近日,全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产,标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破,对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。
该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设,总投资16.8亿元,占地136亩,专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料,其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV),具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用,将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题,填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。
晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域,拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜,避免了昂贵铱坩埚的使用,将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主,还为芯片量产奠定了成本优势。
高频滤波器是5G通信中的核心器件,直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产,将打破海外企业在这一领域的垄断,推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。
当前,全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料,有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先,摆脱对传统硅基芯片的依赖。
随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产,中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权,推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。
全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产,是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功,不仅将填补国内技术空白,还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来,随着技术的不断成熟和产业链的完善,中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。
Previous:杰华特车规级产品再次入选《国产车规芯片可靠性分级目录(2025)》
Next:拓姆菲球阀的原理、作用和使用注意事项
Online messageinquiry
model | brand | Quote |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
Qr code of ameya360 official account
Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to
Please enter the verification code in the image below: