电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

行业新闻

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。　　新品直击　　针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC和LLC转换器等应用。其通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。您可查看产品新闻或下载产品参考资料获取产品详细信息。　　产品特点　　1.构建大功率电源电路拓扑(PFC、LLC)的理想产品阵容　　- 内置4枚/6枚1,200V/750V耐压的SiC MOSFET，可构建更简洁小巧的电源电路　　- 产品阵容丰富，提供多种导通电阻(13mΩ~62mΩ)，用户可根据需求选择合适的产品　　2.采用导热性能优异的绝缘材料，散热性能出色，绝缘设计简便　　- 与散热性好的分立器件封装产品相比，其卓越的散热性能可有效抑制封装发热　　3.与同等小型功率模块相比，输出功率更高　　- 采用具有高散热性封装和低导通电阻的SiC MOSFET，电流密度是其他公司DIP模块的1.5倍　　产品阵容　　HSDIP20是罗姆SiC功率器件家族的新成员，作为SiC领域的深耕者，罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。　　另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。　　产品矩阵　　- 罗姆SiC功率器件系列产品　　- SiC支持页　　- 第4代SiC MOSFET　　- 应用合作案例　　新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”　　TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。您可查看产品新闻或下载产品参考资料。　　产品阵容　　宽爬电距离封装，SiC肖特基势垒二极管　　采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高!与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。更多内容您可点击查看产品新闻或点击下载产品参考资料。　　产品阵容　　未来，ROHM将继续开发新产品，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。

关键词：

罗姆

发布时间：2025-06-26 16:34 阅读量：264 继续阅读>>

行业新闻

罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计，配备罗姆面向SoC的PMIC，助力智能座舱普及！

　　6月25日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF68003”。该参考设计主要覆盖芯驰科技的智能座舱SoC*1“X9SP”产品，其中配备了罗姆的PMIC*2产品，并在2025年上海车展芯驰科技展台进行了展示。2025年上海车展芯驰科技展台现场照片右三：芯驰科技创始人仇雨菁左二：芯驰科技创始人 CTO 孙鸣乐左三：罗姆半导体(上海)有限公司董事长米泽秀一　　芯驰科技的X9系列产品全面覆盖仪表、IVI、座舱域控、舱泊一体等从入门级到旗舰级的座舱应用场景，已完成百万片量级出货，量产经验丰富，生态成熟。盖世汽车研究院最新数据(国内乘用车上险量)显示， 2025年1-3月，在10万元以上的车型中，芯驰科技的X9系列座舱芯片(包括仪表、中控和域控)装机量位居本土第一名，覆盖上汽、奇瑞、长安、一汽、广汽、北汽、东风日产、东风本田等车企的50多款主流车型和大量出海的车型。　　芯驰科技与罗姆于2019年开始技术交流，并一直致力于合作开发智能驾驶舱的应用。2022年，双方签署了车载领域的先进技术开发合作协议。迄今为止，双方通过结合芯驰科技的车载 SoC“X9H”、“X9M”和“X9E”、以及罗姆的PMIC、SerDes IC*3 以及 LED 驱动器 IC ，共同开发了面向智能驾驶舱的参考设计。　　2025 年，面向中高端智能座舱，芯驰科技与罗姆联合开发出基于车载 SoC“X9SP”的新参考设计 “REF68003”。罗姆提供用于SoC的PMIC“BD96811F44-C”、BD96806Q04-C”、“BD96806Q05-C”和“BD96806Q06-C”，符合ISO 26262以及ASIL-B*4，有助于实现各种高性能车载应用。今后，罗姆将继续开发适用于汽车信息娱乐系统的产品，为提高汽车的便利性和安全性贡献力量。　　芯驰科技 CTO 孙鸣乐表示：“随着汽车智能化的快速发展，对汽车电子和零部件的要求也越来越高。 X9SP是芯驰X9系列高性能座舱SoC的核心旗舰产品，面向智能座舱与跨域融合场景设计，具备高性能和高可靠性，特别适用于舱泊一体的解决方案。新开发的参考设计将罗姆的PMIC与X9SP相结合，以提高整体系统的稳定性和能效。我们期待与罗姆继续合作，在未来提供各种创新的车载解决方案。”　　罗姆董事高级执行官立石哲夫表示：“我们非常高兴能够与车载SoC领域领先公司——芯驰科技联合开发新的参考设计。集成了信息娱乐以及ADAS功能监控等各种功能的智能座舱正在加速普及，尤其在下一代电动汽车中，PMIC等车载模拟半导体产品的作用变得越来越重要。罗姆此次提供的SoC用PMIC是能够灵活地应用于新一代车载电源并满足功能安全要求的电源IC。今后，通过继续加深与芯驰科技的交流与合作，罗姆将会加快开发支持下一代智能座舱多功能化发展的产品，为汽车行业的进一步发展做出贡献。”　　<背景>　　近年来正在普及的智能驾驶舱，除了具备仪表集群和信息娱乐系统等多种功能之外，还加速了大型显示器的采用。与此同时，车载SoC所要求的处理能力也在增加，因此要求作为核心器件承担电力供给的 PMIC等电源IC兼顾支持电流和高效工作。　　罗姆提供面向SoC的PMIC，不仅稳定性和效率性高，还可通过内部存储器(OTP)进行任意输出电压设定和顺序控制。通过最小限度的电路变更，可构建面向各种车型、模型的电源系统，为削减汽车制造商的开发工时做出贡献。　　关于配备了“X9SP”和罗姆产品的参考设计“REF68003”　　“REF68003”配备了芯驰科技的智能座舱用SoC“X9SP”以及罗姆的SoC用PMIC。目前，该参考设计已在芯驰科技验证完毕。利用该参考设计，可实现达到安全等级ASIL-B的智能座舱。另外，罗姆提供的 SoC用PMIC，可使用内部存储器(OTP)进行任意输出电压设置和时序控制，因此可根据具体的电路需求高效且灵活地供电。　　该参考设计利用芯驰科技自有的硬件虚拟化支持功能，支持在单个SoC上运行多个OS(操作系统)。同时，利用硬件安全管理模块，还可将来自OS的命令传递给SoC和GPU。此外，通过替换成引脚兼容的芯驰科技其他SoC，还可以在不更改电路的前提下快速更改规格。　　・关于芯驰科技的智能座舱SoC“X9SP系列”　　https://www.semidrive.com/product/X9SP　　・关于罗姆的参考设计页面　　有关参考设计的详细信息以及配备于其中的产品信息，已在罗姆官网上发布。　　URL：https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68003　　关于参考设计的更详细信息，请通过销售代表或罗姆官网的“联系我们”页面进行垂询。　　关于芯驰科技　　芯驰科技是全场景智能车芯引领者，专注于提供高性能、高可靠的车规芯片，覆盖智能座舱和智能车控领域，涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。芯驰全系列芯片均已量产，出货量超800万片。芯驰目前拥有超200个定点项目，服务超过260家客户，覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企，包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。如需了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/　　<术语解说>　　*1) SoC(System-On-a-Chip：系统单芯片)　　集成了CPU(中央处理单元)、存储器、接口等的集成电路。为了实现高处理能力、电力效率、空间削减，在车载设备、民生设备、产业设备领域被广泛使用。　　*2)PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*3) SerDes IC　　为了高速传输数据而成对使用、用来进行通信方式转换的两个IC的总称。串行器(Serializer)用来将数据转换为易于高速传输的格式(将并行数据转换为串行数据)，解串器(Deserializer)用来将传输的数据转换为原格式(将串行数据转换为并行数据)。　　*4) ISO 26262、ASIL(Automotive Safety Integrity Level)　　ISO 26262是2011年11月正式颁布实施的汽车电子电气系统功能安全相关的国际标准。是一种旨在实现“功能安全”的标准化开发流程。需要计算车载电子控制中的故障风险，并将降低其风险的机制作为功能之一预先嵌入系统。该标准覆盖了从车辆概念阶段到系统、ECU、嵌入软件、设备开发及其生产、维护和报废阶段的车辆开发整个生命周期。 ASIL是ISO 26262中定义的风险分类系统，共分4个等级，风险等级越高，对功能安全的要求就越高。

关键词：

罗姆

发布时间：2025-06-26 13:10 阅读量：285 继续阅读>>

行业新闻

罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

　　~应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升~　　6月24日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”)面向中国市场的全新跨界纯电动汽车(BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。　　“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司(以下简称“BTET”)、一汽丰田汽车有限公司(以下简称“一汽丰田”)联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。　　此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI)Co., Ltd.)进行量产供货，其中以SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案，为这款新型纯电动汽车的续航里程和性能提供了重要保障。　　罗姆目前正加速推进SiC功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代(即第5代)SiC MOSFET的生产线建设，并提前布局第6代和第7代产品的市场投放规划。　　未来，罗姆将继续致力于元器件性能和生产效率的提升，通过强化裸芯片、分立器件、功率模块等各种形态的全方位SiC供应体系，进一步推动SiC技术的普及，为实现可持续交通贡献力量。　　关于“bZ5”　　丰田与BTET、一汽丰田等企业联合开发的跨界纯电动汽车，以“Reboot”为开发理念，采用动感且具标志性的造型设计。针对Z世代年轻用户需求，着力打造兼具个性化与舒适性的驾乘空间。续航能力方面，低配版本可达550公里，高配版本则实现了630公里(CLTC标准)的续航表现。　　该车已于2025年4月22日(第二十一届上海国际汽车工业展览会开幕前日)开启预订，引发广泛关注。　　关于上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)　　上海海姆希科半导体有限公司是由正海集团有限公司(中方)与罗姆株式会社(日方)共同成立的中日合资企业。HAIMOSIC(海姆希科)主要从事碳化硅半导体功率模块的研发、设计、制造及销售，预期产能 36万个/年。项目总投资额为4.5亿元人民币，注册资金2.5亿元人民币。更多详情请访问HAIMOSIC官网(http://www.haimosic.com/)。

关键词：

罗姆

发布时间：2025-06-26 11:14 阅读量：265 继续阅读>>

行业新闻

SiC MOSFET 并联的关键技术

　　基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。　　然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联，因为参数差异会影响均流特性。本文将深入探讨该问题，并展示ST第三代SiC MOSFET如何完美适配并联应用。　　分立MOSFET和功率模块　　分立器件采用单管封装形式(每个封装仅含单个MOSFET或二极管)，可灵活选择通孔插装(THT)或表面贴装(SMD)封装。这种形式对拓扑设计和混合封装应用没有任何限制。　　功率模块则截然不同：其内部器件按特定拓扑(如全桥)集成，一旦封装完成，既无法修改拓扑也不能调整器件参数。因此在原型设计阶段，工程师需要投入更多精力进行仿真验证，而使用分立器件时能直接进行实物测试。　　功率模块有两大优点：　　功率耗散：功率模块的横截面结构通常包括散热基板、陶瓷电气绝缘层以及铜平面走线，硅或碳化硅芯片(如MOSFET)通过烧结工艺直接连接在铜走线上。这种设计在散热方面具有显著优势：散热基板可直接与散热器接触，无需额外电气绝缘，两者之间仅需导热界面材料(TIM，如导热硅脂)即可实现高效热传导。　　模块的另一大优势在于缩短换流回路，这一点虽比散热设计更复杂，但效果极为关键，能有效降低寄生参数。走线本身具有电阻和电感，长度越长，寄生效应越严重：电阻会因流经的RMS电流产生不可忽视的导通损耗;电感则会在电流变化时引发电压过冲，开关速度越快，电压尖峰越高，甚至可能损坏器件。　　在以下方面，分立器件难以与模块相比：　　散热设计：分立器件的散热基板通常不绝缘且与MOSFET漏极相连，因此导热界面材料需同时满足绝缘和导热需求。　　走线长度：分立器件芯片间的走线长度较长。电流通过键合线流至封装引线，然后流至PCB，再返回。　　在模块中，器件并联非常简单：两颗芯片并列安装，其余节点通过短键合线连接。走线更短且热耦合性能更优。　　分立器件之间的热耦合性能不如模块好。热量从芯片到封装，再通过导热界面材料 (TIM) 到达散热器，再到其他 MOSFET。每种介质以及它们之间的每次转换都会产生热阻，导致温度梯度。　　并联分立MOSFET的动机　　尽管存在上述局限，分立MOSFET并联仍具备不可替代的优势：设计灵活性、参数可扩展性、供应链冗余以及原型验证便捷性。此外，并联本身还能带来以下物理层面的优化：　　热阻与封装散热面积成反比。若将损耗均分至两个相同器件，总散热面积翻倍，单个封装的热耗减半，从而使结到散热器的热阻降低一半，器件实际温度更接近散热器温度。　　MOSFET损耗主要包含导通损耗和开关损耗。导通损耗由沟道导通电阻(RDSon)引起，并联N个相同MOSFET可使总RDSon降至1/N。　　开关损耗源于开关过程中电压与电流的重叠(图1)。尽管瞬态时间极短，但高压大电流下峰值功率非常显著。通过对功率随时间进行积分(曲线下方的区域)可得到特定条件下的开通能量和关断能量，将二者乘以开关频率(若条件变化则累加1秒内的所有能量)，即可计算出开关损耗。　　给定条件是值得注意的地方，因为开关能量很大程度上取决于几种参数：瞬态时间、电压、电流和温度。关于并联方案，在开关能量的电流函数中隐藏着一些优势。(图2)　　开关能量的变化曲线不是线性的，略呈指数趋势。因此，电流加倍会导致能量增加超过两倍。并联时，结果正好相反：如果将电流均分到两个相同的器件，总开关能量会比单个器件单独开关时更低。　　如果我们将功率模块中的一个 MOSFET 与两个分立 MOSFET 进行比较，则该模块将处于劣势：　　对比功率模块中的单个MOSFET与分立形式的两个MOSFET，模块反而处于劣势：　　散热路径：由于模块结构不同，散热路径难以比较，但是，分立器件通过更大散热面积可弥补结构劣势，甚至超越模块性能。　　导通损耗和开关损耗：分立MOSFET并联的导通损耗是功率模块的二分之一，开关能量损耗显著降低，因此，并联分立 MOSFET 在损耗方面优势非常明显。　　这说明，在所述功率范围内，分立器件并联与模块方案存在性能重叠。使用更多的相同规格的器件可以提高功率，而并联时选择更高导通电阻而成本更低的器件，仍有可能在相同功率下与模块方案竞争。　　热失控——优势背后的隐患　　MOSFET的导通电阻(RDSon)并非静态参数，其数值随电流变化，且受温度影响更为显著。在当前功率范围内，碳化硅(SiC)MOSFET已成为主流选择，其RDSon温度特性远优于硅基MOSFET。　　以ST最新一代HU3PAK封装(顶面散热)的SCT011HU75G3AG为例(图3)，导通电阻RDSon非常低，是并联设计的理想选择。　　然而，从25°C至175°C其导通电阻Rdson仅上升约50%，与标准硅基MOSFET相比，这一增幅明显更低，传统硅基MOSFET在150°C(而非175℃，这是其绝对最高额定温度)时RDSon增幅可达200%。　　平坦的导通电阻(RDS(on))温度曲线是理想设计特性，能使导通损耗随温度变化保持稳定。然而，当损耗上升时，存在热失控风险：损耗增加导致温度升高，进而进一步加剧损耗。这种正反馈效应曾是硅基MOSFET的难题，但对碳化硅(SiC)器件通常可忽略——除非采用并联配置。　　为何存在这种差异?关键在于参数离散性，尤其是导通电阻RDS(on)。以型号SCT011HU75G3AG为例，其标称RDS(on)为11.4 mΩ，但实际可能高达15 mΩ。虽然同一批次中出现如此大偏差的概率较低，但我们仍以此极端情况分析：15 mΩ比11.4 mΩ高出32%，意味着在相同电压下该器件承载的电流将减少32%。因此，11.4 mΩ的MOSFET会产生约32%的额外损耗并更易发热。若RDS(on)随温度上升的斜率更大，虽然会导致更高损耗，但发热更严重的MOSFET会通过自我调节(升温导致电阻增加)使电流向低温器件转移。　　实际应用分析　　实际应用中的风险等级如何?由于并联MOSFET共享散热器(存在热耦合)，这仍构成严重威胁。为验证此问题，我们通过仿真进行深入研究：假设两个HU3PAK封装的SCT011xx75 MOSFET(TO247封装表现会更好，此处选择更严苛案例)，一个RDS(on)=11.4 mΩ，另一个=15 mΩ。散热器温度设定为90°C，采用导热界面材料(TIM)为填隙胶(导热系数7 W/(m·K)，厚度0.4 mm)。　　在总RMS电流140A条件下，重点关注导通损耗。HU3PAK的冷却面积为120 mm²，计算得TIM导致的壳到散热器热阻为0.476 K/W。　　模拟实验结果　　140 A 电流中的 63 A 流经15 mΩ MOSFET，壳温为 123.7°C，结温为 139.9°C　　其余的77 A流经11.4 mΩ MOSFET，壳温为 131.8°C，结温为 151.8°C。　　当前电流失匹率为 22%，而初始值为 32%，并且两个 MOSFET 都有充足的温度裕度，即实际温度与最高绝对温度的差值很大。TIM导热胶的热梯度是一个关键因素，在15 mΩ MOSFET中，从外壳到散热器，温度降幅达到 33.7°C，而另一个 MOSFET则达到41.8°C。在这种情况下，TIM导热胶才是真正的限制因素，而MOSFET 之间的电流失衡不是问题。热导率选定为 7 W/(m∙K)，这个值不错，但并非最佳。幸运的是，近期市场需求推动了对此类材料的研究，现在已出现超过 20 W/(m∙K) 的电隔离间隙填充材料。　　结论　　功率模块适合高功率应用场景，但分立MOSFET也具备诸多优势，使其同样适用于模块的功率范围。选择合适的MOSFET，需要考虑哪些关键因素?答案是优异的开关性能和出色的热管理性能。　　幸运的是，意法半导体的第三代 SiC MOSFET 应运而生，并联时仍能保持稳定开关性能，其导通电阻RDSon 的热变特性在降低能量损耗和有效抑制热失控实现了双重优化。

关键词：

SiC MOSFET

发布时间：2025-06-25 11:21 阅读量：224 继续阅读>>

行业新闻

东芝研发出可降低沟槽型SiC MOSFET和半超结肖特基势垒二极管损耗的新技术

　　日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)研发了一项创新技术，该技术可在增强沟槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同时，显著降低其因导通电阻[1]而产生的损耗。同时，东芝还研发了半超结[4]肖特基势垒二极管(SJ-SBD)，有效解决了高温下导通电阻增大的问题。这两项技术突破有望显著提升功率转换器件的可靠性与效率，尤其在电动汽车和可再生能源系统等领域。　　功率半导体为所有电气设备供电并控制电力，对于节能和碳中和的实现至关重要。随着汽车的电气化和工业设备的微型化，预计对功率半导体的需求与日俱增。SiC MOSFET尤其如此。作为下一代器件，SiC MOSFET凭借其远超传统硅(Si)MOSFET的功率转换效率，正获得日益广泛的关注。其中，沟槽型SiC MOSFET以其独特的沟槽式栅极降低了导通电阻，SiC肖特基势垒二极管(SBD)则凭借金属半导体结实现了高效的功率转换，它们均广泛应用于电动汽车和可再生能源系统等高效功率转换领域。然而，这些应用场景通常伴随着高温工作环境，对可靠性和效率提升构成了严峻的考验。　　沟槽型SiC MOSFET需要保护栅极氧化层免受高电场的影响。然而，由于电场保护结构[6]的UIS耐用性与接地电阻[5]之间的关系尚不明确，因此要同时实现高栅极氧化层可靠性与低导通电阻便极具挑战。　　此外，尽管SiC SBD能承受比传统Si SBD更高的工作温度，但需要面对高温下电阻增加进而造成导通电阻变大的问题。　　东芝研发了两项关键技术来解决这些问题。　　1.提高沟槽型SiC MOSFET的UIS耐用性的技术　　东芝研究发现，通过在沟槽型SiC MOSFET的沟槽中构建保护层(图1)，并适当降低底部p阱的接地电阻，可提高UIS耐用性。这一发现明确了以往不确定的UIS耐用性与电场保护结构接地电阻之间的关系。与传统的平面型SiC MOSFET相比，东芝制作的沟槽型SiC MOSFET原型将导通电阻降低了约20%(图2)。图1. 沟槽型SiC MOSFET结构及底部p阱位置图2. 传统平面型SiC MOSFET与沟槽型SiC MOSFET的导通电阻比较(东芝测试结果)　　2.SiC SJ-SBD特性的改进　　此外，东芝还研发了SiC SJ-SBD，通过在漂移层中置入基极[7]来抑制高温下电阻的增加(图3(b))。通过比较传统的SiC SBD(图3(a))和SiC SJ-SBD在不同温度下的导通电阻变化[8]，东芝证实了SiC SJ-SBD在高温下具有更低的导通电阻(图4)。这是由于超级结(SJ)结构实现了平坦的电场分布并降低了导通电阻。与传统的SiC SBD相比，东芝研发的650V SiC SJ-SBD在175℃(448.15K)高温下将导通电阻降低了约35%。图3. 传统SiC SBD与SiC SJ-SBD的结构图4. 传统SiC SBD与SiC SJ-SBD 导通电阻　　与温度依赖性比较(东芝测试结果)　　这两项技术进一步降低了沟槽型SiC MOSFET和SiC SBD的损耗，提高了未来用于高效功率转换应用的器件的可靠性和效率，尤其是在电动汽车和可再生能源系统等领域。东芝将致力于进一步优化这些技术并加速其产业化进程。　　在6月1日至5日于日本熊本举行的第37届国际功率半导体器件与IC研讨会(ISPSD 2025 ISPSD)上，东芝介绍了这些新技术的详细信息。此项成就基于新能源产业技术综合开发机构(NEDO)的项目补贴而取得。

关键词：

东芝

发布时间：2025-06-20 13:34 阅读量：354 继续阅读>>

行业新闻

Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

　　碳化硅(SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。　　1.栅极驱动器设计措施　　关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导体的主要任务外，各种驱动器还提供短路保护功能。此外，采用适当的设计措施(如在关断状态下施加负栅极电压)来防止寄生开关是至关重要的。负栅极电压可确保增加MOSFET栅极阈值电压的偏移量，并提高开关单元对电压斜坡的抗扰度。另一项强制性措施是保护MOSFET的栅极，防止静电放电 (ESD)事件或电路中的寄生效应造成过压浪涌。　　硅基功率半导体，如Si-IGBT和Si-MOSFET通常具有对称的栅极额定电压。这种额定值允许使用对称TVS二极管进行栅极保护，但这是不必要的，因为硅栅极电压的最大额定值足以高于应用的驱动电压。与硅器件不同，SiC-MOSFET的负栅极电压额定值通常明显低于正栅极电压额定值。因此，使用两个独立的TVS二极管(如图1所示)进行非对称保护是很常见的。Littelfuse现在提供SMFA型集成式非对称双向TVS二极管。这种解决方案有助于有效减少寄生效应和PCB面积，尤其是在快速开关SiC应用中。　图1 使用两个独立TVS二极管的标准栅极保护与一个集成非对称SMFA型TVS二极管的对比　　2.产品选择　　Littelfuse SMFA非对称系列TVS二极管可保护SiC-MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。根据所需的SiC-MOSFET最大栅极额定电压，SMFA封装可从17.6~23.4 V的正击穿电压中选择，同时负向击穿电压被设置在7.15V。有关元件的详细信息，请参见表1。SMFA非对称TVS根据IEC 61000-4-2标准进行测试，采用SOD-123FL扁平封装。表1 SMFA系列产品组合　　图2显示了SMFA型非对称TVS二极管的静态和动态箝位性能。出于测试目的，提高了驱动器电压以显示TVS二极管的动态箝位。SMFATVS二极管不适合永久限制过高的驱动器电压。图2 SMFA型集成非对称TVS二极管的钳位特性　　3结论　　凭借新型集成非对称TVS SMFA系列，Littelfuse提供了一种创新的解决方案，可最大限度地提高SiC MOSFET栅极驱动器电路的稳健性，同时实现具有成本效益、所需PCB空间更小、寄生效应最小的设计。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-06-19 10:36 阅读量：271 继续阅读>>

行业新闻

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。　　四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能;以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。　　未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。　　测量条件：VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH，Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω　　续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至2025年5月，东芝对比结果)图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较　　应用　　● 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源　　● 电动汽车充电站　　● 光伏逆变器　　● 不间断电源　　特性　　● DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗　　● 东芝第3代SiC MOSFET　　● 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性　　● 低漏源导通电阻×栅漏电荷　　● 低二极管正向电压：VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)　　主要规格

关键词：

东芝

发布时间：2025-06-17 13:14 阅读量：363 继续阅读>>

村田开发出支持Semtech公司<span style='color:red'>IC</span>的LoRa®＋GNSS的适用于追踪器的通信模块

行业新闻

村田开发出支持Semtech公司IC的LoRa®＋GNSS的适用于追踪器的通信模块

　　株式会社村田制作所开发了支持 LoRaWAN®(1)与GNSS(2)的小型低成本通信模块“Type 2DT”(以下简称本产品)。现已开始批量生产。　　(1)LoRaWAN®：在具有广域、长距离且低速、低功耗特征的LPWA(Low Power Wide Area)无线通信中，利用不需要无线基站授权的免执照频段(Sub-GHz频度)的规格。　　(2)GNSS：Global Navigation Satellite System的缩写。通过与地球上空轨道运行的人造卫星通信，可以准确定位地球上位置的全球定位卫星系统。　　近年来在跟踪器市场上，物联网设备被用来监控家畜和人员活动。但是在户外使用时，由于Wi-Fi™及Bluetooth 等的近距离无线通信技术的通信距离短，因此在追踪器市场上，可进行更广域的长距离通信方式的LoRa®备受期待。　　本产品采用Semtech公司的LoRa®芯片组LR1110，支持860MHz至930MHz的频率，可实现上限22dBm的长距离通信。此外，还配备了以获取位置信息为目的的GNSS(GPS/BeiDou)及Wi-Fi被动扫描功能，Type 2DT无需其他设备就可实现长距离通信和位置信息获取。由此可缩短客户产品投放市场的时间，并有助于降低成本。　　主要规格　　主要用途　　资产跟踪、可追溯性、预防丢失/被盗、库存管理等

关键词：

村田

发布时间：2025-06-17 11:55 阅读量：330 继续阅读>>

行业新闻

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电

关键词：

英飞凌

发布时间：2025-06-16 11:55 阅读量：276 继续阅读>>

行业新闻

英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用

关键词：

英飞凌

发布时间：2025-06-16 11:51 阅读量：267 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址