。　　二、特性曲线　　三、主要应用领域　　凭借上述卓越性能，LGE3D20120H在多个对效率和功率密度有严苛要求的领域大放异彩。　　1. 高频开关电源　　在通信电源、服务器电源等高密度电源中，可以作为PFC电路中的升压二极管。由于其零反向恢复特性，允许电源工作在更高的开关频率(如100kHz以上)。　　2. 太阳能/光伏逆变器　　其低损耗特性可以有效提升逆变器的转换效率，尤其是在部分负载条件下，优势更为明显，从而最大化太阳能板的发电收益。　　3. 不间断电源　　降低逆变桥臂的开关损耗，减少散热器尺寸，提高整机功率密度和可靠性，确保关键负载的稳定供电。　　4. 工业电机驱动与变频器　　在变频器的整流单元或制动单元中，其能够高效处理高电压和大电流。其快速开关特性和高耐压能力，有助于实现更精确的电机控制和更高的系统效率。　　四、总结　　鲁光LGE3D20120H 碳化硅二极管以其1200V耐压、20A电流、零反向恢复和高温工作能力，为现代高效功率转换系统提供了一个理想的选择。它不仅是提升现有系统性能的利器，更是迈向下一代高密度、高效率电力电子产品的关键基石。
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发布时间：2025-11-21 16:39 阅读量：283 继续阅读>>
鲁光 LSMDJ33CA TVS<span style='color:red'>二极管</span>
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鲁光 LSMDJ33CA TVS二极管

　　在现代电子设备中，一个微小的静电放电或电压浪涌就可能导致芯片永久性损坏。因此，选择一款响应速度快、钳位电压低的电路保护器件至关重要。鲁光LSMDJ33CA正是一款为此而生的理想解决方案，以其优异的低钳位特性，为敏感电子设备提供了坚实的保护屏障。　　优势　　1. 超快响应时间：响应时间在皮秒级别，远快于压敏电阻或气体放电管，能有效抑制ESD等快速瞬变脉冲。　　2.低VC：这是其核心优势，表示在承受高瞬态电流时，其两端的钳位电压被控制得非常低，能更好地适应低工作电压的IC。　　3. 高浪涌承受能力：3000W的高功率处理能力，使其能够应对工业环境、电源总线上的较严重的过压事件。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　凭借其优异的参数，LSMDJ33CA被广泛应用于需要可靠过压保护的场合：　　1. 工业自动化与控制系统　　1.1 PLC I/O 模块：保护数字量/模拟量输入输出端口，防止现场传感器和执行器线缆引入的浪涌。　　1.2电机驱动器：保护控制板和通信接口。　　2. 通信设备　　2.1电源端口：保护路由器、交换机、基站等设备的DC电源输入线。　　2.2网络接口：虽然百兆/千兆网口有专用的TVS阵列，但在一些非标通信端口或电源部分，SMDJ系列仍是常见选择。　　3. 消费电子与电源适配器　　3.1用于大功率的AC/DC电源、UPS系统、电动工具充电器等，作为次级侧的过压保护。　　4. 通用电源总线保护　　4.1适用于24V或48V的工业/通信背板总线，为接入该总线的各个子板提供共用的浪涌保护。　　四、总结　　鲁光LSMDJ33CA低VC TVS二极管是一款性能强大、应用广泛的电路保护选择。它成功地在高浪涌承受能力和低钳位电压之间取得了平衡，特别适合保护那些工作在恶劣电磁环境下的现代低电压、高密度电子设备。
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发布时间：2025-11-18 11:03 阅读量：308 继续阅读>>
鲁光 LGE3D06065N 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>
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鲁光 LGE3D06065N 碳化硅二极管

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅半导体技术正扮演着越来越重要的角色。鲁光电子推出的LGE3D06065N 是一款采用紧凑的DFN5*6封装的碳化硅二极管，以其卓越的性能，成为众多高效能电源设计的理想选择。　　核心特性优势：　　1.零反向恢复：消除了开关过程中的电流“拖尾”现象，显著降低了开关损耗和开关噪声。　　2.开关速度极快：不受反向恢复限制，可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。　　3.优异的温度特性：其反向漏电流和开关特性随温度变化很小，在高温下依然能保持高效稳定。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　凭借上述优势，鲁光LGE3D06065N适合以下高端应用场景：　　1. 开关电源　　1.1服务器/数据中心电源：用于PFC和LLC谐振电路，是实现高效率的关键器件。　　1.2通信电源：提升功率密度和效率，满足严苛的能效标准。　　2. 新能源与工业　　2.1光伏逆变器：用于Boost升压电路和逆变桥，最大化能量转换效率。　　2.2充电机(OBC)：帮助实现更小、更轻、充电更快的OBC设计。　　2.3工业电机驱动：用于变频器的整流或缓冲电路，提高控制精度和效率。　　3. 不间断电源 (UPS)　　3.1在高频在线式UPS中，能显著提升整机效率，减少体积和重量。　　4. 高效能功率转换　　4.1焊接设备、等离子发生器、高端消费类电子产品快充等任何需要高效能功率转换的场合。　　四、总结　　鲁光LGE3D06065N DFN5*6碳化硅二极管是一款性能卓越、封装先进的功率器件。它完美地解决了传统硅二极管在高频、高效应用中的瓶颈问题，为设计下一代高效、高功率密度的电力电子系统提供了强有力的支持。
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发布时间：2025-11-12 09:59 阅读量：302 继续阅读>>
碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>的优点和局限性分析
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碳化硅二极管的优点和局限性分析

　　碳化硅(SiC)二极管是一种新型半导体器件，具有许多优点和独特的特性，但也存在一些局限性。本文将探讨碳化硅二极管的优点和局限性。　　1. 碳化硅二极管的优点　　1.1 高温稳定性　　碳化硅二极管具有出色的高温稳定性，能够在极端环境下工作。相比传统硅二极管，碳化硅二极管能够承受更高的工作温度，适用于高温应用场景。　　1.2 低开关损耗　　由于碳化硅二极管的导通压降较低，具有较低的开关损耗。这使得碳化硅二极管在高频率开关电源等要求低损耗的应用中具有显著的优势。　　1.3 高击穿电压　　碳化硅二极管的击穿电压远高于传统硅二极管，能够提供更高的耐压性能。这使得碳化硅二极管在高压应用中表现出色，并可减少对外围保护电路的需求。　　1.4 高速开关性能　　碳化硅二极管具有优秀的开关特性，响应速度快、开关损耗小，适合高频率、高效率的功率转换系统。　　2. 碳化硅二极管的局限性　　2.1 制造成本高　　目前，碳化硅二极管的制造技术相对成熟，但生产成本仍然较高。与传统硅二极管相比，碳化硅二极管的价格较高，限制了其大规模应用。　　2.2 封装与散热难题　　碳化硅二极管的高温特性和功率密度较大会带来封装和散热方面的挑战。有效的封装设计和散热技术对于确保器件性能和寿命至关重要。　　2.3 稳定性　　尽管碳化硅二极管具有高温稳定性，但在某些特定工况下可能存在稳定性问题，如过热或超载情况下的性能退化。　　2.4 可靠性　　碳化硅二极管的可靠性和寿命是一个需要关注的问题。在长期高温、高压、高频率工作条件下，器件的寿命和稳定性仍需要进一步验证和改进。
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发布时间：2025-11-11 16:22 阅读量：330 继续阅读>>
荣湃：理想<span style='color:red'>二极管</span>控制器—电源端口应用的多边形战士
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荣湃：理想二极管控制器—电源端口应用的多边形战士

　　什么是理想二极管控制器?　　理想二极管控制器可驱动外部 N 沟道 MOSFET 来仿真具有超低正向压降和可忽略不计反向电流的理想二极管。理想二极管控制器可根据栅极控制机制分为两类：线性调节控制和迟滞开/关控制。　　线性调节控制会根据负载电流来控制栅极电压，有助于快速反向电流阻断;　　在迟滞开/关控制中，当超过正向导通比较器阈值时，MOSFET完全导通。　　图1中的典型应用原理图显示了用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 的理想二极管控制器Pai8150C。MOSFET的源极与输入端相连，电荷泵电容器连接在阳极和 VCAP 之间，可提供足够的栅极驱动电压来导通 MOSFET，EN引脚控制芯片开关。图1. 理想二极管控制器 - 典型应用原理图　　理想二极管应用介绍　　理想二极管控制器典型应用有三种：背靠背FET架构，电池反向保护以及电源路径管理及冗余(ORing)。　　1 背靠背FET架构　　理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制、浪涌电流限制的理想二极管整流器。电动汽车12V辅助电池由DC/DC变换器的12V输出电压供电。图2为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8151B的应用案例。为实现DC/DC输出的12V与12V电池之间的受控连接与断开，需采用基于理想二极管控制器的背靠背MOSFET方案。当使能信号EN为低电平时：MOSFET Q1和Q2导通，DC/DC变换器输出的12V为12V辅助电池充电。当12V辅助电池充满电后： 使能号 EN 置为高电平，MOSFET Q1 和 Q2 关断，从而切断DC/DC变换器12V输出与12V辅助电池之间的电气通路。图2. 负载切换与浪涌电流控制应用图　　在电动汽车启动阶段，为了减缓高压电池连接设备输入电容的电流冲击，系统利用12V低压蓄电池实现对此输入电容的预充电。因此要求能量能从12V电池向高压测传输，理想二极管控制器需避免进入反向截止模式。如图3所示，此时需将控制器的Cathode引脚悬空设计以支持能量双向传输。图3. 能量双向传输应用图　　在电路启动初期，电容C1的初始电压较低，导致背靠背MOSFET导通瞬间可能引发过大浪涌电流。为抑制此现象，需采用软启动(soft start)机制：通过在理想二极管控制器的GATE引脚接入大容量电容C2与电阻R1构成的RC网络，利用Gate输出电流 Ig 对C2充电，使Gate电压 Vgate缓慢上升，从而逐步增大MOSFET导通程度，实现浪涌电流的平滑控制。　　由于 MOSFET Q1 源极电压为 Vsource = Vgate-Vth，其中 Vth 为常数(MOSFET 阈值电压)。可得：　　因此可以通过控制 C2 的充电速率来间接限制电容 C1 充电的浪涌电流。 例：车载 DCDC 变换器输出电容 C1=1mF，C2=10nF，R1=10kΩ，芯片 Gate 端输出电流 Ig 为 20uA。由公式可得：　　2 电池反向保护　　电池反向保护包含反极性保护(RPP/RHP)和反向电流阻断(RCB)两方面。反极性保护在电池意外反接或断开感性负载产生瞬态负压时，防止负载损坏。反向电流阻断则阻止电流从负载(特别是子系统中的大容量保持电容)倒流回电池，确保该电容能在电源中断或动态反向条件下持续为子系统(如汽车电子)供电，维持关键操作。理想二极管控制器配合外部N沟道MOSFET可高效实现这两种保护，尤其适用于需要同时防止输入反接和阻断反向电流的应用，例如为直流变换器或稳压器后跟处理器的应用。如图4为荣湃半导体理想二极管控制器Pai8150C电池反接应用方案。图 4. 理想二极管控制器电池反接应用原理图　　在应用中CAP电容的取值与MOSFET输入电容Ciss有关，CAP应大于10*Ciss(MOSFET)，推荐 CAP电容不小于100nF。器件 MOSFET 的选型也有一定的要求，为保证正常工作时芯片处于 Regulatton 状态，需满足20mV　　3 电池路径管理及冗余(ORing)　　冗余电路使用多个电源单元为负载提供所需的电源。它们有助于提高系统的可靠性和可用性， 并在其中一个电源单元发生故障时确保系统安全。在汽车系统中，冗余电源对于自动驾驶等安全关键型应用尤为重要， 因为在这类应用中，断电可能会导致严重的后果。ORing 电路有助于系统根据最高输入电压从多个输入中选择最佳可用电源。理想二极管充当开关，在输入电压高于输出电压时导通，并在输入电压低于输出电压时关断。这样，ORing 电路可确保具有最高电压的输入源连接到输出端，并防止出现反向电流。如果两个输入电源几乎相等，则可以由两个电源同时为负载供电，而两个电源之间没有环流。因此，反向电流阻断是实现 ORing 电路所需的主要特性。图5为荣湃理想二极管控制器Pai8150C双路ORing解决方案。图 5. 典型 ORing 应用　　理想二极管在车载O　　BC+DC/DC的应用　　新能源汽车中，降压型DC/DC变换器负责将动力电池输出的高压直流电(400V-800V) 转换为恒定的低压直流电(12V/14V/36V/48V) ，以满足整车低压系统的供电需求。其核心功能包含两方面：一是为车身电器(如灯光、车窗、仪表、娱乐系统等)及控制系统(BMS、驾驶模块等)提供稳定电源;二是为低压蓄电池充电。由于低压负载的功率需求大而工作电压低，DC/DC变换器需持续输出大电流，因此具有低电压、高电流的典型技术特征。其核心架构为移相全桥ZVS拓扑与同步整流模块的组合，详见图6所示电路。图 6. DC/DC 变换器电路图　　在车辆低压供电系统中，直流/直流变换器(DC/DC)为12V蓄电池充电的核心逻辑如下：当整车控制器(VCU)未发出高压上电指令时，系统处于高压下电状态，此时由12V蓄电池直接为所有低压负载供电;一旦VCU发出高压上电指令，DC/DC变换器随即启动，将动力电池输出的高压直流电转换为稳定的低压直流电。此后，DC/DC变换器同时承担两项关键任务：一是实时为整车低压负载供电，二是为12V蓄电池充电。其输出功率会根据低压负载的实时用电需求进行动态分配，优先保障负载供电，剩余的能量则用于给蓄电池充电，从而维持整个低压系统的能量平衡。　　总结　　理想二极管控制器本质是模拟理想二极管特性的集成电路，核心作用是实现高效的单向导电，替代传统机械二极管或普通二极管，广泛应用于电源冗余系统、汽车电子、不间断电源(UPS)、太阳能光伏系统。得益于极低导通压降、快速开关响应和无反向恢复电流等优势，理想二极管控制器是电源端口应用的真正“多边形战士”。
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发布时间：2025-11-06 11:50 阅读量：335 继续阅读>>
鲁光LGE3D10065G 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>
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鲁光LGE3D10065G 碳化硅二极管

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅应运而生，成为推动下一代功率转换系统发展的关键。鲁光电子推出的LGE3D10065G，便是一款在紧凑的DFN8x8封装内集成了优异性能的碳化硅二极管，为众多高效能应用提供了理想的解决方案。　　核心特性优势：　　1.零反向恢复：消除了开关过程中的电流“拖尾”现象，显著降低了开关损耗和开关噪声。　　2.开关速度极快：不受反向恢复限制，可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。　　3.优异的温度特性：其反向漏电流和开关特性随温度变化很小，在高温下依然能保持高效稳定。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　基于上述卓越性能，鲁光LGE3D10065G广泛应用于以下领域：　　1.高频功率因数校正电路：　　在通信电源、服务器电源的PFC升压电路中，它是升压二极管的绝佳选择。其零反向恢复特性可以显著降低开关损耗，使PFC级能够工作在更高频率。　　2. 开关电源/太阳能逆变器：　　用于反激、正激、LLC谐振等拓扑中的续流或钳位二极管。在高频下实现高效率，有助于提升整个电源的功率密度。　　3. 工业电机驱动与不间断电源：　　在变频器的整流或缓冲电路中，其高性能可以降低系统损耗，提高功率密度和动态响应速度。　　4. 高频焊接与感应加热：　　这些应用要求极高的开关频率，传统硅二极管无法胜任，而碳化硅二极管正是理想之选。　　四、总结　　鲁光LGE3D10065G 650V/10A碳化硅二极管，以其零反向恢复、高开关频率、高效率、出色的高温稳定性，完美地满足了现代电力电子设备对高性能和高可靠性的苛刻要求。是替代传统硅二极管的战略性选择，能够显著提升产品竞争力，推动绿色能源和高效电力应用的发展。
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发布时间：2025-10-31 17:57 阅读量：336 继续阅读>>
鲁光 MUR460 超快恢复<span style='color:red'>二极管</span>
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鲁光 MUR460 超快恢复二极管

　　在现代电力电子和开关电源领域，效率和速度是核心追求。为了减少开关损耗、提高工作频率和降低电磁干扰，超快恢复二极管成为了不可或缺的元件。鲁光电子生产的MUR460便是一款在该领域表现出色的经典产品。　　核心优势：　　· 超快速度：trr ≤50ns，显著降低高频开关损耗。　　· 软恢复特性：FRED技术使反向恢复电流曲线更平滑，能有效抑制电压过冲，降低EMI。　　· 低导通损耗：优化的正向压降VF，减少了导通状态下的功率损耗。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　凭借其优异的性能，MUR460在以下领域得到了广泛应用：　　1.开关模式电源：在SMPS中，常用于高频整流和续流位置。例如，在反激式、正激式变换器的二次侧整流，或作为Buck、Boost变换器中的续流二极管。　　2.功率因数校正电路：在PFC升压电路中，升压二极管是核心元件之一，必须使用超快恢复二极管。MUR460的600V耐压和快速特性使其非常适合用于中小功率的PFC电路。　　3.逆变器和UPS：在将直流电转换为交流电的逆变器中，以及不同断电源中，MUR460可用于高频DC-DC升压环节的整流和续流。　　4.电子镇流器：用于驱动荧光灯的高频电子镇流器，需要快速二极管来保证高效工作。　　5.感应加热和电机驱动：在这些需要高频大功率切换的场合，超快恢复二极管用于缓冲电路和反馈能量吸收。　　四、总结　　鲁光MUR460超快恢复二极管以其600V的耐压、4A的电流能力和50ns的恢复时间，在效率、速度和可靠性之间取得了完美的平衡。成为开关电源、逆变器、PFC电路等高效能设计中整流和续流应用的理想选择。
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发布时间：2025-10-27 17:16 阅读量：356 继续阅读>>
肖特基<span style='color:red'>二极管</span>和齐纳<span style='color:red'>二极管</span>的区别
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肖特基二极管和齐纳二极管的区别

　　二极管作为电子电路中常见的元器件，有多种类型，常见的包括肖特基二极管和齐纳二极管。它们虽然同属二极管，但结构、工作原理及应用有显著差异。　　一、基本定义与结构差异　　肖特基二极管　　肖特基二极管是一种金属-半导体结二极管，由金属(如铂、铬等)与N型半导体直接接触形成。因为没有PN结，肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度。　　齐纳二极管　　齐纳二极管是通过掺杂形成特殊的PN结二极管，设计用于反向击穿电压精确稳定的工作状态。其主要功能是利用齐纳击穿效应或者雪崩击穿效应实现稳压。　　二、工作原理差异　　肖特基二极管　　肖特基二极管的导电是基于金属和半导体交界处的势垒高度变化，正向导通时压降小(一般约0.2~0.3V)，反向截止性能好，响应速度极快。　　齐纳二极管　　齐纳二极管在正常正向工作时与普通二极管类似，但工作重点在于反向击穿区。当反向电压达到齐纳击穿电压(通常5~200V)时，二极管开始导通，保持稳定电压，用于稳压、电压参考等。　　三、应用领域　　肖特基二极管应用　　开关电源与整流电路，减少损耗，提高效率。　　高频电路中的快速整流。　　低压降二极管保护电路。　　齐纳二极管应用　　稳压电路，提供稳定基准电压。　　过压保护，防止电路损坏。　　电压钳制和浪涌抑制。　　总结来说，肖特基二极管以低正向压降和快速响应为特点，适合高频和低电压场合。齐纳二极管则专注于稳压和保护功能，通过精准的击穿电压维持电路稳定。肖特基二极管和齐纳二极管虽同为二极管，但针对不同的电路需求和工作环境设计。
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发布时间：2025-10-22 16:16 阅读量：386 继续阅读>>
江西萨瑞微电子M4SMF系列4500W TVS<span style='color:red'>二极管</span>强势登场！
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江西萨瑞微电子M4SMF系列4500W TVS二极管强势登场！

　　高功率瞬态电压抑制二极管　　在现代电子设备精密复杂的电路中，瞬时电压冲击犹如隐形杀手，随时可能造成致命损伤。统计数据显示，超过35%的电子设备故障源于电压瞬变和静电放电。无论是突如其来的雷击浪涌，还是看似微不足道的静电释放，都足以让精心设计的电路板瞬间瘫痪。　　作为国内领先的电路保护解决方案提供商，萨瑞微电子深谙电压防护的重要性。今天，我们隆重推出M4SMF系列4500W TVS二极管，为您构筑可靠的电压防护壁垒，让您的产品在严苛环境中稳如磐石。　　产品简介　　M4SMF系列采用紧凑的 SOD-123FL封装，专为表面贴装(SMT)应用而优化。低剖面适应了现代电子产品轻薄化的趋势;低电感特性确保了其对高速瞬态脉冲的快速响应能力，使其即使在空间受限的高密度PCB设计中也能游刃有余。　　系列型号齐全，覆盖广泛：　　电压范围广：从5.0V至28V，提供多达十余种标准电压选项，满足从低功耗MCU到较高压电源总线等各种电路的防护需求。　　极性选择灵活：提供单向(A型号) 与双向(CA型号) 两种类型。单向型适用于直流电路，提供精准的极性保护;双向型则能轻松应对交流信号或可能存在正负浪涌的复杂工况，为设计提供极大灵活性。　　关键参数解析　　惊人的峰值脉冲功率：4500W (@8/20µs)　　4500W的峰值脉冲功率,能吸收并化解极其巨大的瞬态能量，轻松应对如雷击感应浪涌、电机负载突卸、继电器开关等引起的严峻挑战，为系统设立了一道坚固的“电压防火墙”。　　优异的钳位性能　　M4SMF系列具备极快的响应速度(可达皮秒级)，能在纳秒时间内从高阻态转变为低阻态。　　高ESD防护等级　　该系列产品集成高效的ESD保护能力，完美符合 IEC-61000-4-2 Level 4 标准，支持±30kV(空气放电)与±30kV(接触放电)。　　稳定的电气参数与低泄漏电流　　全系列产品具有精确的击穿电压(VBR)和低至微安(µA)级别的反向泄漏电流(IR)。　　产品优势与特点　　1. 高可靠性　　封装材料采用UL 94V-0级阻燃塑料，安全可靠。　　湿度敏感等级达到MSL 1，意味着拆封后无需在特定时间内完成烘烤与焊接，仓储和使用更为便捷。　　端子镀层符合军用焊接标准(MIL-STD-750)，确保焊接牢固性。　　2. 高效率　　极低的漏电流有助于降低整机待机功耗，满足绿色环保的能效标准。　　3. 高灵活性　　同一功率平台下提供单向与双向、多电压档位的丰富选择，方便工程师根据实际电路需求进行灵活选型，实现标准化设计。　　4. 出色的开关特性　　作为半导体保护器件，其响应速度可达皮秒级，远快于压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT)，能有效抑制快速的电压尖峰。　　典型应用领域　　M4SMF系列凭借其强大的性能，已成为以下领域的理想保护解决方案：　　通信基础设施：路由器、交换机、基站等设备的电源输入端口及通信线路保护。　　汽车电子：车载充电器(OBC)、电源管理系统(BMS)、ECU控制单元、LED车灯驱动，抵御负载突降等严峻考验。　　工业控制：PLC、变频器、伺服驱动器、I/O模块，在恶劣的工业电磁环境中稳定运行。　　消费电子：智能电视、家电主控板、适配器、以及各类USB/HDMI端口的ESD和浪涌防护。　　安防监控：户外摄像头、门禁系统的电源及信号线路防雷防浪涌。　　选择萨瑞微，选择可靠　　作为国内领先的IDM模式半导体企业，萨瑞微电子拥有从芯片设计到封装测试的全产业链能力。我们的M4SMF系列TVS二极管，在晶圆材料、钝化工艺、封装技术上都进行了深度优化，历经多轮严格的可靠性测试与质量验证，其性能与可靠性完全可比肩国际一线品牌。在当下供应链格局重塑的背景下，萨瑞微电子是您实现关键器件国产化替代、优化成本结构、保障供应安全的优质战略伙伴。
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发布时间：2025-10-21 14:09 阅读量：350 继续阅读>>

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