瞬态电压抑制二极管

发布时间:2023-08-09 13:13
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:2004

  瞬态电压抑制二极管是一种电子器件,用于限制和抑制电路中的瞬态过电压。在电路中,当遭受雷击、电感耦合、开关电源开关过程等突然出现的瞬态电压时,TVS二极管会迅速启动,并在极短的时间内提供一个低电阻通路,将过电压功率消耗掉或将其引流到地。

  瞬态电压抑制二极管主要由PN结构组成,其中包括正向工作区和反向截止区。正向工作区具有较低的电阻,在正向电压下表现出类似普通二极管的导通特性;而反向截止区则具有较高的电阻,只在达到额定电压时才会导通。


瞬态电压抑制二极管的原理

  瞬态电压抑制二极管的工作原理基于击穿效应。当电路中出现过电压时,TVS二极管的反向截止区会迅速击穿,形成一个低电阻的通路。这使得过电压能量被吸收,并将其引流到地,保护其他电子元件免受损害。

  在正常工作条件下,TVS二极管处于反向截止状态,几乎不消耗功率。然而,当遭受瞬态过电压时,其特性会迅速切换到导通状态,并能够在纳秒级别响应时间内吸收大量的过电压能量。这种快速响应和高能量吸收的能力使得TVS二极管成为抑制瞬态过电压的理想选择。


瞬态电压抑制二极管的规格

  瞬态电压抑制二极管的性能由一系列规格参数来描述。以下是一些常见的规格参数:

  峰值脉冲功率(Peak Pulse Power): TVS二极管能够吸收的过电压脉冲的最大功率。较高的峰值脉冲功率表示其能够处理更强的过电压冲击。

  额定工作电压(Rated Standoff Voltage): TVS二极管可以承受的最大反向电压。应根据实际需求选择适当的额定工作电压。

  响应时间(Response Time): 从TVS二极管开始导通到吸收过电压能量所需的时间。较低的响应时间表示其对瞬态过电压的抑制能力更强。

  最大工作温度(Maximum Operating Temperature): TVS二极管能够正常工作的最高环境温度。超出该温度范围可能导致TVS二极管性能下降或损坏。

  静态电流(Static Leakage Current): 在额定工作电压下,TVS二极管的反向漏电流。较低的静态电流表示其在正常工作条件下的功耗更低。

  封装类型(Package Type): TVS二极管可以采用不同的封装形式,如表面贴装(SMD)和插件(Through-Hole)等。选择合适的封装类型与PCB布局和应用环境相匹配。

  环境标准(Environmental Standards): TVS二极管的设计符合特定的环境标准,如RoHS(无铅)和REACH(化学品注册、评估、许可和限制)。这些标准确保了器件的环境友好性和可持续性。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
齐纳二极管原理及使用方法介绍
  齐纳二极管(Zener Diode)是一种特殊的二极管,其工作原理主要基于反向击穿效应。当施加到齐纳二极管两端的反向电压超过其“齐纳击穿电压”(也称为反向阻挡电压),器件会开始导通,使得在器件两端形成一个稳定的电压。  1.齐纳二极管的工作原理  在正常工作条件下,齐纳二极管的结构与普通二极管相似。但区别在于齐纳电压(阻断电压)通常设定在比较低的电压水平。当外加反向电压超过额定齐纳电压时,由于击穿效应,齐纳二极管将开始导通,形成一个固定的电压跨接在两端。  2.齐纳二极管的特点  电压稳定性:齐纳二极管可以提供非常稳定的电压输出。  保护电路:常用于稳压和电压限制应用,以保护其他器件免受电压波动的影响。  温度依赖性:齐纳二极管的工作特性受温度影响较小,相对稳定。  反向电流大:齐纳二极管在击穿状态下的反向电流比普通二极管要大。  3.齐纳二极管的使用方法  选取合适的齐纳二极管:根据所需的电压稳定值和功率要求选择合适的齐纳二极管。  正确连接极性:确保正确连接齐纳二极管,通常将其放置在反向电压方向。  合理设计电路:在设计中考虑到齐纳二极管的特性,确保其在工作范围内稳定可靠。  注意散热:对高功率应用,需考虑齐纳二极管的散热,以确保器件工作在可靠的温度范围内。
2024-12-20 13:31 阅读量:399
锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别
  锗二极管是一种常用于电子电路中的半导体器件。在选择合适的锗二极管时,了解其型号和参数非常重要。此外,还需要清楚硅管和锗管之间的区别。  1.锗二极管型号及参数  锗二极管的型号通常由制造商根据该器件的特性指定。常见的锗二极管型号包括但不限于:1N34、1N60、OA81等。这些型号具有各自独特的电性能和应用场景。  在选择锗二极管时,关注以下参数至关重要:  最大反向电压(VRM):即锗二极管可承受的最大反向电压值。  最大正向电流(IFM):锗二极管可通过的最大正向电流。  正向压降(VF):锗二极管正向导通时的电压降。  尺寸:锗二极管的物理尺寸对于某些应用也是一个重要考量因素。  2.硅管和锗管的区别  尽管硅管和锗管都是半导体材料,但它们在一些方面存在显著区别:  材料特性:硅管比锗管更普遍,在许多应用中使用。硅管具有较低的功耗和较高的工作温度范围。  电学特性:锗管的导电性能优于硅管,因此在一些特定应用中,如高频应用,锗管可能更适合。  价格和稳定性:通常情况下,硅管比锗管便宜,且具有更好的稳定性和一致性。  反向饱和电压:锗管的反向饱和电压较硅管低,这在一些电路设计中具有优势。  锗二极管作为一种重要的半导体器件,其型号和参数决定了其在电路中的具体应用。在实际选型时需要结合具体需求进行选择。同时,与硅管相比,锗管在电学特性等方面有着明显的差异,合理选择器件能够有效提高电路性能和稳定性。
2024-11-21 11:53 阅读量:631
二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别
  二极管是一种常见的半导体器件,具有独特的电学性质。二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中的特性的重要参数。本文将深入探讨二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别。  1.二极管的基本原理  二极管是由正负两种材料组成的半导体器件,具有正向导通和反向截止的特性。在正向偏置下,二极管会导通并具有很小的电阻;而在反向偏置下,二极管则处于高电阻状态。  直流电阻  二极管的直流电阻是指在稳定的直流工作条件下,通过二极管的电流与电压之比。直流电阻通常通过斜率差值法或微分法计算,在直流电路中对二极管的导通特性和功耗起着关键作用。  交流电阻  二极管的交流电阻是指在交流信号下,通过二极管的交流电流与电压之比。由于二极管的非线性特性,其交流电阻取决于交流信号的频率和幅值,对于高频应用尤为重要。  2.联系和区别  联系  共同点:二极管的直流电阻和交流电阻都反映了二极管在电路中的阻抗特性,对于电路设计和分析至关重要。  受温度影响:直流电阻和交流电阻都会受到温度变化的影响,二极管的电阻值随温度升高而减小。  区别  工作原理不同:直流电阻描述了二极管在直流电路中的电阻特性,主要考虑静态工作状态下的电阻值;而交流电阻则更多地考虑了动态工作状态下的电阻变化。  频率响应不同:交流电阻随着交流信号频率的变化而变化,呈现出非线性特性;而直流电阻相对稳定,不受频率影响。  应用环境:直流电阻通常用于静态电路分析和设计,交流电阻则更多地涉及到动态信号处理和高频电路设计。  3.应用举例  在整流电路中,直流二极管的低直流电阻能够有效地保证整流效果;  在调制解调器中,交流二极管的快速响应和低交流电阻有助于信号调制和解调。  二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中特性的重要参数。通过深入理解二极管在不同工作条件下的电阻特性,可以更好地设计和优化电子电路,提高系统性能和稳定性。
2024-11-04 15:17 阅读量:597
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码