闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

Release time：2019-04-01
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国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。

 

闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

 

对于这样的新面孔，镁光执行副总裁Sumit Sadana最近就曾表示，他和公司将密切关注中国存储新星的动态。同时指出，无论品质还是良率，新企业还有很大的提升空间，包括满足客户的各种需求。（言下之意是我们还是牛逼，你们一天两天内肯定还是赶不上！）同时Sadana还认为，位列前茅的闪存企业并不会被赶出市场，但会否进一步整合则有待观察。

虽然长江入局的这一年闪存价格并非处于高位，其利润率或将受损；但中方客户们可能可能会更乐意采购长江存储的产品，在总需求没有显著改善的情况下也就意味着，逐步减少对国外品牌的依赖。

 

闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

 

而对普通消费者而言这无疑也是一件好事，虽说目前SSD的价格暂时还赶不上0．16元1GB的HDD（目前SSD的均价差不多在1元1GB上下），但越来越多的国产闪存入局势必会进一步拉低SSD等相关产品售价，看来5毛1G指日可待。


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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖
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SSD/DDR5价格全线上涨！闪存市场即将回暖

　　随着特朗普政府对存储产品关税立场软化，叠加原厂控货与库存周期进入补库阶段，存储现货市场观望情绪显著减弱。渠道SSD和DDR5价格近期呈现调涨趋势，反映出供需格局的结构性调整与技术升级的双重驱动。　　关税政策的不确定性缓解是本轮市场回暖的核心动因。4月以来，美国对华存储产品加征125%关税的预期减弱，渠道客户因担忧关税导致的采购停滞逐步恢复。　　CFM闪存市场数据显示，DRAM和NAND Flash现货交易活跃度较3月提升约25%，其中受关税冲击较大的MLC NAND因停产供应短缺，价格周环比上涨7.61%。　　原厂控货策略的持续执行进一步加剧资源紧张。三星、美光、SK海力士自2024年第四季度起持续削减产能，2025年第一季度NAND Flash产能同比减少约25%。　　这种主动控产直接导致现货市场资源短缺，例如搭载QLC NAND的企业级SSD因产能被优先分配，现货价格较年初上涨约15%。　　库存周期进入补库阶段则推动需求回升。经过2024年的库存去化，全球存储芯片库存水位已从峰值下降约30%，部分大众市场客户(非Tier1客户)开始释放三季度备货需求。　　集邦咨询预测，二季度DRAM合约价涨幅将达13-18%，NAND涨幅15-20%，远超一季度预期。　　消费级SSD价格呈现“阶梯式上涨”。受NAND Flash现货价格上涨带动，256GB SATA3 SSD价格在4月21日至27日当周环比上涨7.61%，但PC厂商因库存较高对价格接受度偏低，原厂与品牌之间的博弈加剧。　　企业级SSD则因AI服务器和云计算需求持续走高，搭载QLC NAND的eSSD价格较年初上涨15%，且产能被优先分配至数据中心客户。　　DDR5价格呈现“颗粒与模组分化”。颗粒层面，DDR5 16Gb Major价格在4月29日当周微幅上涨至4.30美元，而集邦咨询预测二季度DDR5合约价涨幅将达13-18%。　　模组层面，受上游PCB等电子辅料供应紧缺影响，DDR5内存条现货价格涨幅有限，但期单价格已出现5-8%的上调。此外，三星、SK海力士加速DDR4减产，产能转向DDR5，进一步加剧了DDR5的供应紧张。　　NAND与DRAM的价格分化加剧。NAND Flash虽因原厂控产出现结构性紧缺，但整体供应仍相对过剩，消费级NAND价格上涨乏力，部分产品甚至出现价格分化。DRAM则因DDR5等高端产品需求旺盛，价格回升明显，而DDR4因低端资源冲击市场，渠道成品难以涨价。　　这种分化反映了存储行业向高端化转型的趋势，例如三星计划2025年HBM产能占比提升至60%，SK海力士HBM3E单颗售价突破1000美元。　　供需格局的长期演变将由AI与高端存储主导。2025年DRAM位元需求预计增长15%，NAND增长12%，而AI相关需求可能贡献其中50%以上的增量。　　原厂资本开支聚焦HBM和DDR5，例如美光计划放缓NAND节点升级进度，三星则将HBM产能翻倍。需求端，AI服务器、智能汽车和消费电子复苏是核心驱动力，Meta、谷歌等云厂商 2025年资本开支预计同比增长36.8%。　　国产替代加速重塑市场格局。国内存储模组厂商凭借低价库存和敏捷供应链，在SSD和DDR5市场加速替代海外品牌。　　长鑫存储的DDR5产品已进入PC厂商供应链，价格较海外竞品低约10%，预计2025年末全球市场份额将达16.1%。长江存储则通过270层3D NAND技术突破，切入企业级存储市场，与中国AI芯片厂合作强化数据中心布局。　　当前存储现货市场回暖是政策、供需、库存等多重因素共振的结果。 短期来看，价格上涨趋势有望延续，但需警惕终端需求疲软和库存二次累积的风险。长期而言，AI和高端存储将主导行业增长，而国产替代和技术升级将重塑市场格局。
2025-05-06 16:23 reading：267
闪存价格跌破,从上游供应解读未来走势
行业新闻

闪存价格跌破,从上游供应解读未来走势

NAND Flash价格在经历2年涨价的时期后，2018年回归理性，截至到10月初，2018年NAND Flash价格指数已累积下滑高达57%，NAND Flash每GB价格下探至0.1美金，基本已回到了2016年涨价前的价格水平。2018年NAND价格“折腰”， 2019年跌势难改，都是3D技术推进的必然走向NAND Flash价格走势是由市场供需决定的，2016年和2017年由于处于原厂2D NAND向3D NAND切换的空窗期，使得NAND Flash供应减少，而需求端智能型手机和SSD容量需求依然在增长，导致市场供不应求，同时NAND Flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量，目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND占比已达到80%，美光甚至可以达到90%，3D NAND产能增加，导致市场供过于求。中国闪存市场ChinaFlashMarket进一步分析，以目前主流的64层3D NAND技术为例，一片Wafer晶圆（12英寸）大约可以切割出1000颗256Gbit的Die。相较于1znm工艺2D技术所切割出的600多颗128Gbit的Die，不仅容量翻倍，单颗Die的总数更是增加了60%，这是导致NAND Flash相关产品价格下滑的主要因素。展望2019年，在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了其新一代96层3D NAND技术，且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划，预计96层3D NAND将在2019上半年规模化量产。据了解，96层3D NAND由于初期良率较低，相较于64层3D NAND没有成本优势，但随着良率的不断提高，成本优势将逐渐显现，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2019年NAND Flash价格将会进一步下滑。近期，即使在传统的Q3旺季，也依然未能扭转NAND Flash价格下滑的颓势，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计，受传统淡季需求减弱的影响，Q4 NAND Flash价格可能依然持续下滑的趋势。2018年以来，由于NAND Flash价格持续下滑且跌幅超乎预期，相较于2016年和2017年NAND Flash涨价时期，部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响，再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等不仅3D技术快速迭代，而且加码投资新建工厂，同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下，部分市场业内人士纷纷看衰NAND Flash产业。中国闪存市场ChinaFlashMarket认为，NAND跌价是价格冲高回落的自然现象，不必过于担忧。国际原厂NAND拼扩产，DRAM保守以待，如何解读存储市场行情？2018年新一轮NAND扩产开始，三星除了FAB18这个大型工厂外，还开始新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂Fab6开始投产96层3D NAND，又新建Fab 7，SK海力士M15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3D NAND，还有美光新建的Fab10三期工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，满载产能可达到15万片/月。根据规划，各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。NAND Flash产能大幅度增加，一是填补2016年和2017年市场供应的缺口，二是为了新一代96层3D技术投产，满足智能型手机和SSD对大容量不断增长的需求。反观DRAM市场，相较于NAND Flash产业不断增加的产能，三星、美光、SK海力士三大原厂对DRAM增产持保守态度，三星、美光、SK海力士受惠于两年持续走高的DRAM价格，营收和获利持续走高，所以各家都不急于扩建DRAM工厂，以免产能过剩导致价格惨跌，影响获利。市场数据反馈DRAM在服务器、PC和智能手机的应用没有太大的增幅，而DRAM工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的产能。三星原定每月增产DRAM计划已延期，同时为避免DRAM价格下滑，计划下修2019年2成的DRAM投资额，SK海力士也推迟了DRAM扩产计划。但是DRAM的压力还是与日俱增，形成DRAM堰塞湖。NAND和DRAM两行情与市场需求有关，首先DRAM在智能型手机上的平均LPDDR容量3.2GB，而NAND Flash平均需求则超过80GB；其次PC出货持续萎缩，又遇英特尔处理器缺货，DRAM标配4GB，高配也仅16GB，而PC搭载的SSD容量则在240GB以上，第三：在服务器市场，IBM、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星Z-NAND来满足大数据存储需求，取代部分DRAM的应用。Optane内存虽然有“内存”之名，但它并非是我们通常理解的DRAM内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘（包括HDD和SSD）进行加速。3D XPoint的优势。按官方数据，3D XPoint的读写速度和寿命均为NAND Flash的1000倍，延迟是NAND Flash的千分之一，DRAM的10倍；存储密度则是内存的10倍。智能手机和SSD主力市场合计消耗85%以上的产能，未来NAND产业依然好光景在国际原厂3D技术和产能增加的推动下，2018年NAND Flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿GB当量。需求端，2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台，高端手机苹果、三星等旗舰机搭载Flash容量由256GB向512GB提升，华为、OPPO、VIVO、小米等从64GB/128GB向128GB/256GB，甚至512GB容量转移，以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的NAND产能。SSD在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲，2018年全球SSD的出货量将达1.92亿台，相较于2017年增长22%。全球SSD市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级SSD，2018年平均容量已经达到2TB/台，仅企业级市场就消耗了25%的NAND Flash产能。2018年SSD与嵌入式产品合计消耗85%以上的NAND Flash产能，2019年仍然是主力需求市场。SSD抢占的是HDD市场，SSD价格下滑是其成长的最大动力，尤其是在消费类市场，2016年和2017年因为NAND Flash缺货，SSD价格大幅上涨，同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来SSD价格持续下滑，目前价格已跌破2016年所创下的历史低点，其中240GB和480GB价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%，部分240GB价格已跌破30美金，也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。在智能型手机和SSD需求带动下，NAND Flash产业呈现健康的发展趋势，而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起，将会产生更多的数据量，且要求高速、复杂的处理数据，对NAND Flash的需求不断增加。当下NAND Flash价格下滑，更多的是对企业综合实力的考验，也会加速淘汰没有竞争力的企业，资源会向有竞争力的公司汇聚，2008年市场恶劣的时候，市场存储企业从几百家淘汰到几十家，现在的情况也是类似。“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场，需求多样而多变，通过提高企业自身自主创新技术，充分理解本土客户需求，厚积薄发，实现企业的成长。
2018-10-25 00:00 reading：1828
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