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NAND<span style='color:red'>闪存</span>市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进

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NAND闪存市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进

NAND闪存在2017年价格冲顶之后，近几个季度以来销售价格持续下跌。进入2019年第二季度，NAND闪存的价格继续呈下跌态势，根据集邦咨询半导体研究中心第一季度末发布的数据，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季度各类NAND闪存的合约价季度跌幅近20%，成为2018年年初以来跌幅最剧烈的一次。 NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们就不爽了。最近几年，三星、美光、SK海力士、东芝等存储大厂都在兴建各自的新工厂，或者扩充现有工厂的产能，不断加大NAND闪存的输出量，但是英特尔和他们的选择截然不同，英特尔在近日的投资者大会上表示，在短期内不会再建设新的闪存工厂，反而会不断减产。英特尔作为全球最大的处理器芯片公司，在NAND闪存市场份额是六大原厂中最低的，根据其上月底发布的Q1季度财报显示，由于NAND闪存跌价，英特尔非易失性存储芯片业务亏损了3亿美元。在NAND闪存方面，英特尔之前没有自己的NAND工厂，2005年与美光共同成立了IMFT（英特尔-MicronFlashTechnologie）公司，IMFT负责NADN闪存研发及生产，闪存芯片由英特尔、美光独自销售。 2015年英特尔宣布将中国大连的Fab68封测工厂改为NAND闪存工厂，投资55亿美元升级，已于2018年9月底量产，初期主要生产64层堆栈的3D NAND闪存，现在已经开始量产96层堆栈的3D NAND闪存。随着自建的大连NAND工厂量产，以及在NAND技术上，英特尔与美光在64层堆栈之后就发生了分歧，双方在浮栅极及CTP技术上理念不同，最终导致两家公司分道扬镳。去年双方宣布达成协议，美光将支付13-15亿美元收购英特尔在IMFT公司的股份及资产，日前美光披露这笔交易将在今年10月底完成，预计GAAP获益1亿美元。不过分手之后双方也不是彻底断了来往，英特尔依然可以从IMFT获得存储芯片供应，特别是至关重要的3DXPoint芯片，目前英特尔还没有专门的3D XPoint工厂。原本英特尔傲腾存储使用的芯片是由和美光合资公司生产，在两家公司分开以后，英特尔傲腾存储选定位于中国大连的Fab68工厂生产。Fab68工厂目前专门用于生产英特尔 3D NAND闪存，自从2010年开工以来不断增产，但是接下来，Fab68将负责为英特尔生产傲腾存储，不过具体投产时间没有披露。今年初，英特尔宣布正在研发第三代傲腾存储，量产时间、地点未定，不过交给Fab68的可能性也非常大。当然，Fab68仍会继续生产3D闪存，而且堆叠层数会越来越多，以降低成本，目前堆栈层数是64层、96层，预计很快就会突破100层。与非按：面对存储行业供过于求，价格下跌的现状，一类厂商如美光、三星、SK海力士...，按照自己节奏，稳中向前；另一类如英特尔...，面对趋势，调整节奏，应对市场。笔者认为，短期内NAND闪存需求的不如人意，并不影响市场的长期向好态势。随着社会进入数字经济时代，海量数据的产生、存储与价值挖掘成为必然，将对NAND容量提出更高要求。市场瞬息万变，激进与保守也只是应对市场变化的不同态度，但态度或许决定着结果的走向。

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闪寸

发布时间：2019-05-16 00:00 阅读量：1895 继续阅读>>

<span style='color:red'>闪存</span>市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND<span style='color:red'>闪存</span>芯片

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闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。对于这样的新面孔，镁光执行副总裁Sumit Sadana最近就曾表示，他和公司将密切关注中国存储新星的动态。同时指出，无论品质还是良率，新企业还有很大的提升空间，包括满足客户的各种需求。（言下之意是我们还是牛逼，你们一天两天内肯定还是赶不上！）同时Sadana还认为，位列前茅的闪存企业并不会被赶出市场，但会否进一步整合则有待观察。虽然长江入局的这一年闪存价格并非处于高位，其利润率或将受损；但中方客户们可能可能会更乐意采购长江存储的产品，在总需求没有显著改善的情况下也就意味着，逐步减少对国外品牌的依赖。而对普通消费者而言这无疑也是一件好事，虽说目前SSD的价格暂时还赶不上0．16元1GB的HDD（目前SSD的均价差不多在1元1GB上下），但越来越多的国产闪存入局势必会进一步拉低SSD等相关产品售价，看来5毛1G指日可待。

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闪存

发布时间：2019-04-01 00:00 阅读量：1773 继续阅读>>

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DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。

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内存

发布时间：2019-02-27 00:00 阅读量：1929 继续阅读>>

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内存,闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

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NAND Flash,美光Micron

发布时间：2018-12-21 00:00 阅读量：1615 继续阅读>>

<span style='color:red'>闪存</span>价格跌破,从上游供应解读未来走势

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闪存价格跌破,从上游供应解读未来走势

NAND Flash价格在经历2年涨价的时期后，2018年回归理性，截至到10月初，2018年NAND Flash价格指数已累积下滑高达57%，NAND Flash每GB价格下探至0.1美金，基本已回到了2016年涨价前的价格水平。2018年NAND价格“折腰”， 2019年跌势难改，都是3D技术推进的必然走向NAND Flash价格走势是由市场供需决定的，2016年和2017年由于处于原厂2D NAND向3D NAND切换的空窗期，使得NAND Flash供应减少，而需求端智能型手机和SSD容量需求依然在增长，导致市场供不应求，同时NAND Flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量，目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND占比已达到80%，美光甚至可以达到90%，3D NAND产能增加，导致市场供过于求。中国闪存市场ChinaFlashMarket进一步分析，以目前主流的64层3D NAND技术为例，一片Wafer晶圆（12英寸）大约可以切割出1000颗256Gbit的Die。相较于1znm工艺2D技术所切割出的600多颗128Gbit的Die，不仅容量翻倍，单颗Die的总数更是增加了60%，这是导致NAND Flash相关产品价格下滑的主要因素。展望2019年，在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了其新一代96层3D NAND技术，且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划，预计96层3D NAND将在2019上半年规模化量产。据了解，96层3D NAND由于初期良率较低，相较于64层3D NAND没有成本优势，但随着良率的不断提高，成本优势将逐渐显现，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2019年NAND Flash价格将会进一步下滑。近期，即使在传统的Q3旺季，也依然未能扭转NAND Flash价格下滑的颓势，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计，受传统淡季需求减弱的影响，Q4 NAND Flash价格可能依然持续下滑的趋势。2018年以来，由于NAND Flash价格持续下滑且跌幅超乎预期，相较于2016年和2017年NAND Flash涨价时期，部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响，再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等不仅3D技术快速迭代，而且加码投资新建工厂，同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下，部分市场业内人士纷纷看衰NAND Flash产业。中国闪存市场ChinaFlashMarket认为，NAND跌价是价格冲高回落的自然现象，不必过于担忧。国际原厂NAND拼扩产，DRAM保守以待，如何解读存储市场行情？2018年新一轮NAND扩产开始，三星除了FAB18这个大型工厂外，还开始新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂Fab6开始投产96层3D NAND，又新建Fab 7，SK海力士M15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3D NAND，还有美光新建的Fab10三期工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，满载产能可达到15万片/月。根据规划，各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。NAND Flash产能大幅度增加，一是填补2016年和2017年市场供应的缺口，二是为了新一代96层3D技术投产，满足智能型手机和SSD对大容量不断增长的需求。反观DRAM市场，相较于NAND Flash产业不断增加的产能，三星、美光、SK海力士三大原厂对DRAM增产持保守态度，三星、美光、SK海力士受惠于两年持续走高的DRAM价格，营收和获利持续走高，所以各家都不急于扩建DRAM工厂，以免产能过剩导致价格惨跌，影响获利。市场数据反馈DRAM在服务器、PC和智能手机的应用没有太大的增幅，而DRAM工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的产能。三星原定每月增产DRAM计划已延期，同时为避免DRAM价格下滑，计划下修2019年2成的DRAM投资额，SK海力士也推迟了DRAM扩产计划。但是DRAM的压力还是与日俱增，形成DRAM堰塞湖。NAND和DRAM两行情与市场需求有关，首先DRAM在智能型手机上的平均LPDDR容量3.2GB，而NAND Flash平均需求则超过80GB；其次PC出货持续萎缩，又遇英特尔处理器缺货，DRAM标配4GB，高配也仅16GB，而PC搭载的SSD容量则在240GB以上，第三：在服务器市场，IBM、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星Z-NAND来满足大数据存储需求，取代部分DRAM的应用。Optane内存虽然有“内存”之名，但它并非是我们通常理解的DRAM内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘（包括HDD和SSD）进行加速。3D XPoint的优势。按官方数据，3D XPoint的读写速度和寿命均为NAND Flash的1000倍，延迟是NAND Flash的千分之一，DRAM的10倍；存储密度则是内存的10倍。智能手机和SSD主力市场合计消耗85%以上的产能，未来NAND产业依然好光景在国际原厂3D技术和产能增加的推动下，2018年NAND Flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿GB当量。需求端，2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台，高端手机苹果、三星等旗舰机搭载Flash容量由256GB向512GB提升，华为、OPPO、VIVO、小米等从64GB/128GB向128GB/256GB，甚至512GB容量转移，以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的NAND产能。SSD在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲，2018年全球SSD的出货量将达1.92亿台，相较于2017年增长22%。全球SSD市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级SSD，2018年平均容量已经达到2TB/台，仅企业级市场就消耗了25%的NAND Flash产能。2018年SSD与嵌入式产品合计消耗85%以上的NAND Flash产能，2019年仍然是主力需求市场。SSD抢占的是HDD市场，SSD价格下滑是其成长的最大动力，尤其是在消费类市场，2016年和2017年因为NAND Flash缺货，SSD价格大幅上涨，同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来SSD价格持续下滑，目前价格已跌破2016年所创下的历史低点，其中240GB和480GB价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%，部分240GB价格已跌破30美金，也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。在智能型手机和SSD需求带动下，NAND Flash产业呈现健康的发展趋势，而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起，将会产生更多的数据量，且要求高速、复杂的处理数据，对NAND Flash的需求不断增加。当下NAND Flash价格下滑，更多的是对企业综合实力的考验，也会加速淘汰没有竞争力的企业，资源会向有竞争力的公司汇聚，2008年市场恶劣的时候，市场存储企业从几百家淘汰到几十家，现在的情况也是类似。“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场，需求多样而多变，通过提高企业自身自主创新技术，充分理解本土客户需求，厚积薄发，实现企业的成长。

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闪存

发布时间：2018-10-25 00:00 阅读量：1888 继续阅读>>

行业新闻

DRAMeXchange统计预计:2019年内存/闪存价格大降15%-30%

近日，统计机构DRAMeXchange统计数据显示，由于一些原因，2019年平均DRAM价格将同比下降15％至20％。此前，DRAM内存和NAND闪存芯片的价格已经连续增长了9个季度，高昂的价格也让许多消费者非常不满。DRAMeXchange称，明年智能手机销量涨势不再、服务器出货量存在不确定因素，英特尔CPU缺货也可能影响电脑的出货量，有鉴于此，DRAM制造商预计供应过剩的可能性很高，而另一方面，明年DRAM产量预计同比提高22%。这一趋势也将影响NAND闪存芯片，其今年第三季度价格已经下降10％，预计第四季度将再下降10-15％。由于3D NAND生产能力的增加，企业SSD市场明年竞争更加激烈，2019年NAND闪存芯片价格下降幅度将在25-30％左右。不过三星已经对于可能存在的产能过剩做出了预警，为了阻止内存价格下滑将采取措施，日媒报道称三星明年的资本支出将下滑8%，其中DRAM内存投资大砍20%。

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内存/闪存

发布时间：2018-10-15 00:00 阅读量：2082 继续阅读>>

东芝斥资 1 兆日圆新建快<span style='color:red'>闪存</span>储器厂,2020年底量产

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东芝斥资 1 兆日圆新建快闪存储器厂,2020年底量产

根据外电报导，日前日本东芝半导体在日本东北部地区岩手县北上市，举行了首座半导体晶圆制造厂 K1 的奠基仪式。该工厂预计将在 2019 年第 3 季完工，未来将专门进行 3D 快闪存储器的生产工作。由于目前市场上，因为云端服务器的需求增温，加上手机越来越大储存存储器的设计，使得快闪存储器的供货始终维持吃紧的状态。即便，近期因为中国厂商的扩产效应，价格有回落的情况。不过，就长时间来观察，快闪存储器维持成长的态势仍旧持续的情况下，东芝半导体认为，新工厂的兴建将会为公司带来新的竞争力。报导中指出，未来东芝斥资 1 兆日圆在于日本东北打造的这座新工厂，将成为旗下最大、且制成最先进的快闪存储器工厂。据了解，该工厂将采用能吸收地震震动的隔震工法来兴建，而且将引进先进的制造流程与技术，加以采用人工智能技术来提高生产效率与质量。另外，针对该座工厂，东芝方面也将会与一直以来的合作伙伴-西部数据（WD）商讨合作投资的计划。事实上，西部数据在前一段时间中，因东芝半导体部门的出售计划，始终站在反对东芝的角度上。不过，最终随着双方签署全球和解协议，双方达成共识，并且承诺将重新强化合作关系。双方之前就曾经表示，东芝将允许西部数据参与东芝新快闪存储器工厂的投资。如今，再次说明东芝与西部数据的合作持续维持中。目前，东芝的快闪存储器主力工厂是位于三重县四日市，并且与西部数据共同合作营运的 Fab 6 厂。而该工厂的第一期工程将在 2018 年开始正式运营，营运后将有助于增加 BICS 3D NAND 快闪存储器的供应量、至于，第二期工程将于 2019 年正式营运。另外，在岩手县的新 K1 工厂部分，第一期的建设投资经费约 70 亿日元，预计设备安装完成后，将在 2020 年底营运量产。虽然，目前还不清楚 K1 的实际产能。不过，在目前东芝存储器目前拥有 Fab 2 和 Fab 6 的情况下，K1 厂的加入，势必将补充 Fab 2 和 Fab 6 两厂不足之处。

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东芝,NAND Flash,闪存

发布时间：2018-07-30 00:00 阅读量：1821 继续阅读>>

闪存价格存下滑压力" alt="东芝半导体"肥皂剧"剧终闪存价格存下滑压力">

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东芝半导体"肥皂剧"剧终闪存价格存下滑压力

历时近8个月的东芝半导体出售终于有望迎来终结。5月17日，东芝公司发布声明表示，其出售旗下东芝半导体公司（TMC）的交易已经获得了全部所需的反垄断审查批准。作为收购财团牵头者的贝恩资本也于同日宣布，已经收到中国反垄断监管机构对此次收购的书面批准。东芝方面预计，该交易有望于6月1日前正式完成。韩国芯片巨头SK海力士在TMC出售的交易中所扮演的角色一直是该交易的争议焦点之一。考虑到东芝与SK海力士在NAND市场均拥有较高的占有率，两大厂商的此种联系具体会造成何种影响值得关注。此外，该次收购的完成又恰逢业界对NAND价格下滑存在担忧之时，闪存市场是否会迎来一场“价格崩盘”甚至是“价格战”的大戏同样值得关注。NAND市场是否会呈集中趋势？2017年9月28日，东芝发布公告宣布与K.K.Pangea（贝恩领衔的收购财团为此次收购成立的专项收购公司）达成协议，将以2万亿日元（约合180亿美元）的价格将旗下半导体业务部门出售给后者。除苹果、戴尔、希捷、金士顿等公司，韩国芯片厂商SK海力士也在该财团成员之中。Coughlin Associates主席、数字存储行业分析师Tom Coughlin通过福布斯发文指出，由于西部数据与东芝的分歧已在早前得到解决，TMC出售的完成将能够使得两家公司联合拥有的世界第二大闪存生产厂进入稳定状态：西部数据很大可能将拥有稳定的晶圆厂合作关系，苹果、戴尔、金士顿、希捷等系统与设备厂商也将一定程度直接接入闪存芯片供应渠道，而SK海力士则将能够获得部分东芝闪存技术。行业分析师指出，由于东芝半导体的收购方财团中有存储业内的领先者SK海力士，该次收购或会造成存储器市场的进一步集中，从而在该层面对市场造成较大的影响。此前媒体也曾报道称，作为贝恩财团参与者之一的SK海力士在这笔交易中所扮演的角色曾是中国商务部反垄断官员对该交易存在疑虑的主要原因。集邦旗下DRAMeXchange数据显示，2017年第四季度NAND闪存市场上，三星以38%的占有率稳居第一，东芝以17.1%的占有率紧随其后，SK海力士则以11.1%的占有率位居第五。由于看好SK海力士在此次收购中投资的长远成果，三星证券在5月21日的更新中对SK海力士维持了“买入”评级建议，并将目标价格设置在了10万韩元（约合92.32美元）。当日，SK海力士股价上涨1.37%，收于89100韩元（约合82.25美元）。三星证券分析师Hwang Min-seong表示，东芝是三星电子目前在相关科技方面唯一的竞争对手，随着东芝半导体在出售后的调整重组，该产业将面临诸多策略性的调整。Hwang进一步解释称，在TMC进行IPO之后，SK海力士将所持的可转换债券进行转换之后可持有TMC 15%的股份。不过Coughlin认为，TMC出售交易的完成并不意味着闪存芯片市场的集中，相反，该市场将会拥有更多玩家。“随着像闪存等商品的成熟，和通常的产业整合相比，这是一个有趣的逆转。”他写道，“此种玩家数量的扩张是受多家中国闪存制造商的崛起的推动。明显，闪存行业还未完成整合。”短期来看，TMC出售完成对其自身业务不会造成明显的冲击。在中国半导体投资联盟秘书长王艳辉看来，由于目前存储芯片厂商多处于扩厂增产的步伐之中，出售一事终于结束悬而未决的状态对其来说是一项利好。集邦咨询DRAMeXchange方面也认为，交易完成之后，东芝后续Fab 6和Fab 7的投资规划将能按预期顺利进行，足够的资金投入也使得东芝闪存部门能够更加专注于新技术的研发，从而在与西部数据维持良好合作关系的情况下持续在NAND闪存市场同三星抗衡。闪存价格存下滑压力2017年半导体产业的一项纪录即是三星完成了对英特尔的超越，后者连续25年的全球第一大半导体厂商的名头就此让位。数据显示，三星以598.75亿美元的营收和14.2%的市场占有率位列第一，其营收增长率达到了49.3%，而对手英特尔仅为8.6%。不过，三星的强势主要源自存储芯片价格在过去两年的飙升。其他以存储业务为主的半导体厂商也在这波涨价潮中受益明显。SK海力士、美光、东芝、西部数据在2017年营收分别取得了79.6%、71.1%、25.1%和119.6%的增幅，均远高于半导体市场整体21.6%的增幅。顾文军指出，过去两年存储器短缺造成的价格上涨已导致不少厂家积极扩产以增加供应，而从需求的角度来看，目前存储芯片行业又缺乏“杀手级”的新应用，存储器尤其是NAND闪存价格下滑已是一个趋势。Coughlin也认为，随着3D闪存将逐步成为市场的主流，包括中国在内的位于亚洲的新生产线将投入运营，闪存芯片价格预计会结束2016、2017年的涨势，在今年迎来下滑。三星电子亦在4月发布的二季度业绩展望中指出，NAND闪存报价在二季度或将呈现疲软态势。

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东芝

发布时间：2018-05-22 00:00 阅读量：2006 继续阅读>>

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东芝财务状况有改善,闪存交易将做两手准备

东芝方目前改善了财务情况，若未能在 5 月底前获中国垄断监管机关批准，将考虑取消这宗价值 186 亿美元的半导体业务出售交易。2017 年 9 月，美国私募股权公司贝恩资本公司（Bain Capital）击败了博通、鸿海等竞争对手，竞标成功东芝旗下的半导体业务出售案。从去年底开始，中国政府反垄断部门对上述交易进行反垄断审核，目前并未完成，预计反垄断部门有望在5月28日给出审核意见，目前无法预测。有消息称，如果未能在 5 月底前获中国垄断监管机关批准，东芝方将考虑取消这宗价值 186 亿美元的交易。对此，东芝发言人表示，目前公司仍尽力希望最短时间内完成交易。近日有媒体报道称，东芝已经决定放弃交易。不过据日本媒体最新消息，中国政府的监管审核有望在五月份给出批复，而东芝目前正在做两种准备。据了解，东芝在 2017 年底，除了陆续处分旗下的相关业务获得资金之外，还已经透过向许多国内外法人增发新股，融资达到 54 亿美元的金额，进一步改善了财务情况下。使得部分投资人对东芝呼吁，该公司不再需要目前仍维持获利状态的半导体业务，或者是取消出售的计划，以获得更高的出售价格。如果中国反垄断部门通过了这一交易，这对多方都是利好消息，东芝将如愿获得大量的现金，改善自己的财务状况。贝恩资本也将对东芝闪存业务进行重组、继续投资，并在未来选择独立上市。对于东芝公司来说，变卖闪存业务已经不像去年那样紧急。去年，东芝需要尽快改善财务状态，让公司脱离资不抵债的状态（否则将被东京证券交易所摘牌），因此东芝谋求快速达成协议并成交。不过如今，东芝已经告别了资不抵债，无需再通过变卖业务获取现金。

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东芝

发布时间：2018-04-24 00:00 阅读量：2095 继续阅读>>

长江存储NAND<span style='color:red'>闪存</span>芯片有望在光谷实现量产

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长江存储NAND闪存芯片有望在光谷实现量产

4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到，设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间，然后开始小规模试产，如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望在光谷实现量产。去年9月，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶；如今，又提前20天实现了芯片生产机台搬入。紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍，生产机台搬入对生产环境的要求很高，必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持。因此，机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成，这比厂房封顶的技术含量更高，难度更大。9个月建设工厂，7个月实现机台搬入，建设节点不断提前。国家存储器基地项目上，一度达到同时有6000人施工的规模，昼夜奋战。生产机台搬入是重要节点，据了解，当天搬入的设备只是第一台，随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量达2000多台。设备调试完成后，才可以规模量化生产芯片。按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时措辞谨慎。他介绍，32层三维NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，“更主要的是完成完全自主技术积累，若技术不够好，不会硬冲产量”。目前，全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。去年6月，三星宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品，将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。有数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美元，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美元。中国市场进口超过半数，中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增，近3年来，全球存储芯片的价格不断上涨。“板凳要坐十年冷。”赵伟国说，未来的道路还很艰难漫长，要坚定信心、保持定力，“我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间”。高启全接受媒体采访时也有类似表述，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。他说，目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样，就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。

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长江存储,NAND

发布时间：2018-04-16 00:00 阅读量：1517 继续阅读>>

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