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佰维Mini SSD荣获2026年中国IC<span style='color:red'>设计</span>成就奖“年度存储器”

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佰维Mini SSD荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

　　近日，由Aspencore主办的2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC SHANGHAI)在上海举办。在同期举行的“2026中国IC设计成就奖”颁奖典礼上，佰维存储 Mini SSD 斩获“年度存储器”荣誉。这一殊荣不仅是对佰维Mini SSD 技术创新与市场价值的权威认可，更是对佰维在存储领域持续深耕、引领产业变革的高度肯定。　　突破传统SSD逻辑与形态　　佰维Mini SSD揽获多项国际大奖　　中国IC设计成就奖作为中国半导体行业最具权威性和公信力的专业奖项之一，已深耕行业二十四载，旨在表彰在技术创新、市场应用和产业贡献方面表现卓越的企业与产品。其中，“年度存储器”奖项作为核心评选单元，致力于甄选出在存储领域具备创新设计、规模化落地能力且能推动行业技术进步的优质产品。　　佰维Mini SSD并非单纯追求物理体积的“微型化”，而是彻底打破了传统存储产品“性能、体积、扩展性不可兼得”的固有逻辑，通过“创新存储解决方案+先进封装”的综合创新，为AI PC、游戏掌机等端侧设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的全新存储方案，解决了M.2 SSD体积过大、Micro SD卡性能瓶颈以及UFS/eMMC无法灵活扩展的痛点。　　极致小巧，性能强悍：在仅有M.2 2230 SSD 的40%体积与约1克的重量下，实现了高达2TB的容量，以及3700MB/s读取和3400MB/s写入的旗舰级速度。　　硬核防护，稳定可靠：具备IP68级防尘防水、3米防跌落防护及超过12,000次的插拔耐用性，无惧复杂移动场景。　　便捷扩展，体验革新：首创标准化卡槽插拔设计，用户无需专业工具即可轻松完成TB级扩容，极大地提升了设备的可维护性与使用价值。　　自问世以来，佰维Mini SSD迅速在全球范围内赢得了广泛赞誉，已接连荣获《TIME》“2025年度最佳发明”、CES 2026 TWICE Picks Awards、Embedded World“Best-in-Show”、MWC 2026“Best-in-Show”等多项国际顶级大奖，并入围被誉为“科技界奥斯卡”的2026年爱迪生奖决赛。此次再获国内权威奖项，充分印证了Mini SSD从技术理念到商业前景的全方位领先优势。　　加速产品迭代与生态伙伴适配　　推动Mini SSD走向“全球标准”　　佰维Mini SSD不仅是一款创新产品，更是一个开放生态的起点。目前，它已成功赋能壹号本、GPD、Waterworld等知名品牌，在AI PC、游戏掌机等领域实现商业化落地。为加速产业普及，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子、立讯等产业链头部企业，共同构建Mini SSD产业生态。　　统一规格标准，降低适配成本：通过成立IP公司、制定激励方案与权益金分配规则，绑定生态伙伴利益;同时开放技术规格与接口标准，降低行业适配成本;　　加速AI终端导入，实现规模化落地：聚焦AI PC、智能机器人、游戏掌机等核心场景，多个目标客户正积极推动产品适配。佰维将协同伙伴加快技术验证与导入进度，加速Mini SSD在关键领域的规模化应用。　　迭代技术性能，提升产品竞争力：前瞻规划PCIe Gen4×4、Gen5×4接口产品，提升接口带宽;基于32层叠Die封装工艺，推进4TB及以上更大容量产品研发。　　全栈技术筑基，　　深度服务“端-边-云”全场景客户　　佰维Mini SSD的成功，根植于佰维存储“研发封测一体化”的全栈技术能力。公司始终以高强度、高密度的研发投入筑牢创新根基，2025年研发费用达6.32亿元，同比增长41.34%，已累计斩获521项境内外专利及66项软件著作权。依托在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测等核心领域的持续深耕，公司构建起覆盖AI新兴端侧、智能终端、工业车规级与企业级的全场景存储产品矩阵，以强大的技术转化能力与市场竞争力，深度服务“端-边-云”全场景客户。　　在AI新兴端侧，公司凭借ePoP系列产品的超薄堆叠封装技术与低功耗固件算法协同优势，成为Google、Meta、小米、Rokid等全球头部企业的核心存储解决方案，精准适配AI眼镜、智能手表等设备的轻薄化、低延迟、长续航需求;在智能汽车领域，公司产品已切入20余家国内主流主机厂及核心Tier1供应商供应链，实现车规级存储产品的批量交付与规模销售;在云端，企业级存储产品成功导入多家头部OEM、AI服务器厂商及头部互联网厂商核心供应体系，实现批量出货。　　斩获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”奖项，印证了佰维Mini SSD技术实力与市场价值。佰维将继续秉持长期主义，以技术创新响应AI时代的存储需求，驱动公司高质量发展，提升公司长期价值。

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发布时间：2026-04-13 10:45 阅读量：381 继续阅读>>

瑞萨电子丨电动出行数字仪表盘<span style='color:red'>设计</span>：适用于电动滑板车、自行车及城市电动车的 TFT 仪表系统

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瑞萨电子丨电动出行数字仪表盘设计：适用于电动滑板车、自行车及城市电动车的 TFT 仪表系统

　　为什么电动出行需要更出色的仪表盘　　电动滑板车、电动摩托车以及紧凑型城市电动车的驾驶者每天都穿梭在拥挤的城市交通中，行程短、启停频繁，因此在做出快速决策时高度依赖仪表盘。他们需要在小尺寸的显示屏上即时查看续航里程、电池健康状态以及各类警告，这些显示屏还经常暴露在强烈阳光和各种天气下。与此同时，OEM厂商必须在严格控制成本、功耗和空间布局的前提下，还能为骑行者和车队运营方提供连接与通信功能。　　　　现代电动出行仪表盘，骑行者真正期待什么?　　无论是个人骑行者还是配送人员都希望他们的“数字仪表盘”更像一部简化版智能手机，而不是传统的机械仪表。　　清晰显示续航与电量状态：紧凑型薄膜晶体管(TFT)显示屏需要一目了然地显示车速、电池电量以及预估剩余续航里程，并在白天强光和夜间骑行条件下都具备良好的可读性。　　充电与电池健康可视化：通过简洁的图标界面显示充电状态、故障信息和维护提示，有助于建立用户信任，尤其是在共享或频繁更换使用者的车队车辆场景中更为重要。　　轻量级连接能力：支持Bluetooth®和Wi-Fi®，实现手机配对、应用集成以及基础导航功能，正逐渐成为标配，即便是在入门级电动滑板车和电动自行车上也日益普及。　　基于TFT的数字仪表盘可完全满足这些需求，因为同一硬件平台仅需通过软件调整和界面设计变化，即可扩展应用于多种车辆类型。　　面向日常电动滑板车的高性价比TFT仪表盘　　对于通勤电动滑板车、配送滑板车、电动自行车以及小型货运三轮车而言，成本与能效几乎决定了每一项设计选择。我们的具有远程信息处理功能的低成本TFT仪表盘解决方案采用以MCU为核心的架构，在保持电子系统紧凑设计的同时，仍可提供现代化的用户体验。　　在典型的电动出行应用中，具备图形处理能力的车规级微控制器可直接驱动小尺寸彩色TFT显示屏，并渲染2D/2.5D车速、电量状态、续航里程及告警指示。　　双车辆网络接口，如双CAN，将仪表盘连接至电机控制器、电池管理系统及辅助ECU，同时保留独立的诊断通道，用于售后诊断工具接入。　　集成式远程信息处理选项(Wi-Fi镜像、Bluetooth Low Energy、以太网、GPS以及可选4G)无需额外的通信盒，即可在同一设计中实现手机配对、基础导航及车队追踪功能。　　车规级高清(HD)视频链路通过单对双绞线连接低成本模拟后视摄像头，为配送滑板车和轻型货运车辆提供简单的后视功能，且成本影响极低。　　具有AI就绪远程信息处理功能的　　可扩展型TFT仪表盘　　在基础的MCU仪表盘与完整Android驾驶舱系统之间，部分电动出行平台需要更丰富的图形、内建远程信息处理功能，以及面向未来智能化升级的扩展空间，同时又无需引入Linux或Android系统栈。我们的配备蓝牙音频和远程信息处理功能的TFT仪表盘解决方案正好定位于这一中间层，它采用双核RA8P1微控制器，并集成片上神经网络处理单元(NPU)，支持边缘侧智能分析。　　该配置包含以下特性　　双核RA8P1微控制器在单芯片上同时运行主仪表应用与远程信息处理功能，降低整体系统成本与电路板复杂度。　　片上NPU使系统能够支持AI就绪的应用场景，例如本地异常检测、使用数据分析或预测性维护，在边缘侧即可完成处理，而无需依赖云端连接。　　提供示例应用软件和固件，可采用裸机C语言开发，或基于Azure RTOS或FreeRTOS等RTOS，帮助快速启动开发，无需具备Linux/Android相关经验。　　参考板上集成了即用型连接接口，包括CAN、Wi-Fi、Bluetooth Low Energy、GPS和GSM 4G，可简化车队追踪、远程诊断以及基于智能手机的服务功能集成。　　该平台支持类似手机的用户界面，可兼容Qt、Crank、Segger和LVGL等主流HMI框架，使在紧凑型TFT屏上实现现代化图形界面和丰富视觉呈现变得更加容易。　　面向功能丰富型城市电动车的互联驾驶舱　　部分城市电动车以及高端电动摩托车已不再满足于基础仪表系统，而是作为导航、丰富HMI以及基于应用服务的核心枢纽。我们的Android系统互联车载仪表盘解决方案面向此类场景，采用基于SoC的架构设计，可扩展至多显示屏配置，支持完整的互联驾驶舱体验。　　该配置包含以下特性　　采用多核处理架构的R-Car车规级SoC，可驱动主仪表系统，并可根据需求扩展至中控或乘客显示屏，支持复杂图形、地图和多媒体。　　由Android承载信息娱乐与互联应用，同时配合实时运行环境，确保车速显示、警告提示及其他安全关键型仪表功能具备确定性响应。　　内置Wi-Fi、蓝牙和可选LTE连接，实现OTA升级、共享出行及车队管理服务，同时支持更深层次的智能手机集成。　　车载网络如CAN/CAN FD和Ethernet传输动力总成、电池电量和底盘数据，为驾驶员和骑手提供先进的能量可视化和场景感知告警功能。　　推动新一代电动出行仪表系统发展　　电动滑板车、电动自行车以及紧凑型城市电动车的持续演进，源于市场对更高效率、更强互联能力以及更友好骑行体验车辆的需求。通过将成本优化的MCU架构TFT仪表系统与可扩展的Android驾驶舱方案相结合，制造商能够在整个电动出行产品线中实现清晰显示、互联能力与系统性能之间的最佳平衡。　　借助经过验证的应用设计，例如我们的具有远程信息处理功能的低成本TFT仪表盘和Android系统互联车载仪表盘，有助于降低设计风险，并加速新一代数字仪表系统的上市进程。　　如需了解更多瑞萨成功产品组合，请访问renesas.com/win。

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瑞萨电子

发布时间：2026-04-03 09:45 阅读量：489 继续阅读>>

纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的<span style='color:red'>设计</span>逻辑及关键芯片方案

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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。

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发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：643 继续阅读>>

瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换<span style='color:red'>设计</span>规范的重大变革

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瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能(AI)数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。　　单级拓扑结构：提升效率，减少元件数量　　目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅(SiC)开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此，功率转换必须分阶段进行，并使用多个开关桥接电路。例如，典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换，随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展，但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关，导致开关数量增加四倍，整体效率降低。　　双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能，仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例，仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案，可省去中间的直流链路电容器，并将开关数量减半。此外，GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷，可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中，这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关，其功率效率可超过97.5%。　　兼具强劲性能与可靠性，兼容硅基驱动器　　瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证，其基于专有的常关断技术，具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压(3V)、高栅极耐压裕量(±20V)以及内置体二极管，可实现高效的反向导通。相较于增强型(e-mode)双向GaN产品，瑞萨的这款双向GaN开关可兼容无需负栅极偏置的标准栅极驱动器。这不仅简化了栅极回路设计，降低了成本，还使其在软开关和硬开关操作模式下，均能实现快速、稳定的开关过渡，且不影响整体性能表现。对于维也纳式整流器等需要硬开关的电源转换拓扑结构，凭借其超过100V/ns的高dv/dt能力，该器件在开关导通/关断过程中可最大程度的减少振铃并缩短延迟。总而言之，瑞萨的这款GaN新品实现了真正意义上的双向开关功能，将高可靠性、高性能和易用性集于一身。　　Rohan Samsi, Vice President, GaN Business Division at Renesas表示：“将我们的SuperGaN技术拓展至双向GaN平台，标志着功率转换设计规范的重大变革。现在，我们的客户能够以更少的开关元件、更小的PCB面积和更低的系统成本，实现更高的效率。同时，他们还可借助瑞萨在系统级集成方面的优势——包括栅极驱动器、控制器和电源管理IC——来加速设计进程。”　　TP65B110HRU的关键特性　　±650V连续峰值交流/直流额定电压，±800V瞬态额定电压　　2kV人体模型ESD防护等级(HBM与CDM)　　25℃环境下典型导通电阻(Rdson)为110mΩ　　Vgs(th)典型值3V　　无需负驱动　　Vgs最大值±20V　　超过100V/ns的dv/dt抗扰度　　1.8V，VSS,FW续流二极管压降　　采用行业标准引脚布局的TOLT顶部散热封装　　瑞萨电子于2026年3月22日至26日，在美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的国际应用功率电子会议(APEC)1219号展位上，展示这款最新双向GaN开关及其不断丰富的智能电源解决方案产品组合。　　供货信息　　TP65B110HRU双向GaN开关现已批量供货。客户还可选购RTDACHB0000RS-MS-1评估套件，用于测试不同驱动方案、检测交流零交叉点以及实现软开关功能。　　成功产品组合　　瑞萨将新型GaN双向开关与产品组合中众多兼容器件相结合，打造了500W太阳能微逆变器和三相维也纳整流器解决方案。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win　　感受瑞萨动力　　以创新、品质与可靠性为核心驱动，瑞萨引领功率电子行业的发展，每年出货量超过40亿颗组件，产品组合包括电源管理IC、分立和宽带隙GaN产品、计算功率器件等。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等所有主要市场。瑞萨的功率产品组合无缝对接其领先的MCU、MPU、SoC与模拟解决方案，借助数百种经工程验证的“成功产品组合(Winning Combinations)”以及PowerCompass™和PowerNavigator™等创新设计工具，显著简化并加速了客户设计流程。更多信息，请访问：renesas.com/power。

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发布时间：2026-03-25 13:11 阅读量：450 继续阅读>>

纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型<span style='color:red'>设计</span>

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纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型设计

　　隔离栅极驱动，首选纳芯微PrimeDrive　　PrimeDrive是纳芯微打造的隔离栅极驱动产品家族，提供高可靠、全品类的隔离栅极驱动解决方案。　　针对高压、高dv/dt及复杂电磁环境，PrimeDrive隔离栅极驱动在驱动能力、智能保护功能、长期可靠性及系统鲁棒性等方面持续领先，助力客户降低设计与验证风险。　　产品覆盖隔离半桥栅极驱动、隔离单管栅极驱动、智能隔离栅极驱动、功能安全栅极驱动等多种品类，广泛适用于汽车、工业控制、可再生能源与电源、消费电子等应用领域，为多样化的系统设计提供稳定、可信的驱动解决方案。　　智能隔离栅极驱动NSI67xx-Q1推出SSOW20小封装版本　　在高功率密度电驱系统中，布板空间愈发成为关键约束。纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动NSI67xx-Q1全新推出SSOW20小封装版本，在保持原有性能与可靠性的基础上，封装尺寸较SOW16减小约40%，更适配对PCB面积要求严苛的应用场景，尤其适用于搭配紧凑型功率模组设计。　　助力电驱系统实现ASIL C功能安全目标　　基于NSI67xx-Q1的电驱系统方案，已通过德凯(DEKRA)权威评估，可支持系统实现ASIL C功能安全目标。　　方案在满足功能安全等级要求的前提下，通过合理的硬件冗余设计与系统架构优化，减少主功率回路改动，缩短开发周期，覆盖400V/800V高压平台，全面兼容SiC与IGBT功率架构，成为电驱系统实现功能安全等级的高性价比路径之一。

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发布时间：2026-03-19 09:20 阅读量：814 继续阅读>>

ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升<span style='color:red'>设计</span>灵活性

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ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升设计灵活性

　　中国上海，2026年3月10日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域的CMOS运算放大器“TLRx728系列”和“BD728x系列”产品。作为高性能运算放大器，新产品出色地兼顾了低输入失调电压*1、低噪声及高压摆率*2，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，新产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　近年来，随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长。尤其是在需要精确放大传感器输出的应用场景中，将信号误差和延迟控制在最低限度是必不可缺的功能，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。针对这样的市场需求，ROHM推出了可满足需求的新系列产品——不仅这些特性均表现优异，而且具备支持更广泛应用领域的通用性。利用新产品，可在众多领域实现高精度且稳定的信号处理。　　新产品系列适用于对精度要求高的传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制及电源监控系统等众多应用领域。采用的是不局限于特定用途、同时注重通用性和高性能的设计理念。另外，除单通道、双通道、4通道结构外，还提供多样化的封装形式，用户可根据具体应用场景和电路板尺寸选择合适的产品。　　目前，新产品已逐步投入量产(样品价格：单通道产品280日元/个，双通道产品350日元/个，4通道产品480日元/个，不含税)。此外，新产品已经开始通过电商进行销售。　　今后，ROHM将继续致力于开发满足市场需求的高性能模拟产品，助力提升客户的设计灵活性。　　<应用示例>　　车载设备、工业设备、消费电子等领域均适用　　应用示例：传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制、电源监控系统等　　<术语解说>　　*1) 输入失调电压　　运算放大器输入引脚间产生的误差电压。　　*2) 压摆率　　表示运算放大器的输出电压在单位时间内变化程度的性能指标。该数值越高，在输入矩形波和高速信号时，输出越能快速跟上输入的变化，可防止削波现象和波形失真问题。

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发布时间：2026-03-12 13:20 阅读量：504 继续阅读>>

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ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计！

　　2026年3月5日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。　　在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。　　目前已有三种可与本参考设计配套使用的SiC模块在电商平台上销售，可通过Ameya360平台进行购买。　　关于参考设计　　※本参考设计旨在供用户利用已公开的设计数据进行开发。如需获取参考设计板或评估套件，请联系AMEYA360客服垂询。(※数量有限)　　关于SiC模块的网售　　可通过登录罗姆官网查看下述新闻稿，或点击下面链接查看电商平台正在销售的SiC模块详细信息：　　新闻稿：ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售　　仿真支持　　为了加快产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，通过包括仿真和热设计在内的丰富解决方案，为用户的产品选型提供支持。　　用户可从各参考设计页面下载与评估板相关的各种设计数据，并可从各产品页面下载可与参考设计配套使用的SiC模块产品信息。　　另外，利用ROHM官网提供的仿真工具ROHM Solution Simulator，从元器件选型阶段即可进行系统级验证。　　■HSDIP20：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68005　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_hsdip20　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_hsdip_ltspice.zip　　■DOT-247：　　参考设计：https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68006　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_dot-247　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_dot247_ltspice.zip　　■TRCDRIVE pack™：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68004　　其他参考设计　　除本新闻稿中介绍的参考设计外，ROHM还准备了众多可助力用户缩减设计周期的参考设计方案，详情请登录ROHM官网或点击下面的链接：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　应用评估套件：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　相关信息　　・新闻稿(HSDIP20)　　ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・新闻稿(TRCDRIVE pack™)　　ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!~　　・新闻稿(DOT-247)　　ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　关于“EcoSiC™”品牌　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　・LTspice®是Analog Devices, Inc.的注册商标。　　如需使用其他公司的商标，请遵循权利方规定的使用方法进行使用。

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ROHM

发布时间：2026-03-06 11:56 阅读量：739 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>设计</span>GaN电源有哪些特殊注意事项

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一文了解设计GaN电源有哪些特殊注意事项

　　氮化镓(Gallium Nitride，简称GaN)作为一种新型的半导体材料，在功率电子领域中越来越受到关注。GaN功率器件具有高速、高效、高频和高温等优点，逐渐取代传统的硅基功率器件。在设计GaN电源时，有一些特殊的注意事项需要考虑。本文将介绍设计GaN电源时需要注意的关键问题和解决方案。　　1. 热管理　　1.1 高热导率　　问题：GaN功率器件通常工作在高频率和高效率下，会产生较大的热量。　　解决方案：选用具有良好热导率的散热材料，如铜基或铝基散热器，并确保有效的散热设计以降低器件温度。　　1.2 热传导路径　　问题：GaN器件的热传导路径相对硅器件更短，要求更加有效的散热设计。　　解决方案：优化PCB布局，缩短热传导路径，减少热阻，同时采用适当的散热方法提高热传导效率。　　2. 开关特性　　2.1 开关速度　　问题：GaN器件具有快速开关速度，可能导致高噪音和EMI问题。　　解决方案：合理设计驱动电路，控制开关速度，降低开关损耗和EMI干扰，保证系统稳定性。　　2.2 损耗分析　　问题：GaN器件存在开关损耗和导通损耗，需进行仔细的损耗分析。　　解决方案：结合器件规格书和实际工作条件，优化开关频率和电压波形以降低损耗，提高效率。　　3. 电气特性　　3.1 偏置电压　　问题：GaN器件的偏置电压较高，可能增加设计复杂性和成本。　　解决方案：合理选择适配的驱动器件，提供所需的偏置电压和电流，确保器件正常工作。　　3.2 抗干扰能力　　问题：GaN器件对环境中的电磁干扰敏感，需要特别注意抗干扰设计。　　解决方案：通过滤波器、屏蔽措施和地线设计等方式提高系统的抗干扰能力，减少外界干扰对系统的影响。　　4. 可靠性与寿命　　4.1 温度监测　　问题：GaN器件温度的变化对其性能和寿命有重要影响。　　解决方案：安装温度传感器监测器件温度，根据实时数据调整散热措施，确保器件在安全温度范围内工作。　　4.2 封装设计　　问题：GaN器件封装质量直接影响其可靠性和寿命。　　解决决方案：选择高质量的封装材料和封装工艺，确保器件在各种环境条件下稳定可靠地工作。　　5. 设计工具与仿真　　5.1 电路仿真　　问题：设计GaN电源时，需要考虑到高频、快速开关等特性，传统的电路仿真工具可能无法完全满足需求。　　解决方案：选用专门针对GaN器件优化的电路仿真软件，进行精细化的分析和验证。　　5.2 热仿真　　问题：热管理是设计GaN电源中的重要一环，需要准确评估器件的温度分布。　　解决方案：使用热仿真软件对散热系统进行模拟，优化散热设计，确保器件温度在安全范围内。　　设计GaN电源是一个技术挑战和机遇并存的过程。在考虑以上提到的特殊注意事项的基础上，工程师们需要综合考虑功率密度、效率、EMI等因素，灵活应用各种工程工具和技术手段，以实现高效、稳定、可靠的GaN电源设计。通过加强对GaN器件特性的理解和充分的设计准备，可以克服潜在的问题，为未来电源系统的发展奠定坚实的基础。

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电源

发布时间：2026-02-27 16:09 阅读量：487 继续阅读>>

TDK推出两款新型直流母线电容器系列，专为电动汽车车载充电器优化<span style='color:red'>设计</span>

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TDK推出两款新型直流母线电容器系列，专为电动汽车车载充电器优化设计

　　TDK株式会社(东京证券交易所代码：6762)推出全新B43655和B43656系列铝电解电容器，专为电动汽车车载充电机(On-board Charger, OBC)的直流母线设计。两系列均针对强制冷却工况进行优化，可满足新一代车载充电平台日益增长的高电压、大电流需求。凭借紧凑设计与卓越的纹波电流承受能力，该系列电容器广泛应用于需在狭小空间内实现最高效率与可靠性的场景。　　B43655系列产品具备475 V和500 V的高电压等级，电容值覆盖110 µF至880 µF范围，满足现代电动出行应用中800 V电池架构的需求。这些元件专为电容器底部散热和高纹波电流密度设计，在+105°C环境下可提供超过3,000小时的使用寿命。其最大纹波电流为3.29 A(+105°C)，ESR值低至100 mΩ，可最大限度降低功率损耗。B43656系列额定电压为450V，在+105°C环境下可实现高达4.42A的电流处理能力，满足高功率车载充电器拓扑结构的严苛要求。　　这两款系列均符合AEC-Q200 Rev. E标准，采用符合RoHS指令的材料制造。电容器采用紧凑型焊针式设计，直径范围为22至35毫米，长度范围为25至60毫米，具体规格取决于电容值和电压等级。凭借增强的电气性能和可靠性，B43655与B43656电容器为设计工程师提供了面向电动汽车车载充电器的强健、面向未来的解决方案。　　全新B43655和B43656系列产品也将集成至TDK基于网页的AlCap使用寿命计算工具中。　　主要应用　　电动汽车车载充电机　　主要特点和效益　　极高CV值产品，超紧凑设计　　高可靠性　　超高纹波电流能力　　优化设计实现底部冷却与高纹波电流密度　　仅限外壳壁带压力释放装置的结构，可提供严格长度公差(±0.5毫米)　　符合RoHS指令　　基于AEC-Q200修订版E标准的认证　　关键数据

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发布时间：2026-02-27 15:33 阅读量：493 继续阅读>>

如何<span style='color:red'>设计</span>和调试电源的电源良好信号

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如何设计和调试电源的电源良好信号

　　在电子设备和系统中，电源信号的稳定性和质量对于整个系统的性能和可靠性非常重要。设计和调试电源的电源良好信号需要结合合适的技术和工具，以确保电源信号的稳定性和可靠性。本文将讨论如何设计和调试电源的电源良好信号，以提高系统的性能和稳定性。　　1. 电源信号的重要性　　1.1 稳定性　　供电稳定：电源信号的稳定性直接影响设备的正常运行，避免因电压波动而引起的故障或损坏。　　1.2 噪声抑制　　滤波：有效的滤波措施可以降低电源信号中的噪声水平，减少对系统产生的干扰。　　2. 电源设计的关键考虑因素　　2.1 电源拓扑选择　　线性电源：适用于对输出稳定性和噪声要求较高的场景。　　开关电源：适用于高效率要求的应用，但可能会产生更多噪声。　　2.2 输出滤波设计　　LC滤波器：常用于降低开关电源输出中的高频噪声。　　2.3 良好接地设计　　接地规范：良好的接地设计有助于减少接地回路中的环回噪声。　　3. 电源调试步骤　　3.1 测试基本参数　　输出电压：确保输出电压符合设计要求，没有明显的波动。　　负载能力：测试电源在不同负载条件下的稳定性和效率。　　3.2 波形分析　　示波器测量：使用示波器观察电源信号的波形，检测是否存在异常波动或噪声。　　3.3 噪声分析　　频谱分析：通过频谱分析工具查看电源信号的频谱特征，识别并衡量噪声水平。　　4. 高级调试工具　　4.1 电源供应商工具　　电源分析仪：专业的电源分析仪可提供详细的电源信号参数和波形图，帮助精准调试。　　4.2 示波器与频谱仪　　高性能示波器：用于实时监测电源信号波形，发现瞬态波动或突变。　　频谱仪：用于深入分析电源信号的频谱特性和噪声来源。　　设计和调试电源的电源良好信号是确保电子设备和系统正常运行的重要一环。通过选择合适的电源拓扑、设计有效的输出滤波方案、注意良好的接地设计，并结合电源调试步骤和高级调试工具，可以确保电源信号的稳定性和质量。在实际应用中，持续跟踪电源信号的参数和波形，并不断优化调试过程，有助于优化整个系统的性能和稳定性。

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电源

发布时间：2026-02-26 15:49 阅读量：532 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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