华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

发布时间：2025-06-03 13:07
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：1489

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。

　　一、产品简介

　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△产品封装外形

　　二、产品优势

　　01产品性能显著提升

　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。

　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。

　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)

　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。

　　02技术亮点

　　先进12吋fab低压小线宽工艺

　　产品采用ONO resurf 结构

　　Rsp值已达到行业优异水平

　　薄片工艺，减薄厚度50um

　　三、应用领域

　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：Littelfuse：IXD0579M高压侧和低压侧栅极驱动器提供紧凑型即插即用解决方案

下一篇：帝奥微推出高带宽、高精度运算放大器DIO2558X系列产品

在线留言询价

相关阅读
华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
行业新闻

华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
2025-10-16 15:06 阅读量：421
30000片！华润微电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标
行业新闻

30000片！华润微电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标

　　9月5日，华润微电子在重庆园区召开12吋功率半导体晶圆生产线产品上量专题会，会上宣布项目提前一年半达成月产出30000片目标。华润微电子董事长何小龙，重庆经信委、发改委有关领导，大基金、西永微电园等股东代表，华芯投资相关领导，华润微电子副总裁庄恒前、战略发展部总经理李金明、功率器件事业群总经理李超及重庆12吋项目团队代表等共同见证这一重要时刻。　　华润微电子副总裁庄恒前代表项目团队作项目总结报告，宣布重庆12吋项目已于2025年8月达成月产出30000片项目目标，较原规划节点提前达成。这一重要进展标志着华润微电子在重庆成功建成国内竞争优势突出的12吋车规级功率半导体晶圆制造平台，实现了高端功率芯片技术自主可控、制造全流程可信供应。　　从项目启动到产能爬坡，团队直面行业周期性波动、产能竞争加剧、高端人才紧缺及多线协同管理等挑战，始终以技术创新为根本、以责任担当为驱动、以卓越运营为支撑，一路提速攻坚——仅用一年完成产线通线，两年半即实现月产出30000片目标，不仅刷新行业同类型晶圆制造项目建设速度纪录，更提前撞线原规划节点，为功率器件制造领域树立起新的标杆。　　重庆12吋项目致力于打造对标国际一流的高端功率器件晶圆生产线，已形成五大核心竞争力：　　设备领先：全新业界主流机台占比达95%，铸就全球一流的12吋功率器件专业晶圆生产线。　　智能制造：全球顶尖品牌天车系统及自动化排产系统，匹配自动化立体仓储，打造业界领先的无人化工厂。　　技术前瞻：产品布局对标全球最新工艺代次，SGT G6、SJ G4、IGBT G7等核心技术平台全面服务汽车、AI、算力中心等高端应用领域。　　IDM一体化：配套7万平米车规级功率模块封测基地，提供一站式IDM高效服务。　　质量可靠：建立全流程车规级质量体系，配备投资超2亿元、面积超4000平米，并通过30余项CNAS认可的车规级实验室，产品在线良率稳定在99.65%以上。　　华润微电子在重庆深耕八载，已建成涵盖设计研发、外延中心、晶圆制造、封装测试、销售服务等全产业链的车规级功率半导体产业基地。以12吋月产30000片为“加速键”，华润微电子在渝晶圆产能已占重庆已建产能的半壁江山(折合8吋)，助力重庆功率半导体规模跻身全国前三。
2025-09-08 11:52 阅读量：715
华润微电子再度获评“中国半导体功率器件十强企业”
企业动态

华润微电子再度获评“中国半导体功率器件十强企业”

　　2025年7月25日至27日，第十九届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2025中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在南京召开。大会由中国半导体行业协会指导、半导体分立器件分会主办，工信部电子信息司、行业协会领导与数百位产学研专家齐聚，共同探讨功率器件在新能源、AI、机器人等新兴场景下的突破路径。　　Part.1 华润微电子蝉联“功率器件十强”　　在大会同期公布的"2024年中国半导体行业功率器件十强企业"名单中，华润微电子凭借在功率器件领域的技术引领力与产业贡献力再度上榜。作为国内产品线最全面的功率半导体厂商之一，公司在该领域已形成显著竞争优势，多项产品性能与工艺水平稳居国内前列，先进的特色工艺体系及系列化产品线可为客户提供覆盖多场景的丰富产品与系统解决方案。此次再度登榜"十强企业"，是对华润微电子作为功率半导体龙头企业的技术底蕴与产业担当的权威印证。　　Part.2 发力高端赛道，以核心技术突破驱动未来发展　　面对全球经济复苏承压与消费预期下行的挑战，华润微电子充分发挥IDM全产业链优势，锚定高端工控与汽车电子市场，持续推动工艺技术创新与产品迭代升级，在产品门类、资源配置、市场开拓上均取得显著突破，为加速高端功率器件国产化注入强劲。MOSFET产品在汽车电子、工业、AI服务器等领域的销售进一步拓展。　　依托重庆12吋晶圆产线的先进技术优势，加速推进第5代/6代SGT MOS、第4代SJ MOS、第7代IGBT等高端产品的研发与量产进程，并持续推动关键客户导入与供应保障工作。目前，相关产品已在车载充电机、域控、服务器、BMS等多个关键应用场景实现规模化交付。　　在功率模块业务领域，华润微电子持续深化战略布局，已形成覆盖多场景的产品矩阵，MSOP系列车规半桥模块已为国内多家头部新能源车企稳定供货;SiC DCM半桥模块和HPD全桥模块已通过主流车企认证，适用于新能源汽车主驱系统;G5-IPM模块、TMBS模块已分别在变频器、光伏组件领域实现大批量稳定供货;IGBT工业模块已健全系列化，在工业驱动头部客户认证通过，目前已实现变频器、风机、辅驱等领域的批量供货，全面支撑下游应用的高效需求。　　公司第三代半导体产业布局成效显著，第二代SiC MOS 和第三代SiC JBS完成产品系列化，自主研发的GaN D-Mode和E-Mode两大工艺平台，更已实现650V-900V D-Mode GaN、30V-700V E-Mode GaN系列产品的批量上市，进一步丰富了第三代半导体的产品矩阵。　　未来，华润微电子将持续发挥IDM商业模式优势，依托完善的功率器件产品组合，加速推进技术平台迭代升级和产品系列化布局，致力于为汽车电子、AI服务器电源、数据中心、充电桩、光储逆变、高端消费等核心市场客户提供更具优异性价比的产品，持续深化自身技术壁垒与市场影响力，进一步巩固功率半导体领域的头部企业地位。
2025-07-31 11:31 阅读量：1749
华润微电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用
行业新闻

华润微电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用

　　2025年7月14日，华润微电子功率器件事业群(简称PDBG)举办了第二次“攀登者计划”表彰活动，对“登顶”项目——《基于IGBT5的IPM模块开发及产业化》项目予以表彰，该项目在G5-IPM模块产品开发及产业化上取得显著成效。　　8吋工艺+第五代IGBT技术，PDBG快速向电机驱动市场推出G5-IPM模块　　一、产品简介　　PDBG基于华润微电子8吋功率器件晶圆产线成熟的工艺平台，快速开发并成功推出了全新的G5-IPM模块系列产品——CRM60GHXXEB系列。该系列产品采用Trench FS V IGBT技术(简称G5)，以DIP-24B封装形式呈现，覆盖600V电压平台15/20/30A电流规格，主要适用于电机驱动场景，能够有效填补工业控制领域(工业变频器、水泵、伺服电机)和智能家电(空调压缩机)的市场需求缺口。　　CRM60GHXXEB系列G5-IPM模块的性能显著优于采用Trench FS III IGBT技术(简称G3)的IPM模块。通过优化动态特性及增强抗闩锁能力，CRM60GHXXEB系列产品能够为用户提供更高效、可靠的解决方案。这一突破不仅彰显了PDBG在功率器件领域的技术实力和创新能力，更体现了其对市场需求的敏锐洞察和快速响应能力。　　△ CRM60GHXXEB 封装外形　　二、产品性能优势　　G5系列产品，采用先进的8英寸晶圆工艺，相较于G3系列产品，晶圆良率大幅提升，芯片结温提高至175℃，饱和压降降低10%，开关速度提升，开关损耗降低35%。模块化封装后，产品在高温环境下的工作特性与运行稳定性方面表现更加优异。　　(1)导通损耗：以600V 15A器件为例，在轻载工况下，G5-IPM模块内置IGBT的导通损耗明显低于G3及友商同规格产品，内置FRD的导通损耗在全工况下表现优异，使得G5-IPM模块的综合导通损耗表现更佳。△G3/G5-IPM模块的VCESAT与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的VF与友商产品对比　　(2)开关特性：G5-IPM模块的开关损耗与友商同规格产品接近，较G3有显著提升。同时，通过优化开关波形，提升开关速度，优化开通dV/dt，有效降低了关断尖峰电压应力，提升了EMI表现。△G3/G5-IPM模块的开通损耗与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的关断损耗与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的关断尖峰与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的开通dV/dt与友商产品对比　　综上，PDBG的G5-IPM模块在温升控制与效率提升方面表现出色，适配变频器、伺服电机、空调压缩机等应用场景，为设备的高效稳定运行提供坚实保障。此外，基于8英寸晶圆工艺量产的Trench FS V IGBT，通过规模化生产优势实现了制造成本优化，为市场提供了更具性价比的高性能产品。　　三、产品应用优势　　G5-IPM模块凭借其优异的性能(较G3-IPM开关损耗降低33%)和显著提升的FT良率(较G3-IPM提高1~2个百分点)，展现出强劲的市场竞争力。目前，该模块已连续半年向变频器领域头部客户实现大批量供货，同时在伺服控制领域顺利通过标杆客户验证。　　该系列产品是专为伺服控制、泵类以及低功率变频器等应用精心设计的一款三相智能功率模块(IPM)。该模块集成了6颗低损耗的第五代IGBT和2.5代FRD，同时还具备欠压保护、过流保护、故障输出以及温度输出功能。　　产品列表　　四、应用案例　　在伺服驱动及变频水泵领域，PDBG可提供功率段小于2200W的解决方案，主要应用拓扑图如下：　　随着8英寸Trench FS V工艺的成熟，PDBG已快速完成G5-IPM模块的系列化开发。凭借更低的导通压降与开关损耗，G5-IPM模块为工业控制和智能家电领域提供了更高效、更可靠的解决方案。　　未来，PDBG将坚持创新驱动发展，优化现有产品性能，打造华润微IPM品牌的差异化竞争优势，并全面推进系列化产品开发，助力工业控制及智能家电产业客户实现产品升级;同时，公司将通过核心技术突破和全产业链协同创新，推动产品进入汽车空调等领域。我们期待与更多合作伙伴携手，共同构建绿色高效的产业新生态!
2025-07-18 11:38 阅读量：1182
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码