全球首条超宽禁带半导体高频滤波<span style='color:red'>芯片生产</span>线即将试生产
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全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产

　　近日，全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产，标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破，对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。　　该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设，总投资16.8亿元，占地136亩，专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV)，具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用，将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题，填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。　　晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域，拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜，避免了昂贵铱坩埚的使用，将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主，还为芯片量产奠定了成本优势。　　高频滤波器是5G通信中的核心器件，直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，将打破海外企业在这一领域的垄断，推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。　　当前，全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料，有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先，摆脱对传统硅基芯片的依赖。　　随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权，推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。　　全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产，是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功，不仅将填补国内技术空白，还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来，随着技术的不断成熟和产业链的完善，中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。
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发布时间：2025-06-18 11:51 阅读量：553 继续阅读>>
德州仪器计划大规模将GaN<span style='color:red'>芯片生产</span>由6英寸转换成8英寸
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德州仪器计划大规模将GaN芯片生产由6英寸转换成8英寸

　　据韩媒报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。　　报导指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正在达拉斯和日本会津准备兴建8英寸晶圆厂，这将使其能够提供更具价格竞争力的GaN芯片。　　JeromeShin指出，人们普遍认为GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂贵，但这种看法自2022年以来发生了转变。因为德州仪器正在将其生产由6英寸晶圆厂转换为8英寸晶圆厂，而生产更大的晶圆代表着每个晶圆上都有更多的芯片，这可以提高公司的生产力，也使量产的GaN芯片价格能更加便宜。　　而现阶段，GaN芯片的价格已经低于SiC芯片。未来，德州仪器在达拉斯和日本会津工厂的改造完成后，将能够进一步能够提供更便宜的解决方案。达拉斯工厂的扩产预计将于2025年完成，不过JeromeShin并未透露日本会津工厂的时间表。　　不过，有市场人士表示，德州仪器这样的计划可能会导致GaN芯片价格全面下跌。目前，德州仪器也正在将电源管理芯片的生产从8英寸晶圆厂转变为12英寸晶圆。这动作也已经使产业间的电源管理芯片价格下跌。不过，将电源管理芯片的生产从8英寸晶圆厂转变为12英寸晶圆这可使得德州仪器节省10%以上的成本。
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发布时间：2024-03-22 15:41 阅读量：957 继续阅读>>
台积电预计2030年实现1纳米制程<span style='color:red'>芯片生产</span>
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台积电预计2030年实现1纳米制程芯片生产

　　台积电日前在2023年IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发布进军至1nm制程的产品规划蓝图，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。　　根据规划，台积电将并行推动3D封装和单芯片封装的技术路径的发展。预计在2025年，台积电将完成N2和N2P节点，使得采用3D封装的芯片晶体管数量超过5000亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量超过1000亿个。　　台积电计划在2027年达到A14节点，并在2030年达到A10节点，即1nm制程芯片。届时，采用台积电3D封装技术的芯片晶体管数量将超过1万亿个，而采用传统封装技术的芯片晶体管数量将超过2000亿个。　　据悉，台积电将使用EUV极紫外光刻、新通道材料、金属氧化物ESL、自对齐线弹性空间、低损伤低硬化低K铜材料填充等等一系列新材料、新技术，并结合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封装技术。　　台积电在会议上还透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。　　尽管台积电的发展速度有所放缓，但其在半导体代工领域的竞争对手，如三星等公司，仍在不断努力追赶台积电在先进制程领域的领先地位。今年六月，三星代工公布了其最新的工艺技术发展路线图，计划在2025年推出2纳米制程的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米制程的SF1.4工艺。如果这些计划能够如期实现，三星有可能在与台积电相似的时间节点上实现类似的先进工艺水平。
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发布时间：2023-12-29 14:52 阅读量：1834 继续阅读>>
缺芯将致美汽车减产130万辆，英特尔启动汽车<span style='color:red'>芯片生产</span>计划！
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缺芯将致美汽车减产130万辆，英特尔启动汽车芯片生产计划！

全球汽车产业缺“芯”危机仍在扩大。数据研究公司IHS Markit表示，美国德克萨斯州今年2月遭受冬季风暴侵袭，加上全球晶片供应短缺，预料导致汽车制造商首季度产量大幅减少约130万辆。在此背景下，当地时间12日，美国白宫将就芯片短缺问题举行线上峰会。据白宫透露，参加者包括谷歌母公司Alphabet、戴尔、惠普、三星、AT&T、英特尔和通用汽车等近20家公司的首席执行官，以及多个关键部门的政府官员。其中美国三大汽车制造商——通用、福特和克莱斯勒的出席，说明当下美汽车行业正积极寻求政府帮助，以采取行动解决芯片危机。在当天峰会上，芯片巨头英特尔在重返晶圆代工业务之际，该公司执行长格尔辛格(Pat Gelsinger)透露，英特尔正开始商谈为汽车制造商生产车用芯片，缓解通用、福特等车厂闲置问题。据路透社报道，英特尔正在与汽车芯片供应商进行谈判，即在英特尔的工厂生产车用芯片事宜，目标6到9个月内生产芯片。格尔辛格表示：“我们希望可以缓解问题，且不需要三到四年的设厂，但可能需要六个月的时间，新产品就可以通过现有的一些流程认证……我们已经开始与一些关键零部件供应商展开合作。”不过，格尔辛格没有透露部件供应商的名字，但表示工作可以在英特尔在俄勒冈州、亚利桑那州、新墨西哥州、以色列或爱尔兰的工厂进行。截至4月初，美国三大车企均有生产线因“缺芯”而不同程度停产，部分日本车企的北美工厂也受到冲击。早前有报道称，美国汽车行业组织——汽车创新联盟曾敦促美国政府提供帮助，并警告称全球半导体短缺可能导致今年汽车产量减少128万辆，并将在未来6个月中断生产。据悉，这一组织里涵盖了几乎所有在美国设有工厂的主要汽车制造商，包括通用、福特、大众、丰田和现代汽车。可以说这一“敦促”是全美汽车工厂的统一心声。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-04-13 00:00 阅读量：1848 继续阅读>>
英特尔与三星确有商讨<span style='color:red'>芯片生产</span>，但只是低端芯片代工？
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英特尔与三星确有商讨芯片生产，但只是低端芯片代工？

　　据Tom's Hardware报道，消息人士指出，英特尔的确与三星在芯片生产方面有过商讨，但讨论的只是较为低端的芯片组代工，具体使用的工艺还未对外透露。　　近日，据Sedialy报道，为了缓解CPU缺货的尴尬，英特尔已经与三星开启有关CPU代工的首次商讨。报道称，目前三星已经正式同意使用14nm工艺为英特尔代工“Rocket Lake”微架构CPU，该微处理器将于2021年发布。　　消息人士指出，英特尔和三星正在谈判中，但谈判的中心是更低端的产品，很可能是更容易外包的芯片组。鉴于英特尔去年因为14 nm产能不足而将芯片组重新使用22nm工艺生产，很有可能三星会使用22nm工艺为英特尔代工芯片组产品。　　值得一提的是，英特尔14nm++工艺的晶体管密度要比三星和台积电的14nm都要高。　　英特尔每个处理器生产一个芯片组，因此小型芯片占据了该公司晶圆输出和封装及测试容量的很大一部分，因此将芯片组生产外包到三星将是一个很不错的选择。这种方法还能使英特尔能够将自己的生产能力集中在高利润产品上。另外，将芯片组外包到韩国三星厂还能避开中美贸易战中提高的关税。　　2017年12月，英特尔曾公开表示愿意在未来使用第三方代工厂：“除了扩展英特尔自己的制造能力之外，我们将继续选择性地使用代工厂用于某些对业务有意义的技术。近二十年来，代工厂的使用一直是英特尔的惯例”。在上个月的投资者会议上，英特尔又重申了这一信息。
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发布时间：2019-06-21 00:00 阅读量：2194 继续阅读>>

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