上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:一文搞懂闩锁效应,电路里的“定时炸弹”与防护指南
  CMOS 工艺中的寄生晶闸管(SCR)结构,是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶体管相互连接形成的。这些寄生晶体管平时处于关闭状态,但当受到电压尖峰、静电干扰或高温时,会触发正反馈环路,导致电流在芯片内部无限放大,最终烧毁芯片或迫使系统断电。这一现象即为闩锁效应。  如何快速判断电路是否存在闩锁?  1.如果遇到以下情况,可以是闩锁在作祟:  电流突然激增:芯片耗电猛增,远超正常工作电流。  电压突然暴跌:电源电压“断崖式下跌”, 导致芯片复位或功能紊乱。  高温更易崩溃:芯片在高温环境下(如>85℃)更容易触发闩锁。  2.检测方法:  静电测试:模拟人体接触放电,验证芯片抗ESD能力(IEC 61000-4-2)。  浪涌测试:模拟雷击或电源波动,测试电路稳定性(IEC 61000-4-5)。  电脑模拟:用仿真工具(如TCAD)预判寄生结构的触发阈值,优化设计。  不同器件的“触发门槛”与防护方案  雷卯电子的“防闩锁武器库”  1. 高功率接口:TVS二极管 + 自恢复保险丝  TVS二极管:纳秒级响应,将电压尖峰箝位至安全阈值,防止寄生晶体管触发。  自恢复保险丝(PPTC):过流时自动断开电路,故障排除后自动复位,避免持续损坏。两者协同可阻断闩锁触发条件。  2.低电压/高速接口:ESD静电防护  低电容ESD器件:像“防静电外套”一样,包裹芯片接口,防止静电“电击”触发闩锁,同时不影响信号速度(如USB、HDMI)。  雷卯推荐的“防闩锁武器”清单  总结:防闩锁要点  1.设计时“防微杜渐”:  电源去耦:芯片电源引脚并联0.1μF陶瓷电容,抑制电压毛刺。  布局优化:缩短敏感信号线长度,减少寄生电容耦合;增加衬底和阱的接地接触,降低寄生电阻。。  版图设计:在I/O区域添加Guard Ring(环形接地层),阻止载流子扩散触发闩锁。  2.器件选型“硬核防御”:  高功率接口选TVS,PPTC防过流,低压高速信号选ESD,像给电路穿“防弹衣”。
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发布时间:2025-04-01 09:18 阅读量:200 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:浅谈汽车系统电压优缺点分析
  汽车电气系统的电压等级选择直接影响整车性能、能效和兼容性。以下是 12V、24V、48V 系统的简单介绍,包括技术特点、优缺点及典型应用场景。  汽车电气系统的发展随着车辆电子设备的增多和对能效要求的提高,电压等级也在逐步提升,从传统的12V电压系统 、24V电压系统,到目前在逐步推广的48V电压系统。  首先,12V系统是传统的汽车电气系统,已经存在了很多年。几乎所有传统燃油车都使用12V系统。它的优点可能包括成熟的技术、广泛的配件支持以及较低的成本。但缺点可能是在高功率需求下表现不足,比如启动电机、大功率音响或现代电子设备较多时,因为功率增大,电压较低,P=V x I, 所以电流会很大,导致线损增加(功率损耗P=I2R),需要更粗的线缆,增加重量和成本,车辆系统内也会显得更加的拥挤。  24V系统,常见于商用车、卡车或大型车辆。24V系统的优点可能是更高的功率输出,同样的功率下电流减半,减少线损和线径,适合更大功率需求的设备。  48V系统是近年来随着混合动力和节能需求兴起的中压系统,尤其在轻度混合动力车辆中应用较多。现在的汽车需要比几年前的汽车更多的动力。除了发动机、车灯、收音机、电动天窗、电动助力转向、网络和信息娱乐等基本功能,现在还会集成很多与安全和便捷性有关的其他功能,这些功能通常会归入高级驾驶辅助系统 (ADAS) 范畴内。ADAS系统对电池提出了更高的要求,需要更多的电力,如用12V系统难以支撑,如使48V系统,能够支持更多高功率设备如电动增压器、空调压缩机等,同时减少电流,降低线损,线缆更细更轻。此外,48V系统可以更好地支持能量回收,提高燃油经济性。不过缺点可能涉及更高的系统成本,安全性问题(更高的电压需要更好的绝缘和保护),以及现有供应链可能还未完全适应48V系统,配件和维修可能更复杂。  对比表格如下:  未来趋势48V轻混普及,48V系统将成为燃油车节能升级的主流选择。随着 48V 系统融入电动汽车的电气架构,车辆得以实现更为高效的能量传输,同时显著减轻重量、降低成本。这一变革不仅全面提升了车辆的整体性能,还为未来电动汽车的技术演进筑牢了根基。不过,要充分释放 48V 系统的潜力,设计师们仍需攻克电气系统布局的复杂性、电池管理的精准性以及安全性保障等诸多难题。展望未来,随着技术的持续迭代,48V 系统必将在电动汽车领域中扮演愈发关键的角色,成为推动行业进步的核心驱动力。  浪涌保护对于48V 电源系统也是重要环节,上海雷卯发挥自己的技术专长,作为专业的防护器件供应商,拥有先进的技术与丰富的经验,针对 48V 系统研发出一系列高效浪涌保护方案。助力众多车企提升 48V 系统可靠性,有效降低因浪涌冲击导致的故障风险,为 48V 系统在电动汽车领域的广泛应用保驾护航。关于浪涌防护下期分享。
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发布时间:2025-03-07 13:36 阅读量:255 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:空气放电与接触放电的对比解析
  空气放电与接触放电的对比解析  在现代电子产品无处不在。从日常使用的智能手机、平板电脑,到工业领域的精密仪器,其稳定性和可靠性至关重要。而静电放电(ESD)作为影响电子产品性能的关键因素,可能会导致设备故障、数据丢失甚至永久性损坏。其中,空气放电和接触放电是 ESD 测试中最为常用的两种方法,两者在测试原理、适用场景、测试效果等方面存在诸多差异。深入对比有助于优化 ESD 防护设计,提升产品质量。  一、空气放电与接触放电对比  整理空气放电和接触放电主要差异列表如下:  标准规定:接触放电是优先选择的试验方法,空气放电则用于不能使用接触放电的场合(如表面涂有绝缘层、计算机键盘缝隙等情况)。对于有金属外壳或对外接口的大部分产品或设备,目前这两种试验方法通常都被用户要求进行。  二、ESD抗扰度试验标准IEC61000-4-2/GB-T 17626.2  测试等级  GB/T 17626.2-2018(中国国家标准), IEC 61000-4-2:2008 + A1:2023(国际电工委员会标准)两者内容技术等效,GB/T 等同采用IEC标准。 两种试验方法的电压等级如下表。等级越高越严格。  三、防护策略  1、接触放电防护策略  低阻抗接地设计:金属外壳、接口等导电部件通过多点接地,接地阻抗需<1Ω。  瞬态电流分流: 在接口(如USB、HDMI)处并联TVS二极管(响应时间<1ns),电源输入/输出端增加ESD防护器件(如PESD、TVS阵列)。  上海雷卯整理出各种接口防护放入“EMC电磁兼容社区”小程序,可以查阅参考。  PCB回路面积:减小PCB 电源和信号回路面积。  结构设计强化:金属部件绝缘隔离:外露金属(按键、螺丝)通过绝缘垫片与内部电路隔离。使用导电泡棉填充外壳缝隙,防止ESD通过缝隙侵入。  2、空气放电防护策略  绝缘与屏蔽设计:表面绝缘处理和电磁屏蔽。  减少耦合路径:缝隙和孔径控制,共模干扰抑制。外壳缝隙宽度<0.5mm(避免电弧穿透),或设计迷宫结构延长放电路径。散热孔采用蜂窝状结构,孔径<1mm并增加金属网屏蔽。信号线使用共模扼流圈(CMC),抑制高频辐射干扰。  软硬件协同防护:MCU程序增加看门狗(Watchdog)和状态自检,ESD触发后自动复位。关键数据存储采用ECC校验或双备份机制,防止数据篡改。  测试验证:预测试使用静电枪扫描设备表面,识别薄弱点,上海雷卯有静电浪涌测试实验室,可以提供免费测试验证。如有需求请联系AMEYA360。  四、总结:  总之,接触放电防护核心是“疏导”,通过低阻抗接地和瞬态抑制器件快速泄放能量。空气放电防护:核心是“隔离”,利用屏蔽和绝缘阻断电弧路径,减少耦合干扰。  总结实际生活中需结合两种策略:  1、金属外壳设备:接地+屏蔽层+接口TVS  2、塑料外壳设备:防静电涂层+内部屏蔽罩+共模扼流圈+TVS。  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2025-02-11 13:10 阅读量:490 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:耐压100v的车载以太网保护ESD
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发布时间:2025-02-07 14:22 阅读量:387 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:新能源汽车直流电源接口防浪涌保护方案
  上海雷卯EMC小哥经常接到客户:“ 我们新能源汽车DC24V电源口浪涌测试, DC/DC(或者LDO)烧了,但我在前面放了一颗大功率的TVS,为啥还会坏,请您帮分析下是什么原因 ?推荐一颗合适的防护器件”。这类问题常常困扰客户。  一、已放置大功率TVS为什么DC/DC(LDO)还会烧坏  一般直流电源入口是先防护再滤波,工程师都会在电源入口采用的方案是:  保险丝+防反接二极管+TVS+滤波+电源IC电压变换,  一颗大功率TVS(根据产品测试等级放置)做浪涌防护。  上面这一问题EMC小哥分析原因有如下几种:  (1)TVS 选型VC太高:尽管是大功率 TVS,但如果其钳位电压(Vc))过高,对后端电路的保护效果相对较差,无法有效保护 DC/DC(LDO)。比如新能源汽车常用的电路,VIN 为24V输入电压,DC/DC 模块 VIN 输入电压范围在 24-36V,最高电压36V, TVS 使用SMDJ26CA, 钳位电压在42.1V。这样超出了DC/DC输入电压范围,导致烧坏。如果改用下表5LM26CA,它的钳位电压30.3V, 满足后端DC/DC 输入范围要求。  (2)浪涌峰值功率大,超出了TVS 功率承受能力。比如上面电路 24V 要过4KV ,用SMDJ26CA 功率太低过不了,只有3KW。如果选用5LM26CA可以轻松通过4KV, 5LM26CA 功率为5KW。  (3)寄生电感和电容的影响:在实际电路中,存在寄生电感和电容,这可能导致 TVS 响应延迟,无法及时对过电压进行钳位,从而使 DC/DC(LDO)受到损害。  (4)电路布局不合理:比如 TVS 与被保护器件之间的走线过长,或者没有良好的接地和电源布线,都可能削弱 TVS 的保护效果。  二、上海雷卯低钳位电压(VC)TVS型号推荐  正因大量客户需求的强烈呼声,上海雷卯出于想帮客户解决问题发心,开发一系列低VC新品大功率TVS,主要型号包括:  600W的SMB封装26V 6LM26CA,33V, 6LM33CA;  3KW的包括SMC封装26V,3LM26CA,33V, 3LM33CA。  5KW的包括SMC封装 26V,5LM26CA,33V, 5LM33CA。  以上几款用于产品DC 12V,24V 电源浪涌防护。  这几个电压是客户需求量最多的,所以首先做开发。其它电压如果有需求也会持续开发。  上表中我们取同功率的3KW的3LM26CA,SMDJ26CA做比较,3LM26CA的Vc是28.10V, SMDJ26CA的Vc 是42.1V,低了十几V。  因此选择上海雷卯同功率带回扫TVS ,能更好的保护后端电源IC,解决了文章开头常常遇到的烧毁 LDO 和DC/DC 问题。  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2025-02-06 16:37 阅读量:530 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>为医疗智能健康戒指EMC保驾护航
  在 2025 年美国拉斯维加斯举办的 CES 展会上,智能穿戴产品中智能手表与手环的热度大不如前,而新兴的医疗智能戒指却凭借其轻便和人性化设计、创新的技术(如 Circular Ring 2 的 “数位尺寸” 技术、内置高精度 ECG 传感器及 FDA 批准的 “即时心脏律动监测” 功能,VIV Ring 的个性化睡眠辅助音频等)、丰富的功能(如睡眠追踪、压力测试、心率监测、连续血压追踪等)以及满足不同需求的特性(如 Ultrahuman Rare 兼具奢华外观与智能功能),吸引了众多观众的目光,成为展会的焦点,引发了广泛关注与热议。  医疗智能健康戒指不仅是你的健康助手,更是你的智能生活伴侣。它们通常通过蓝牙与智能手机连接,用户可以通过应用程序查看实时数据和历史记录。这种无缝连接使得健康管理变得更加便捷和个性化。未来,随着技术的进步,医疗智能健康戒指可能会集成更多的功能,如药物提醒、远程医疗咨询等,进一步提升用户体验。  主流医疗智能健康戒指品牌和功能  1.Oura Ring  Oura Ring 是医疗智能戒指领域的佼佼者,专注于健康监测。其关键技术包括:  · 体温监测:通过红外传感器持续监测体温变化。  · 心率监测:采用PPG(光电容积描记法)技术,实时追踪心率和心率变异性(HRV),提供精准的心血管健康数据。  · 睡眠分析:结合加速度计和心率数据,分析用户的睡眠阶段(浅睡、深睡、REM),帮助改善睡眠质量。  · 活动追踪:通过加速度计和陀螺仪监测步数、卡路里消耗和活动强度,适合日常健康管理。  根据用户反馈,Oura Ring 的睡眠分析准确率高达90%以上,深受健康爱好者青睐。  2.Circular Ring  Circular Ring 是一款功能多样的医疗智能戒指,其关键技术包括:  · 生物阻抗传感器:用于监测血氧水平(SpO2)和压力指数,帮助用户了解身体状态。  · 个性化健康建议:基于AI算法,提供睡眠、活动和压力管理的个性化建议。  · 通知提醒:通过振动提醒用户重要事项,提升生活效率。  3. Ultrahuman Ring Air  Ultrahuman Ring Air 以其多维度健康监测功能著称,关键技术包括:  · 多光谱传感器:支持心率、血氧、皮肤温度等多维度健康数据监测,提供全面的健康洞察。  · 代谢追踪:通过算法分析用户的代谢状态,提供个性化健康建议。  · 防水设计:适合全天候佩戴,满足用户多样化需求。  4.Motiv Ring  Motiv Ring 是一款专注于健身和健康监测的智能健康戒指,其关键技术包括:  · 心率监测:采用PPG技术,实时追踪心率,帮助用户了解运动状态。  · 活动追踪:通过三轴加速度计监测步数、距离和卡路里消耗,适合健身爱好者。  · 防水设计:支持游泳和日常防水,满足运动场景需求。  根据市场上已有的医疗智能健康戒指产品不难看出,除了健康监测,设备控制和 AR/VR 交互已经成为这类产品的主要应用场景,为用户提供沉浸式的互动体验;可以预见的是智能戒指的价值远不止于健康管理,可以通过集成空间交互、物联网等更多技术实现功能拓展,这些功能的综合应用或许将为智能戒指带来更大想象空间。  上海雷卯静电防护:为医疗智能健康戒指保驾护航  医疗智能健康戒指的精准健康监测依赖于稳定的电子元件性能,静电和浪涌可能对设备造成损害。上海雷卯电子提供体积小,功率大,电流大,电容低的静电防护元件,能够有效保护医疗智能健康戒指的核心部件,确保其在复杂环境中稳定运行。  雷卯电子专注于低漏电、小封装的静电浪涌防护方案,尤其适合医疗智能健康戒指等精密设备。其产品不仅性能优异,还能根据客户需求提供个性化定制服务。
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发布时间:2025-02-06 16:34 阅读量:500 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>:通过信号浪涌35V以上的HDMI、USB3.0接口保护ESD二极管
  在现代电子设备中,HDMI2.0接口已成为连接高清视频和音频信号的重要桥梁,而USB 3.0接口则成为高速数据传输和多功能连接的核心枢纽;然而,这些接口也容易受到静电放电(ESD)和浪涌电压的影响,可能导致设备损坏或性能下降。上海雷卯电子提供了一系列高性能的ESD保护器件,以确保HDMI、USB3.0等高速接口的安全性和可靠性。本文将重点介绍如何选择合适的ESD保护器件,特别是针对35V及以上浪涌电压的挑战。  为什么选择ULC3324P10LV?  ULC3324P10LV 是上海雷卯电子推荐的一款专为高速接口(如HDMI和USB 3.0)设计的多路回扫型ESD二极管阵列。它具有以下显著优势:  1.强大的浪涌保护能力:ULC3324P10LV能够承受高达14A(8/20µs)的浪涌电流,远超过35V浪涌电压的要求。  2.低钳位电压:在14A,tp=8/20us测试下的钳位电压VC仅为7V,这意味着它能够在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平,保护敏感元件不受损害,减少因过电压引起的电路故障风险,提高整个系统的可靠性。  3.低漏电流:漏电流仅为nA级别,能够实现更节能的设计。  4.极低的结电容:ULC3324P10LV的结电容为0.55pF(IO-GND),这对于高速数据线路(如HDMI、USB3.0)来说至关重要,因为它可以确保信号传输的完整性,不会影响通信质量。  5.符合最高ESD标准:ULC3324P10LV的ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2(4级)国际标准中的最高水平,能够有效保护HDMI、USB3.0接口免受高达30kV的接触放电和30kV的空气放电。  6.多路保护:单个器件可以保护四路数据线路,节省空间。  雷卯ULC3324P10LV规格书主要参数:  如何选择ESD保护器件?  在选择ESD保护器件时,需要考虑以下几个关键因素:  1. IEC 61000-4-2等级:选择符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护器件,确保其能够承受一定级别的ESD冲击。对于HDMI、USB3.0等高速接口,建议选择至少达到4级的器件。  2. 浪涌电流承受能力:根据应用场景可能遇到的浪涌电流大小,选择能够承受相应浪涌电流的ESD保护器件。对于35V浪涌电压的保护需求,建议选择能够承受10A及以上的器件。  3. 钳位电压:选择钳位电压低的ESD保护器件,以减少浪涌事件中的电压尖峰,保护敏感电路。对于HDMI、USB3.0接口,钳位电压应尽量低于15V,以确保信号完整性和设备安全。  4. 结电容:对于高速数据线路,选择结电容低的ESD保护器件,以避免影响信号传输质量。理想的结电容应低于1pF,以确保最小的信号干扰。  结论  上海雷卯电子的ULC3324P10LV是一款专门为HDMI、USB3.0等高速接口设计的高性能回扫型ESD保护器件,它不仅能够承受高达14A的浪涌电流,还具有低钳位电压和低结电容的特点,非常适合需要通过35V浪涌电压保护的HDMI、USB3.0等高速接口。通过选择合适的ESD保护器件,可以确保电子设备在面对静电放电和浪涌电压时的安全性和可靠性,从而提升产品的整体性能和用户体验。  关于Leiditech雷卯电子  Leiditech雷卯电子,是电磁兼容解决方案和元器件供应领先品牌,提供包括ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等多种产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2025-01-15 14:13 阅读量:578 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:汽车氛围灯静电浪涌的难点
  汽车氛围灯,顾名思义,是烘托车内氛围的照明灯,是汽车内饰情感化设计的一种体现。一般有暖色(红色等)和冷色系(蓝色、紫色等)两种,在夜晚开启后绚丽浪漫,可营造车内情调,使得旅途并不是那么的枯燥无味,让人们拥有独特的驾驶体验。  关于汽车氛围灯浪涌保护上海雷卯电子分析难点有以下几个方面:  1. 复杂的电气环境:汽车的电气系统较为复杂,存在各种干扰源,如点火系统、电机、电子设备等,这可能会对氛围灯的浪涌保护造成挑战。  2. 电压波动:汽车运行过程中,电源电压可能会出现较大的波动,例如启动引擎或电器设备开关时。这要求浪涌保护装置能够有效地应对这些电压变化,防止对氛围灯造成损害。  3. 多路负载:汽车氛围灯通常由多个灯条或灯泡组成,每个负载都需要单独保护。这增加了保护电路的复杂性和成本。  4.可靠性要求:汽车环境对电子设备的可靠性要求较高,浪涌保护装置必须能够在长期使用中稳定工作,不受温度、湿度和振动等因素的影响。  5. 电磁兼容性:氛围灯系统需要与其他电子设备共存,并且不能对车辆的无线通信系统(如蓝牙、GPS 等)产生干扰。因此,浪涌保护设计需要考虑电磁兼容性问题。  6. 标准和法规:汽车行业有严格的标准和法规,浪涌保护设计需要符合这些要求,以确保安全性和兼容性  7. 成本和尺寸限制:在汽车应用中,成本和尺寸通常是重要的考虑因素。浪涌保护装置需要在满足保护要求的同时,尽量减小尺寸和成本,如何来选择合适的器件满足车厂7637-2全套测试和抛负载要求,Lin线如何选型保护tvs?  虽然存在这些难点,但上海雷卯可以协助电子工程师采取一些措施来提高氛围灯浪涌保护的效果,比如上海雷卯可以帮助选择合适的浪涌保护器件、优化电路设计、进行严格的测试等。如果你正在进行相关设计或研究,建议与专业的上海雷卯EMC小哥进行深入讨论,以确保浪涌保护方案的有效性和可靠性。  以下是氛围灯静电浪涌保护方案供参考以下是某知名品牌LED驱动器汽车产品系列 ,在驱动器电源供电处建议加ESD二极管,以对驱动芯片做静电浪涌保护。  2. 此方案是车规类电容触控SoC芯片TCAE11,用于实现智能按键或滑条等功能,适用于车内阅读灯,氛围灯,中控,空调控制,方向盘,门把手等各类应用场景。此方案里电源输入端也需要放置ESD二极管 ,保护后端SoC 芯片及氛围灯的控制安全。  ESD 二极管选型  供电线选型优势:封装小,适合车内狭小安装空间。防浪涌电流IPP大,防静电高±30kV(air),±30kV(contact)。  Lin线保护优先选择18/24不对称电压的ESD二极管PESD1LIN,也可选择大功率的24V双向器件。
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发布时间:2025-01-10 15:46 阅读量:542 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号ULC0502P3H参数对比
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:功率MOSFET选型的几点经验
  在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。  由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。不正之处,希望大家不吝指正。  功率MOSFET的分类及优缺点  和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势(请查阅资料,不详述),但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧,看来理论总是跟实际有差距的,哈哈)  MOSFET是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。  言归正传,下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型  一、我的应用该选择哪种类型的MOSFET?  前面说了,实际应用主要使用增强型功率MOSFET,但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然!  负载(Load)的连接方式决定了所选MOSFET的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用P沟道MOSFET;当负载连接电源电压时,选择N沟道MOSFET。  二、确定额定电压与额定电流  选好MOSFET的类型后,接下来要做的是确定在你的设计中,漏极和源级间可能承受的最大电压,即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化,这是我们工程师在设计时必须考虑到的,必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。  接下来,说点实际的:  MOSFET在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自VCC端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律),承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
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发布时间:2025-01-03 13:56 阅读量:606 继续阅读>>

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