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SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET短路特性以及短路保护方法

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SiC MOSFET短路特性以及短路保护方法

　　在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中，由第三代半导体材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基(Si)制成的Si IGBT。这是因为碳化硅(SiC)材料相比传统硅(Si)材料具有更优越的物理特性，使得SiC MOSFET在高功率、高频率应用中表现更优，能显著提升设备效率并实现轻量化的系统设计。但SiC MOSFET和Si IGBT的器件特性存在差异——两者在短路故障时的短路耐受能力不同，这对保护电路的响应速度提出了更高要求。　　本文从SiC MOSFET的器件特性出发，分析其与Si IGBT在故障响应上的本质差异的原因，并提出针对性保护策略。最后结合纳芯微自主研发的栅极驱动技术，详细阐述去饱和检测的设计方法。　　1. SiC MOSFET短路特性介绍　　在电力电子的许多应用中，短路故障是常见的工况，这就要求功率器件具备短时耐受能力，即可以在一定的时间内承受短路电流而不发生损坏。Si IGBT 通常的短路能力为5-10μs，而SiC MOSFET的短路耐受时间普遍较短(一般为2μs左右)。　　Si IGBT与SiC MOSFET的短路能力的差异主要体现在以下两方面：　　1)在相同阻断电压和电流额定值的情况下，SiC材料具有较高的临界击穿场强，基于这一特性，SiC MOSFET的芯片面积相较于Si IGBT更小，能实现更高的电流密度，但这也导致发热更为集中。　　2)SiC MOSFET 与Si IGBT的输出特性存在差异。如图1.1所示，IGBT通常情况下在饱和区工作;当发生短路时，集电极电流IC迅速增加，从饱和区急剧转为线性区，且集电极电流不受VCE电压的影响，因此短路电流以及功耗增加会受到限制。而对于SiC MOSFET，如图1.2所示，它在正常工作期间处于欧姆区;当发生短路时，从欧姆区进入饱和区的拐点并不显著，且饱和区电流随VDE电压升高而增大，导致器件的电流以及功耗增加不受限制。因此SiC MOSFET的短路保护设计尤为重要。　　IGBT输出特性曲线：　　SiC MOSFET输出特性曲线：　　2. SiC MOSFET短路保护方法　　短路保护对于保证系统稳健运行以及充分发挥器件性能非常重要，合格的短路保护措施不仅能够快速响应并关断器件，还能有效避免误触发情况的发生。常见的短路保护方式分为电压检测和电流检测两种类型：电流检测通常借助分流电阻或者SenseFET的方式;电压检测采用退饱和保护，也就是DESAT保护。以下是对这三种短路保护方法的介绍，并阐明了各自的优缺点。　　2.1.分流电阻检测　　下图显示了一种常见的电流检测方案，在电源回路的MOSFET源极串联一个检测电阻ROC，当电流流过电阻ROC会产生一个电压VOC，如果检测得到的电压大于逻辑门电路的阈值电压VOCTH，则会产生一个短路信号OC Fault，与此同时驱动器关闭OUT输出。　　分流电阻检测电流的方案简单明了、易于理解，具备出色的通用性，可以在任何系统中灵活应用。为了保证检测信号的精准度，需要选择高精度电阻以及快速响应的ADC电路;同时为了防止保护信号误触发，需要在比较器前加入适当的滤波电路。该方案可以采用电阻电容以及比较器的分立元器件搭建实现，也可以选择集成OC保护功能的驱动IC芯片。　　针对PFC电路，可对电流检测电阻的位置进行调整，下图展示了一种负压阈值过流检测的方法。以Boost-PFC这类电路结构为例，在功率的返回路径中，电流检测电阻ROC检测得到的电压为负电压，当检测电压小于设置的阈值电压VOCTH时，保护信号将被触发，此时驱动器输出引脚会输出关断信号。　　这种方案的缺点在于电阻带来额外的功率损耗，在大功率系统中，大电流流过检测电阻会产生较大的功率损耗;而在小功率系统中，则需要更大的电阻来保持检测信号的准确性，这同样也会影响系统效率。同时，如图2.1所示的方案，检测电阻带来的压降对功率器件的栅-源极电压造成影响，此外，图2.2所示的方案还存在拓扑的局限性。　　2.2.带电流检测的功率器件　　如下图，有一种带Sense功能的功率器件，其中，SenseFET集成在功率模块内，与主器件并联。通过使用高精度的分流电阻，可对SenseFET的电流进行监测，如此一来，检测到的电流与器件电流同步。　　集成在功率模块内部的SenseFET，因寄生电感小，受到噪声的影响小。但是带SenseFET的电源模块存在明显劣势：一方面，其成本较高，会增加系统整体成本;另一方面，市场上这类器件的种类较少，可替代性较低。　　2.3.退饱和检测　　2.3.1.DESAT功能介绍　　退饱和检测的本质是电压检测，当器件发生短路时，器件漏极和源极两端的电压会异常升高，因此可以通过比较器件正常导通时和短路时的漏源极电压作为短路判断的依据。　　当器件开通且正常工作时，SiC器件两端的电压可能在1V左右，芯片内部集成的电流源IDESAT通过DESAT引脚，流经电阻RDESAT和高压二极管DDESAT至MOSFET的漏极，此时电容CBLANK两端的电压为SiC MOSFET漏源极压降、高压二极管DDESAT两端压降和电阻RDESAT两端压降之和。　　当短路发生时，SiC MOSFET的漏源极电压迅速上升，高压二极管DDESAT反偏，内部电流源IDESAT通过DESAT引脚给外部电容CBLANK充电;当电容CBLANK两端电压超过内部比较器的阈值电压VT(DESAT)，就会触发短路保护。

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SiC MOSFET

发布时间：2025-04-07 14:51 阅读量：164 继续阅读>>

YFW佑风微<span style='color:red'>MOS</span>管YFW3401在行车记录仪的应用

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YFW佑风微MOS管YFW3401在行车记录仪的应用

　　行车记录仪已经成为现代汽车不可缺少的配件之一，它不仅可以在交通事故中提供关键证据，还能在日常生活和旅途中记录下许多难忘的瞬间。　　MOS管型号YFW3401在行车记录仪上的应用主要体现在电源管理和电机控制方面。　　YFW3401 P沟道、SOT-23-3L封装 -30V -5.5A 内阻44mΩ，对应型号：AOS万代型号AO3407/3407A/3451/3401/3401A;TOSHIBA/东芝型号SSM3J332R/SSM3J372R、VISHAY/威世型号Si2343CDS; Sinopower大中型号SM2315PSA;POTENS博盛型号PDN2309S 。　　应用场景：电子烟控制器数码产品小家电消费类电子。　　在行车记录仪中，YFW3401主要用于控制和驱动功能，特别是在无刷直流电机(BLDC)的驱动上表现出色。由于其优异的高频开关能力，YFW3401能够在高频下工作而不会引入太多损耗，这有助于提高整体系统的效率。同时，低传导损耗和低开关损耗的特性使其在电流较大的应用场景中仍能保持较低的能量损失。　　在汽车电子领域，电源管理和功率模块是MOS管的主要应用之一。从蓄电池取电到各种用电器的电压转换，都需要使用到MOS管进行降压或升压操作。YFW3401通过其低内阻和高电流承受能力，能够高效地处理这些电源管理任务。这种高效的电源管理不仅保证了行车记录仪的稳定运行，还有助于延长车辆电池的使用寿命。

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发布时间：2025-03-31 15:13 阅读量：213 继续阅读>>

<span style='color:red'>MOS</span>管选型指南：如何选择合适的<span style='color:red'>MOS</span>管？

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MOS管选型指南：如何选择合适的MOS管？

MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一种常用的半导体器件，具有低开关损耗、高开关速度、低驱动电压等优点，被广泛应用于电源管理、驱动电路、放大器等领域。但是，市面上MOS管品种繁多，如何选择合适的MOS管成为了工程师们面临的难题。本文将为您介绍MOS管选型的几个关键要素，帮助您选择合适的MOS管。　　1.电压和电流　　MOS管的电压和电流是选型时需要考虑的重要因素。电压是指MOS管能承受的较大电压，一般分为栅极-源极电压(Vgs)和漏极-源极电压(Vds)，选型时需要根据实际应用场景选择合适的电压等级。电流是指MOS管能承受的较大电流，也是选型时需要考虑的重要因素，需要根据实际应用场景选择合适的电流等级。　　2.导通电阻　　导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小，也是选型时需要考虑的重要因素。导通电阻越小，MOS管的导通能力越强，同时也会带来更小的开关损耗。因此，在选型时需要根据实际应用场景选择合适的导通电阻。　　3.开关速度　　开关速度是指MOS管从关断到导通或从导通到关断的时间，也是选型时需要考虑的重要因素。开关速度越快，MOS管的响应能力越强，同时也会带来更小的开关损耗。因此，在选型时需要根据实际应用场景选择合适的开关速度。　　4.温度特性　　温度特性是指MOS管在不同温度下的性能表现，也是选型时需要考虑的重要因素。MOS管的温度特性越好，其性能表现越稳定。因此，在选型时需要根据实际应用场景选择具有良好温度特性的MOS管。　　综上所述，MOS管选型需要考虑的因素有很多，需要根据实际应用场景选择合适的MOS管。同时，在选型时需要注意MOS管的品牌、质量和可靠性等因素，选择具有优良品质和可靠性的MOS管，才能确保系统的稳定性和可靠性。

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发布时间：2025-03-31 15:07 阅读量：206 继续阅读>>

YFW佑风微<span style='color:red'>MOS</span>场效应管在车充上应用

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YFW佑风微MOS场效应管在车充上应用

　　车充就是车载充电器，是指常规通过汽车电瓶供电的车载充电器，大量使用在各种便携式、手持式设备的锂电池充电领域。　　车载充电器是为了方便车主用车载车充电源随时随地为数码产品充电的配件。部分高端车载充电器一般包括2个USB接口，可同时为两台数码产品充电。这类产品一般具有过载保护，短路保护，高压输入保护，高温保护，四重安全保护功能，确保能安全使用。车载充电器在车用的同时，也能家用，实现车充、直充、USB充三合一多功能用途。车载充电器是为了方便用车载电源随时随地为数码产品充电的配件，为您节省电池的开销。这类产品一般具有过载保护，短路保护，高压输入保护，高温保护，四重安全保护功能，确保您能安全使用。　　YFW佑风微MOS管在车充上应用，主要应用型号有：　　1》YFW40P03DF 单P沟道、DFN3X3-8封装 -30V-40A内阻11mΩ　　对应型号：AOS万代型号AON7405/AONR21357/7403/AONR21305C、意法半导体STL9P3LLH6、PANJIT/强茂型号PJQ4403P ，　　应用场景：电子烟无线充车充控制器数码产品小家电消费类电子。　　2》YFW3424 单N沟道、SOT-23N封装，20V4.4A内阻50mΩ，　　对应型号：AOS万代型号AO3494、威世型号Si2377EDS、安世型号PMV50XP，　　应用场景：数码产品小家电消费类电子。　　3》YFW4406 单N沟道、SOP-8封装，30V12A内阻9.5mΩ　　对应型号AOS万代型号AO4406A/AO4306/AO4404B/AO4466/AO4566、ON/安森美型号NTMS4801N、INFINEON/英飞凌型号Si4178DY，　　应用场景：电子烟无线充电机无人机医疗车充控制器数码产品小家电消费类电子。　　4》YFW10G03S N+P沟道、SOP-8封装，30V12A内阻12mΩ/-30V-9.8A内阻25mΩ　　对应型号：AOS万代型号AO4620/AO4924/AO4627/AO4629/AO461、安森美型号FDS8858CZ、PANJIT/强茂PJL9606 ;　　应用场景：电子烟无线充电机无人机医疗车充控制器数码产品小家电消费类电子。　　5》YFW2305 单P沟道、SOT-23封装， -20V-4.4A内阻50mΩ，　　对应型号：AOS万代型号AO3413/3415A/3415A/3419/3423/3435/3493/3495/3499/21115C、安森美型号CPH3356、Nxperian/安世型号PMV65XP/PMV100XPEA　　应用场景：电子烟数码产品小家电消费类电子。

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发布时间：2025-03-31 14:52 阅读量：201 继续阅读>>

瑞萨推出性能卓越的新型<span style='color:red'>MOS</span>FET

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瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源(UPS)等多个领域。　　瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺(REXFET-1)使新产品的导通电阻(MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻)大幅降低30%;更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。　　REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低10%，Qgd(在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量)减少40%。　　除了优秀的电气特性外，瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。　　Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年来，瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势，凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障，瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”　　成功产品组合　　瑞萨将全新MOSFET与其产品组合中的众多器件相结合，推出多种“成功产品组合”方案，包括48V电动平台和三合一电动汽车单元(逆变器、车载充电器、DC/DC转换器)等。这些方案基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经验证的系统架构并带来经优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。

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发布时间：2025-03-28 14:57 阅读量：229 继续阅读>>

常见耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>管应用场景

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常见耗尽型MOS管应用场景

　　耗尽型MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)在电路设计中具有多种重要应用，这些应用主要得益于其独特的电气特性和工作原理。　　一、作为电流源　　耗尽型MOS管可以作为电流源使用。当MOS管的栅极电压恒定时，通过它的漏极电流也将恒定。因此，可以通过调节栅极电压来控制漏极电流的大小。这种电流源可以应用于各种场合，比如运放的输入级、电源稳压电路等。在这些应用中，耗尽型MOS管的高输入阻抗和低输出阻抗特性使得它能够提供稳定的电流输出，同时减小对输入信号的影响。　　二、作为开关　　耗尽型MOS管也可以作为开关使用。当栅极电压大于阈值电压时，MOS管处于导通状态，可以通过漏极和源极之间传导电流。而当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于截止状态，不会有电流通过。因此，可以通过控制栅极电压来控制MOS管的导通和截止，实现开关功能。这种开关电路广泛应用于各种数码产品、电源开关等场合。耗尽型MOS管的快速开关速度和高可靠性使其成为这些应用中的理想选择。　　三、作为放大器　　耗尽型MOS管还可以作为放大器使用。当MOS管处于导通状态时，漏极电流与栅极电压之间的关系符合一定的函数关系。通过调节栅极电压，可以控制漏极电流的大小，从而实现电流放大功能。这种放大电路可以应用于音频放大器、功率放大器等场合。耗尽型MOS管的放大特性使得它能够在这些应用中提供稳定的增益和线性度。　　四、在开环反馈电路中的应用　　在开环反馈电路中，耗尽型MOS管的漏极电流与输入电压之间的关系可以通过反馈电路进行调整。通过调整反馈电路中的元件数值，可以实现电路的增益、频率响应等特性的调节。这种应用使得耗尽型MOS管在模拟电路设计中具有更大的灵活性。　　五、作为电压比较器　　耗尽型MOS管还可以作为电压比较器使用。当输入电压与参考电压进行比较时，通过调节栅极电压，可以控制MOS管的导通与截止，从而实现电压比较的功能。这种电压比较器可以应用于过压保护、欠压保护等场合。耗尽型MOS管的高输入阻抗和低功耗特性使得它在这些应用中具有出色的性能。　　六、在开关电源中的应用　　在开关电源中，耗尽型MOS管作为开关管使用，可以实现高效率的能量转换。通过控制MOS管的导通和截止，可以实现电源输出的稳定和高效。耗尽型MOS管的快速开关速度和高可靠性使其成为开关电源设计中的理想选择。　　七、在逆变器电路中的应用　　逆变器电路将直流电源转换为交流电源，常见用于太阳能发电系统和无线电通信系统等。耗尽型MOS管作为逆变器的关键元件之一，通过控制MOS管的导通和截止，可以实现输出交流电压的控制。这种应用使得耗尽型MOS管在可再生能源和通信系统等领域中具有重要作用。　　八、在电机驱动电路中的应用　　通过控制耗尽型MOS管的导通和截止，可以控制电机的转速和转向。这种电机驱动电路广泛应用于各种电动车、机器人等设备。耗尽型MOS管的高可靠性和快速响应特性使得它在这些应用中能够提供精确的电机控制。　　九、在电压稳压器中的应用　　通过控制耗尽型MOS管的导通和截止，可以调节输出电压的大小，实现电压的稳定。电压稳压器被广泛应用于各种电子设备中，保证设备的正常工作。耗尽型MOS管的低漏电流和低功耗特性使得它在这些应用中具有出色的性能。　　综上所述，耗尽型MOS管在电路设计中具有多种重要应用。其高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和高可靠性等特性使得它成为电子领域中不可或缺的元件之一。随着科技的发展和应用的需求不断增加，耗尽型MOS管的应用将会更加广泛和多样化。

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发布时间：2025-03-28 14:49 阅读量：221 继续阅读>>

<span style='color:red'>MOS</span>管的应用与判断方法

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MOS管的应用与判断方法

　　MOS管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子产品中。它具有体积小、功耗低、速度快等优点，因此在数字电路、模拟电路、功率电子等领域得到了广泛的应用。但是，由于MOS管的参数比较多，判断其性能是否符合要求也比较复杂。下面将介绍MOS管的应用以及判断方法。　　MOS管的应用　　MOS管是一种常用的半导体器件，主要应用于数字电路、模拟电路、功率电子等领域。在数字电路中，MOS管常用于构建逻辑门电路和存储器电路。在模拟电路中，MOS管常用于构建放大器、滤波器等电路。在功率电子中，MOS管常用于构建开关电源、逆变器等电路。此外，MOS管还被广泛应用于LCD显示器、LED照明等领域。　　MOS管的判断方法　　MOS管的参数比较多，判断其性能是否符合要求也比较复杂。下面将介绍MOS管的判断方法。　　静态参数判断　　静态参数是指MOS管在静态工作状态下的参数，包括漏极电流、开启电压、截止电压等。这些参数可以通过测试仪器进行测量，以判断MOS管是否符合要求。　　动态参数判断　　动态参数是指MOS管在动态工作状态下的参数，包括开关速度、输出电容等。这些参数可以通过示波器进行测量，以判断MOS管是否符合要求。　　温度特性判断　　MOS管的性能会受到温度的影响，因此需要在不同温度下进行测试，以判断MOS管的温度特性是否符合要求。　　可靠性判断　　MOS管的可靠性是指其在长期使用过程中的稳定性和可靠性。可通过进行寿命测试、热稳定性测试等方式进行判断。　　总之，MOS管是一种常用的半导体器件，具有广泛的应用领域。判断MOS管的性能是否符合要求需要考虑静态参数、动态参数、温度特性以及可靠性等因素。

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发布时间：2025-03-27 16:51 阅读量：239 继续阅读>>

川土微电子CA-DV6235F集成D<span style='color:red'>MOS</span>的三相无刷电机驱动器

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川土微电子CA-DV6235F集成DMOS的三相无刷电机驱动器

　　在工业自动化与智能设备高速发展的今天，电机驱动器的高效性与可靠性成为关键挑战。川土微电子凭借在高端模拟芯片领域的技术积淀，推出三相无刷电机驱动器CA-DV6235F。该产品通过BCD工艺，将DMOS，CMOS和Bipolar电路集成在一颗芯片内，实现10A峰值电流输出与100mΩ超低导通电阻，同时集成无耗散过流保护与过温关断功能，显著提升系统可靠性，满足机器人、无人机等严苛场景的驱动需求。　　1.产品概述　　CA-DV6235F是一款全集成DMOS三相电机驱动器，基于BCD工艺实现DMOS、CMOS与Bipolar电路的单芯片集成。内置三相DMOS桥、固定关断时间PWM电流控制器及霍尔传感器解码逻辑，可完整支持三相无刷直流电机驱动需求;同时，该器件集成了高边无耗散过流保护和过温保护功能，异常状态下能够自动关断输出，有效保障芯片安全。　　CA-DV6235F采用QFN48封装，尺寸仅为7mm×7mm，凭借高密度引脚布局与优异散热设计，在紧凑空间中能够实现高效能输出。　　2.特性　　高效驱动性能　　10A峰值输出电流，支持高扭矩电机驱动。　　100kHz PWM频率，实现精准调速与低纹波控制。　　慢衰减同步整流技术，降低开关损耗与电磁干扰。　　智能保护机制　　无耗散过流保护：实时监测电流，异常时快速关断，避免器件损坏。　　过温关断与指示：内置温度传感器，异常状态主动保护并输出告警信号。　　桥臂直通保护：防止上下管直通短路，增强系统安全性。　　灵活控制功能　　支持60°/120°霍尔传感器解码，兼容主流电机类型。　　转速调节与制动功能，满足动态负载场景需求。　　3. 典型应用场景　　机器人：驱动关节电机，实现高精度位置控制与快速响应，适配协作机器人、服务机器人等。　　无人机：为动力系统提供高效能输出，支持长续航与复杂飞行姿态调整。　　工业自动化：适用于AGV、精密仪器等需紧凑设计与高可靠性的设备。

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川土微电子

发布时间：2025-03-26 14:28 阅读量：234 继续阅读>>

ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型<span style='color:red'>MOS</span>FET - FTE03R20D

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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　 2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。

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ARK（方舟微）

发布时间：2025-03-24 10:00 阅读量：219 继续阅读>>

英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

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英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

　　电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。　　为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。　　英飞凌新品EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC(功率因数校正)的完整系统解决方案。图腾柱PFC电路采用EiceDRIVER™ 1ED21271S65F和CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H。　　测试结果显示，在230 VAC半负载条件下，功率达98.7%。　　产品型号：　　■ EVAL-1EDSIC-PFC-5KW　　所用器件：　　■ EiceDRIVER™ 1ED21271S65F驱动CoolSiC™ MOSFET　　■ CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H　　■ EiceDRIVER™ 2ED2182S06F驱动CoolMOS™　　■ CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 600V IPQC60R010S7　　■ Controller:XMC™ 4200 Arm® Cortex®-M4　　■ 辅助电源：ICE2QR2280G　　产品特点　　采用CoolSiC™和CoolMOS™的交错图腾柱设计，由电平位移驱动器驱动1ED21271驱动　　高压侧电源开关的硬件击穿保护　　CCM图腾柱PFC　　提高性能和稳健性　　应用价值　　半负载时效率高达97.8%　　输入电压范围：100-240伏　　固定400V输出直流电压　　峰值电流限制50A　　竞争优势　　高压侧驱动器集成保护　　高速直通保护　　创新的PFC级设计　　框图　　应用领域　　暖通空调(HVAC)　　家用电器　　功率变换系统　　通用驱动器

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英飞凌

发布时间：2025-03-21 09:17 阅读量：236 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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