森国科推出电焊机专用的1200V/40A <span style='color:red'>IGBT</span>芯片
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森国科推出电焊机专用的1200V/40A IGBT芯片

　　森国科推出的1200V 40A IGBT产品(型号：KG040N120HD-R)具有高效率、高可靠性和低功耗等优势，可与多种控制芯片兼容，方便与其他电子元件配合使用。这种兼容性简化了系统设计，降低了开发难度和成本广泛应用于工业焊接设备、功率因数校正应用等领域。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　低集电极发射极饱和电压　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　竞争优势　　高效率　　高可靠性　　低功耗　　应用领域　　功率因数校正应用　　电焊机　　最大额定数值
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发布时间：2025-04-02 13:33 阅读量：192 继续阅读>>
森国科1200V/40A <span style='color:red'>IGBT</span>助力高效率方案设计
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森国科1200V/40A IGBT助力高效率方案设计

　　森国科推出的1200V/40A IGBT(型号：KG040N120LD-R)以其卓越的低开关损耗和导通损耗，在高频应用场景中展现出了无与伦比的性能优势。特别是在电焊机和光伏逆变器等关键领域，其高效能表现尤为突出，不仅提升了设备的运行效率，还显著降低了能耗，为用户带来了更加可靠和经济的解决方案。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　低集电级发射极饱和电压　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　竞争优势　　高效率　　优异的动态性能　　可靠性高、耐用性强　　应用领域　　电焊机　　不间断电源　　光伏逆变器　　最大额定数值
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发布时间：2025-04-02 13:28 阅读量：201 继续阅读>>
森国科650V/60A <span style='color:red'>IGBT</span>助力提升光伏逆变器转换效率
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森国科650V/60A IGBT助力提升光伏逆变器转换效率

　　森国科推出的650V/60A IGBT(选型：KG060N065LD-R)具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，器件采用了先进的制造工艺和材料技术，确保了应用的高可靠性，有助于减少应用上的维护成本。IGBT的高鲁棒性，有助于提升应用设备在极端环境下的稳定性和可靠性，从而延长设备的使用寿命。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　高逆变器效率　　竞争优势　　软开关能力　　高效率　　应用领域　　功率因数校正应用　　不间断电源　　光伏逆变器　　最大额定数值
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发布时间：2025-03-26 14:51 阅读量：214 继续阅读>>
森国科1200V/40A <span style='color:red'>IGBT</span>产品阵容再增一员，助力逆变器高效设计
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森国科1200V/40A IGBT产品阵容再增一员，助力逆变器高效设计

　　森国科的1200V/40A IGBT(型号：KG040N120SD-R)为电机驱动、逆变器、UPS系统以及太阳能和风能发电系统应用设计而生。KG040N120SD-R IGBT具有低导通损耗和快速开关特性，不仅提升了系统的效率和性能，还为工程师提供了更多的设计灵活性和可靠性保障。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　短路耐受时间超过10μs　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　并联超快恢复二极管　　高鲁棒性　　高速开关　　竞争优势　　高效率　　高可靠性　　应用领域　　逆变器　　电机驱动器　　最大额定数值
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发布时间：2025-03-25 14:03 阅读量：241 继续阅读>>
森国科：650V/6A <span style='color:red'>IGBT</span>为家电领域带来更高性价比的电源管理方案
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森国科：650V/6A IGBT为家电领域带来更高性价比的电源管理方案

　　森国科推出的650V/6A IGBT(型号：KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。　　在风扇中，IGBT的场截止沟槽技术能够提供更低的传导损耗和开关损耗，提高整体系统效率并减少能耗;　　在泵中，IGBT的低损耗特性有助于减少发热量，有效简化散热设计;　　在吸尘器中，650V IGBT的高速开关特性使其适用于吸尘器中的电机控制，能够快速响应不同的清洁需求，同时保持较低的功耗。因此，在电源管理解决方案，IGBT产品有着不可替代的优势。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　短路耐受时间超过10 μs易于并联使用VCE(sat)正温度系数高效电机驱动高鲁棒性　　竞争优势　　高频开关能力　　优异的热管理能力广泛的应用领域　　应用领域　　电机驱动器　　家用电器风扇、泵、真空吸尘器　　最大额定数值
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发布时间：2025-03-24 14:19 阅读量：310 继续阅读>>
森国科：1200V/25A <span style='color:red'>IGBT</span>助力逆变焊机轻量设计、高效应用
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森国科：1200V/25A IGBT助力逆变焊机轻量设计、高效应用

　　森国科推出的1200V/25A IGBT(选型：KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强，当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应，短路时间极短，仅5μs，最大工作结温扩大到175℃，有助于延长产品的使用寿命。IGBT芯片的沟槽栅场截止技术，进一步减小了正向导通时饱和压降值，优化了器件开关性能，在提高性能同时可使芯片做的更薄，有利于满足逆变频率高达20~30kHz的情况下，控制变压器体积，更便于运输搬运。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　低集电极发射极饱和电压　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　竞争优势　　软开关能力　　高效率　　适用于高电压、大电流应用　　应用领域　　电焊机　　不间断电源　　电磁加热器　　最大额定数值
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发布时间：2025-03-24 14:04 阅读量：189 继续阅读>>
长晶科技FST3.0 <span style='color:red'>IGBT</span>新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

　　长晶科技本次推出了FST3.0(对标国际Gen7.0) 650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。
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发布时间：2024-12-02 14:04 阅读量：366 继续阅读>>
<span style='color:red'>IGBT</span>的工作原理、作用和功能有哪些
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IGBT的工作原理、作用和功能有哪些

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高性能、高速度的功率半导体器件，是MOSFET和普通双极晶体管的集成体。IGBT融合了MOSFET的驱动特性和双极晶体管的低导通压降等优点，具有高效、低损耗和大电流承载能力等特点。IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。　　1. IGBT的工作原理　　IGBT的结构复杂，但其工作原理却比较简单。IGBT由PNP型双极晶体管和N型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组成，并在两者之间加入了隔离层，以实现双极晶体管和MOSFET的有机结合。IGBT的主要工作原理如下：　　当IGBT的栅极施加正向电压时，会形成一个N型导通区，从而允许集电极和发射极之间的电流通过。　　反之，当栅极施加反向电压时，则不允许电流通过。　　在IGBT的工作过程中，当控制信号施加到栅极时，将会引起PNP晶体管的导通。在这种情况下，集电极和发射极之间的电流可通过，在控制信号撤回后，IGBT会自动关闭，此时不会通过任何电流。　　2. IGBT的作用和功能　　IGBT拥有多种特性，其主要作用和功能如下：　　(1) 控制电流　　IGBT具有单向导通特性，可控制电路的开关状态。当IGBT的栅极施加正向电压时，允许电流通过;反之，则不允许电流通过。这使得IGBT可以很好地控制电流大小和方向。　　(2) 降低功率损耗　　由于IGBT的导通电阻比双极晶体管低，开关速度又比MOSFET快，因此，IGBT具有较低的导通损耗和开关损耗。这使得IGBT成为高效、低损耗的功率半导体器件。　　(3) 承载大电流　　IGBT的承载电流能力较强，可达300A以上。同时，IGBT具有良好的热稳定性和抗击穿能力，可以在高温和高电压环境下工作，保证设备的安全运行。　　(4) 广泛应用　　IGBT广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、交流调速电机、UPS电源等。其稳定性和高效性的特点被广泛认可，并得到了市场的追捧。　　IGBT是一种重要的功率半导体器件，具有控制电流、降低功率损耗、承载大电流等多种特点。其广泛应用于各种电力电子设备中，为产业的发展和进步做出了重要贡献。
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发布时间：2024-11-11 17:38 阅读量：657 继续阅读>>
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V <span style='color:red'>IGBT</span>
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ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。　　此次发售的产品包括4款分立封装的产品(TO-247-4L和TO-247N各2款)“RGA80TRX2HR/RGA80TRX2EHR/RGA80TSX2HR/RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片产品“SG84xxWN”，预计未来将会进一步扩大产品阵容。　　近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，这就要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元器件也能支持高电压。另一方面，为了实现无碳社会，从更节能、简化冷却机构、外壳的小型化等角度出发，对功率元器件的效率提升也提出了强烈的要求。另外，车载电子产品还需要符合车载产品可靠性标准。不仅如此，在逆变器和加热器电路中，还要求功率元器件在发生短路时能够切断电流，并且需要具有更高的短路耐受能力。在这种背景下，ROHM通过改进器件结构，并采用合适的封装形式，开发出支持高电压、并实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新产品。　　第4代1200V IGBT通过改进包括外围结构在内的器件结构，不仅实现了高达1200V的耐压能力和符合车载电子产品标准的可靠性，还实现了10µsec.(Tj=25℃时)的业界超高短路耐受能力以及业界超低的开关损耗和导通损耗特性。另外，新产品采用4引脚TO-247-4L封装，通过确保引脚间的爬电距离*4，可在污染等级为2级的环境*5中支持1100V的有效电压，与以往产品相比，可支持更高电压的应用。由于爬电距离对策是在器件上实施的，因此也有助于减轻客户的设计负担。此外，TO-247-4L封装产品通过增加开尔文发射极引脚*6を追加するこ，还实现了高速开关和更低损耗。通过对TO-247-4L封装新产品、普通产品和以往产品在三相逆变器中的实际效率进行比较，证实新产品的损耗比普通产品低约24%，比以往产品低约35%，这将有助于实现应用产品的高效率驱动。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格 1,500日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360等电商平台均可购买。　　未来，ROHM将会继续扩大更高性能IGBT的产品阵容，从而为汽车和工业设备应用的高效率驱动和小型化贡献力量。　　<产品阵容>　　分立产品　　裸芯片产品　　<应用示例>        ◇车载电动压缩机　　◇车载HV加热器(PTC加热器、冷却液加热器)　　◇工业设备逆变器　　<电商销售信息>       开始销售时间：2024年11月起　　网售平台：Ameya360等　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、　　     RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR　　<支持信息>       通过ROHM官网，可以下载包括通过仿真如实再现产品电气特性的SPICE模型在内的各种电路设计所需的资料：　　https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#parametricSearch　　<关于采用了RGA系列的赛米控丹佛斯功率半导体模块>      赛米控丹佛斯额定电流10A～150A的功率半导体模块“MiniSKiiP®”，采用了ROHM的1200V耐压IGBT“RGA系列”。如欲了解更多信息，请访问以下页面：　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-04-26_news_semikron&defaultGroupId=false　　<关于“EcoIGBT™”品牌>      EcoIGBT™是ROHM开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发功率元器件产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了功率元器件领域先进企业的地位。　　・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>     *1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”　　AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。　　*2) 短路耐受能力　　当负载等短路时，功率元器件能够承受而不至于损坏的时间。　　*3) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)　　同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。　　*4) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。　　在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*5) 污染等级2级的环境　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。　　污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。　　*6) 开尔文发射极引脚　　测量电压专用的发射极引脚。通过使流过电流的发射极引脚分离，可以将电流流过时电压压降的影响降至更低，从而实现高速且稳定的开关。　　注)“MiniSKiiP®”是赛米控丹佛斯的商标或注册商标。
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发布时间：2024-11-07 17:05 阅读量：597 继续阅读>>
上海贝岭650V/80A <span style='color:red'>IGBT</span>助力高效率逆变焊机设计
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上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

　　一、引言　　逆变焊机作为一种先进的焊接设备，在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比，具有诸多优点，如：　　高效节能　　由于逆变焊机的工作频率很高(通常在20kHz~100kHz)，因此它能更有效地利用电能，减少能量损失。　　轻便便携　　相比传统焊机，逆变焊机体积小、重量轻，易于携带。　　焊接性能好　　逆变焊机能提供更稳定的电弧，减少飞溅，提高焊接质量。　　可调节性强　　用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数，灵活性更高。　　如图1所示，逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电，然后通过电子开关(IGBT/MOSFET)将直流电逆变成高频交流电，最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。　　图1 逆变焊机工作方框图　　二、逆变焊机拓扑介绍　　逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟，主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。　　图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路，其对称交替导通有利于变压器完全复位，磁芯利用率高，输出响应快，且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下，半桥式功率管要承受更大的电流。　　图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路，主要应用于大电流、大功率场合，变压器磁芯利用率高，成本也相应较高。　　三、逆变焊机IGBT损耗分析　　目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路，电路拓扑如图2.1和2.2，通过测试分析，该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分，如图3.1所示：　　1、IGBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode　　2、IGBT开启损耗Eon　　3、IGBT通态损耗Econ　　4、IGBT关断损耗Eoff　　如图3.2所示，逆变焊机硬开关应用中，关断损耗Eoff占比最大，其次为导通损耗Econ。　　图3.2 IGBT损耗占比　　四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势　　为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求，上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7，助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点，可满足客户高效率设计要求。　　4.1、器件技术　　上海贝岭650V/80A IGBT产品BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术，进行了特殊工艺控制，优化了VCE(sat)和Eoff参数，提升了产品的可靠性。　　4.2、饱和压降VCE(sat)　　逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大，影响导通损耗的主要参数为VCE(sat)，常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比竞品低12%，导通损耗比竞品更低。　　4.3、关断损耗Eoff　　BLG80T65FDK7具有较小的寄生电容，这保证了器件有更高的开关速度，开关频率高达50kHz以上，如图4.2所示，通过测试IGBT的损耗，BLG80T65FDK7关断损耗比竞品低5%。　　4.4、系统优势　　IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度，同时器件损耗的减小，可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率，显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计，为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.3，常温自然散热情况下，贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致，满足客户的需求。　　五、上海贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力，具体型号参考表1：
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发布时间：2024-09-26 10:36 阅读量：696 继续阅读>>

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