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常用保护电路器件有哪些 保护电路器件的作用
一、三重保护模型
陶瓷气体放电管选型要点：
1)直流击穿电压要高于线路的正常工作电压，并留有一定的余量。
2)GDT的通流量应根据防雷电路的设计指标来定，GDT通流量需大于防雷电路设计的通流容量。
半导体放电管选型要点：
1)信号接口的电平要低于Vs，并留有一定的余量；
2)根据要过浪涌的等级来选择不同通流量的TSS；
3)电路的正常工作电流不能高于TSS的保持电流；
TVS二极管选型要点：
1)TVS管的反向击穿电压要高于电路的正常工作电压，并留有一定的裕量；
2)根据不同的应用接口选择使用双向还是单向的TVS；
3)TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压；
4)根据要过的浪涌等级来选择不同功率的TVS；
5)高频信号电路中，应选低结电容的TVS管；
ESD静电保护器件选型要点：
1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压；
2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;
3.根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容；
4.根据电路系统的最大承受电压冲击，选择适合的钳位电压；
5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。
二、限压特性选择
截止电压 ≥ 正常工作最大电压 （保证器件不会在正常工作时损坏）
最大箝位电压 ≤ 系统最大耐压 （器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏）
功率/最大箝位电压 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流 （器件自身不会被脉冲损坏）
击穿电压下限 ≥ 正常工作最大电压（保证器件不会在正常工作时损坏）
脉冲击穿电压 ≤ 系统最大耐压 （器件在脉冲状态时可有效的保证后级不会损坏）
通流量 ≤ 外界干扰所产生的最大脉冲电流（器件自身不会被脉冲损坏）
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| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
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| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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