思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN SIC，支持8Mbps高速通讯
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思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN SIC，支持8Mbps高速通讯

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出集成Watchdog、LDO和CAN SIC收发器的汽车级SBC系统基础芯片TPT1169xQ产品系列。该系列产品具有超低功耗、更强EMC性能, 支持CAN SIC (Signal Improvement Capability) 和局部网络唤醒(Partial Networking)功能，以及多重诊断和保护等特点，可广泛应用于车身电子、车载照明系统、HVAC系统、智能辅助驾驶系统等多种汽车电子应用中。　　TPT1169xQ产品系列符合ISO 11898-2:2024规范要求, 支持CAN SIC ((Signal Improvement Capability))8Mbps通信速率，IEC61000-4-2，接触放电ESD能力达到±8kV，确保了其在汽车网络中的卓越性能和可靠性, 同时该产品也顺应市场需求, 实现了100%全面国产化供应链, 为全国产化产品矩阵再添一员。　　目前TPT1169xQ是国内首款采用全国产供应链且通过多家车厂和Tier1认证并量产的CAN SIC SBC。　　思瑞浦100%全国产化供应链车载接口全系列产品矩阵，全面助力汽车设计国产化率提升, 保证供应链安全。　　01产品优势　　LDO稳压器　　LDO V1 输出5V/3.3V，最大输出电流250mA，精度±2%，可以通过外部PNP晶体管进行电流扩展，提高输出电流能力，给系统的MCU或其他负载供电。　　LDO V2/VEXT输出5V，最大输出电流150mA，精度±2%，给CAN收发器和其他在板负载供电;VEXT提供对电池、接地的短路保护。　　控制和诊断　　支持16位、24位和32位SPI，用于配置、控制和诊断，灵活应对不同应用场景。　　支持本地唤醒、远程唤醒和选择性唤醒，以及唤醒源识别功能，降低功耗且快速响应系统需求。　　集成可配置的超时和窗口看门狗(8ms~4096ms)，提供故障安全和监控功能。　　LDO支持过压和欠压保护，短路保护，过温报警和关机保护等。　　专用LIMP输出管脚指示系统故障。　　通过非易失性存储器(Multiple Time Programmable, MTP)进行不同的上电和跛行功能等配置，满足各种应用不同配置的需求。　　恢复出厂预设值，系统复位进入强制正常模式。　　遵循功能安全开发流程，在设计中加入功能安全机制，如电源故障检测，窗口看门狗以及复位，LIMP故障输出(跛行模式输出)，可以提供功能安全相关的文档，包括功能安全手册、FMEDA、FIT等文档，可以支持诊断覆盖范围、失效模式分布、故障率计算等功能安全评估，帮助系统通过ISO26262 ASIL-B认证。　　支持CAN SIC振铃抑制功能　　总线振铃一般是CAN总线的通信过程中，由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因，使得信号在传输线上多次反射，进而产生的一种振荡现象。振铃现象可能会对CAN总线的通信质量产生负面影响，甚至有可能导致通信失败。TPT1169xQ产品系列采用自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率 (如下图)。TPT1169xQ具有优异的CAN信号改善功能，可以提高通讯速率、大幅抑制网络中的信号振铃效应，减少通讯误码率，从而提高整车网络通信速率和组网方式的灵活性。如下图所示，传统的CAN FD只适用于简单的总线架构的组网方式，在复杂的星型架构上，总线波形振铃现象和通讯误码率会大幅增加。　　通过德国C&S实验室CAN SIC互操作性测试　　C&S是德国Communication & System Group实验室的简称。C&S实验室成立于1995年，拥有超过25年的车用网络通信开发和测试经验，是业界公认的测试通信接口互联互通、一致性和兼容性的权威认证机构，与全球领先的各大知名车企均有合作，C&S出具的认证报告也获得行业的一致认可。　　通过C&S兼容性测试，意味着CAN收发器具备与整车CAN总线的上下游设备互联互通的能力，可直接和其他通过C&S认证的CAN收发器无障碍通信，无需再对整车进行繁琐的兼容性测试。　　EMC优化　　实际应用中，CAN收发器芯片在传输信号的过程中遇到汽车环境中的多种电磁干扰源，如何有效忍受外部电磁干扰，确保信号正确传输，从而增强系统的稳定性是所有车规级芯片面临的问题。系统级BCI (Bulk Current Injection，大电流注入), 可以用来评估芯片抗干扰能力。TPT1169xQ产品系列可以在总线没有共模电感滤波的情况下，2Mbps通信可以满足多数系统级BCI 106dBuA (200 mA)的测试要求。在降低系统复杂度与BOM成本的同时，提升系统的可靠性。　　02产品特性　　•CAN收发器：符合ISO 11898-2:2024 和SAE J2284-1到SAE J2284-5 标准，以及CiA601-4物理层标准　　•支持标准CAN和CAN FD SIC，数据传输速率高达8Mbps，提升信号质量的同时满足高速通信需求　　•低功耗：支持超低功耗睡眠模式，同时支持本地唤醒 (WAKE脚和唤醒源识别) 和局部网络唤醒(Partial Networking, PN)，降低系统功耗，提升能效　　•内置两路LDO：5V/3.3V 主LDO，输出电流250mA;5V 辅LDO，输出电流150mA　　•串行外设接口：通过16-, 24-或32-bit串行外设接口 (Serial Peripheral Interface, SPI) 进行模式控制　　•看门狗：支持Window窗口模式、Timeout超时模式和Autonomous自主模式　　•总线故障保护：±45 V　　•总线引脚保护：±8kV IEC61000-4-2接触放电　　•封装：DFN3.5X5.5-20L，芯片封装工艺有利于AOI自动光学检测　　•AEC-Q100 Grade 1标准　　03典型应用　　TPT1169xQ产品系列集成高速CAN收发器和两路LDO，还具有看门狗、SPI接口和LIMP输出，同时包括监控和诊断等功能，以“高集成+高可靠”为核心，为汽车电子提供从通信、供电到安全监测的一站式解决方案。
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发布时间：2025-09-30 14:20 阅读量：327 继续阅读>>
罗姆与英飞凌携手推进 <span style='color:red'>SiC</span> 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度
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罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布， 与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人 伊野和英 表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官 伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业 设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。
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发布时间：2025-09-26 09:43 阅读量：330 继续阅读>>
茂睿芯推出国内首款直驱<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S
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茂睿芯推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S

　　一、前言　　碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体，SiC MOSFET因其高耐压、高频开关、耐高温、低通态电阻、低开关损耗和内阻随温度漂移小等特点，已广泛应用于高频、高压功率系统，如新能源汽车与充电桩、光伏与储能、航天、航空、通信等领域。目前，碳化硅(SiC)已经得到大批量验证，其可靠性远优于传统硅(Si)器件。      在传统工业级电源中，面对高母线电压下功率器件耐压不足的问题往往需要双管反激拓扑来解决，从而导致成本升高。市面上的方案通常为固定频率、无谷底导通，随着母线电压越高开关损耗越大，即使使用了SiC方案，通常也需要额外的SiC专用驱动芯片，还需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中集成。      在消费领域中，随着碳化硅产能的扩张和良率提升，成本正在快速下降，SiC功率器件也已经逐步渗透到消费级产品中，尤其是PD快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景。      随着第三代半导体发展，国内已有直驱GaN方案，但面向消费级市场直驱SiC的专用PWM控制器，国内仍处于空白，针对上述这些问题，茂睿芯推出了国内首款小6 pin直驱SiC MOSFET的flyback AC/DC产品-MK2606S。　　二、MK2606S引脚图　　三、MK2606S典型应用场景　　四、MK2606S关键产品特征　　支持16~30V宽VCC供电　　驱动电压16V，可以直驱SiC MOSFET　　支持135kHz开关频率　　专有的软起机方案，在开机时可以降低次级同步整流尖峰　　抖频功能，优化系统EMI　　恒功率、Line OVP功能可开放　　SOT23-6封装　　MK2606S一图了解　　五、MK2606S直驱SiC方案在工业辅源上的优势　　1、工业辅源现阶段应用痛点　　由于母线电压高，1200V耐压的Si MOSFET难以选择，且价格高，通常需采用双管反激配800V Si MOSFET，方案略复杂;　　现有工业辅源方案通常为固定开关频率，各负载段效率难以优化;　　目前搭配的为诸如Nxx1351, Uxx28x45, Uxx2844, 都没有QR模式，开通损耗大，尤其母线电压越高时，开通损耗越大;　　为SiC辅源优化的PWM少;　　即使采用SiC MOSFET，仍需要额外加SiC驱动器和供电电路，还需要考虑上电时序等诸多问题;　　2、MK2606S 应用优势　　MK2606S可以直驱SiC，省去驱动器和供电电路，其SiC耐压做得更高，选型更容易，同时采用QR模式，降低了开关损耗等等。　　六、MK2606S直驱SiC方案在适配器上的优势　　1、MK2606S直驱SiC方案大内阻可替小内阻Si方案　　众所周知，碳化硅(SiC)的内阻随温度变化小，由下图可见，对比常温25℃和高温100℃的SiC和Si内阻曲线，Si的Rdson上涨了1.6倍，而SiC Rdson无明显上涨。　　注：通过采用48W 12V/4A适配器评估，工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　上表可见，在输入90Vac满载12V/4A老化30min，虽采用了MK2606S+大内阻的SiC方案，但效率比小内阻的Si方案仍要优秀，高出0.1%。　　2、MK2606S 直驱SiC方案比Si方案温度更低　　工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　实验可见，在效率相差很小的前提下，MK2606S +SiC方案比传统PWM +Si方案MOS表面温度低11.8℃，这也是得益于SiC比传统Si具有更优异的导热率。　　SiC的热导率尤为突出，比Si和GaN都要好，所以在效率相当的条件下，SiC的温度要低于Si，这一特性在实际的产品应用中，能大大降低散热材料带来的额外成本上升，譬如在适配器产品中甚至可以去掉散热器，进一步提高产线生产效率和降低人工组装成本。　　MK2606S+大内阻SiC方案可替小内阻Si方案，且效率更高、导热更好、温度更低!　　七、MK2606系列选型表　　八、结语　　茂睿芯作为国内一站式解决方案的集成电路厂商，始终走在行业前沿。早在氮化镓(GaN)技术兴起之初，茂睿芯便率先推出直驱式GaN控制芯片，并针对PD快充市场优化推出多功能集成芯片MK2697G，该产品至今仍是广受市场欢迎的主流方案之一。当前，随着碳化硅(SiC)技术广泛应用，茂睿芯再次把握产业趋势，推出面向工业与消费类电子领域的直驱SiC专用PWM控制器MK2606S。
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发布时间：2025-09-22 15:24 阅读量：292 继续阅读>>
搭载罗姆<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！
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搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

　　2025年9月9日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。　　作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压，可支持更高的电池电压，并实现了650Arms的峰值电流输出。凭借罗姆的SiC技术，该产品不仅实现了高效率和高输出功率，还实现了产品小型化，将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。　　罗姆与舍弗勒(原Vitesco Technologies)自2020年起建立战略合作伙伴关系。2023年，双方签署碳化硅功率器件相关的长期供应协议，增强对提升电动汽车性能至关重要的SiC芯片的供应体系。此次新产品的量产启动，表明这种良好合作关系正在稳步取得积极成效。逆变砖SiC MOS晶圆　　舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)表示：“在电动出行解决方案领域，我们通过采用可扩展与模块化的策略，成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石，成功在短短一年内针对中国市场日益普及的X in 1架构开发出优质产品并投入量产。”　　罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英表示：“舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第4代SiC MOSFET并实现量产，我们深感荣幸。罗姆的SiC技术可显著提升电动汽车的效率和性能，通过与舍弗勒的合作，将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。”舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)(左)与罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英(右)　　关于舍弗勒集团　　舍弗勒集团75余年来始终秉承开拓创新精神，致力于推动驱动技术的创新与发展。依托在电驱动、低碳驱动、底盘应用和可再生能源领域提供创新技术、产品和服务，舍弗勒集团致力于成为值得信赖的合作伙伴，让驱动技术在整个产品生命周期中更高效、更智能、更可持续。舍弗勒集团的产品和服务覆盖整个驱动技术生态系统，涉及八大产品领域，包括从轴承解决方案、各类直线导轨系统到维修和监测服务等丰富的产品和服务组合。　　舍弗勒集团目前拥有约120,000名员工，在全球55个国家和地区设有250多个分支机构，是全球最大家族企业之一，也是德国最具创新力公司之一。
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发布时间：2025-09-10 13:16 阅读量：340 继续阅读>>
ROHM适用于高功率密度车载充电器的紧凑型<span style='color:red'>SiC</span>模块
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ROHM适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块

　　引言　　要实现零碳社会的目标，交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。紧凑型传递模塑功率模块如何满足当前车载充电器(OBC)的需求?　　正文　　电动交通领域的发展日新月异：为提高车辆的自主性和续航里程，电驱动力总成系统变得越来越 高效和紧凑。车载充电器(OBC)作为这一发展进程中的关键组成部分，必须在保持高效效率的同时，尽可能小型轻量化。这一技术挑战还必须确保成本控制在限定范围内。　　OBC 用于交流充电， 需要由电网( 充电桩) 提供单相或三相电压。单相充电功率范围为 3.6kW~7.5kW，而三相充电功率则支持11kW~22kW。目前，为兼顾成本和效率，市场上的主流OBC 产品以中等功率范围(11kW)为主。22kW的OBC则主要用于高端市场。然而，所有OBC必须支持单相充电，以便在功率受限的情况下仍可为车辆充电。为实现车辆到电网(V2G)和车辆到车辆(V2V)的充电解决方案，越来越需要OBC具备双向充电功能。　　迄今为止，传统OBC的设计主要采用市场上的标准分立器件(THD或SMD封装)进行。尤其对于 SMD器件而言，由于需要通过PCB散热或使用合适的热界面材料将每个独立封装精密地固定在散热器上进行散热，因此存在诸多挑战。这种方案在功率密度提升和系统紧凑性方面已接近极限，而功率模块在新一代产品中则展现出显著的优势。　　图1：OBC的模块化(顶部)架构和集中式(底部)架构　　架构与拓扑　　OBC架构主要有两种(图1)：一种是基于三个相同单相模块的模块化架构;另一种是基于一个三相AC/DC转换器(该转换器也支持单相运行)的集中式架构。这两种架构均可通过单向和双向拓扑实现。　　模块化架构需要更多元器件，从而导致直流链路整体上对储能容量要求提高，进而推高体积和成本。另外，模块化架构还需要额外配置栅极驱动器和电压、电流检测功能。相比之下，集中式架构所需的元器件更少，因此可实现更具成本效益的OBC，这使其已成为高功率密度OBC的首选架构。　　SiC模块可实现更高效率和功率密度　　SiC凭借其卓越的特性，成为非常适用于OBC的功率半导体材料。ROHM的第4代SiC MOSFET采用沟槽结构，实现了超低导通电阻。另外，其非常低的米勒电容可实现超快的开关速度，从而可降低开关损耗。这些特性使得其总损耗更低，进而可减少散热设计负担。　　ROHM已推出专为OBC应用进行了优化的新产品——HSDIP20模块，进一步扩展了EcoSiC™系列的SiC MOSFET产品阵容。该系列模块在全桥电路中集成了4个或6个SiC MOSFET，与采用相同芯片技术的分立器件相比具有诸多优势。　　该系列模块采用氮化铝(AlN)陶瓷将散热焊盘与MOSFET的漏极隔离。这使得其结壳热阻(Rth)非常低，从而无需使用热界面材料(TIM)对散热焊盘与散热器之间进行电气隔离。　　得益于模具材料的应用，功率模块中的各芯片之间实现了电气隔离。这意味着芯片可以比分立器件方案布置得更加紧密(在分立器件方案中则必须考虑PCB上的爬电距离)。这种设计减小了PCB占用面积，同时提升了OBC解决方案的功率密度。　　工作量更少，风险更低　　除了技术优势外，内部隔离功能还可大大简化开发人员的工作：模块内部已内置电气隔离功能。而对于采用分立器件的解决方案，则需要在外部处理隔离问题。模块在交付前已由ROHM进行了相关测试，因此在OBC开发阶段无需再进行额外的电气隔离测试。可见，该系列模块不仅可缩短开发周期并降低开发成本，同时还能降低出现绝缘问题的风险。图2：在800V直流链路电压下，HSDIP模块在不同温度下的开通和关断损耗　　HSDIP20模块还具有第4代SiC MOSFET带来的附加优势：其0V关断电压可降低PCB布局的复杂性和成本。如图2所示，在800V直流链路电压下，采用第4代SiC MOSFET的HSDIP模块在不同温度条件下均表现出较低的开关损耗。图3：基于第4代SiC MOSFET的HSDIP20功率模块产品阵容　　HSDIP20模块的另一个优势在于其可扩展性。ROHM提供丰富的RDS(on)规格和拓扑结构选择，使该系列模块可适用于不同功率范围的OBC应用。目前可提供六款4合1拓扑模块和六款6合1拓扑模块。另外，ROHM还推出一款采用Six-pack拓扑结构的“混合型”模块，该模块通过组合不同RDS(on)的 MOSFET，为图腾柱PFC电路提供低成本解决方案，并可使用同一器件轻松实现单相和三相运行。各种拓扑结构的模块均采用相同封装形式，应用扩展非常便捷。所有功率模块均符合AQG324标准。　　热特性与开关特性　　为了验证HSDIP模块的优势，研发人员对器件进行了特性仿真和测试。在模块的热性能演示中， 采用的是配备36mΩ、1200V SiC MOSFET的Six-pack模块。仿真基于安装在液冷板上的单个模块进行，设定条件为单芯片损耗在25W至35W之间，Ta=Tw=60°C，TIM厚度为20μm，热导率为4.1W/mK。通过同时给芯片施加功率进行仿真，并根据仿真结果绘制出各器件的耗散功率与结温之间的关系曲线图(图4)。图4：HSDIP模块热性能仿真结果　　通过优化内部结构，该系列功率模块实现了非常低的单芯片热阻，在热性能方面具有显著优势。其最高结温远低于SiC MOSFET允许的175°C限值，从而为提升功率密度创造了更大空间，可满足大功率OBC的严苛需求。　　在模拟OBC应用中AC/DC变换级的测试板上，评估了采用36mW、1200V SiC MOSFET的6合1模 块的开关损耗特性。图2中已给出通过该测试获得的开关损耗结果。通过对该模块进行双脉冲测试评估得到的开关损耗结果，同样适用于本文所探讨的双向DC/AC变换级的情况。基于该数据，对11kW系统的双向DC/AC变换级进行仿真(图5)。仿真结果表明，基于采用第4代SiC MOSFET(36mΩ，1200V)的6合1模块构建的11 kW AC/DC变换级，在开关频率为48 kHz并使用强制风冷散热器的条件下，效率可达约99%(该效率值仅考虑了半导体损耗)。图5：HSDIP模块在OBC中双向AC/DC级的效率仿真　　结论　　在电动和混合动力汽车的OBC中，由4个或6个SiC MOSFET构成的模块，相较于分立器件方案具有显著优势。凭借其更高的功率密度，这种模块能够减小OBC的体积和重量，并降低设计的复杂性。 ROHM的HSDIP20模块集成了最新的EcoSiC™ MOSFET，仿真结果表明，将其应用在双向OBC的 AC/DC变换级时，该系列模块不仅展现出优异的热特性，更能实现约99%的效率。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　参考文献　　[1] M. Jankovic, C. Felgemacher, K. Lenz, A. Mashaly and A. Charkaoui，《车载充电器成本与效率考量》[J]。2022年第24届欧洲电力电子与应用会议(EPE'22 ECCE Europe)，德国汉诺威，2022： P.1-P.9。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。　　在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性 能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/
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发布时间：2025-08-28 14:34 阅读量：438 继续阅读>>
广和通新一代Fibot具身智能开发平台助力Physical Intelligence π0.5模型实现VLA泛化
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广和通新一代Fibot具身智能开发平台助力Physical Intelligence π0.5模型实现VLA泛化

　　8月27日，全球领先的无线通信与AI解决方案提供商广和通发布新一代具身智能开发平台 Fibot。Fibot已成功应用于Physical Intelligence(π公司)最新通用视觉-语言-动作(VLA)模型 π0.5 的数据采集工作，标志着广和通在具身智能(Embodied AI)领域重要的产品突破。　　新一代Fibot搭载了广和通自研的高算力机器人域控制器产品，并在上一代基础上进行全面升级，核心能力聚焦于提升机器人在复杂物理环境中的交互、移动与操作能力。　　VR(虚拟现实)+双臂协同，扩展工作区域： 新一代Fibot实现了基于VR眼镜的实体双臂机器人联动控制，其升降结构行程相比前代产品显著提升，大幅扩展了机械臂在三维空间中的可达工作范围，使机器人能够适应更广泛的实际任务场景。以上结构与性能优化，帮助π0.5模型采集融合视觉、语言、动作等多模态数据，丰富数据采集能力。　　移动底盘优化，提高空间适应性： 为提升机器人在有限空间中的通过性，π0.5 采用了Fibot提供的三轮全向底盘方案，替代了之前的四轮全向底盘。新设计在保持原有底盘卓越稳定性的前提下，有效减小了整体底盘尺寸，使机器人能够在工厂、实验室、家庭、仓储等环境的狭窄通道内灵活穿行，拓展了数据采集的应用边界。　　“Fibot的成功部署并支持π0.5 模型进行高效数据采集，是广和通作为Physical Intelligence坚实合作伙伴和重要供应商的关键里程碑。” 广和通AIC事业部总经理张泫舜表示，“此次Fibot升级不仅体现了我们在机器人机械结构、运动控制和系统集成方面的深厚积累，广和通还致力于通过高性能、高可靠性的机器人域控制器产品，赋能客户加速具身智能模型研发与端侧部署。”　　作为 Physical Intelligence 的解决方案供应商，广和通凭借其在通信、硬件设计与系统集成方面的综合优势，为具身智能行业的客户提供从核心硬件平台到系统优化的全方位支持。Fibot 系列具身智能平台的持续迭代，正是广和通推动具身智能技术从实验室走向广阔应用场景的重要载体。　　广和通将持续投入产品与研发资源，深化与Physical Intelligence等前沿AI研究机构和行业伙伴的合作，共同推动具身智能技术的演进，为行业客户提供更强大算力、更易部署模型的机器人域控制器产品，解锁机器人在复杂现实世界中学习和执行任务的无限潜能。
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发布时间：2025-08-28 09:46 阅读量：423 继续阅读>>
森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（<span style='color:red'>SiC</span> JBS）
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森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）

　　第5代通信技术5G频率越高，穿透和绕射能力会相对下降，信号智能直射传播，很多偏僻地方就会收不到信号，微基站很好弥补了这项缺陷。因此5G将会采取“宏基站+微基站”组网覆盖的模式，整个5G网络基站近80%将由微基站承载。　　微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是：小型化;低发射功率;可控性好;智能化;组网灵活。微基站电源应用场景如下：　　直流远供电源　　应用于BBU、RRU基站整合优化，运营商的室分系统、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备;　　光电一体箱供电　　是对未来城市主干道信号覆盖提供支点，并与现有城市设施相融合，可应用于居民小区、沿街小巷、商业密集区、地下停车场。光电一体箱将传统的交流配电箱、光纤配线箱融为一体，有效解决了微基站配套设备的建设需求，满足了市政美化需求。微站电源产品，应用于小型程控交换机、接入网、传输设备、移动通信、卫星通信地面站、微波通信供电、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备。　　太阳能模块供电　　主要安装在高山、公路、铁路等地，扩大基站的覆盖面，解决乡村信号盲区;高速公路、国道及铁路线上的信号覆盖;在需要建基站但又没有条件建的地方;解决业务边界问题。但是这些地方供电较为困难或有可能解决供电问题但耗资巨大，而且电力解决以后还有安全、维护等因素。具有可靠性、寿命长、连续阴雨天，全天侯、不间断地野外工作时间长的特点，与拉电力线相比有经济安全、故障率低、维护方便等优点。　　智慧路灯电源　　通过市政对路灯进行供电，解决路灯微基站供电问题。“智慧灯杆联网系统”，是以照明灯杆为基础，集成了音视频监控设备、无线基站、WIFI热点、多媒体屏幕、充电桩以及天气、环境等各种感知器的新型智能设备，结合应用“NB—IOT系统”技术通讯手段，将采集的交通信息、环境信息、河道信息和安防信息等进行运算、分析、形成大数据平台层，实现对城市照明、安防、交通、能源、市政等公共设施运营管控应用层面的智慧城市管理。　　微基站内部电源系统系统中对交流接触器的选用、断路器熔断器及空气开关的选用、保护电路的设计、交流电量检测电路的设计、防雷及抗涌措施的选择等要符合规范。　　下图是一款研发的5G基站建设的移动微站电源：　　由上图可以看出，此款电源产品主要由4个单元组成，其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。开关电源部分：由于基站供电多样性和复杂性，决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题，其开关电源的功率从1000W~3000W不等，处理大功率器件及相关模块的稳定性是非常关键的。对于如此之大的大功率开关电源开机瞬间的浪涌电流抑制成为了关键中的关键。森国科为此开发了高Bv、低Vf、高浪涌电流的碳化硅二极管KS06065，标称650V的Bv值，实际测试可以达到900V,冲击电流高达65A，典型漏电流低至1nA。　　森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。
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发布时间：2025-08-19 11:43 阅读量：429 继续阅读>>
森国科TOLL封装<span style='color:red'>SiC</span>二极管：高密度时代的封装新宠
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森国科TOLL封装SiC二极管：高密度时代的封装新宠

　　在功率半导体飞速迭代的进程中，碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能，成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值，先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁，直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器(OBC)等场景下，传统封装正逐渐暴露瓶颈。　　在这样的背景下，森国科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二极管KS50120-K2为何选择采用TOLL封装?　　TOLL封装：为高功率密度应用而生　　TOLL(TO-Leadless)封装是专为表面贴装(SMT)优化设计的新兴封装形式，在物理结构和性能层面都超越了传统主力TO-263(D²PAK)和TO-247：　　01空间革命　　TOLL的典型厚度仅约为2.3mm，相较同等性能等级厚度超5mm的TO-247有着显著的身材优势，TOLL通过独特的“翼型+底部大面积开窗”设计，同时实现了极其紧凑的占板面积与绝佳的双面散热能力，这对寸土寸金的高密度电源设计至关重要;　　02高效散热　　TOLL封装的灵魂在于底部开有大面积散热片(热焊盘)，热阻较TO-263平均降低约30%，允许芯片热量通过回流焊PCB底部铜箔与散热器高效传导。这种“双面散热”结构配合2.3mm的低厚度，在大电流工况下能显著降低结温，提升稳定性和长期寿命;　　03稳固可靠　　无曲折、短平的粗壮引脚结构(TOLL名称来源)，搭配优化的“翼型”结构设计，大幅提升贴装后的机械强度和抗热应力能力，尤其适合在汽车等振动与严苛温度循环的应用场景下使用，保证系统长期运行的稳健性;　　04SMT便捷性　　TOLL采用全表面贴装结构，与传统插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶颈和人工成本，尤其在高集成化、紧凑型模组设计中更易实现自动化回流焊，提升批量制造效率及良品率。　　为满足电力电子产品小型化、高功率密度的需求，森国科首家推出了TOLL封装SiC二极管，成为行业领跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2，正是这一封装技术的首秀载体。这款高效续流二极管专为PFC电路、变频驱动或OBC中的桥臂应用深度优化。TOLL封装的引入显著缩小了系统占用空间，通过更优的低热阻路径和更高电流密度提升了系统的整体功率密度，同时兼顾了高频工况下的可靠性与散热需求。　　随着SiC器件快速渗透入服务器电源、快充系统、新能源汽车等关键场景，系统的高功率密度和极端可靠性要求成为核心突破点。以森国科KS50120-K2为标志性代表的新一代TOLL封装SiC二极管，正在通过薄型化优化、热管理跃升与制造增效，为功率模块的小型化、自动化与集成化探索一条更优路径——封装不仅是芯片的“外衣”，更是解锁未来高效能源转换系统的物理钥匙。
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发布时间：2025-08-15 13:48 阅读量：608 继续阅读>>
森国科推出2000V <span style='color:red'>SiC</span> MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景
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森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景

　　在如今的科技发展浪潮中，电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用，1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展，高压兆充的快速布局，森国科及时推出了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而生，它能在提高效率、降低损耗等方面发挥重要作用。　　众所周知，1500V高压光伏系统具备多方面显著优势。其通过增加串联光伏组件块数、减少并联电路数量，有效削减接线盒及线缆数量。电压提升后，线缆损耗进一步降低，系统发电效率得以提高。　　同时，设备(逆变器、变压器)的功率密度提升，体积减小，降低运输和维护工作量，有利于降低光伏系统成本。此外，顺应高压并网发展趋势，该系统在未来的能源格局中更具适应性和竞争力。　　在光伏发电侧，当光伏组串的母线电压高达1500V的时候，就要求逆变器的输入侧能承受1500V的电压，从而要求逆变器内部的高压侧功率器件的耐压要求高达2000V以上，而电压越高就越能发挥SiC功率器件的优势，　　上面的光伏发电框图直观展示了光伏发电系统的整体架构与运行流程。逆变器与2000V SiC器件紧密相连。2000V SiC 器件有利于简化光伏逆变器的拓扑结构、提升功率密度、提升系统效率、降低系统成本。具体来说，它可以支持1500V的MPPT升压电路，减少系统损耗，提升效率。在组串式逆变器领域，对于8kW - 150kW的大功率逆变器，能将直流 - 交流转换效率提升至99%以上，显著降低能量损耗。　　在光伏逆变器中，有以上三种升压变换电路拓扑，分别是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。这些电路拓扑有显著优势。使用SiC器件比传统Si器件频率更高、效率更高，能让电路运行更高效。　　01　　森国科针对1500V 工作电压系统需求，推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A，2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A， 两款产品的温度适用范围广，都可以在-55℃到175℃间稳定工作，且通过了JEDEC的严格测试，包括HV - HTRB和HV - H3TRB，可靠性极高。其驱动电压在15V至18V，采用开尔文源极引脚的封装设计可减少开关损耗，提升开关速度。　　02　　基于森国科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圆，森国科还推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模块KC019DF20W3M1，这是一款全碳化硅模块(4 通道 Boost)，其工作温度范围在 -55℃到 175℃之间，通过了 JEDEC 的严格测试，包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。　　该模块采用 3B 封装并加装铜金属底座，既安装牢固，又消除了塑料底座老化隐患，安全性大幅提升。内部集成 4 相升压电路，共用电源接地并分 2 组，还集成热敏电阻监测温度，能灵活适配 2 路或 4 路直流输入，满足多样设计需求。对比分立器件方案，它大幅提升功率密度，简化电路设计。　　在前面的分享中，我们详细介绍了森国科2000V SiC功率器件的出生背景、优势、相关电路拓扑以及具体的器件型号和模块型号等内容。随着越来越多的高压应用的快速发展，森国科将推出更多2000V系列的SiC 功率器件，针对不同的应用场景，推出最合适的功率器件及模块产品。
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发布时间：2025-08-13 13:54 阅读量：463 继续阅读>>
<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案
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SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案

　　SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能，正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而，相比传统硅基IGBT，大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战：短路耐受时间(TSC)相对偏短(通常≤ 3μs)，这一特性增加了工程师在实际使用时候的应用难度，阻碍了其在大功率、高可靠性应用场景中快速使用进程。　　为何SiC MOSFET更“怕”短路?SiC材料先天特性是短板的核心源头　　01更快的热失控　　SiC卓越的热导率在短路时变成了“双刃剑”，它能极快地将短路点高温扩散开来，导致更大区域的结温飙升直至器件烧毁;　　02饱和电流密度更高　　同样沟道尺寸下，SiC导通能力更强，带来异常严峻的短路电流冲击;　　03更薄的栅氧层　　追求低导通电阻需微缩单元尺寸与减薄栅氧，使得器件在高压过流下更易发生栅氧击穿;　　04材料失配挑战　　SiC材料内部微管等固有缺陷，在极端电气应力下容易成为失效起点。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的问题，通常的解决方法一是在驱动电路方面尽量做好保护，比如采用智能驱动保护电路，二是系统协同保护设计。　　PART01　　智能驱动保护电路通常有三种措施　　——高速电流检测 + 逻辑保护　　部署响应达纳秒级的电流采样单元(如无感电阻，罗氏线圈)，配合硬逻辑快速关断;　　——有源米勒钳位技术　　主动抑制米勒效应导通导致的误导通风险，保护其在关断安全区;　　——软关断策略　　感知短路后，实施栅压缓降的非硬关断方式(如“两步关断”)，避免过高di/dt引发的浪涌电压损坏器件。　　PART02　　系统协同保护设计有如下两种措施　　缩短驱动回路，选用高频性能更佳、驱动功率足够大的专用驱动IC，从源头提升响应速度;　　充分利用控制器(如DSP、MCU)的算法优化短路检测速度和关断保护逻辑。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的难题，森国科研发团队通过工艺创新及器件结构设计创新，推出了行业领先的4.5μs 的SiC MOSFET。　　在这一技术攻坚背景下，森国科推出业界领先的1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J，该器件最大亮点在于实现了高达4.5µs的短路耐受时间，树立了同类产品的性能新标杆，显著提升了大功率新能源系统的安全性和可靠性裕量。森国科K3M040120-J的产品规格书K3M040120-J 实测的短路耐受时间波形图　　短路耐受时间是SiC MOSFET进入电动引擎等高可靠场景的重要敲门砖。森国科短路耐受时间加强系列的问世突破了材料限制，引领产品鲁棒性迈入新阶段，为国产高端SiC 功率半导体产业注入强大引擎。未来随着设计与工艺的持续迭代，“短板”正不断被克服。随着设计协同优化与新型保护技术的成熟普及，SiC MOSFET将继续赋能全球绿色电力产业。
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发布时间：2025-08-13 13:51 阅读量：495 继续阅读>>

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