电容触摸技术进化论:瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

Release time:2025-08-12
author:AMEYA360
source:瑞萨
reading:1061

  HMI(人机界面)是指用户与机器设备之间进行信息交互的硬件与软件系统,其核心功能是实现用户指令输入、系统状态反馈及数据可视化呈现。从形态上看,HMI涵盖触控面板、显示屏幕、按键旋钮等输入输出组件。根据贝哲斯咨询发布的《基于触摸的人机界面(HMI)行业研究报告》,2023年全球基于触摸的 HMI市场规模达357.82亿元,预计到2029年将增长至498.64亿元,预测期间的年复合增长率(CAGR)为5.37%。

  纵观HMI发展史,一个核心要义是用更少物理约束实现更自然信息交换。因此,传统物理按键逐渐退出历史舞台,电容式触摸技术凭借高抗噪、低功耗、高精度等优势,已成为现代HMI人机界面的核心交互方式。多年来,瑞萨电子一直在深耕电容式触摸技术,其第三代电容式触控技术(CTSU2)自2019年推出市场后,便得到了市场的广泛欢迎。

  电容式触摸技术的核心参数以及CTSU2的优势

  从技术原理来看,电容式触摸技术基于人体电场的电容耦合效应,通过检测电极电容变化来定位触摸位置。该技术主要分为自电容(绝对电容)技术和互电容(投射电容)技术:前者每个电极独立构成电容,触摸时人体靠近会改变电极的寄生电容值,控制器通过检测电容变化确定触摸位置;后者由横向(X轴)和纵向(Y轴)电极阵列组成交叉电容网络,每个交叉点形成耦合电容,触摸时人体会耦合部分电场,导致交叉点电容值下降,通过检测各点电容变化量确定触摸坐标。

  整个电容式触摸系统主要包括触控面板、触控控制器(一般是MCU)和驱动软件。其中,触控控制器作为系统的硬件核心,主要集成电容检测电路、信号处理芯片,负责采样、滤波、坐标计算。

  衡量一款电容式触摸系统是否优质,有许多关键参数,包括分辨率、采样率、信噪比、抗干扰能力等。分辨率主要关系到触控精度,指单位面积内可识别的最小触摸点间距,精度越高,触控定位越精准;采样率为每秒检测触摸信号的次数,高采样率能够提升触控流畅度;信噪比是信号强度与噪声强度的比值,高信噪比能够减少误触,提升抗干扰能力;抗干扰能力则综合包括抗电磁干扰(EMI)、抗静电(ESD)、抗环境光干扰,以及防水防污等性能。当然,对于一些应用场景,系统的低功耗水平同样至关重要。

  瑞萨电子深耕电容式触摸技术多年,很早就推出了第二代技术IP——CTSU,并搭载于相关的MCU产品上。2019年,瑞萨电子将第三代电容式触控技术(CTSU2)推向市场。相较于前代CTSU技术,CTSU2在抗干扰能力、功耗控制、防水性能、功能集成等方面实现了显著突破。

  CTSU2通过多频测量与主动屏蔽,在抗干扰性能方面取得革命性提升。CTSU2基于三频率测量,可有效抑制同步噪声,即使某一频率受干扰,其他两个频率仍能准确捕捉电容变化,确保测量结果的稳定性,从而在测量端大幅提升抗噪性能。

电容触摸技术进化论:瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

  CTSU2在第二代技术的基础上,优化了屏蔽电极的设计,可实现多个电极共用一个屏蔽电极,使硬件的设计难度大幅降低。同时,通过驱动触摸电极与屏蔽护罩电极以相同电位和相位工作,CTSU2可大幅降低水滴、油渍等污染物导致的误触。

电容触摸技术进化论:瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

  CTSU2也着重优化了精度和灵敏度。首先,CTSU2 提高了Sensor(电流计数器)的温漂精度,适用于温度变化大的应用场景;其次,CTSU2在通用触摸IP技术上,增加了高速并行扫描功能(Capacitance Frequency Conversion),大幅减少了扫描次数,从而缩短了按键的延时响应,非常适合矩阵排列的多按键使用场景。

电容触摸技术进化论:瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

  此外,相较于第二代技术,CTSU2在功耗方面表现更佳。CTSU2在通用IP的基础上,针对低功耗触摸应用,增加了多电极连接(Multi Electrode Connection)和自动判断功能(Auto Judgement)。其中,自动判断功能在MCU待机状态下(如休眠模式),无需唤醒CPU即可检测触摸事件,一旦检测到触摸,系统自动切换至正常工作模式;多电极连接功能可将所有电极连在一起进行一次扫描,从而减少了每个通道逐一扫描的时间。

  瑞萨电子触摸MCU产品矩阵

  综上所述,CTSU2作为瑞萨电子在电容式触摸技术领域的集大成者,通过多频测量、主动屏蔽、低功耗设计、高集成度等核心创新,重新定义了复杂环境下的触控体验。

  目前,瑞萨电子已经推出了多种内核的触控MCU产品,RL78(16bit)和RX(32bit)为瑞萨私有内核MCU,RA(32bit)为ARM内核产品。其中,RL78/G23、G22系列,RX140系列,以及RA2L1、RA2E1、RA4L1系列均基于CTSU2技术。

  以RA2L1为例,该系列MCU基于Arm® Cortex®-M23核心,CPU时钟频率最高 48MHz,采用优化的制程和瑞萨电子的低功耗工艺技术,是业界一流水平的超低功耗微控制器——相较于竞品,RA2L1为例运行模式电流和待机模式电流都更低。RA2L1产品群配备了增强型电容式触摸感应单元(CTSU2)、串行通信接口、高精度模拟电路和定时器,可应用于消费者应用、家用电器、工业自动化、楼宇自动化、医疗与保健等领域。

  当前,瑞萨电子在电容触摸MCU方面产品类型丰富,用户可基于封装、闪存大小和触摸通道数量的需求快速选型。其中既有基于CTSU2技术的产品,也有基于CTSU技术的产品,满足用户的差异化需求。

电容触摸技术进化论:瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

  同时,灵活的产品选型也表明,瑞萨电子的技术优势不仅体现在性能参数的提升,更通过与 MCU、安全模块和开发工具的深度协同,为汽车、工业、医疗等市场提供了“硬件+软件+生态”的一站式解决方案。

  结语

  从技术原理的革新到MCU产品矩阵的深度布局,瑞萨通过CTSU2技术将电容触摸体验推向新高度,不仅满足消费电子、工业自动化、医疗健康等多领域对触控精度与稳定性的严苛需求,更以“硬件+软件+ 生态”的一站式解决方案,构建起从技术创新到场景落地的完整闭环。在HMI向智能化、轻量化演进的趋势下,瑞萨电子凭借CTSU2技术与多元MCU产品的协同发力,正持续为全球用户打造更自然、更可靠的人机交互生态,推动触控技术在万物互联时代释放更大价值。


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端侧AI如何释放终端智能?瑞萨RA8P1 MCU展现“芯”实力
  近日,“2026半导体产业发展趋势大会暨颁奖盛典”在深圳举行。在“AI赋能消费电子创新应用论坛”上,瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表了题为《无处不在的高效端侧AI,释放终端潜能》的演讲,分享了瑞萨最新一代RA8P1 MCU如何以强劲性能推动边缘AI规模化落地。  瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表演讲  双核异构架构:定义MCU新性能基准  要理解RA8P1 MCU为何能成为端侧AI的理想之选,首先需要从其硬件架构说起。RA8P1系列是瑞萨电子首款搭载高性能Arm® Cortex®-M85及Cortex-M33,并集成Ethos™-U55 NPU的32位AI加速MCU。该系列通过单芯片实现256 GOPS的AI性能、超过7300 CoreMarks的突破性CPU性能和先进的人工智能(AI)功能,可支持语音、视觉和实时分析AI场景。RA8P1 MCU采用台积电22ULL工艺制造,在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。同时,RA8P1还集成了Arm Ethos-U55 NPU,在500MHz频率下可实现256 GOPS的神经网络处理能力。  端侧智能突破:推理性能大幅跃升  强大的硬件架构只是基础,真正体现RA8P1 MCU实力的在于其AI加速能力。Arm Ethos-U55 NPU针对CNN和RNN中的计算密集型算子进行了硬件加速,支持8位权重及8/16位激活值,并采用离线压缩、实时解压技术以降低内存需求。当遇到部分NPU不支持的算子时,编译器可自动将任务回退至Cortex-M85 CPU,通过CMSIS-NN软件加速执行,降低模型部署难度和提升AI推理效率。  为直观呈现Cortex-M85的推理加速效果,演示先以RA8D1给出CPU侧基线数据,并进一步引出集成NPU的RA8P1在吞吐与能效上的提升。  在实际演示中,在480MHz的RA8D1运行人形检测AI模型时,得益于Cortex-M85内置的Helium加速单元,性能较上一代Cortex-M7内核提升3.6倍。在此基础上,RA8P1进一步集成了256 GOPS的NPU,可继续提升端侧推理吞吐和能效表现。在电机负载不平衡检测应用中,结合CMSIS-NN与TF-Lite for MCU,RA8P1 MCU同样展现出卓越的实时故障诊断能力。  三大典型应用场景验证落地能力  理论性能需要在实际场景中得到验证。凌滔在演讲中展示了RA8P1在视觉AI领域的三个典型应用,充分证明了其端侧处理能力。  图像分类:在基于MobileNet v1的演示中,模型大小608KB,RA8P1 MCU的推理时间仅3ms,性能加速达33倍。系统工作流程为:摄像头通过CEU或MIPI-CSI接口采集图像,Ethos-U55执行推理,Cortex-M85运行主控逻辑,结果通过GLCDC及2D DRW引擎渲染输出至LCD显示。  驾驶员行为监控:该方案可同时检测打瞌睡、打电话、吸烟等违规驾驶行为。模型来自Nota.ai驾驶员监控方案,大小仅439.8KB,在RA8P1-EK评估板上实测推理时间为11.1ms,预处理/后处理12ms,总耗时23.1ms,相比纯CPU方案加速24.5倍。方案兼容红外摄像头和RGB彩色摄像头,适用于车载行车记录仪及车厢内部监控。  道路交通与电瓶车流监察:基于Irida智能城市监察模型(大小320KB),RA8P1 MCU实现机动车行驶状态及电瓶车流状况的端侧视觉AI分析。推理时间11ms,预处理/后处理4ms,整体功耗仅160mW,推理速度提升36.4倍。该方案适用于智慧城市交通情况分析、人员计数、热能分布及特定区域目标识别。  丰富外设与完整开发生态  强大的算力还需丰富的外设接口和软件工具来支撑落地。RA8P1 MCU集成了MIPI-CSI2摄像头接口、MIPI-DSI显示接口、2D图形引擎(DRW)、Gigabit以太网MAC(支持TSN/DLR双通道+双端口交换机)、USB2.0 FS/HS、SDHI(x2)、OSPI(支持XIP和DOTF)、32位SDRAM接口、CAN-FD、I3C等,可满足视觉AI、语音AI及工业实时控制等多类场景需求。  软件开发方面,瑞萨提供灵活配置软件包(FSP),集成高性能HAL驱动、Azure RTOS/FreeRTOS中间件,并支持e2 studio IDE中的AI Navigator图形化工具及RUHMI AI编译器。RUHMI支持从TensorFlow Lite和ONNX导入模型,自动完成优化、量化和分割,并生成经过优化的.c/.h源码,显著降低AI模型在RA8P1 MCU上的部署门槛。  官方评估套件EK-RA8P1提供了完整的开发支持,包括双通道MIPI-DSI和并行显示连接器、摄像头扩展连接器(CEU/MIPI-CSI2)、64MB OSPI闪存、64MB SDRAM、PDM MEMS麦克风、音频编解码器、以太网RJ45(RGMII)等。此外,瑞萨还推出了CPK-RA8P1及合作伙伴RTT RA8P1 Titan Board等开发套件,RT-Thread BSP源码已在GitHub开源。  总结与展望  在端侧AI需求持续爆发的背景下,单纯依赖CPU算力已难以满足日益复杂的应用场景,而“CPU+NPU”的异构融合方案正成为行业共识。瑞萨通过将高性能Cortex-M85、灵活的Cortex-M33与专用AI加速单元Ethos-U55有机结合,为开发者提供了一条兼顾性能、功耗与开发效率的可行路径。可以预见,随着RA8P1 MCU及其后续产品的不断迭代,端侧AI将在工业自动化、智能座舱、智慧城市、消费电子等领域实现更广泛、更深度的落地,真正释放终端设备的无限潜能。
2026-04-17 10:20 reading:287
喜报丨瑞萨RZ/T2H荣获控制网“2025自动化领域年度竞争力创新产品”奖
  近日,以“智驱新质 融创未来”为主题的2026中国自动化产业年会(CAIAC2026)暨第二十一届中国自动化产业世纪行活动在北京隆重举办。在大会同期揭晓的年度评选中,瑞萨电子高性能MPU——RZ/T2H,凭借其在工业自动化领域的前沿设计与卓越性能,荣获“2025自动化领域年度竞争力创新产品”奖。  2026中国自动化产业年会(CAIAC2026)立足全球科技革命与产业变革深度融合的时代背景,紧扣“十五五”规划开局之年的战略机遇,聚焦智能技术集群驱动产业进化的核心趋势,深入探讨自动化技术在激发新质生产力、推动工业绿色低碳转型、构建自主可控产业生态等方面的关键作用,是中国自动化领域极具专业性与影响力的行业盛会。  在自动化系统向“数据驱动、智能决策、自主执行”演进的关键时期,RZ/T2H的创新技术为工业自动化跃升提供了强大引擎。瑞萨RZ/T2H是瑞萨面向工业应用打造的高性能微处理器(MPU),凭借强大的应用处理能力与实时性能,成为工业自动化领域的标杆产品。该产品能够以单芯片方案实现对多达9轴工业机器人电机的高速、高精度控制,并原生集成丰富网络通信功能,支持包括EtherCAT、PROFINET、EtherNet/IP、OPC UA以及下一代时间敏感网络(TSN)标准在内的工业以太网通信,完美适配可编程逻辑控制器(PLC)、运动控制器、分布式控制系统(DCS)和计算机数控(CNC) 等工业控制器设备。  相较于传统工业系统需要多个MPU或现场可编程门阵列(FPGA)组合的复杂方案,RZ/T2H通过单芯片集成满足工业控制多场景需求,有效减少了组件数量,大幅节省FPGA程序开发的时间及成本,为工业机器人、自动化控制器等设备提供了高效、精简的解决方案。  RZ/T2H配备四个最高工作频率为1.2GHz的Arm® Cortex®-A55应用CPU以及两个最高工作频率为1GHz的Cortex®-R52实时CPU。其电机控制外设功能被置于Cortex-R52实时CPU内核的低延迟外设端口(LLPP)总线上,从而实现CPU的高速访问。这一设计使得在单芯片上同时执行Linux应用程序、机器人轨迹生成、PLC序列处理等任务,以及电机控制和工业以太网协议处理等快速且精确的实时控制任务成为可能。该产品在性能与集成度上的卓越表现,充分彰显了瑞萨在嵌入式处理领域的深厚技术积淀。  作为全球领先的半导体解决方案供应商,瑞萨始终秉持技术创新理念,聚焦工业、物联网、汽车等领域,持续打造高性能、高可靠性的芯片与一体化解决方案。未来,瑞萨也将携手行业生态伙伴,以更先进的技术、更优质的产品,赋能全球制造业向高端化、智能化、绿色化转型,推动产业价值链协同升级。
2026-04-16 10:03 reading:272
瑞萨丨大咖谈技术 为AI数据中心供电:氮化镓(GaN)正成为焦点
  在数据中心设计的新纪元,人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式,以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化,而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心,其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构,进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。  剖析AI数据中心的电力挑战  相较于早期的云基础设施,AI数据中心呈现出两大显著特征:更高的电力消耗,以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今,AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异),按照这一趋势,预计到明年,单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下,功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。  为了实现AI应用的可持续规模化扩展,电源架构必须迈向更高效、更紧凑,且更具适应性的新阶段。简而言之,电力已从昔日的运营支出项,演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且,只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动,这一趋势就将长期持续。  AI推动新型电源架构  这场变革最明显的标志之一,便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗,并全面提升系统效率。与此同时,这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。  深入服务器机架内部观察,可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴,演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络,以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元,超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。  更少的转换环节,更高的电压  面对日益加剧的压力,数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案,包括800V(或±400V)直流架构,业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。  其背后的逻辑直指效率:每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中,电力以交流电(480V三相交流)形式输入,需经历数次形态转换:先转换为直流电用于电池充电,再逆变为交流电进行配电(415V交流),最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率,让更多来自电网的电能真正用于计算任务。  这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如,在高压应用场景下,固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。  与此同时,机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前,相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金,电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜,不仅能为AI计算单元腾出更多空间,还能更有效地集中管理散热。  为何是GaN,又为何是现在?  GaN的普及步伐加快,根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了:在紧凑尺寸下实现高压能力,以及快速高效的开关性能。  与硅器件相比,GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别,而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外,GaN的固有寄生电容低于硅,能够实现更快的开关速度且损耗更低。  从系统层面看,开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率,便可缩小磁性元件体积,并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今,AI基础设施正采用同样的策略,只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。  GaN的“黄金应用区间”:  800V至48V转换与双向供电  在AI数据中心的电源链路中,不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中,碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩,而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景,当属从约800V高压到中间电压(如48V,特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”,在此区间内,GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。  此外,AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时,存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散,要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统,在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。  双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如,以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路,如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例:该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构,进一步提高了效率。  瑞萨电子:  将GaN定位为系统级解决方案  AI数据中心的创新节奏之快,已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量,如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案,以及全面、长远的规划蓝图,而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。  依托数十年的电源技术积累,瑞萨深知:要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期,离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计,再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案,正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。  通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术,瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能,从而加速其评估进程,缩短产品设计周期。  普及之路的挑战与未来展望  尽管GaN优势显著,但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求,以及设计人员的熟悉程度,都将影响其普及速度。展望未来三至五年,GaN在AI数据中心内的集成深度,将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性,切实化解这些顾虑。  可以预见的是,AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言,GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下,推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说,这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化,那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍,如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地,而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。
2026-04-15 10:15 reading:306
三十而励——瑞萨北京&苏州工厂成立三十周年庆
  三十年,在历史的长河中只是弹指一挥间,对于企业而言,是从青涩到成熟的壮丽征程。  上周,瑞萨北京工厂与苏州工厂双双迎来成立三十周年庆典。虽相隔千里,但同频共振。两座工厂分别举行了隆重而热烈的庆祝仪式,全体员工齐聚一堂,为三十岁生日献上最真挚的祝福!作为周年庆典的一部分,北京工厂在庆典同期连线参加了瑞萨2025 IM (Internal Manufacturing)Award颁奖典礼,与全球瑞萨人共同见证这一荣耀时刻。  北京工厂:初心不改,厚积薄发  从最初扎根首都北京,到成长为瑞萨在华北地区最重要的制造与研发基地,三十年来,北京工厂始终秉承品质至上、技术领先、持续创新的核心追求,以稳定可靠的产品、高效敏捷的交付能力和精益求精的制造体系,与中国半导体产业共同成长、与首都经济高质量发展同频共进。  从瑞萨内部首个“黑灯工厂”试点,到荣获国家级“绿色工厂”的称号,我们一路见证了北京工厂从产能提升、技术迭代到智能制造、绿色低碳的全面升级,更见证了一代代北京瑞萨人以专业、敬业与担当,在岗位上坚守匠心、攻坚克难,用实际行动诠释着瑞萨的企业精神与价值追求。正是这份坚守与付出,让北京工厂三十年来行稳致远、屡创佳绩。  苏州工厂:历久弥新,智造未来  苏州工厂自1996年成立后,历经岁月沉淀与技术革新,从初创到成长为瑞萨车载半导体的主要工厂之一,以品质为基、创新为魂,打造高效可靠的制造体系,不断突破产能瓶颈,积极推动智能化与绿色制造转型,并荣获“江苏省绿色工厂”称号。每一步都凝聚着全体苏州瑞萨人的智慧与汗水,也彰显着苏州工厂在环保与可持续发展领域的成就。  凭借卓越的产品和服务,和苏州瑞萨人专业、敬业的精神,苏州工厂赢得了全球客户的信赖。  [2025 IM Award]  瑞萨2025 IM Award 颁奖典礼于上周(4月2日)举行,首次以全球形式,在线连接日本东京、中国北京和马来西亚槟城三地同步开展,集中表彰了IM组织内的卓越实践与重要贡献。活动通过直播方式吸引了员工的广泛参加。本次评选共收到53项申报,涵盖团队奖、个人奖、特别贡献奖及5S奖。经严格评审,共评选出18项优秀案例,北京和苏州工厂均榜上有名。本次活动有效强化了瑞萨全球协同与组织凝聚力,彰显了IM推动持续改进与高绩效文化的成果。  三十而励,共赴芯程 ✨✨✨  三十载春华秋实,三十载匠心筑梦。瑞萨电子集团副总裁兼瑞萨电子中国总裁刘芳,向北京工厂与苏州工厂送出了生日祝福。    “我们满怀喜悦,庆祝北京工厂与苏州工厂成立三十周年的重要时刻。三十年间,两大工厂已成为瑞萨全球供应链中不可或缺的重要力量。三十而励,薪火相传,初心如炬,征途如虹。站在下一个三十年的起点,面对全球半导体产业迎来智能化、电动化、数字化的全新机遇,瑞萨将继续坚定不移地践行扎根中国、服务中国、创新中国、赋能全球的长期承诺。也借此欢庆时刻,祝愿北京工厂和苏州工厂,三十周年生日快乐,基业长青!祝所有的同事们身体健康,工作顺利,万事顺遂!相信下一个三十年,我们必将同心致远,再创辉煌!”  三十载砥砺同行,每一份成绩都源于坚守,每一次跨越都始于初心。北京与苏州,一北一南,如双星辉映,为瑞萨在中国的发展书写了精彩篇章。站在新的起点,过往的荣光将化作前行的底气,以三十年为序章,以奋斗为笔触,瑞萨将在科技发展的浪潮中乘风破浪,共同奔赴下一段更加璀璨的“芯”程。
2026-04-10 10:21 reading:441
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