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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器<span style='color:red'>电源</span>系统

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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)：针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。

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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：204 继续阅读>>

意法半导体65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的<span style='color:red'>电源</span>方案

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意法半导体65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的电源方案

　　意法半导体的VIPerGaN65D反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和USB-PD(电力输送)快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。　　这款准谐振离线变换器集成一个700V GaN(氮化镓)晶体管和优化的栅极驱动器及典型的安全保护功能，降低了利用宽带隙技术提高功率密度和能效的技术门槛。GaN功率晶体管的最高开关频率为240kHz，开关损耗极小，可以搭配使用小体积的反激式变压器和无源元件，以及价格低廉的小电路板。　　VIPerGaN65D采用较传统的SO16n窄体封装，而VIPerGaN系列其他成员则采用5mmx6mm DFN封装。　　该变换器采用零电压开关技术，可以调整谷底同步延迟，确保GaN晶体管导通时间始终是在漏极谐振谷底。该转换器还具有动态消隐时间功能，在输入电压上升时可保持能效，并自适应任何线路和负载条件，以最大限度地提高整体能效。此外，在输入电压范围内，前馈补偿可最大限度地减少输入峰值功率变化。　　VIPerGaN65D的极限电流为3.5A，当设计采用85V至265V的通用输入电压时，变换器最大输出功率可达65W，如果把输入电压提高到185V-265V，最大额定输出功率可达85W。待机功率不到30mW，符合最新国际能效标准的要求。　　VIPerGaN65D可用于设计小巧又便宜的快速充电器和适配器，并可用作洗衣机、洗碗机、咖啡机、电视机、机顶盒、数码相机、便携式音频播放器、无线剃须刀等设备的辅助电源。它还用于台式电脑和服务器、楼宇和家庭自动化设备、电表、家用和建筑照明以及空调的辅助电源。　　VIPerGaN65D集成了一个SENSEFET晶体管(电流检测功率MOSFET)，为优化能效和触发系统安全保护机制提供精确的电流检测功能，最大限度减少物料清单成本。内置安全功能包括过流保护、输出过压保护、输入电压前馈补偿、输入高压/欠压保护、输入过压保护、输出过载保护、输出短路保护和热关断。所有安全保护功能均具有自动重启功能，变换器还采用频率抖动技术抑制EMI干扰。　　参考设计EVLVIPGAN65DF有助于加速基于VIPerGaN65D的电源项目的开发进度。EVLVIPGAN65DF电路板集成变换器芯片、副边同步整流电路和意法半导体的SRK1001自适应控制器，为开发者提供一个24V、65W的电源，并配备完善的安全保护功能，峰值能效大于93%。　　VIPerGaN65D现已上市，采用SOIC16窄体封装，可联系AMEYA360的销售代表垂询。

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发布时间：2025-04-01 09:28 阅读量：232 继续阅读>>

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意法半导体推出高效的1A降压转换器为智能电表、家电和工业电源转换器提供低电压电源

　　意法半导体新款微型单片降压转换器DCP3601集成大量的功能，具有更高的设计灵活性，可以简化应用设计，降低物料清单成本。这款芯片内置功率开关与补偿电路，构建完整的输出电压设置电路，仅需电感器、自举电容、滤波电容、反馈电阻等6个外部元件。　　3.3V至36V宽输入电压范围，1A输出电流，DCP3601可以在智能电表、家用电器及24V工业总线转换器等设备内给低压负载供电。同步整流技术与1MHz固定开关频率让转换器在负载范围内各种工况下保持优异的能效，在12V输入电流，5V 600mA输出电流时，转换效率达到91%。　　设计灵活性来自于丰富的产品选型，低噪款产品为噪声敏感应用提供PWM强制模式，低功耗版在轻载时可以自动进入脉冲跳跃模式，以优化功耗，这两个产品型号都有频率抖动技术，以降低开关频率在1MHz时的噪声功率。全系产品的静态电流都很低，仅110μA，并配备使能引脚，可以用专用信号关断转换器，进一步提高节能效果。　　STEVAL-3601CV1评估板可以快速启动DCP3601应用开发项目，具有螺栓式连接器和排针接口，开箱机用，采用紧凑、高效的电路设计。　　DCP3601是新系列降压转换器芯片的首发产品，今年还会推出后续产品。DCP3601被纳入意法半导体10年长期供货计划，客户将获得长期供货和技术支持保障。这款单片降压转换器采用3mm×1.6mm SOT23 6引脚封装。

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发布时间：2025-04-01 09:26 阅读量：197 继续阅读>>

淘汰纽扣电池：永铭SDV超级电容引领RTC备用<span style='color:red'>电源</span>新趋势

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淘汰纽扣电池：永铭SDV超级电容引领RTC备用电源新趋势

　　RTC被称为“时钟芯片”，用于记录和跟踪时间。它的中断功能够定时唤醒网络中的设备，使设备的其他模块在大部分时间可以休眠，从而大大降低设备的整体功耗。　　由于设备时间不能有任何的偏差，因此RTC时钟供电的应用场景也越来也多，被广泛应用于安防监控、工业设备、智能仪表、摄像头、3C产品等领域。　　RTC备用电源更优方案 · 贴片型超级电容　　RTC处于不间断的工作状态，为保证RTC在断电或者其他异常情况下依然能够正常工作，需要备用电源(电池/电容)来提供稳定的供电。因此，备用电源的性能就直接决定了RTC是否能够稳定、可靠的运行。如何让RTC模块实现低功耗、长寿命，其中搭载的备用电源在里面扮演了重要的角色。　　当前市面上RTC时钟芯片的备用电源主要以CR纽扣电池为主。然而，CR纽扣电池存在电量耗尽后未能及时更换，常常影响客户整机的使用体验的情况。为解决这一痛点，永铭电子深入研究RTC时钟芯片相关应用的实际需求，提供更优异的备用电源解决方案——SDV贴片型超级电容器。　　SDV贴片型超级电容器 · 应用优势　　SDV系列　　·耐高温、耐低温　　SDV贴片超级电容具备优异的温度适应性，工作温度范围宽至-25℃~70℃，无惧极寒或极热等恶劣环境条件，始终稳定运行，确保设备可靠性。　　· 免更换、免维护　　CR纽扣电池电量耗尽后需更换，不仅更换不变，还常导致时钟丢失记忆，设备重启时时钟数据出现混乱。针对这一问题，SDV贴片型超级电容具备超长循环寿命特点(10~50万次以上)，实现免更换、终身免维护，有效保障数据持续可靠存储，提升客户整机使用体验。　　· 绿色环保：SDV贴片型超级电容能够替代CR纽扣电池，直接集成于RTC时钟方案中，随整机出厂，无需额外搭配电池。这不仅减少了电池使用带来的环境负担，还优化了生产和物流流程，为绿色可持续发展贡献力量。　　· 制造自动化：区别于需要人工焊接的CR纽扣电池和常规超级电容，贴片型超级电容支持全自动贴装，可直接进入回流焊工序，大幅提升生产效率，同时降低人工成本，助力制造自动化升级。　　总结　　目前，进口414纽扣电容仅有韩资、日资能够生产，受制于进口限制，国产化需求迫在眉睫。永铭贴片型超级电容是守护RTC的更优选择，取代国际高端同行，成为RTC主流搭载电容。

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发布时间：2025-03-31 13:39 阅读量：190 继续阅读>>

工程师如何处理开关<span style='color:red'>电源</span>的磁芯损耗？

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工程师如何处理开关电源的磁芯损耗？

　　在开关电源设计中，总会碰见各种各样的损耗，其中之一是磁芯损耗，由磁滞损耗和涡流损耗组成，难以直接估测，需要精确计算与合理选择磁芯材料来控制。　　1知晓磁芯损坏的组成　　磁滞损耗：与磁芯偶极子重新排列相关，正比于频率和磁通密度。　　涡流损耗：由交变磁通在磁芯中产生的局部电流导致，表现为I²R损耗。　　2选择合适的磁芯材料　　优先选用低损耗磁芯：如铁镍钼磁粉芯(MPP)，其损耗低于其他常见铁粉磁芯。　　权衡成本与性能：虽然铁粉芯成本较低，但磁芯损耗较大，需根据具体应用需求选择。　　3精确计算磁芯损耗　　确定峰值磁通密度：利用公式B = (L * ΔI) / (N * A)，其中L为电感，ΔI为电感纹波电流峰峰值，A为磁芯横截面积，N为线圈匝数。　　查阅磁芯损耗曲线：根据磁芯制造商提供的磁通密度与磁芯损耗(和频率)图表，估算磁芯损耗。　　4利用专业工具辅助设计　　下载并使用制造商提供的计算软件：如某公司的在线电感磁芯损耗和铜耗计算公式，快速准确估算损耗。　　模拟与验证：通过仿真软件模拟不同磁芯与电感参数下的损耗情况，进行验证与优化。　　5实时热管理措施　　设计有效的散热路径：确保磁芯及其周边组件的热能能够高效散出。　　监控温度：在实际应用中，通过温度传感器监控磁芯温度，及时调整设计或增加散热措施。　　6持续优化与迭代　　收集应用数：在实际应用中收集磁芯损耗与温度数据，分析损耗来源。　　迭代设计：根据数据分析结果，调整磁芯材料、电感参数或散热设计，持续降低磁芯损耗。

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开关电源

发布时间：2025-03-28 14:43 阅读量：210 继续阅读>>

海凌科：ACDC隔离<span style='color:red'>电源</span><span style='color:red'>电源</span>模块HLK-20Mxx系列转换效率85%

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海凌科：ACDC隔离电源电源模块HLK-20Mxx系列转换效率85%

　　HLK-20Mxx系列是海凌科专为空间受限场景设计的超薄型AC/DC电源模块，以19×32×10mm的超小体积，较传统方案大幅度缩小体积，集全球通用输入、高效节能与工业级可靠性于一体，性价比高，应用广泛。　　一、产品介绍　　HLK-20Mxx系列ACDC电源模块，体积小巧，产品输出功率为20W，共有5款产品，用户可根据需求自行选择输出电压/电流范围。　　二、产品特点　　— 超薄型、小型、业内最小体积　　— 全球通用输入电压(85~265Vac)　　— 低功耗、绿色环保、空载损耗<0.1W　　— 低纹波、低噪声　　— 良好的输出短路和过流保护并可自恢复　　— 高效率、功率密度大　　— 输入输出隔离耐压 3000Vac　　— 100% 满载老化和测试　　— 高可靠性、长寿命设计，连续工作时间大于 100000 小时　　— 满足 UL、CE 要求;产品设计满足 EMC 及安规测试要求　　— 采用高品质环保防水导热胶灌封，防潮、防振，满足防水防尘 IP65 标准　　— 经济的解决方案、性价比高　　— 无需外接电路即可工作　　— 1 年质量保质期　　三、应用场景　　HLK-20Mxx系列ACDC电源模块，体积小巧，转换效率高达85%，具备高可靠性、高稳定性等特点，可广泛用于智能家居、自动化控制、通讯设备、仪器仪表等行业中。

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发布时间：2025-03-25 14:08 阅读量：229 继续阅读>>

森国科：650V/6A IGBT为家电领域带来更高性价比的<span style='color:red'>电源</span>管理方案

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森国科：650V/6A IGBT为家电领域带来更高性价比的电源管理方案

　　森国科推出的650V/6A IGBT(型号：KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。　　在风扇中，IGBT的场截止沟槽技术能够提供更低的传导损耗和开关损耗，提高整体系统效率并减少能耗;　　在泵中，IGBT的低损耗特性有助于减少发热量，有效简化散热设计;　　在吸尘器中，650V IGBT的高速开关特性使其适用于吸尘器中的电机控制，能够快速响应不同的清洁需求，同时保持较低的功耗。因此，在电源管理解决方案，IGBT产品有着不可替代的优势。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　短路耐受时间超过10 μs易于并联使用VCE(sat)正温度系数高效电机驱动高鲁棒性　　竞争优势　　高频开关能力　　优异的热管理能力广泛的应用领域　　应用领域　　电机驱动器　　家用电器风扇、泵、真空吸尘器　　最大额定数值

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发布时间：2025-03-24 14:19 阅读量：311 继续阅读>>

江西萨瑞微电子助力智能生活：<span style='color:red'>电源</span>适配器产品应用方案

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江西萨瑞微电子助力智能生活：电源适配器产品应用方案

　　一、电源适配器产品的应用方案　　800V-1000V整流桥　　电源适配器是一种将交流电(AC)转换为直流电(DC)的电子设备，用于为低电压电子设备供电或充电。它通常由插头、变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等组成，常见于手机充电器、笔记本电脑电源、路由器等设备中。在电源适配器设计中，整流桥作为交流转直流的核心器件，其耐压能力、效率及可靠性直接影响系统性能。尤其在输入电压波动大、功率密度要求高的场景中，800V-1000V高耐压整流桥成为关键选择。　　痛点：市电输入波动大，需高可靠性整流方案。　　方案：采用萨瑞微电子ABS208(0.8A/1000V)，VF仅1.1V@0.4A，降低功耗;ABS封装节省布局空间，通过2×过压测试，故障率下降80%。　　5G基站1kW电源整流优化　　技术亮点：萨瑞微电子GBU1010整流桥(10A/1000V)搭配AHB架构，浪涌电流220A，效率提升至93%，支持-55℃~150℃宽温运行。　　超薄手机快充适配器　　成果：萨瑞微电子ABS208(2A/800V)贴片整流桥，厚度1.4mm，助力65W GaN快充体积缩小40%，空载功耗<75mW。　　二极管推荐　　在电源适配器中，二极管作为基础但关键的元器件，承担着整流、续流、稳压、保护等多重功能。其性能直接影响电源效率、可靠性及成本。　　65W氮化镓快充适配器　　次级侧采用萨瑞微电子RS2MB肖特基二极管(5A/40V，VF=0.5V)，结合GaN主控芯片，整机效率达94%，体积缩小40%。　　工业级24V/10A电源模块　　PFC级使用萨瑞微电子RS5MB快恢复二极管(8A/600V，trr=35ns)，效率提升至96%，通过-40℃~85℃高低温测试。　　医疗隔离电源漏电流优化　　技术亮点：萨瑞微电子1N4148WS双二极管(100V/200mA)构建全波整流，漏电流<0.5μA。　　高频开关MOS推荐　　电源适配器的核心开关器件直接影响效率、功率密度与可靠性。随着第三代半导体技术的普及，MOS管从传统硅基器件向超结(SJ)MOS、碳化硅(SiC)MOS演进，形成多层次技术方案。　　1、高频开关650V硅基MOS：消费电子的性价比之选　　快充适配器(20-65W)　　反激拓扑主开关管，搭配同步整流控制器(如MP6907)，效率达90%以上58。　　典型型号：萨瑞微电子SP4N65T5(650V/5A)，适配24W-36W设计，兼容PD/QC快充协议。　　2、超结MOS(600V/650V/800V)：中高功率适配器的效率升级　　中大功率适配器(60-200W)　　600V SJ-MOS：适用于输入电压稳定的场景(如48W适配器)，典型型号萨瑞微电子SJ5K6N65T5(650V/8A)，效率达93%。　　800V SJ-MOS：用于电网波动大的地区(如东南亚)，搭配主动PFC电路，支持1kW输出。　　采用双管正激拓扑，800V SJ-MOS(如萨瑞微电子SJ1K5N80T7)实现低导通损耗，温升<50℃　　3、碳化硅(SiC)MOS：高频高压场景的革命性突破　　650V SiC MOS：高频高效快充与服务器电源　　氮化镓(GaN)+SiC组合：65W快充适配器中，SiC MOS作为同步整流管，效率突破95%，体积缩小40%。典型型号：萨瑞微电子SC600N065T5(650V/60mΩ)，支持500kHz开关频率。　　1200V/1700V SiC MOS：新能源与工业高端应用　　光伏逆变器：1200V SiC MOS用于DC-AC级，效率>98%，功率密度提升3倍。　　电动汽车充电桩：1700V SiC模块支持350kW超充，温升较硅基IGBT降低40%。　　从650V硅基MOS到1700V SiC器件，电源适配器的开关方案需根据功率、效率、成本多维平衡。超结MOS在中高功率场景性价比突出，而SiC MOS正重塑高端市场格局。精准选型与驱动设计，是释放器件潜力的关键。　　同步整流MOS管推荐　　消费电子快充适配器(65W GaN方案)　　需求：小型化、高效率(>95%)、兼容USB PD 3.1。　　次级侧采用萨瑞微电子SG80N06PS肖特基MOS管(4A/60V，Rds(on)=8mΩ)，搭配GaN主控芯片。　　驱动电路集成负压关断功能，开关频率500kHz，整机效率达94%。　　辅助电源LDO推荐　　在电源适配器中，LDO可以用作辅助电源，为控制电路、指示灯、传感器等提供稳定的低电压供电。例如，在一个AC/DC适配器中，可以使用LDO将主输出的较高电压(如5V或12V)转换为3.3V或1.8V，以供给微控制器或其他数字电路。　　LDO适合用于低功耗设备的供电，其输出电流通常在几十毫安到几百毫安之间。对于一些低功耗应用(如传感器或RF模块)，LDO可以有效地提供所需的电源。　　苹果 iPhone 充电适配器　　苹果 iPhone 充电适配器采用了先进的负载开关 MOS 管技术。在充电过程中，通过 MOS 管精确控制充电电流和电压，实现了安全、高效的充电。例如，在 iPhone 支持的快速充电模式下，MOS 管能够快速响应并稳定输出大电流，同时保证充电过程的安全性。　　当检测到充电异常(如过流、过压)时，MOS 管会迅速关断，保护手机电池和内部电路。此外，苹果还通过优化 MOS 管的控制算法，提高了充电效率，减少了充电过程中的能量损耗。　　戴尔笔记本电脑电源适配器　　戴尔笔记本电脑电源适配器使用负载开关 MOS 管来实现电源的智能控制。当笔记本电脑处于不同的工作状态(如开机、睡眠、关机)时，MOS 管能够根据系统的控制信号准确地导通或关断，实现了电源的高效管理。　　小米智能摄像头电源适配器　　小米智能摄像头电源适配器运用负载开关 MOS 管实现了远程控制开关功能。用户可以通过小米智能家居 APP 远程打开或关闭摄像头的电源，方便快捷。　　在保护措施方面，电源适配器具备过流、过压和过温保护功能。当摄像头出现异常情况时，MOS 管会自动切断电源，确保设备的安全运行。此外，小米还采用了低功耗的 MOS 管，降低了摄像头在待机状态下的功耗。　　结论　　电源适配器的选型与设计需综合考虑效率、成本及场景化需求。通过精准的驱动优化与可靠性设计，可显著提升电源适配器性能，满足从消费电子到工业设备的多维需求。

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发布时间：2025-03-20 10:40 阅读量：236 继续阅读>>

海凌科：50W氮化镓ACDC<span style='color:red'>电源</span>模块HLK-50MxxC

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海凌科：50W氮化镓ACDC电源模块HLK-50MxxC

　　50W ACDC氮化镓电源模块HLK-50MxxC系列体积小巧，转换效率高达87%，具备全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点，应用简单。　　产品介绍　　HLK-50MxxC系列ACDC氮化镓模块间具小体积和产品输出功率为50W，共有6款产品，用户可根据需求自行选择输出电压/电流范围。　　产品特点　　1. 超薄型、小型、业内最小体积　　2. 全球通用输入电压(100~240Vac)　　3. 低功耗、绿色环保、空载损耗<0.21W　　4. 低纹波、低噪声　　5. 良好的输出短路和过流保护并可自恢复　　6. 高效率、功率密度大　　7. 输入输出隔离耐压 3000Vac　　8. 100% 满载老化和测试　　9. 高可靠性、长寿命设计，连续工作时间大于 100000 小时　　10. 满足 UL、CCC、CE 要求;产品设计满足 EMI/EMC 及安规测试要求　　11. 采用高品质环保防水导热胶灌封，防潮、防振，满足防水防尘 IP65 标准　　12. 经济的解决方案、性价比高　　13. 无需外接电路即可工作　　14. 1 年质量保质期　　应用场景　　海凌科电子的HLK-50MxxC系列50W ACDC氮化镓电源模块凭借其小体积、高效率、高可靠性等特性，能够满足多种场景对高性能电源解决方案的需求。　　1. 消费电子与智能设备　　应用场景：智能音箱、路由器、智能家居控制中心、便携式设备、充电底座等。　　2. 工业自动化与工控设备　　应用场景：PLC控制系统、工业传感器、电机驱动器、HMI人机界面、自动化产线设备等。　　3. 通信与网络设备　　应用场景：5G基站模块、光猫、交换机、PoE供电设备、网络监控终端等。　　4. 医疗电子设备　　应用场景：便携式医疗仪器(如血糖仪、血压计)、医疗监护设备、小型诊疗工具等。　　5. 智能照明与LED驱动　　应用场景：智能LED灯具、户外景观照明、舞台灯光系统等。　　6. 新能源与储能系统　　应用场景：光伏逆变器辅助电源、储能电池管理系统(BMS)、电动汽车充电桩控制模块等。　　7. 安防与监控系统　　应用场景：IP摄像头、门禁系统、智能门锁、消防报警设备等。

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海凌科

发布时间：2025-03-20 09:06 阅读量：234 继续阅读>>

英飞凌推出符合高标准汽车应用要求的新型OPTIREG™ TLF35585<span style='color:red'>电源</span>管理芯片

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英飞凌推出符合高标准汽车应用要求的新型OPTIREG™ TLF35585电源管理芯片

　　OPTIREG™电源管理芯片(PMIC)产品组合可实现高效电压调节，提供了带有直流-直流(DC/DC)和线性稳压器以及跟踪器的前置和后置稳压器架构。除供电外，该系列还集成了额外的监控和控制功能，支持客户开发用于安全相关应用的汽车ECU。为了进一步支持开发人员，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)持续扩大 OPTIREG™ PMIC系列的产品组合，推出了符合高标准汽车系统要求的集成式多轨电源解决方案OPTIREG™ PMIC TLF35585。TLF35585能够为 AURIX™和其他微控制器(MCU)提供可靠的供电，满足更高功能安全要求，从而实现稳健的系统。因此，这款新型电源解决方案适用于严苛汽车环境中的功能安全应用，尤其是在底盘、动力总成、域控和传动领域。　　TLF35585 PMIC包含一个升压降压预调节器，可为微控制器电源、通信电源和精确电压基准提供后置稳压电压轨。。它还带有两个跟踪器，跟踪参考电压，以向板外传感器供电。TLF35585的主要监控功能有可配置的窗口看门狗(时间触发器)、功能看门狗(问题和响应触发器)、错误引脚监控和电压监控器。为了与MCU进行交互，这款PMIC还提供16位 SPI、中断和复位功能。该产品达到ISO 26262最高系统安全级别ASIL D，并且结温范围扩展到最高175°C。其宽开关频率范围可提高效率，并支持小型滤波器元件的使用。此外，该IC还集成了灵活的状态机、带有定时器的唤醒功能和待机稳压器，因此用途广泛。OPTIREG™ PMIC TLF35585采用小型VQFN-48封装或TQFP-48封装，这两种封装均为热增强型封装，并且完全达到 AEC-Q100标准(0 级)。

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英飞凌

发布时间：2025-03-19 14:39 阅读量：234 继续阅读>>

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CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
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MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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