过流<span style='color:red'>保护电路</span>的工作原理是什么?
  过流保护电路是一种用于防止电路或设备因电流超过设定范围而受到损坏的关键电路。它广泛应用于电源、电机驱动、电子设备等场合,确保系统的安全稳定运行。那么,过流保护电路的工作原理是什么?  一、过流保护的必要性  电路中的电流如果超过设计允许的最大值,可能引发电路元件发热、烧毁甚至引起安全隐患。例如电源输出短路或负载异常时,电流会突然增大,损坏整机或引发火灾。因此,设计过流保护电路对于保障设备安全和延长使用寿命至关重要。  二、过流保护电路的基本原理  过流保护电路的核心思想是实时监测电流大小,当检测到电流超过设定阈值时,立即采取措施限制或切断电流,防止持续高电流带来的损害。其工作过程主要包括以下几个步骤:  电流检测  通过电流传感器(如分流电阻、电流互感器、霍尔传感器等)测量电路中的电流大小,转换成电压信号或数字信号。  比较与判断  将检测信号与预设的过流阈值进行比较,使用比较放大器、运算放大器或微控制器内部的ADC模块判断电流是否超限。  保护动作  当电流超过设定阈值时,触发控制电路动作,例如关闭开关元件(继电器、晶闸管、场效应管等),限制电流或断开电路。  恢复机制  有的过流保护电路设计有自动复位功能,当电流恢复正常后,保护电路自动解除;也有手动复位方式,需要人工介入才能重新启动。  三、常见过流保护电路类型  1. 电阻检测法  利用小阻值分流电阻测量电流,电阻两端电压与电流成正比,通过比较电压实现过流判断。结构简单,成本低,但测量有功耗。  2. 霍尔传感器法  利用霍尔效应传感器非接触测量电流,具有电气隔离优势,适合高电流和高电压场合,但成本较高。  3. 集成保护芯片  一些专用集成电路内置过流检测与限流功能,集成度高,方便工程设计。  4. 控制器软件检测  在数字控制系统中,通过微控制器采样电流信号并软件判断,实现灵活的过流保护逻辑。  过流保护电路通过准确检测电流并在异常情况下迅速切断或限制电流,从而保护设备安全。不同应用场景下,设计者可根据需求选择合适的检测方式和保护电路,实现有效的过流保护功能。
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发布时间:2026-05-11 10:08 阅读量:474 继续阅读>>
上海雷卯电子:常用防反接<span style='color:red'>保护电路</span>及功耗计算
  采用电池是最方便干净的电源,为电子电路提供电压。还有许多其他方法,为电子设备供电,如适配器,太阳能电池等,但最常见的直流电源是电池。通常,所有设备都带有防反接保护电路,但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护,那么在更换电池时始终必须小心,否则它可能会炸毁设备。  因此,在这种情况下,防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响,例如使用二极管或二极管桥,或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。  使用二极管的极性反接保护  使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法,但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时,小的压降可能没关系,特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下,即使是少量的压降也是不可接受的。  众所周知,通用二极管上的压降为0.7V,因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降,因为它的压降约为0.3V至0.4V,并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意,因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏,因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。  雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管,适合防反接使用。  在4安培时,电路中肖特基二极管的功率损耗为:  4x 0.4V= 1.6W  在普通二极管中:  4x 0.7 V=2.8W  所以肖特基在电路中的节能效果明显,如果电路电流较大,也可以选用DO-277封装的肖特基二极管,比如雷卯电子SS10U60。  整流桥堆防反接保护  我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护,因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成,因此在单二极管的上述电路中,功率浪费量将是功率浪费的两倍。  使用P 沟道MOSFET 的防反接保护  使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠,因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs),则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。  现在,如果电源电压大于Vgs,则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。  P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择  采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理  现在,当您按照电路图连接电池时,具有正确的极性,它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接,则晶体管关闭,我们的电路将受到保护。  该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时,P沟道MOSFET将导通,因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为:Vgs= (Vg- Vs)  当电池连接不正确时,栅极端子的电压将为正极,我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此,每当电池以相反方向连接时,电路都将受到MOSFET的保护。  现在,让我们来谈谈电路中的功率损耗,当晶体管导通时,漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计,但为了更准确,您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此,我们可以计算电路中的功率损耗。  如下所示:功率损耗=I*I*R  假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是  功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W  因此,功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点,但它使保护电路更安全,更高效。  我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器,以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管,我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V,因此晶体管保持安全。  当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路,截断的就是负极电路,我们一般的理念还是开关正极,就像家里电灯开关一样,是装在火线上,而不是零线上。
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发布时间:2025-08-29 16:24 阅读量:1259 继续阅读>>
友顺科技:US107——集成<span style='color:red'>保护电路</span>的配电开关芯片
  US107——集成保护电路的配电开关芯片  US107为配电开关芯片。该系列提供多种具有固定电流限制闻值的器件。  US107集成了保护电路,包括具有折回功能的限流电路,热关闭电路。  内置电荷泵用于驱动二极管的n-MOSFET,以消除开关关闭时流过开关的任何反向电流。  友顺科技  友顺科技股份有限公司成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。  为提供客户完整的解决方案及建构有利的竞争优势,公司采IDM资源垂直整合及外包并重的经营策略,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销,采取主动的方式,确实掌握每一个关键环节的自主创新能力,也积极的妥善整合外包资源,充分展现核心技术自主性及产能保障的企业竞争力,以期成为客户最佳选择之事业伙伴,并创造客户最大之经济效益。  友顺科技具有完整模拟组件产品线,产品以 IC为主,Discrete为辅,主要产品广泛应用于通讯如行动电话,智能电话、LNB、卫星导航装置、无线通讯设备;消费性电子产品如MP3及PMP、数字相机、可携式装置、液晶电视及面板产品等;PC如笔记型计算机、键盘、无线鼠标 、主机板、VGA卡、电源供应器、Adapter及外接式硬盘等计算机外设及储存设备等市场。  友顺科技拥有优秀的经营团队,秉持着『质量优先、客户至上』的经营理念,以稳健踏实的脚步追求企业持续改善、永续经营的精神,努力迈向成为国际一流模拟组件领导厂商。
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发布时间:2024-08-05 11:00 阅读量:1468 继续阅读>>
如何选择合适的瞬态抑制二极管以<span style='color:red'>保护电路</span>免受过电压损害?
  选择适合的瞬态抑制二极管以保护电路免受过电压损害需要考虑多个因素。以下是一些指导性的步骤:  电压等级: 确定你的电路所需的最大工作电压和最大过电压。选择瞬态抑制二极管的额定电压应略高于最大过电压,以确保其正常工作并能有效抑制过电压。  能量吸收能力: 瞬态抑制二极管需要能够吸收电路中突发的过电压能量。根据你的应用,选择具有足够的能量吸收能力的二极管。  响应时间: 瞬态抑制二极管应在过电压出现时迅速响应,将过电压导向地。选择具有较低响应时间的二极管,以确保快速保护电路。  极性: 瞬态抑制二极管通常是双向的(能够处理正负电压),但在某些情况下可能需要单向抑制。根据电路的性质选择合适的极性。  封装和尺寸: 根据你的电路板设计和空间限制,选择适合的封装和尺寸。  频率响应: 一些应用中可能存在高频过电压,因此选择具有较宽的频率响应范围的二极管可能更合适。  寿命和可靠性: 选择知名品牌或经过验证的供应商,以确保瞬态抑制二极管的长期稳定性和可靠性。  温度特性: 考虑工作环境的温度范围,选择适应温度变化的二极管。  数据表和规格: 仔细阅读瞬态抑制二极管的数据表和规格,确保其满足你的电路保护需求。  最终选择合适的瞬态抑制二极管需要综合考虑上述因素,并在实际应用中进行测试验证,以确保电路免受过电压损害。
发布时间:2023-11-07 13:43 阅读量:2830 继续阅读>>
上海雷卯:常用防反接<span style='color:red'>保护电路</span>及功耗计算
  采用电池是最方便干净的电源,为电子电路提供电压。还有许多其他方法,为电子设备供电,如适配器,太阳能电池等,但最常见的直流电源是电池。通常,所有设备都带有防反接保护电路,但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护,那么在更换电池时始终必须小心,否则它可能会炸毁设备。  因此,在这种情况下,防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响,例如使用二极管或二极管桥,或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。  使用二极管的极性反接保护  使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法,但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时,小的压降可能没关系,特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下,即使是少量的压降也是不可接受的。  众所周知,通用二极管上的压降为0.7V,因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降,因为它的压降约为0.3V至0.4V,并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意,因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏,因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。  雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管,适合防反接使用。  在4安培时,电路中肖特基二极管的功率损耗为:  4x 0.4V= 1.6W  在普通二极管中:  4x 0.7 V=2.8W  所以肖特基在电路中的节能效果明显,如果电路电流较大,也可以选用DO-277封装的肖特基二极管,比如雷卯电子SS10U60。  整流桥堆防反接保护  我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护,因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成,因此在单二极管的上述电路中,功率浪费量将是功率浪费的两倍。  使用P 沟道MOSFET 的防反接保护  使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠,因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs),则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。  现在,如果电源电压大于Vgs,则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。  P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择  电阻器 (100k)  9.1V 齐纳二极管  电路图  采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理  现在,当您按照电路图连接电池时,具有正确的极性,它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接,则晶体管关闭,我们的电路将受到保护。  该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时,P沟道MOSFET将导通,因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为:  Vgs= (Vg- Vs)  当电池连接不正确时,栅极端子的电压将为正极,我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此,每当电池以相反方向连接时,电路都将受到MOSFET的保护。  现在,让我们来谈谈电路中的功率损耗,当晶体管导通时,漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计,但为了更准确,您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此,我们可以计算电路中的功率损耗,如下所示:  功率损耗=I*I*R  假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是  功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W  因此,功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点,但它使保护电路更安全,更高效。  我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器,以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管,我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V,因此晶体管保持安全。  当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路,截断的就是负极电路,我们一般的理念还是开关正极,就像家里电灯开关一样,是装在火线上,而不是零线上。
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发布时间:2023-09-04 14:39 阅读量:2913 继续阅读>>
onsemi 安森美推出的NCS35011 5S电池<span style='color:red'>保护电路</span>
安森美5S电池<span style='color:red'>保护电路</span>NCS35011
AMEYA360:常见的5种<span style='color:red'>保护电路</span>
  在现实世界中,电子电路所处的周围环境总是变幻莫测的。人体静电、雷击浪涌、误操作等诸多不可预料的因素时刻威胁着电子设备的正常工作。因此保护电路的作用与意义非常重要。经过多年的发展,保护电路从最简单的保险丝一步一步发展到现如今纷繁复杂的各种器件,它们分别承担着不同的作用。下面AMEYA360电子元器件网站为您详细介绍。  1、短路保护  短路保护电路的主要作用是当电路系统中发生短路情况时及时断开闭合电路以此保证后续各个器件的安全。  当电源系统发生短路时,电路中的电流会瞬间增大到正常状况的好几倍甚至十多倍。我们可以利用这个特性,在电路中串入保险丝。当电流增大到保险丝的熔断电流时,保险丝会因为自身过热而发生熔断从而断开电路,这是最常见的保护电路之一。  但是这种保险丝有一个缺点:当保险丝熔断之后,必须由工程人员排除故障之后手动替换新的保险丝,这在一些狭小空间等场合十分不便,因此后来便诞生了“自恢复保险丝”。这种保险丝在发生熔断之后随着温度的降低又会重新接通,这样便可以在发生故障时断开供电开关,等排查故障之后再打开供电开关即可。自恢复保险丝是如何做到“自恢复”的呢?  自恢复保险丝,是由经过特殊处理的聚合树脂及分布在里面的导电粒子组成。  在正常状况下,聚合树脂紧密地将导电粒子束缚在结晶状的结构外,构成链状导电电通路,此时的自恢复保险丝为低阻状态,线路上流经自恢复保险丝的电流所产生的热能小,不会改变晶体结构。当线路发生短路或过载时,流经自恢复保险丝的大电流,产生的热量使聚合树脂融化,体积迅速增长,形成高阻状态,工作电流迅速减小,从而对电路进行限制和保护。因此由自恢复保险丝构成的保护电路还可以承担过热过流保护。  2、过压保护  过压保护是指供电电压超过额定的电压时自动断开供电回路的一种保护电路。在电子电路设计中,常见的保护方式是使用齐纳二极管的过压保护。如图2-1:   1N4099是一个6.8V的二极管,如果输入超过6.8V,输出将被钳位在6.8V左右。  3、防反接保护  很多电子元器件是不允许电源正负极反接的,在设计完成的电路板中,外部接口如果没有防反接设计,用户在使用的时候很容易将正负极接错导致器件烧毁造成财产损失。防反接设计电路的原理就是在电源输入的前级将电源整流至确定的极性再接入固定的后级。如图3-1所示:  还有一种防反接方式是当电源反接时自动关断,如图3-2所示:   这种电路使用MOS管关断,由于MOS管的寄生二极管压降较小,在正常使用时能够承受更大的电流。  4、雷击浪涌保护  雷电是严重的自然灾害之一,早期的电子设备如电视机,电冰箱等深受其害。在笔者儿时的记忆中也经常听说有电视机在雷雨之夜后被打坏,随着技术的发展,这种情况在日常生活中几乎不再发生。这要归功于雷击浪涌防护电路。  在发生雷击时,接地点附近的零电位会被抬高,导致供电电压不稳定。如果闪电击中供电线附近,产生的感应电压也不容小觑。浪涌的波形很像平静的海滩上突如其来的海浪,我们形象地称之为浪涌。  为了消除这种浪涌电压,比较常用的器件有:放电管、压敏电阻、TVS、共模电感等器件。  其中放电管、压敏电阻与TVS的防护原理是当电压超过一个阈值时,器件的电阻会迅速减小,我们将该器件并联在电路中,从而提供一个泄放通道到地。共模电感便是利用电感的特性,只允许两个同相相反振幅的电压通过,而浪涌一般是两个相同的信号,这样浪涌就会被抑制,通常共模电感用在放电管、压敏电阻等器件的后级。  共模浪涌抑制电路如图4-1所示:  5、静电防护  在人体接触电子设备时时常会发生静电放电,特别是在冬季。实际上上千伏的电压与上述的雷击浪涌情况类似,也可以用上述方案处理。
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发布时间:2023-05-12 09:43 阅读量:3219 继续阅读>>
常用<span style='color:red'>保护电路</span>器件有哪些 <span style='color:red'>保护电路</span>器件的作用
  一、三重保护模型       陶瓷气体放电管选型要点:  1)直流击穿电压要高于线路的正常工作电压,并留有一定的余量。  2)GDT的通流量应根据防雷电路的设计指标来定,GDT通流量需大于防雷电路设计的通流容量。  半导体放电管选型要点:  1)信号接口的电平要低于Vs,并留有一定的余量;  2)根据要过浪涌的等级来选择不同通流量的TSS;  3)电路的正常工作电流不能高于TSS的保持电流;  TVS二极管选型要点:  1)TVS管的反向击穿电压要高于电路的正常工作电压,并留有一定的裕量;  2)根据不同的应用接口选择使用双向还是单向的TVS;  3)TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压;  4)根据要过的浪涌等级来选择不同功率的TVS;  5)高频信号电路中,应选低结电容的TVS管;  ESD静电保护器件选型要点:  1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压;  2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;  3.根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容;  4.根据电路系统的最大承受电压冲击,选择适合的钳位电压;  5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。            二、限压特性选择    截止电压 ≥ 正常工作最大电压 (保证器件不会在正常工作时损坏)  最大箝位电压 ≤ 系统最大耐压 (器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏)  功率/最大箝位电压 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流 (器件自身不会被脉冲损坏)  击穿电压下限 ≥ 正常工作最大电压(保证器件不会在正常工作时损坏)  脉冲击穿电压 ≤ 系统最大耐压 (器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏)  通流量 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流(器件自身不会被脉冲损坏)      
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发布时间:2023-05-09 09:28 阅读量:3453 继续阅读>>
电感、电阻、导线在电源防护<span style='color:red'>保护电路</span>中的作用
  电感、电阻、导线本身并不是保护器件,但在多个不同保护器件组合构成的防护电路中,可以起到配合的作用。  防护器件中,气体放电管的特点是通流量大、但响应时间慢、冲击击穿电压高;TVS管的通流量小,响应时间最快,电压钳位特性最好;压敏电阻的特性介于这两者之间,当一个防护电路要求整体通流量大,能够实现精细保护的时候,防护电路往往需要这几种防护器件配合起来实现比较理想的保护特性。但是这些防护器件不能简单的并联起来使用,例如:将通流量大的压敏电阻和通流量小的TVS管直接并联,在过电流的作用下,TVS管会先发生损坏,无法发挥压敏电阻通流量大的优势。因此在几种防护器件配合使用的场合,往往需要电感、电阻、导线等在不同的防护元件之间进行配合。下面Ameya360电子元器件采购网将对这几种元件分别进行介绍:  电感:  在串联式直流电源防护电路中,馈电线上不能有较大的压降,因此极间电路的配合可以采用空心电感,如下图:  用电感实现两级防护器件的配合  电感应起到的作用:防护电路达到设计通流量时,TVS上的过电流不应达到TVS管的最大通流量,因此电感需要提供足够的对雷击过电流的限流能力。  在电源电路中,电感的设计应注意的几个问题:  1、电感线圈应在流过设备的满配工作电流时能够正常工作而不会过热;  2、尽量使用空心电感,带磁芯的电感在过电流作用下会发生磁饱和,电路中的电感量只能以无磁芯时的电感量来计算;  3、线圈应尽可能绕制单层,这样做可以减小线圈的寄生电容,同时可以增强线圈对暂态过电压的耐受能力;  4、绕制电感线圈导线上的绝缘层应具有足够的厚度,以保证在暂态过电压作用下线圈的匝间不致发生击穿短路。  在电源口的防护电路设计中,电感通常取值为7~15uH。  电阻:  在信号线路中,线路上串接的元件对高频信号的抑制要尽量少,因此极间配合可以采用电阻,如下图:  用电阻实现两级防护器件的配合  电阻应起到的作用与前述电感的作用基本相同。找元件现货上唯样商啊城以上图为例,电阻的取值计算方法为:测得空气放电管的冲击击穿电压值U1,查TVS器件手册得到TVS管8/20us冲击电流下的最大通流量I1、以及TVS管最高钳位电压U2,则电阻的最小取值为:R≥(U1-U2)/I1。  在信号线路中,电阻的使用应注意的几个问题:  1、电阻的功率应足够大,避免过电流作用下电阻发生损坏;  2、尽量使用线性电阻,使电阻对正常信号传输的影响尽量小。  导线:  某些交/直流设备的满配工作电流很大,超过30A,这种情况下防护电路的极间配合采用电感会出现体积过大的问题,为解决这个问题,可以将防护电路分为两个部分,前级防护和后级防护不设计在同一块电路板上,同时两级电路之间可以利用规定长度的馈电线来做配合。  用导线实现两级防器件的配合  这种组合形成的防护电路中,规定长度馈电线所起的作用,与电感的作用是相同的,因为1米长导线的电感量在1~1.6uH之间,馈电线达到一定长度,就可以起到良好的配合作用,馈电线的线径可以根据满配工作电流的大小灵活选取,克服了采用电感做极间配合时电感上不能流过很大工作电流的缺点。
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发布时间:2022-09-29 09:36 阅读量:2925 继续阅读>>

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