AI需求引爆存储市场，Q4芯片价格飙升近20%！

发布时间：2025-09-18 15:44
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：182

　　根据DigiTimes 9月17日发布的数据，2025年第四季度NAND和DRAM的合同价格预计上涨15-20%，淡季价格飙升与人工智能基础设施建设和供应紧张直接相关。

AI需求引爆存储市场，Q4芯片价格飙升近20%！

　　《电子时报》写道：“供应短缺导致云服务提供商积极采购，高堆叠3D NAND产品几乎售罄。”并补充道：“3D NAND……吸引了CSP客户强烈的优先采购兴趣”，理由是他们希望获得更快的读取速度和更大的芯片容量。这与第四季度正常的元件价格通常会走低的模式形成了鲜明对比。

　　有迹象表明供应端正在收紧。TrendForce表示，SanDisk在9月份推动NAND价格上涨约10%，而美光则在客户预测出现短缺后暂停了DRAM和NAND报价，以重新评估分配情况。该公司还指出，近线HDD存在结构性短缺，这迫使超大规模数据中心运营商加快2026年QLC SSD部署计划。

　　《电子时报》(DigiTimes)进一步指出，三星2026年的下一代V9 NAND “已接近售罄”，云客户因其更高的密度和成本优势而提前锁定了产能。然而，本周另一份TrendForce简报称，三星已将V9 QLC的上市时间推迟到2026年上半年，这表明客户可能在确定的量产时间之前就预留了产能。无论如何，显而易见的是，云买家正在积极争取未来很长一段时间的供应。

　　这很容易对消费价格产生连锁反应。如果超大规模厂商正在吸收更多用于企业级SSD的晶圆，而DRAM制造商则优先考虑服务器部件和HBM，那么零售价格将会失去一些弹性。TrendForce已经警告称，随着产能重新分配，传统DRAM类型仍然面临最大的压力，如果云订单继续增加，NVMe硬盘常见的冬季特价可能会比预期的要少。

　　资金正在易手的一个迹象是控制器专家群联电子8月份创纪录的业绩。该公司公布的营收为59.34亿新台币，同比增长23%。与去年疲软的基数相比，这是一个巨大的增长。群联电子将这一强劲增长归因于非消费类需求以及与NAND制造商更紧密的合作，这符合数据中心主导的闪存供应紧张的大趋势。

　　归根结底，多个数据点现在汇聚成一个共同的主题：人工智能正在改写云存储体系，而硬盘供应受限，闪存制造商的定价权比往年最后一个季度更强。如果您计划升级，请密切关注零售内存价格，并在出现好价时迅速行动，因为好价位可能不会持续太久。


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　　芯片，也称为集成电路，是现代电子设备的核心部件。其制造过程复杂且精密，涉及多个环节和高度先进的设备。　　1. 设计阶段　　芯片制造始于设计阶段。工程师使用专门的电子设计自动化(EDA)软件，完成芯片的电路设计和逻辑布局。设计结果以版图(Layout)形式表现，确定晶体管和线路在芯片上的具体位置。　　2. 硅片准备　　芯片的基底是硅晶圆。硅晶圆通过高纯度硅棒切割、研磨和抛光制作而成，保持极其平整光滑，为后续工艺提供基础。　　3. 光刻　　光刻是制造流程中的核心步骤。具体包括：　　涂胶：在硅片表面均匀涂布一层光刻胶(光敏材料)。　　曝光：利用掩膜版(Mask)透过紫外光将图案投影到光刻胶上，光敏胶发生化学变化。　　显影：显影液去除未固化的光刻胶，显露出硅片上的预定图案。　　此步骤反复进行多次，形成复杂的电路层结构。　　4. 蚀刻　　蚀刻用于去除硅片上光刻胶未覆盖的部分材料，形成微细结构。蚀刻方法主要有湿法和干法(等离子蚀刻)，选择依具体工艺而定。　　5. 离子注入　　为了改变半导体的电学性质，会将特定的杂质离子注入硅片中，控制晶体管的导电性，实现N型或P型区域。　　6. 薄膜沉积　　此过程用于在硅片上沉积各种绝缘层、导电层或半导体层。方法包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等。　　7. 抛光　　经过多次光刻和蚀刻后，硅片表面会出现高度不平整。化学机械抛光通过机械和化学手段，平整硅片表面，确保后续工艺的精确性。　　8. 金属互连　　芯片中各个元件通过金属线连接形成完整电路。通常采用铝、铜等金属，通过多层沉积、光刻和蚀刻工艺实现精细连线。　　9. 测试与切割　　完成所有工艺后，需对硅片上的多个芯片单元进行电气测试，筛选合格产品。随后将硅片切割成独立芯片。　　10. 封装　　芯片切割后进入封装阶段，将芯片安装到封装基板上，封装以保护芯片并提供电气接口。常见封装形式有DIP、QFP、BGA等。　　11. 最终测试　　封装完成的芯片还需进行功能和性能测试，确保其符合设计规格和质量标准，之后才能出厂应用。
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常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍
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　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。
2025-08-20 14:02 阅读量：453
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