ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>FET，80mΩ低电阻与高载流能力优异
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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。
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发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：233 继续阅读>>
实现光<span style='color:red'>MOS</span>继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（下）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（下）

　　1、OP系列产品　　ARK(方舟微)依托其在耗尽型MOSFET领域多年的研发与制造积淀，开发出耐压覆盖60V至1800V的光MOS继电器系列产品。公司构建了以FORM B型为核心、FORM A型为主力的“OP系列”产品线，其卓越的性能可全面满足工业自动化与电气控制领域的多样化需求，更加能替代松下、东芝等国际大牌同类产品。以下为ARK(方舟微)光MOS继电器的典型产品，更多信息欢迎咨询。　　2、产品应用　　·电信切换　　·工业自动化　　·测试与测量设备　　·电池管理　　·高速检验设备　　·安全设备　　·机械继电器的替代　　3、典型应用　　Ø BMS的应用　　在电动汽车电池管理系统(BMS)中，光MOS继电器凭借其卓越的隔离性能，被广泛应用于锂电池模组的电压采样与漏电流检测。ARK(方舟微)推出的OPV278D光MOS继电器，具备0.1ms的快速响应与μA级的超低关态漏电流，输入输出间绝缘耐压达3750V，能为800V高压电池组与低压控制电路提供安全、可靠的电气隔离保障。该产品拥有高达1800V的耐压，是应对800V高压BMS系统隔离需求的理想解决方案。　　Ø 测试与测量设备应用　　在自动化测试设备、数据采集系统和仪器仪表中，光MOS继电器能够提供高精度信号切换以及无干扰测量能力。图4为OPY214S产品组成的开关矩阵用于PCB四探针测试机的系统框图，使用光MOS继电器作为开关，可以有效避免测试干扰，提高测试精度。该产品耐压达400V，断态漏电流低，最大不超过 1μA，其开通关断时间短，Ton=40μs , Toff=20us可极大的提高了PCB测试效率。
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发布时间：2026-01-16 15:08 阅读量：189 继续阅读>>
火热报名中！罗姆车载应用端的低压<span style='color:red'>MOS</span>FET和高压IGBT
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火热报名中！罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT

　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　二、研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　三、研讨会时间　　2026年1月21日上午10点　　四、研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司 中国技术中心高级经理。 统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　相关产品页面：　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858　　· 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858　　· MOSFET产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858　　· IGBT产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858　　相关产品资料　　面向车载应用的产品目录:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf　　晶体管的种类和特征:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf　　罗姆功率半导体产品概要:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf
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发布时间：2026-01-08 15:35 阅读量：299 继续阅读>>
技术干货丨使用瑞萨REXFET <span style='color:red'>MOS</span>FET降低RDS（on）
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技术干货丨使用瑞萨REXFET MOSFET降低RDS（on）

　　用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于，在保持优异开关性能的同时，实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率，最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。　　为应对这一挑战，瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构，并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升，以实现：　　• RON指数改善至0.24(与前几代的0.36相比)　　• 超低导通电阻，可降低导通损耗并降低散热　　• 以小型封装实现高功率密度　　• 降低栅极电荷(QG)和栅极电容，优化开关特性　　结合多线键合(multi-wire)和夹片键合(clip bonding)等先进封装技术，REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时，满足严格的汽车可靠性标准。　　此外，我们采用融合多年经验的坚固设计，确保产品具有高度可靠性和耐用性，使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统(BMS)和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。瑞萨电子MOSFET技术的发展　　REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始，瑞萨电子始终引领行业创新，包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中，超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。瑞萨电子功率MOSFET的发展历程　　REXFET-1系统级性能　　BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能，瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02(工规版RBE015N10R1SZQ4)和150V RBA190N15YANS-3UA04(工规版RBE039N15R1SZQ4)的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。　　REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试，并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下，结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。　　REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中，较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题，并产生较高的电磁干扰(EMI)。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。100V REXFET-1导通波形比较　　我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术，REXFET-1器件能够实现：　　•与前几代沟槽工艺相比，RSP降低30%　　•卓越的导通损耗与开关损耗平衡　　•丰富的封装选项(3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT)，以满足多样化的系统需求。　　这些创新使设计人员能够在电机驱动、BMS以及其他要求苛刻的应用中实现更高的效率、更大的功率密度和更高的系统可靠性。
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发布时间：2025-12-31 17:01 阅读量：358 继续阅读>>
鲁光LGE280N04N SGT <span style='color:red'>MOS</span>
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鲁光LGE280N04N SGT MOS

　　鲁光LGE280N04N主要应用无人机的结构由机身、动力系统、飞行控制系统、链路系统、任务载荷等几个方面组成的。无人机动力系统中的电机，俗称“电条”，是无人机的动力来源，无人机通过改变电机的转速来改变无人机的飞行状态。　　典型应用拓扑图　　在驱动电机运转时，其原理可以简化为有3组MOS管工作，组内分上下管，不同时导通。不同组内的上下管按照特定时序导通，进行换相。　　核心优势　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　四、总结　　LGE280N04N SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。
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发布时间：2025-12-31 09:32 阅读量：330 继续阅读>>
实现光<span style='color:red'>MOS</span>继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（上）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（上）

　　什么是光MOS继电器　　光MOS继电器，又称PhotoMOS或光耦合MOSFET继电器，其结构主要包含三个组成部分：输入部分的发光二极管(LED)、进行光电转换的光电二极管阵列(PVG)以及输出部分的MOS管。图1展示了该产品的结构示意图。　　工作原理：LED给定正向电流，LED发光。此光照射到光电二极管阵列(PVG)上，并在光电二极管阵列上产生光生电压，此电压作用MOS管的栅极，当电压等于或超过MOS管栅极电压的阈值时，输出端导通。如果输入端的正向电流消失，则LED不发光，光电二极管阵列的光生电压随即消失，输出端成断开状态。从而实现了电-光-电转换，实现了输入与输出间的电气隔离。　　器件特点　　与传统机械机电器进行对比，光MOS继电器具有很多优势：　　高可靠性，长寿命：因产品无机械触点和可移动的部件，不存在机械磨损，寿命几乎是半永久性的;没有触点抖动，完全消除了机械继电器触点闭合/断开时产生的弹跳现象，抗干扰能力强。　　低功耗，小型化：动作电流低，驱动功率小，且可采用表面贴装封装，常用封装SOP-4、SMD-4，适合高密度安装。　　优异的开关特性：光MOS的开关速度可达0.1ms，远快于机械继电器的10-100ms，适合高频应用，且开关过程中无噪音。　　参数详解
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发布时间：2025-12-30 16:41 阅读量：345 继续阅读>>
ARK(方舟微）低压低电阻双芯增强型P <span style='color:red'>MOS</span>：AKF20P45D
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ARK(方舟微）低压低电阻双芯增强型P MOS：AKF20P45D

　　01 产品简介　　AKF20P45D 是AKR(方舟微)推出的一款20V 双芯片P沟道 MOSFET，采用DFN-6(2*2)的封装，具有低导通电阻和非常紧凑的尺寸(典型值为35mΩ @ VGS=-4.5V)。适用于手持设备的充电管理、负载开关及DC-DC转换器，支持低电压栅极驱动(-1.5V即可导通)。‌　　02 产品特性　　· 产品类型：增强型双芯片P沟道 MOSFET　　· 低导通电阻：在栅极电压-4.5V、-2.5V、-1.8V和-1.5V下分别为35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ　　· 功耗：最大功率耗散7.8W　　· 紧凑的封装设计：采用DFN-6(2x2)封装，节省空间　　· 可替代 SIA923EDJ　　03 应用领域　　· DC/DC转换器　　· 充电管理　　· 负载开关　　04 典型应用　　Ø 电源控制开关　　PMOS作为负载开关，用于精确控制通向特定电路模块或负载的电源。如图2为PMOS应用于负载开关的典型应用拓扑，其通过控制栅极电压实现负载的通断。　　当控制信号为高电平时，三极管Q2导通，电阻R2相当于直接与地相连。由于R1和R2串联分压，MOS管Q1的VGS= - Vin*R1/(R1+R2)，若|VGS|>|VTH|，则MOS管Q1导通。当控制信号为低电平时，三极管Q2截止，R2下端相当于悬空，MOS管栅极电压与Vin相等，即VGS=0，MOS管Q1处于截止状态，切断电源。　　ARK(方舟微)推出的双芯PMOS产品AKF20P45D，其具有耐压20V、低电阻(35mΩ)、DFN-6(2*2)封装等特点，可直接应用于多路负载的电源控制，可节省PCB占用面积。　　Ø 电池保护的应用　　在锂电池保护电路中，PMOS可作为高边开关，PMOS源直接与电池正极相连，实现过充、过放、过流等保护保护功能。其电路保护方案如图3所示，两个PMOS的漏极相连，分别控制充电与放电回路。电池保护芯片通过监测电池的电压、电流，在发生过充、过放、短路或过流时，迅速关闭相应的MOSFET，切断电路。　　ARK(方舟微)的AKF20P45D产品，耐压20V，电阻35mΩ，非常适合2节或3节串联锂电池保护;其内部含双芯PMOS，封装形式为DFN-6(2*2)，其封装紧凑，占板面积小，可节约PCB占用面积。　　05 更多选型
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发布时间：2025-12-26 15:40 阅读量：358 继续阅读>>
ROHM车载40V/60V <span style='color:red'>MOS</span>FET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

　　2025年12月18日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。　　采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产(样品单价500日元/个，不含税)。新产品已经开始通过电商进行销售。　　未来，ROHM将不断扩展该封装产品的机型，并计划于2026年2月左右将采用可润湿侧翼成型技术*3的更小型DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装产品投入量产。　　另外，ROHM已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，致力于进一步扩充大功率、高可靠性封装的产品阵容。　　<开发背景>　　近年来，车载低耐压MOSFET正在加速向可实现小型化的5050级以及更小尺寸的封装形式转变。然而，这些小型封装因引脚间距狭窄和无引脚结构，使确保其安装可靠性成为一大难题。ROHM针对这类课题， 通过在产品阵容中新增同时满足安装可靠性和小型化两方面需求的新封装产品，来满足车载市场多样化的 需求。　　<应用示例>　　主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2)铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用铜制夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。　　*3)可润湿侧翼成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。
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发布时间：2025-12-18 16:55 阅读量：426 继续阅读>>
电源芯片或<span style='color:red'>MOS</span>FET严重发烫可能是什么原因？如何解决
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电源芯片或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

　　在电子设备中，电源芯片和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，起着调节电压、电流和功率管理的重要作用。然而，当电源芯片或MOSFET出现严重发烫时，可能会引起设备故障、降低性能甚至造成损坏。本文将探讨电源芯片或MOSFET严重发烫的可能原因，并提供解决方法。　　1. 原因分析　　1.1 高负载工作　　原因：过大的电流负载可能导致电源芯片或MOSFET处于超负荷工作状态，加剧其内部损耗，进而引起发热问题。　　解决方法：优化设计，确保合理匹配负载和芯片功率，减少负载电流，避免超负荷运行。　　1.2 过电压或过电流　　原因：过电压或过电流情况下，电源芯片或MOSFET容易受到损害，产生异常发热。　　解决方法：添加保护电路，如过电压保护、过电流保护等，及时切断电路以保护元件免受损伤。　　1.3 散热不良　　原因：不良的散热设计或散热器失效可能导致电源芯片或MOSFET无法有效散热，从而产生过热现象。　　解决方法：改进散热设计，增加散热面积、使用更高效的散热器或风扇，确保元件能够有效散热。　　1.4 环境温度过高　　原因：工作环境温度过高会影响元件的散热效果，使电源芯片或MOSFET更容易发热。　　解决方法：优化设备安装位置、通风条件，降低工作环境温度，提高散热效率。　　1.5 质量问题或老化　　原因：电源芯片或MOSFET本身质量问题或长期使用导致老化也可能引起发热异常。　　解决方法：定期检查维护电路元件，避免使用劣质元件，及时更换老化严重的电源芯片或MOSFET。　　2. 解决方案　　2.1 合理设计　　根据实际需求选择符合要求的电源芯片或MOSFET。　　合理布局电路板，减少热量堆积区域，优化电路连接方式。　　2.2 添加保护电路　　安装过电压保护、过电流保护等保护电路，预防突发情况给电源芯片或MOSFET带来损害。　　2.3 改善散热　　使用高导热材料，如铜制散热片或热管，提高散热效率。　　添加风扇或风道，增加空气流通量，帮助散热。　　2.4 优化工作环境　　控制工作环境温度，避免高温环境下长时间运行。　　确保设备安装位置通风良好，不受阻碍。　　2.5 定期检查和维护　　定期检查电源芯片或MOSFET是否正常工作，有无明显损伤或老化迹象。　　及时更换质量问题或老化严重的元件，确保设备正常运行。　　电源芯片或MOSFET严重发烫可能会对设备稳定性和寿命造成影响，通过合理设计、添加保护电路、改善散热、优化工作环境以及定期检查维护，可以有效预防和解决电源芯片或MOSFET发热问题，确保设备运行稳定可靠。
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发布时间：2025-12-18 15:31 阅读量：369 继续阅读>>
鲁光LGE3M35120Q碳化硅<span style='color:red'>MOS</span>FET
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鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET

　　在追求高效、高功率密度与高可靠性的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET正成为推动技术革新的关键力量。鲁光电子推出的 LGE3M35120Q，是一款采用TO-247-4封装的高性能1200V碳化硅MOSFET，凭借其优异的电气性能，正广泛应用于新能源、可再生能源发电及高端工业电源等前沿领域，成为国产功率半导体自主化进程中的一颗关键器件。　　性能优势　　1.高速开关: 得益于碳化硅材料和四引脚封装，开关损耗显著低于传统硅基IGBT和Si MOSFET。　　2.高效运行: 低导通电阻与低开关损耗相结合，可提升系统整体效率，尤其在频繁开关的应用中。　　3.易于驱动: 与硅基MOSFET兼容的驱动电压，简化了电路设计。　　4.高温工作能力: 碳化硅器件本身具备更高的工作结温能力，可靠性更强。　　二、特性曲线　　三、关键应用领域　　基于上述卓越性能，LGE3M35120Q在多类高效率、高密度功率转换场景中发挥着核心作用：　　1. 新能源与充电设施　　1.1 OBC与 DC-DC 转换器：利用其高频优势，可缩小OBC内的变压器和滤波器体积，实现更轻量化的电源系统。　　1.2充电桩(直流快充桩)：作为直流充电模块的核心开关元件，其高效率特性有助于减少充电过程中的能量损耗和散热需求，提升充电桩的功率密度与可靠性。　　2. 可再生能源发电系统　　2.1光伏逆变器与储能变流器(PCS)：在太阳能逆变器中，碳化硅 MOSFET能够降低开关损耗，提升整机效率。同样，它也适用于储能系统的双向DC-AC或DC-DC转换。　　2.2 风力发电变流器：有助于应对风力发电不稳定的输入特性，提高电能转换效率和质量。　　3. 工业与通信电源　　3.1服务器电源与通信电源：为数据中心和5G基站提供高效、高功率密度的AC/DC或DC/DC电源解决方案。　　3.2不间断电源(UPS)：提升UPS的转换效率，降低运行能耗和散热成本，对于大型数据中心和工业备用电源系统意义重大。　　3.3电机驱动与电焊机：可用于高性能伺服驱动和工业焊接电源，实现更精确的控制和更高的能效。　　四、总结　　鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET以其高耐压、低损耗、高工作频率和高温运行能力，完美契合了现代电力电子系统对高效率与高功率密度的双重追求。它的成熟应用，提供了优秀的国产器件选择。
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发布时间：2025-12-17 15:32 阅读量：349 继续阅读>>

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